NOMBRE DEL CATEDRATICO: ING.

CAROLINA ANTONIO VELAZQUEZ

NOMBRE:
ANTONIO ALONSO ROBALDI VAZQUEZ 14510589
CESAR MIQUEAS PEREZ CORONEL 15510470

NOMBRE DEL TRABAJO: SOLUCION A PROBLEMAS DE LA 2 UNIDAD

MATERIA: ELECTRONICA ANALOGICA

1. (a) Utilizando las características de la figura 2.149b, determine 𝐼𝐷 , 𝑉𝐷 y 𝑉𝑅 para el
circuito de la figura 2.149a.
(b) Repita el inciso (a) empleando el modelo aproximado del diodo y compare
resultados.
(c) Repita el inciso (a) empleando el modelo ideal del diodo y compare resultados.

𝐸 8𝑉
La línea de carga se intersecará en 𝐼𝐷 = 𝑅 = 330Ω = 24.24 𝑚𝐴 Y 𝑉𝐷 = 8𝑉

a)

𝑉𝐷𝑄 ≅ 0.92

𝐼𝐷𝑄 ≅ 21.5 𝑚𝐴

𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷𝑄 = 8 𝑉 − 0,92 𝑉 = 7.08 𝑉

b)
𝑉𝐷𝑄 ≅ 0.7 𝑉

𝐼𝐷𝑄 ≅ 22.2 𝑚𝐴

𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷𝑄 = 8 𝑉 − 0.7 𝑉 = 7.3 𝑉

c)
𝑉𝐷𝑄 ≅ 0 𝑉

𝐼𝐷𝑄 ≅ 24.24 𝑚𝐴

𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷𝑄 = 8 𝑉 − 0 𝑉 = 8 𝑉
Para (a) y (b), los niveles de 𝑉𝐷𝑄 y 𝐼𝐷𝑄 son bastante cercanos. Los niveles de la parte

(c) son razonablemente cercanos, pero como se esperaba debido al nivel de voltaje

aplicado E.

2. (a) Empleando las características de la figura 2.149b, determine 𝐼𝐷 y 𝑉𝐷 para el

circuito de la figura 2.150.

(b) Repita el inciso (a) con 𝑅 = 0.47 𝑘Ω.

(c) Repita el inciso (a) con 𝑅 = 0.18 𝑘Ω.

(d) ¿El nivel de 𝑉𝐷 es relativamente cercano a 0.7 V en cada caso?

¿Cómo se comparan los niveles resultantes de 𝐼𝐷 ? Comente.

a)
𝐸 5𝑉
𝐼𝐷 = = = 2.27 𝑚𝐴
𝑅 2.2𝐾Ω

La línea de carga se extiende desde 𝐼𝐷 = 2.27 𝑚𝐴 a 𝑉𝐷 = 5 𝑉

𝑉𝐷𝑄 ≅ 0.7 𝑉, 𝐼𝐷𝑄 ≅ 2 𝑚𝐴

b)
𝐸 5𝑉
𝐼𝐷 = = = 10.64 𝑚𝐴
𝑅 0.47 𝐾Ω
La línea de carga se extiende desde 𝐼𝐷 = 10.64 𝑚𝐴 a 𝑉𝐷 = 5 𝑉
𝑉𝐷𝑄 ≅ 0.8 𝑉, 𝐼𝐷𝑄 ≅ 9 𝑚𝐴

c)
𝐸 5𝑉
𝐼𝐷 = = = 27.68 𝑚𝐴
𝑅 0.18 𝐾Ω
La línea de carga se extiende desde 𝐼𝐷 = 27.78 𝑚𝐴 a 𝑉𝐷 = 5 𝑉
𝑉𝐷𝑄 ≅ 0.93 𝑉, 𝐼𝐷𝑄 ≅ 22.5 𝑚𝐴

Los valores resultantes de 𝑉𝐷𝑄 son bastante cercanos, mientras que 𝐼𝐷𝑄 se

extiende de 2 mA a 22.5 mA.

3. Determine el valor de 𝑅 para el circuito de la figura 2.150 que ocasionará una

corriente en el diodo de 10 mA si E = 7 V. Utilice las características de la figura

2.149b para el diodo

La línea de carga a través de 𝐼𝐷𝑄 = 10 𝑚𝐴 de características y 𝑉𝐷 = 7 𝑉 se

intersecará con el eje 𝐼𝐷 como 11.25 𝑚𝐴.

𝐸 7𝑉
𝐼𝐷 = 11.25 𝑚𝐴 = =
𝑅 𝑅
 7𝑉
𝐶𝑂𝑁 𝑅 = = 0.62 𝐾Ω
11.25 𝑚𝐴
4. (a) Empleando las características aproximadas del diodo de Si, determine el nivel
de VD, ID y VR para el circuito de la figura 2.151.
(b) Desarrolle el mismo análisis del inciso (a) utilizando el modelo ideal del diodo.
(c) ¿Los resultados obtenidos en los incisos (a) y (b) sugieren que el modelo ideal
puede proporcionar una buena aproximación para la respuesta real bajo ciertas
condiciones?

a)
𝐸 − 𝑉𝐷 30 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 = = = 13.32𝑚𝐴
𝑅 2.2𝐾Ω
𝑉𝐷 = 0.7 𝑉, 𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 30 𝑉 − 0.7 𝑉 = 29.3 𝑉
b)
𝐸 − 𝑉𝐷 30 𝑉 − 0 𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 = = = 13.64𝑚𝐴
𝑅 2.2𝐾Ω
𝑉𝐷 = 0 𝑉, 𝑉𝑅 = 30 𝑉

Sí, desde 𝐸 ≫ 𝑉𝑇 los niveles de 𝐼𝐷 y 𝑉𝑅 están bastante cerca.

5. Determine la corriente I para cada una de las configuraciones de la figura 2.152

empleando el modelo equivalente aproximado del diodo.
a) 𝐼 = 0 𝑚𝐴 ; diodo con polarización inversa.
b) 𝑉20Ω = 20 𝑉 − 0.7 𝑉 = 19.3 𝑉 (Ley de voltaje de Kirchhoff)
19.3𝑉
𝐼= = 0.965 𝐴
20Ω
10𝑉
c) 𝐼 = 10Ω = 1 𝐴 ; rama central abierta

6. Determine 𝑉𝑂 e 𝐼𝐷 para las redes de la figura 2.153

(a) Diodo polarizado hacia adelante,

Ley de voltaje de Kirchhoff (CW):−5 𝑉 + 0.7 𝑉 − 𝑉𝑂 = 0

𝑉𝑂 = −4.3 𝑉
|𝑉𝑂 | 4.3 𝑉
𝐼𝑅 = 𝐼𝐷 = = 1.955 𝑚𝐴
𝑅 2.2 𝐾Ω
(b) diodo polarizado hacia adelante,
8 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐷 = = 1.24 𝑚𝐴
1.2 𝐾Ω + 4.7 KΩ

𝑉𝑂 = 𝑉4.7 𝐾Ω + 𝑉𝐷 = (1.24 𝑚𝐴)(4.7 𝐾Ω) + 0.7 𝑉

= 6.53 𝑉

7. Determine el nivel de 𝑉0 para cada red de la figura 2.154.

a)
2 𝐾Ω(20 𝑉−0.7 𝑉−0.3 𝑉) 1 1
𝑉0 = = 2 (20 𝑉 − 1 𝑉) = 2 (19 𝑉) = 9.5 𝑉
2 𝐾Ω+2 𝐾Ω

b)
10 𝑉 + 2𝑉 − 0.7 𝑉 11.3𝑉
𝐼= = = 1.915 𝑚𝐴
1.2 𝐾Ω + 4.7 KΩ 5.9 𝐾Ω

𝑉 ′ = 𝐼𝑅 = (1.915 𝑚𝐴)(4.7 𝐾Ω) = 9𝑉

𝑉0 = 𝑉 ′ − 2 V = 9 V − 2 V = 7 V

8. Determine 𝑉𝑂 e 𝐼𝐷 para las redes de la figura 2.155.

(a) Determinando el circuito equivalente de Thévenin para la fuente de 10 mA y la

resistencia de 2.2 kΩ.

𝐸𝑇𝐻 = 𝐼𝑅 = (10 𝑚𝐴)(2.2 𝑘Ω) = 22 𝑉

𝑅𝑇𝐻 = 2.2 𝐾Ω

22 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐷 = = 6.26 𝑚𝐴
2.2𝐾Ω + 1.2 𝐾Ω

𝑉𝑂 = 𝐼𝐷 (1.2 𝐾Ω) = (6.26 𝑚𝐴)(1.2 𝐾Ω) = 7.51 𝑉

b)
20 𝑉 + 5 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐷 = = 2.65 𝑚𝐴
6.8 𝐾Ω

+𝑉𝑂 − 0.7 𝑉 + 5 𝑉 = 0

𝑉𝑂 = −4.3 𝑉

9. Determine 𝑉𝑂1 y 𝑉𝑂2 para las redes de la figura 2.156.

a)
𝑉𝑂1 = 12 𝑉 − 0.7 𝑉 = 11.3 𝑉
𝑉𝑂2 = 0.3 𝑉
b)
𝑉𝑂1 = −10 𝑉 + 0.3 𝑉 + 0.7 𝑉 = −9 𝑉
10 𝑉 − 0.3 𝑉 − 0.7 𝑉 9𝑉
𝐼= = = 2 𝑚𝐴
1.2 𝐾Ω + 3.3 𝐾Ω 4.5 𝐾Ω
𝑉𝑂2 = (2 𝑚𝐴)(3.3 𝐾Ω) = −6.6 𝑉
10. Determine 𝑉𝑂 e 𝐼𝐷 para las redes de la figura 2.157

a)
20 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝑅 = = 4.106 𝑚𝐴
4.7 𝐾Ω
𝐼𝑅 4.106 𝑚𝐴
𝐼𝐷 = = = 2.05 𝑚𝐴
2 2
𝑉𝑂 = 20 𝑉 − 0.7 𝑉 = 19.3 𝑉
b)
15 𝑉 + 5 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐷 = = 8.77 Ma
2.2 𝐾Ω
𝑉𝑜 = 15 𝑉 − 0.7 𝑉 = 14.3 𝑉
11. Determine Vo e I para las redes de la figura 2.156.

𝐼 = 10𝑉 − 0.3𝑉 9.7𝑉

= = 9.7𝑚𝐴
1𝐾Ω 1𝐾Ω
16𝑉 − 0.7𝑉 − 0.7𝑉 − 12𝑉 2.7𝑉
𝐼= = = 0.553𝑚𝐴
4.7𝐾Ω 4.7𝐾Ω
𝑉𝑜 = 12𝑣 + (0.553𝑚𝐴)(4.7𝐾Ω) = 14.6𝑉

12. Determine Vo1, Vo2 e I para la red de la figura 2.157.

Vo1=0.7V, Vo2=0.3V
20𝑉 − 0.7𝑉 19.3𝑉
𝐼1 𝐾Ω = = = 19.3𝑚𝐴
1𝐾Ω 1𝐾Ω
0.7𝑉 − 0.3𝑉
𝐼0.47𝐾Ω = = 0.851𝑚𝐴
0.47𝐾Ω
𝐼 = 𝐼1𝐾Ω − 𝐼0.47 𝐾Ω
=19.3Ma-0.851mA
=18.45mA
13. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2.158

2𝐾Ω(10𝑉 − 0.7𝑉) 2
𝑉𝑜 = = (9.3𝑉)
1𝐾Ω + 2𝐾Ω 3
=6.2V
6.2𝑉
𝐼2𝐾Ω = =3.1Ma
2𝐾Ω

𝐼2 𝐾Ω 3.1𝑚𝐴
𝐼𝐷 = = = 1.55𝑚𝐴
2 2

14. Determine Vo para la red de la figura 2.39 con 0 V en ambas entradas.

𝑉𝑂 = 0𝑉
15. Determine Vo para la red de la figura 2.39 con 10 V en ambas entradas.
𝑉𝑂 = 10𝑉 − 7𝑉 = 9.3𝑉
16. Determine Vo para la red de la figura 2.42 con 0 V en ambas entradas.
𝑉𝑂 = 0.7𝑉
17. Determine Vo para la red de la figura 2.42 con 10 V en ambas entradas
𝑉𝑂 = 10𝑉
18. Determine Vo para la compuerta OR lógica negativa de la figura 2.159.
𝑉𝑂 = −5𝑉 + 𝑂. 7𝑉 = −4.3𝑉
19. Determine Vo para la compuerta AND lógica negativa de la figura 2.160.
𝑉𝑂 = 0𝑉 − 0.7𝑉 = −0.7𝑉
20. Determine el nivel de Vo para la compuerta de la figura 2.161

𝑉𝑂 = 10𝑉
21. Determine Vo para la configuración de la figura 2.162.

𝑉𝑂 = 5𝑉 − 0.3𝑉 = 4.7𝑉

22. Suponiendo un diodo ideal, trace vi, vd e id para el rectificador de media onda
de la figura 2.163. La entrada es una forma de onda senoidal con una frecuencia
de 60 Hz.

𝑉𝑑𝑒 2𝑣
𝑉𝑑𝑒 = 0.318𝑉𝑚 → 𝑉𝑚 = = = 6.28𝑣
0.318 0.318
 𝑉𝑚 6.28𝑉
𝐼𝑚 = = = 2.85𝑚𝐴
𝑅 2.2𝐾Ω

23. Repita el problema 22 con un diodo de silicio (VK _ 0.7 V)

𝑉𝑑𝑒 = 0.318(𝑉𝑚 − 𝑉𝑇)

2𝑉 = 0.318(𝑉𝑚 − 0.7𝑣)
𝑉𝑚 = 6.98𝑉 = 10.1: 𝑓𝑜𝑟𝑉𝑚 :𝑉𝑇
24. Repita el problema 22 con una carga de 6.8 k_ aplicada como se muestra en
la figura 2.164. Trace vL e iL.

𝑉𝑑𝑒 2𝑉
𝑉𝑚 = = = 6.28𝑉
0.318 0.318
6.28𝑉
𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 = = 0.924𝑚𝐴
6.28𝐾Ω
6.28𝑣
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 (2.2𝑘Ω) = = 2.855𝑚𝐴
2.2𝑘Ω
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑚𝑎𝑥 (2.2𝐾Ω) = 0.924𝑚𝐴 + 2.855𝑚𝐴 = 3.78𝑚𝐴

25. Para la red de la figura 2.166; trace vo y determine Vcd.

𝑉𝑚 = √2(110𝑣) = 155.56𝑣
𝑉𝑑𝑒 = 0.318𝑉𝑚 = 0.318(155.56𝑣) = 49.47𝑉
26. Para la red de la figura 2.166; trace vo e iR.
 10𝐾Ω(𝑉𝑖 )
𝑉𝑜 0.7𝑉 =
10𝐾Ω + 1𝐾Ω
𝑉𝑖 = 0.77𝑣
10𝑘Ω(𝑉𝑖)
𝑉𝑜 = = 0.909𝑉 𝑖
10𝑘Ω + 1𝑘Ω
FOR 𝑉𝑜 = 0.909(−10𝑉)
=-9.09V
27.
a. Dada Pmáx _ 14 mV para cada uno de los diodos de la figura 2.167, determine
los valores nominales de corriente máxima de cada diodo (utilizando el modelo
equivalente aproximado).
b. Determine Imáx para Vimáx _ 160 V.
c. Determine la corriente a través de cada diodo en Vimáx utilizando los resultados
de la parte (b)
d. Si sólo hubiera un diodo, determine la corriente a través de él y compárela con
los valores nominales máximos
a).
𝑃𝑚𝑎𝑥 = 14𝑚𝑊 = (0.7𝑉)𝐼𝐷
14𝑚𝑊
𝐼𝐷 = = 20𝑚𝐴
0.7𝑉
b)
4.7 𝑘Ωll56 𝑘Ω=4.34 𝑘Ω
𝑉𝑅 = 160𝑉 − 0.7𝑉 = 159.3𝑉
159.3𝑉
𝐼𝑚𝑎𝑥 = = 36.71𝑚 𝐴
4.3𝑘Ω
c)
 𝐼𝑚𝑎𝑥 36.71𝑚𝐴
𝐼𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 = = = 18.36𝑚𝐴
2 2
d)
𝑆𝐼𝐼𝐷 = 20𝑚𝐴 > 18.36𝑚𝐴
28. Un rectificador de onda completa en configuración de puente con una entrada
senoidal de 120 V rms tiene un resistor de carga de 1 k_.
a. Si se emplean diodos de silicio, ¿cuál es el voltaje disponible en la carga?
b. Determine el valor nominal de PIV de cada diodo.
c. Encuentre la corriente máxima a través de cada diodo durante la conducción.
d. ¿Cuál es la potencia nominal requerida de cada diodo?

a)

𝑉𝑚 = √2(120𝑉) = 169.7𝑉
𝑉𝐿𝑀 = 𝑉𝑖𝑚 − 2𝑑=
=169.7-2(0.7V)=169.7V-1.4V
=168.3V
𝑉𝑑𝑒 = 0.636(168.3𝑉) = 107.04𝑉
b)
𝑃𝐼𝑉 = 𝑉𝑀 (𝑙𝑜𝑎𝑑) + 𝑉𝐷 = 168.3𝑉 + 0.7𝑉 = 169𝑉
c)
𝑉𝐿𝑀 168.3𝑉
𝐼𝐷 (𝑀𝐴𝑋) = = = 168.3𝑚𝐴
𝑅𝐿 1𝑘Ω
d)

𝑃𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷 𝐼𝐷 = (𝑂. 7𝑉)𝐼𝑀𝐴𝑋

=(0.7V)(168.3MA)
=117.81Mw
29
PIV=100V