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Este aviso fue puesto el 31 de octubre de 2015.
�RAM� redirige aqu�. Para otras acepciones, v�ase RAM (desambiguaci�n).
La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory, RAM) se utiliza como memoria
de trabajo de computadoras y otros dispositivos para el sistema operativo, los
programas y la mayor parte del software. En la RAM se cargan todas las
instrucciones que ejecuta la unidad central de procesamiento (procesador) y otras
unidades del computador, adem�s de contener los datos que manipulan los distintos
programas.
Se denominan �de acceso aleatorio� porque se puede leer o escribir en una posici�n
de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posici�n, no siendo
necesario seguir un orden para acceder (acceso secuencial) a la informaci�n de la
manera m�s r�pida posible.
1 Historia
1.1 FPM RAM
1.2 EDO RAM
1.3 BEDO RAM
2 Tipos de RAM
3 Nomenclatura
4 M�dulos de RAM
5 Tecnolog�as de memoria
5.1 SDR SDRAM
5.2 RDRAM
5.3 DDR SDRAM
5.4 DDR2 SDRAM
5.5 DDR3 SDRAM
5.6 DDR4 SDRAM
6 Relaci�n con el resto del sistema
7 Detecci�n y correcci�n de errores
8 RAM registrada
9 V�ase tambi�n
10 Referencias
Historia
Integrado de silicio de 64 bits sobre un sector de memoria de n�cleo magn�tico
(finales de los 60).
4MiB de memoria RAM para un computador VAX de finales de los 70. Los integrados de
memoria DRAM est�n agrupados arriba a derecha e izquierda.
M�dulos de memoria tipo SIPP instalados directamente sobre la placa base.
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de n�cleo magn�tico,
desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo
de circuitos integrados a finales de los a�os 60 y principios de los 70. Esa
memoria requer�a que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material
ferromagn�tico de algunos mil�metros de di�metro, lo que resultaba en dispositivos
con una capacidad de memoria muy peque�a. Antes que eso, las computadoras usaban
rel�s y l�neas de retardo de varios tipos construidas para implementar las
funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores
de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el
siguiente a�o se present� una memoria DRAM de 1024 bytes, referencia 1103 que se
constituy� en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con �xito, lo
que signific� el principio del fin para las memorias de n�cleo magn�tico. En
comparaci�n con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en
varios aspectos, pero ten�a un desempe�o mayor que la memoria de n�cleos.
Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en t�cnicas como el Burst Mode usado en
procesadores como el Intel 486.3? Se implant� un modo direccionamiento en el que el
controlador de memoria env�a una sola direcci�n y recibe a cambio esa y varias
consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro
de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a
muchas posiciones consecutivas. Funciona como si dese�ramos visitar todas las casas
en una calle: despu�s de la primera vez no ser�a necesario decir el n�mero de la
calle �nicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 � 60 ns
y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.
EDO RAM
Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con tiempos de
accesos de 40 o 30 ns supon�a una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, tambi�n
es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va a
utilizar mientras que se lee la informaci�n de la columna anterior, dando como
resultado una eliminaci�n de estados de espera, manteniendo activo el b�fer de
salida hasta que comienza el pr�ximo ciclo de lectura.
BEDO RAM
SRAM (Static Random Access Memory), RAM est�tica, memoria est�tica de acceso
aleatorio.
vol�tiles.
no vol�tiles:
NVRAM (non-volatile random access memory), memoria de acceso aleatorio
no vol�til
MRAM (magnetoresistive random-access memory), memoria de acceso
aleatorio magnetorresistiva o magn�tica
DRAM (Dynamic Random Access Memory), RAM din�mica, memoria din�mica de acceso
aleatorio.
DRAM Asincr�nica (Asynchronous Dynamic Random Access Memory, memoria de
acceso aleatorio din�mica asincr�nica)
FPM RAM (Fast Page Mode RAM)
EDO RAM (Extended Data Output RAM)
SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory, memoria de acceso
aleatorio din�mica sincr�nica)
Rambus:
RDRAM (Rambus Dynamic Random Access Memory)
XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory)
XDR2 DRAM (eXtreme Data Rate two Dynamic Random Access Memory)
SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory,
SDRAM de tasa de datos simple)
DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory,
SDRAM de tasa de datos doble)
DDR2 SDRAM (Double Data Rate type two SDRAM, SDRAM de tasa de datos
doble de tipo dos)
DDR3 SDRAM (Double Data Rate type three SDRAM, SDRAM de tasa de datos
doble de tipo tres)
DDR4 SDRAM (Double Data Rate type four SDRAM, SDRAM de tasa de datos
doble de tipo cuatro).
DDR5 SDRAM (Double Data Rate type five SDRAM, SDRAM de tasa de datos
doble de tipo cinco).
DDR6 SDRAM (Double Data Rate type six SDRAM, SDRAM de tasa de datos
doble de tipo seis).
Nomenclatura
La RAM es solo una variedad de la memoria de acceso aleatorio: las ROM, memorias
Flash, cach� (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de
procesamiento tambi�n poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales
para cualquier posici�n.
Los m�dulos de RAM son la presentaci�n comercial de este tipo de memoria, que se
compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso independiente,
en otros dispositivos como las consolas de videojuegos, la RAM va soldada
directamente sobre la placa principal.
M�dulos de RAM
Formato SO-DIMM.
Los m�dulos de RAM son tarjetas o placas de circuito impreso que tienen soldados
chips de memoria DRAM, por una o ambas caras.
La conexi�n con los dem�s componentes se realiza por medio de un �rea de pines en
uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el m�dulo al ser instalado
en un z�calo o ranura apropiada de la placa base, tenga buen contacto el�ctrico con
los controladores de memoria y las fuentes de alimentaci�n.
Tecnolog�as de memoria
La tecnolog�a de memoria actual usa una se�al de sincronizaci�n para realizar las
funciones de lectura/escritura de manera que siempre est� sincronizada con un reloj
del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran
as�ncronas.
RDRAM
Art�culo principal: RDRAM
Se presentan en m�dulos RIMM de 184 contactos. Fue utilizada en los Pentium 4 . Era
la memoria m�s r�pida en su tiempo, pero por su elevado costo fue r�pidamente
cambiada por la econ�mica DDR. Los tipos disponibles son:
DDR SDRAM
Art�culo principal: DDR SDRAM
Memoria s�ncrona, env�a los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo
trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la
frecuencia de reloj. Se presenta en m�dulos DIMM de 184 contactos en el caso de
ordenador de escritorio y en m�dulos de 144 contactos para los ordenadores
port�tiles.
La nomenclatura utilizada para definir a los m�dulos de memoria de tipo DDR (esto
incluye a los formatos DDR2, DDR3 y DDR4) es la siguiente: DDRx-yyyy PCx-zzzz;
donde x representa a la generaci�n DDR en cuesti�n; yyyy la frecuencia aparente o
efectiva, en Megaciclos por segundo (MHz); y zzzz la m�xima tasa de transferencia
de datos por segundo, en Megabytes, que se puede lograr entre el m�dulo de memoria
y el controlador de memoria. La tasa de transferencia depende de dos factores, el
ancho de bus de datos (por lo general 64 bits) y la frecuencia aparente o efectiva
de trabajo. La f�rmula que se utiliza para calcular la m�xima tasa de transferencia
por segundo entre el m�dulo de memoria y su controlador, es la siguiente:
Tasa de transferencia en MB/s = (Frecuencia DDR efectiva) � (64 bits / 8 bits por
cada byte)4?
Por ejemplo:
DDR2 SDRAM
Art�culo principal: DDR2 SDRAM
M�dulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un sistema con doble canal.
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que
permiten que los b�feres de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del
n�cleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro
transferencias. Se presentan en m�dulos DIMM de 240 contactos. Los tipos
disponibles son:
DDR3 SDRAM
Art�culo principal: DDR3 SDRAM
Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes
mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una
disminuci�n del gasto global de consumo. Los m�dulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines,
el mismo n�mero que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son f�sicamente incompatibles,
debido a una ubicaci�n diferente de la muesca. Los tipos disponibles son:
DDR4 SDRAM
Art�culo principal: DDR4 SDRAM
Bus de datos: son las l�neas que llevan informaci�n entre los integrados y el
controlador. Por lo general, est�n agrupados en octetos siendo de 8, 16, 32 y 64
bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador. En el
pasado, algunos formatos de m�dulo, no ten�an un ancho de bus igual al del
procesador. En ese caso hab�a que montar m�dulos en pares o en situaciones
extremas, de a 4 m�dulos, para completar lo que se denominaba banco de memoria, de
otro modo el sistema no funciona. Esa fue la principal raz�n para aumentar el
n�mero de pines en los m�dulos, igualando al ancho de bus de procesadores como el
Pentium a 64 bits, a principios de los a�os 1990.
Bus de direcciones: es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria
a las que se requiere acceder. No es igual al bus de direcciones del resto del
sistema, ya que est� multiplexado de manera que la direcci�n se env�a en dos
etapas. Para ello, el controlador realiza temporizaciones y usa las l�neas de
control. En cada est�ndar de m�dulo se establece un tama�o m�ximo en bits de este
bus, estableciendo un l�mite te�rico de la capacidad m�xima por m�dulo.
Se�ales miscel�neas: entre las que est�n las de la alimentaci�n (Vdd, Vss) que
se encargan de entregar potencia a los integrados. Est�n las l�neas de comunicaci�n
para el integrado de presencia (Serial Presence Detect) que sirve para identificar
cada m�dulo. Est�n las l�neas de control entre las que se encuentran las llamadas
RAS (Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que controlan el bus de
direcciones, por �ltimo est�n las se�ales de reloj en las memorias sincr�nicas
SDRAM.
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails)
que son da�os en el hardware y los errores (soft errors) provocados por causas
fortuitas. Los primeros son relativamente f�ciles de detectar (en algunas
condiciones el diagn�stico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos
aleatorios, son m�s dif�ciles de hallar. En la actualidad la confiabilidad de las
memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para no realizar
verificaci�n sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina
y caseras. En los usos m�s cr�ticos, se aplican t�cnicas de correcci�n y detecci�n
de errores basadas en diferentes estrategias:
La t�cnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada
byte de datos y en la lectura se comprueba si el n�mero de unos es par (�paridad
par�) o impar (�paridad impar�), detect�ndose as� el error.
Una t�cnica mejor es la que usa �c�digo de autochequeo y autocorrector� (error-
correcting code, ECC), que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir
errores que afecten a un solo bit. Esta t�cnica se usa s�lo en sistemas que
requieren alta fiabilidad.
Por lo general, los sistemas con cualquier tipo de protecci�n contra errores tiene
un coste m�s alto, y sufren de peque�as penalizaciones en desempe�o, con respecto a
los sistemas sin protecci�n. Para tener un sistema con ECC o paridad, el chipset y
las memorias deben tener soporte para esas tecnolog�as. La mayor�a de placas base
no poseen dicho soporte.
Durante el a�o 2006 varias marcas lanzaron al mercado sistemas con memoria FB-DIMM
que en su momento se pensaron como los sucesores de la memoria registrada, pero se
abandon� esa tecnolog�a en 2007 dado que ofrec�a pocas ventajas sobre el dise�o
tradicional de memoria registrada y los nuevos modelos con memoria DDR3.6?