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    Ensayo 2 Análoga 2

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    Este documento discute las tres opciones principales de transistores para aplicaciones conmutadas: BJT, MOSFET e IGBT. Explica que el MOSFET es la opción más conveniente debido a que almacena menos carga en su canal de conducción, lo que le permite tener menores tiempos de retardo y almacenamiento para una respuesta más rápida durante la conmutación. Aunque los tres transistores pueden usarse para conmutación, el MOSFET es la opción más efectiva debido a su velocidad superior.

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    Este documento discute las tres opciones principales de transistores para aplicaciones conmutadas: BJT, MOSFET e IGBT. Explica que el MOSFET es la opción más conveniente debido a que almacena menos carga en su canal de conducción, lo que le permite tener menores tiempos de retardo y almacenamiento para una respuesta más rápida durante la conmutación. Aunque los tres transistores pueden usarse para conmutación, el MOSFET es la opción más efectiva debido a su velocidad superior.

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    Este documento discute las tres opciones principales de transistores para aplicaciones conmutadas: BJT, MOSFET e IGBT. Explica que el MOSFET es la opción más conveniente debido a que almacena menos carga en su canal de conducción, lo que le permite tener menores tiempos de retardo y almacenamiento para una respuesta más rápida durante la conmutación. Aunque los tres transistores pueden usarse para conmutación, el MOSFET es la opción más efectiva debido a su velocidad superior.

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    Este documento discute las tres opciones principales de transistores para aplicaciones conmutadas: BJT, MOSFET e IGBT. Explica que el MOSFET es la opción más conveniente debido a que almacena menos carga en su canal de conducción, lo que le permite tener menores tiempos de retardo y almacenamiento para una respuesta más rápida durante la conmutación. Aunque los tres transistores pueden usarse para conmutación, el MOSFET es la opción más efectiva debido a su velocidad superior.

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    Para las aplicaciones conmutadas o por pulsos se puede usar como elemento

    interruptor un transistor BJT, un MOSFET o un IGBT. ¿Cuál cree Usted que es


    la más conveniente de las tres opciones y por qué?
    En muchas aplicaciones, resulta mucho más práctico trabajar con señales digitales o
    pulsos. Estos ofrecen la ventaja de mejorar la eficiencia de los dispositivos y a su vez,
    brindan cierta confiabilidad. Una de las aplicaciones que demanda el uso de señales
    conmutadas, son los amplificadores de potencia. En estos dispositivos es esencial brindar
    un alto valor de potencia a la salida y por tanto aprovecha la excelente eficiencia de los
    transistores operando en conmutación (eficiencias de hasta más de 90%) [1]
    Los transistores empleados para efecto de conmutación son los BJT, MOSFET o IGBT.
    Todos estos transistores sirven para dicho propósito, pero difieren en la forma de hacerlo.
    La efectividad de un transistor para efectos de conmutación, se puede medir como la
    velocidad con la que es capaz de emitir un pulso. Para entender cómo funcionan las
    velocidades de conmutación de cada transistor, se muestra la forma de un pulso, como
    sigue a continuación:

    Figura 1. Tiempos de conmutación de un transistor [2]

    En la figura 1, se aprecia claramente que la respuesta del transistor no es inmediata, sino que está
    caracterizada por ciertos tiempos que de cierta manera retrasan y por tanto afectan levemente la
    forma del pulso. Entre estos tiempos son de especial interés para este análisis dos: [2]

     Tiempo de retardo: td (delay time): Es el periodo de tiempo que tarda el pulso de salida en
    tomar el 90% de su valor máximo luego de que se aplica una señal de entrada. Este tiempo
    de retraso se debe principalmente a dos factores: 1.- Cuando un transistor actúa como
    conmutador, se polariza inversamente para llevarlo a la región de corte; para volver a pasar
    a la región de conducción, se necesita de cierto tiempo para descargar y cargar ese
    condensador que se generó por el acumulamiento de cargas. A mayor valor de polarización
    inversa mayor será ese retardo. 2.- Se requiere de cierto tiempo para que la corriente se
    difunda
     Tiempo de almacenamiento: ts (storage time): Es el periodo de tiempo que tarda el pulso
    de salida en tomar el 10% de su valor final luego de que comienza la fase de apagado. La no
    respuesta del transistor en este tiempo ts, se debe al exceso de portadores minoritarios
    acumulados en la zona de deplexión. Para que el transistor responda, se requiere la
    anulación del exceso de carga.

    Cuando se emplean transistores de conmutación, donde la velocidad tiene gran interés, se obtiene
    una gran ventaja cuando se reducen los tiempos de retardo y almacenamiento. Estos tiempos están
    afectados, en gran medida, por la capacidad que tenga el transistor de almacenar carga. Haciendo
    una revisión entre los transistores BJT, MOSFET e IGBT, se encuentra que el MOSFET es el que cuenta
    con un canal de conducción más pequeño y es el que menos carga acumula [1], por lo que resulta
    mejor para una aplicación conmutada que los otros. Incluso, si se emplea un MOSFET en
    configuración VMOS o CMOS, el desempeño ante una aplicación conmutada es aún mejor, por las
    razones previamente expresadas. En cuanto a los transistores BJT e IGBT, se encuentra (por las
    mismas razones), que el desempeño ante una aplicación conmutada, es muy superior en el caso del
    IGBT.

    En este orden de ideas, se considera que el transistor MOSFET es más conveniente para aplicaciones
    conmutadas que los transistores BJT e IGBT.

    Referencias:

    [1] Boylestad, Nashelsky. Electrónica: Circuitos y Dispositivos. (8va. Edición). Prentice Hall
    latinoamericana. 2005.
    [2] El transistor como Conmutador. Recuperado de:
    http://dea.unsj.edu.ar/elo1/Transistor%20como%20conmutador-ELO%20I.pdf

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