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de los valores y en el medido se presenta factores como la resistencia interna de los instrumentos que altera los
resultados. En conclusión, funcionan muy bien, pero hay que respetar su rango de trabajo.
Índice de Términos— Amplificador de una etapa, respuesta a alta frecuencia, capacidades parásitas
I. INTRODUCCIÓN
II. MATERIALES Y MÉTODOS
a) EQUIPOS Y MATERIALES UTILIZADOS

1. Un multímetro.
2. Un miliamperímetro.
3. Un micro amperímetro.
4. Cables cocodrilo/banano, coaxiales, cordón AC.
5. Una fuente de c.c. variable.
6. Un osciloscopio.
7. Resistores:
R1 = 7.5kΩ, R2 = 12KΩ, R3 = 100KΩ, R4= 1.5KΩ, Rl = 12KΩ, Rf = 1KΩ.
8. Condensadores:
C1 = 22μF, C2 = 100μF, C3 = 22μF.
9. Amplificadores operaiconales
b) ESQUEMAS
Figura 5.1
c) PROCEDIMIENTO
1. Realice la simulación del circuito mostrado en la figura5.1. encuentre el punto de trabajo y complete
la tabla5.1
(la simulación fue presentada en el informe previo)
2. Implemente el circuito de la figura5.1. Establezca como señal de salida del generador una onda
sinusoidal de 10kHz, con el mayor nivel de amplitud posible que permita obtener una señal sin
distorsión de amplitud de salida del amplificador.
3. Despreciando el efecto de los condensadores determine experimentalmente la ganancia de tensión y

halle el punto de trabajo. Complete tabla5.1
4. Con el fin de determinar la frecuencia de corte superior, complete tabla5.2

UNMSM- 2
Laboratorio de Circuitos Electrónicos 2
2019




 Cb’e: Capacitancia de difusión o almacenamiento, cuando se da la
polarización directa.
 Cb’c: Capacitancia de transición que se origina por la variación de cargas

en la región desértica base colector.
 gm: Transconductancia del transistor.
 fβ: Es la frecuencia en la cual el valor de beta empieza a variar (ya no es

constante).
 f’β: Es la frecuencia de corte a altas frecuencias debido a que a altas

frecuencias el valor de beta varia.
 fT: Frecuencia a la que el módulo de la ganancia de la corriente en

cortocircuito en emisor común vale la unidad.
1. En el circuito de la figura 4.1, de acuerdo al modelo П del transistor en altas

frecuencias, encontrar una expresión para f𝜷/fT.
INFORME FINAL Nº4

UNMSM- 3
2019
Figura 5.4
2. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los circuitos
equivalentes. Determine el ancho de banda del amplificador.
Ci: El valor de la frecuencia de corte para Ci, viene dado por:

1
fLi = (1)
2π(Rs+Ri)Ci
En este caso el valor de Ri(impedancia de entrada) viene dado por:

R
ESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA

SOLA ETAPA
I. OBJETIVOS
 Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de

audio.
II. MARCO TEÓRICO
INFORME FINAL Nº4

UNMSM- 4
2019
La respuesta en baja frecuencia de los circuitos con transistores depende de los

capacitores externos utilizados para acoplamiento y paso. La respuesta en alta
frecuencia depende de la capacitancia interna del transistor. Se amplía el circuito
equivalente simplificado para incluir los efectos de estos capacitores internos.
Estos capacitores, que afectan la respuesta en alta frecuencia, existen entre las
terminales del dispositivo. Cada uno de ellos se puede ver como si estuviese en serie
con la resistencia equivalente (Thevenin) de los circuitos asociados. Por tanto se
comienza con el examen del circuito RC de la figura 5.1. Conforme aumenta la
frecuencia de la señal de entrada, la señal de salida disminuye en amplitud a razón
de 20dB/década de acuerdo con la expresión:
Se hace a la constante de tiempo τ=RC.

En general se ignoran las
capacitancias de alambrada y
distribuidas y se consideran sólo las
capacitancias parásitas entre
terminales. Figura 5.1
Efecto Miller aplicado a capacidades de realimentación
En la región de alta
frecuencia, los elementos
capacitivos de
importancia son las
capacitancias entre
electrodos (entre
terminales) internas al
dispositivo activo y la
capacitancia de alambrado entre
los cables de conexión de la red.
Todos los grandes
capacitores de la red que
controlaban la respuesta en baja frecuencia fueron reemplazados por su equivalente
de cortocircuito debido a sus muy bajos niveles de reactancia. Para amplificadores
inversores (desfasamiento de 180° entre la salida y la entrada, que produce un valor
negativo de Av), la capacitancia de entrada y salida se incrementa en un nivel de
capacitancia sensible a la capacitancia entre electrodos entre las terminales de
entrada y salida del dispositivo y la ganancia del amplificador. En la figura, esta
capacitancia de “realimentación” está definida por Cf.
INFORME FINAL Nº4

UNMSM- 5
2019
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff obtenemos
Utilizando la ley de Ohm y sustituyendo valores el resultado es:
Pero entonces
El resultado es una impedancia de

entrada equivalente al
amplificador de la figura
anterior, que incluye Ri y un
capacitor de retroalimentación
aumentado por la ganancia del
amplificador. En general, la
capacitancia de entrada de efecto Miller
se define como:
El efecto Miller también incrementará el nivel de la capacitancia de salida, la que

también hay que considerar cuando se determine la frecuencia de corte superior,
realizando un análisis similar al anterior se obtiene la siguiente ecuación para la
capacitancia de salida de efecto Miller:
Respuesta del EC en alta frecuencia
 el fin de encontrar hie. Esto da:
hie= rbb’ + rb’e||rb’c = rbb’ + rb’e ya que rb’c » rb’e. Un valor típico para rbb’
es 100Ω a temperatura ambiente con IC aproximado a 1mA.
 Resistencia de entrada(rb’e): La resistencia de entrada, se aproxima por la

relación:
Vb′e
rb’e ≈ ib
, ya que rb’c » rb’e
La corriente de colector en cortocircuito, iC, se encuentra de la figura 5.3
haciendo un cortocircuito en la salida.
INFORME FINAL Nº4

UNMSM- 6
2019
iC= gm vb’e ≈ gm×rb’e×ib.
Pero esta cantidad se relaciona con la corriente de base de acuerdo con el

parámetro hfe; es decir: iC= hfe×ib
iC hfe
Por tanto, se obtiene: rb’e= = , donde se puede estimar el valor de
gm×ib gm
𝐼𝐶𝑄 1
gm a partir de la siguiente ecuación: gm≈ =
26 ℎ𝑖𝑏
Por tanto:
rb’e= hfe×hib = hie
Un valor típico para rb’e es 2kΩ
 rb’c: Resistencia de realimentación entre la base y el colector, su valor

característico se encuentra en el valor de los 4 MΩ.
 rce: Es la resistencia entre el colector y el emisor se considera como una

resistencia de salida su valor característico se encentra entre los 100kΩ.
Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el modelo 𝜋-

híbrido, que es similar al modelo de parámetro h. Los parámetros de los modelos
están relacionados entre sí. En la siguiente figura se muestra el equivalente de ca de
alta frecuencia para la red de la figura 5.2
III. INFORME PREVIO
3. Definir rbb’, rb’e, rb’c, Cb’e, Cb’c, gm, f 𝜷, fT.
INFORME FINAL Nº4

UNMSM- 7
2019
En la figura 5.3 se muestra el modelo 𝜋 – híbrido en bajas frecuencias. El

símbolo B’ representa la unión en la base y B la terminal de la base.
Estas no son idénticas, ya que se conectan alambres a la unión en la base, y la
terminal de base se separa de la unión por medio de estos alambres.
En el extremo de alta frecuencia, existen dos factores que definen el punto de corte
de -3dV: la capacitancia de la red (parásita e introducida) y la dependencia de la
frecuencia de hfe (𝛽).
En la figura 5.2 se incluyen las diversas capacitancias parásitas (Cbe, Cbc, Cce) del
transistor junto con as capacitancias de alambrado (CWi, CWo) introducidas durante
la construcción.
Figura 5.2
Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el modelo 𝜋-

híbrido, que es similar al modelo de parámetro h. Los parámetros de los modelos
están relacionados entre sí. En la siguiente figura se muestra el equivalente de ca de
alta frecuencia para la red de la figura 5.2
Los objetivos de esta experiencia fueron determinar las características de operación de un
amplificador de una sola etapa y respuesta en baja frecuencia, así como sus propiedades en alterna y
continua. Se apreció que los resultados teóricos y simulados son distintos ya que en la computadora
se puede apreciar con mayor precisión los valores que queremos, mientras que el teórico es una
aproximación de los valores y en el medido se presenta factores como el efecto de carga o pequeñas
variaciones debido a los elementos no ideales. En conclusión, funcionan muy bien, pero hay que
respetar su rango de trabajo.
INFORME FINAL Nº4

UNMSM- 8
2019
Como ya hemos visto en las anteriores experiencias, en frecuencias medias ignoramos el efecto de
los condensadores que son considerados como corto circuito, en cambio, ahora analizaremos nuestro
amplificador cuando la señal de entrada se encuentra en el orden de las bajas frecuencia, por lo que
los condensadores ya no actuaran de la misma manera al depender su reactancia de la frecuencia.
1. MATERIALES
 1 transistor 2N2222
 Resistencias: 56K,12K, 10K,1.5K, 0.68k,1k
 Condensadores (16V): 2(22uF), 100uF
 1 multímetro Digital
 1 generador de señal
 1 Fuente DC
 1 Osciloscopio
2. OBJETIVOS
 Los objetivos de esta experiencia fueron determinar las características de operación de un

amplificador de una sola etapa y respuesta en baja frecuencia, así como sus propiedades en alterna y
continua.
 Poder comprender el efecto de los condensadores sobre la frecuencia de corte inferior.
CIRCUITO
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA
(INFORME FINAL Nº4)
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica – UNMSM
INFORME FINAL Nº4

Res
III. ANALISIS DE LOS
RESULTADOS (resolución del
cuestionario)
IV. CONCLUSIONES Y
RECOMENDACIONES
V. REFERENCIAS
[1]Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de

Circuitos y Dispositivos Electrónicos” (10ma
edición).
[2] David A. Hodges “Darlington’s Contributions to
Transistor Circuit Design
[3] Malvino “Principios de electrónica”
[4]Charles A. Schuler “Electrónica, Principios y
Aplicaciones”
umen—
Índice de Términos—
VI. INTRODUCCIÓN
VII. MATERIALES Y MÉTODOS
d) EQUIPOS Y MATERIALES UTILIZADOS

10. Un multímetro.
11. Un miliamperímetro.
12. Un micro amperímetro.
13. Cables cocodrilo/banano, coaxiales, cordón AC.
14. Una fuente de c.c. variable.
15. Un osciloscopio.
16. Resistores:
R1 = 7.5kΩ, R2 = 12KΩ, R3 = 100KΩ, R4= 1.5KΩ, Rl = 12KΩ, Rf = 1KΩ.
17. Condensadores:
C1 = 22μF, C2 = 100μF, C3 = 22μF.
18. Transistor: 2N2222.
e) ESQUEMAS
Figura 3.1 (circuito dl amplificador diferencial con Re)
Figura 3.2 (circuito amplificador diferencial con fuente de corriente)
f) PROCEDIMIENTO
VIII. RESULTADOS
IX. ANALISIS DE LOS RESULTADOS (resolución del cuestionario)
CONCLUSIONES

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de los valores y en el medido se presenta factores como la resistencia interna de los instrumentos que altera los

II. MATERIALES Y MÉTODOS

a) EQUIPOS Y MATERIALES UTILIZADOS

3. Despreciando el efecto de los condensadores determine experimentalmente la ganancia de tensión y

4. Con el fin de determinar la frecuencia de corte superior, complete tabla5.2

 Cb’c: Capacitancia de transición que se origina por la variación de cargas

 gm: Transconductancia del transistor.

 fβ: Es la frecuencia en la cual el valor de beta empieza a variar (ya no es

 f’β: Es la frecuencia de corte a altas frecuencias debido a que a altas

 fT: Frecuencia a la que el módulo de la ganancia de la corriente en

1. En el circuito de la figura 4.1, de acuerdo al modelo П del transistor en altas

INFORME FINAL Nº4

Ci: El valor de la frecuencia de corte para Ci, viene dado por:

En este caso el valor de Ri(impedancia de entrada) viene dado por:

ESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA

 Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de

II. MARCO TEÓRICO

INFORME FINAL Nº4

La respuesta en baja frecuencia de los circuitos con transistores depende de los

Se hace a la constante de tiempo τ=RC.

Efecto Miller aplicado a capacidades de realimentación

INFORME FINAL Nº4

Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff obtenemos

Utilizando la ley de Ohm y sustituyendo valores el resultado es:

El resultado es una impedancia de

El efecto Miller también incrementará el nivel de la capacitancia de salida, la que

Respuesta del EC en alta frecuencia

 el fin de encontrar hie. Esto da:

 Resistencia de entrada(rb’e): La resistencia de entrada, se aproxima por la

INFORME FINAL Nº4

iC= gm vb’e ≈ gm×rb’e×ib.

Pero esta cantidad se relaciona con la corriente de base de acuerdo con el

 rb’c: Resistencia de realimentación entre la base y el colector, su valor

 rce: Es la resistencia entre el colector y el emisor se considera como una

Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el modelo 𝜋-

III. INFORME PREVIO

3. Definir rbb’, rb’e, rb’c, Cb’e, Cb’c, gm, f 𝜷, fT.

INFORME FINAL Nº4

En la figura 5.3 se muestra el modelo 𝜋 – híbrido en bajas frecuencias. El

Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el modelo 𝜋-

INFORME FINAL Nº4

 Los objetivos de esta experiencia fueron determinar las características de operación de un

 Poder comprender el efecto de los condensadores sobre la frecuencia de corte inferior.

INFORME FINAL Nº4

[1]Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de

VII. MATERIALES Y MÉTODOS

d) EQUIPOS Y MATERIALES UTILIZADOS

Figura 3.1 (circuito dl amplificador diferencial con Re)

Figura 3.2 (circuito amplificador diferencial con fuente de corriente)

IX. ANALISIS DE LOS RESULTADOS (resolución del cuestionario)

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