Dra. Bárbara Notas y Problemas Resueltos

Problemas en Ciencia de Materiales
Contenido
Prefacio Problemas y Soluciones
1 Estructura atómica y enlace
2 Estructura cristalina
3 Defectos 28
4 Defectos superficiales 43
5 Soluciones Solidas 48
6 Difusión Atómica 56
1
Prefacio
CUAL ES EL OBJETIVO DE ESTE LIBRO
Generalmente los estudiantes han visto a la ciencia de materiales como una

materia difícil de entender y aprender. A pesar de la publicación de varios
libros de texto sobre la materia, cada uno con el objetivo de proporcionar un
avance sobre los anteriores, los estudiantes siguen quedándose perplejos
como resultado de las numerosas condiciones que regularmente se tienen que
recordar y correlacionar para resolver un problema. Varias posibles
interpretaciones de los términos usados también contribuyen a las dificultadas
experimentadas por los estudiantes.
En un estudio del problema, se han descubierto las siguientes razones básicas

en referencia a las dificultades de los estudiantes con la ciencia de materiales
enseñada en las escuelas:
(a) No se han desarrollado reglas sistemáticas de análisis las cuales puedan

seguir los estudiantes de una manera paso a paso para resolver los problemas.
Esto es resultado del hecho de las números condiciones y principios que
pueden estar involucrados en un problema, resultando en muchos métodos
posibles para resolverlo. El prescribir una serie de reglas a seguir para cada
una de las posibles variaciones involucraría una enorme cantidad de reglas y
pasos para ser buscados por los estudiantes y esta tarea sería aun más
pesada que resolver el problema directamente acompañado de algo de prueba
y error para encontrar la ruta correcta.
(b) Los libros de texto disponibles actualmente explican un principio dado en unas
cuantas páginas escritas por un profesional que tiene una interpretación sobre
la materia la cual no es compartida por los estudiantes. Las explicaciones
generalmente están escritas de una manera abstracta dejando a los
estudiantes confundidos en cuanto a la aplicación de dicho principio. Las
explicaciones proporcionadas no son suficientemente detalladas y extensas
para hacer que los estudiantes se den cuenta del amplio rango de aplicaciones
y los diferentes aspectos del principio estudiado. Las numerosas posibles
variaciones y sus aplicaciones usualmente no son discutidas y por consiguiente
queda en los estudiantes descubrirlas por si mismos mientras realizan
ejercicios. De esta forma se espera que el estudiante redescubra aquello que
se ha conocido y practicado por largo tiempo pero no publicado o explicado de
manera extensa.
(c) Los ejemplos que usualmente siguen a la explicación de un tópico son muy
pocos y muy simples para permitir que el estudiante tenga un conocimiento
profundo de los principios implicados. Las explicaciones nos proveen bases
suficientes para permitir al estudiante resolver problemas que puedan ser
asignados subsecuentemente como tarea o en exámenes.
Los ejemplos son presentados de una forma abreviada la cual deja fuera
mucho material entre cada paso requiriendo que los estudiantes lo deriven por
si mismos. Como resultado de esto los estudiantes encuentran los ejemplos
difíciles de entender contrario al objetivo de los ejemplos.
2
Los ejemplos son, por consiguiente, escritos generalmente de una manera

confusa. No plantean el problema y luego presentan la solución. En vez de eso,
pasan a través de una discusión general, nunca revelando lo que se tiene que
resolver.
Además los ejemplos no siempre incluyen diagramas o gráficos, cuando estos

sean adecuados, y los estudiantes no obtienen el entrenamiento para dibujar
dichos diagramas o gráficos para simplificar y organizar sus pensamientos.
(d) Los estudiantes pueden aprender la materia solamente haciendo los ejercicios
por sí mismos y revisándolos en clase, esto para obtener la experiencia
aplicando los principios con sus diferentes ramificaciones.
Al hacer los ejercicios por si mismos los estudiantes descubren que necesitan
invertir considerablemente más tiempo a la Ciencia de Materiales que a otras
materias comparadas en importancia debido a la incertidumbre con respecto a
la selección y aplicación de los teoremas y principios involucrados. Es, en
algunas ocasiones, necesario para los estudiantes descubrir “trucos” no
revelados en sus textos (o libros de referencia), que les permitan resolver los
problemas de manera más fácil. Los estudiantes deben usualmente recurrir a
métodos de prueba y error para descubrir dichos trucos, y como resultado se
dan cuenta de que deberán algunas veces gastar varias horas para resolver un
solo problema.
(e) Cuando se revisan los ejercicios en clase, los instructores usualmente solicitan
que los alumnos tomen turnos para escribir soluciones en el pizarrón y
explicarlas a la clase. Los estudiantes regularmente encuentran difícil de
explicarlo de una manera que llame la atención de la clase, permitiendo al resto
de los estudiantes comprender el material escrito en la pizarra, escuchando la
explicación oral y además concentrarse en los métodos para resolverlo.
Este libro está encaminado a ayudar a los estudiantes de la Ciencia de

Materiales a superar las dificultades antes mencionadas, proporcionando
ilustraciones detalladas de los métodos de solución los cuales usualmente no
son aparentes para los estudiantes. Los métodos de solución son ilustrados por
problemas seleccionados de entre aquellos que son comúnmente asignados
para trabajo en clase o exámenes. Los problemas están acomodados por
orden de complejidad para permitir a los estudiantes aprender y entender un
tópico en particular revisando los problemas en secuencia. Dichos problemas
son ilustrados con explicaciones detalladas paso a paso para ahorrarles a los
estudiantes la gran cantidad de tiempo que usualmente se necesitaría para
llenar los espacios generalmente encontrados entre los pasos ilustrados en
libros de texto o de referencia.
Al usar este libro los estudiantes deberán revisar y estudiar los problemas
ilustrados a su propio ritmo, no estarán limitados al tiempo permitido para
explicar problemas del pizarrón en clase.
Cuando los estudiantes quieren fijarse en un tipo particular de problema y

solución, pueden localizarlo rápidamente en el libro consultando el índice, el
cual ha sido preparado extensivamente. También es posible localizar un
particular tipo de problemas echando un vistazo a las porciones de material
encuadradas. Para facilitar la búsqueda de los problemas, cada uno cuenta con
un borde grueso alrededor. Así mismo, cada problema está identificado con un
número arriba de él en el margen derecho.
3
Para obtener el máximo beneficio del libro los estudiantes deberán

familiarizarse con la sección, “Como usar este libro” localizadas en las primeras
páginas.
Para alcanzar los objetivos de este libro, los miembros se han seleccionado
problemas usualmente encontrados en tareas y exámenes, y se han resuelto
cada problema meticulosamente para ilustrar los pasos lo cuales son difíciles
de comprender por los estudiantes.
COMO USAR ESTE LIBRO

Este libro puede ser una ayuda invaluable para el estudiante de Ciencia de
Materiales como un suplemento a sus libros de texto. El libro esta subdividido
en 4 capítulos, cada una abarcando un tópico diferente. La materia es
desarrollada empezando con estructura atómica y enlaces, estructura cristalina
y defectos. Un extenso número de aplicaciones han sido incluidas, ya que
estas parecen ser las más problemáticas para los estudiantes.
APRENDER Y COMPRENDER UN TOPICO

COMPLETAMENTE
1) Revisa tus apuntes de clase y lee la sección pertinente al tópico. Así

deberás familiarizarte con los principios discutidos ahí. Estos principios, sin
embargo, pueden no quedarte claros en ese momento.
2) Después localiza el tópico que estas buscando en la “Tabla de Contenido”
en el frente de este libro, “Resolución de Problemas de Ciencia de
Materiales”.
3) Cambia a la página donde el tópico comienza y revisa los problemas de

cada uno de dichos tópicos en el orden dado. Para cada tema los
problemas han sido organizados por orden de complejidad, del más simple
al más complicado. Algunos problemas pueden parecer similares a otros,
pero cada problema ha sido cuidadosamente seleccionado para ilustrar un
punto diferente o un método de solución distinto.
Para aprender y comprender un tema completamente y retener su contenido

será generalmente necesario que los estudiantes revisen los problemas varias
veces. El revisarlos repetidamente es esencial para ganar experiencia en
reconocer los principios que deben ser aplicados y en seleccionar la mejor
técnica para resolverlos.
PARA ENCONTRAR UN PROBLEMA EN PARTICULAR

Para localizar uno o más problemas relacionados a un tema en particular,
dirígete al índice. Al usar el índice date cuenta de que los números que se
refieren ahí corresponden al número de problema, no al número de página.
Esta organización de índice está orientada a facilitar el encontrar un problema
4
de manera más rápida ya que uno o más problemas pueden estar en la misma
página.
Si un tipo de problema no puede ser encontrado rápidamente, se recomienda

que el estudiante consulte la “Tabla de Contenidos” en las primeras páginas, y
posteriormente cambie la página al capítulo que es aplicable al problema que
se busca. Mediante el chequeo o al echar un vistazo al material que está
encuadrado uno puede localizar problemas relacionados a aquel que se está
buscando sin tener que invertir mucho tiempo. Después de que han sido
localizados los problemas, las soluciones pueden ser revisadas y estudiadas en
detalle. Para el propósito de localizar problemas rápidamente, los estudiantes
deberán familiarizarse con la organización del libro descrita en la “Tabla de
Contenidos”.
Al prepararse para un examen es de ayuda encontrar los temas que abarcará

el examen en la “Tabla de Contenidos”, y posteriormente revisar los problemas
de esos tópicos varias veces. Esto deberá preparar al estudiante con lo
necesario para el examen.
5
Capítulo 1
ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE
Los elementos son las sustancias fundamentales de los cuales se compone
toda la materia, para entender la unión entre los átomos para formar los
diferentes materiales es necesario entender la constitución del átomo, en las
últimas décadas se han encontrado un número de partículas elementales en el
núcleo, solo es necesario considerar en este curso no necesitamos entrar en
detalle al estudio del núcleo, es suficiente considerar el número de protones y
neutrones en el núcleo y los electrones que se encuentran orbitando alrededor
del núcleo ocupando niveles discretos de energía dentro del átomo, cada
electrón posee una energía particular, con no más de dos electrones en cada
orbital teniendo la misma energía. Esto también implica que hay una diferencia
de energía definida entre cada electrón.
Números cuánticos.
El nivel de energía al cual cada electrón pertenece está determinado por los
cuatro números cuánticos n, l, m, s. El número de posibles niveles de energía
está determinado por los primeros tres números cuánticos.
1.- El número cuántico principal n le son asignados valores enteros 1, 2, 3, 4, 5,
que se refieren al a la capa cuántica a la cual el electrón pertenece, a menudo
esta capa cuántica es asignada una letra más bien que un número; n=1 es
designada K, para n=2 se designa L, para n=3 se designa M, y así
sucesivamente.
El número de niveles de energía en cada capa cuántica está determinado por
el número cuántico acimutal l y el número cuántico magnético ml. los número
cuánticos acimutales también se les puede asignar números: l=0,1, 2,…, n-1. Si
n=2, entonces hay dos números cuánticos acimutales, l=0 y l=. Los números
cuánticos acimutales a menudo se designan por letras minúsculas.
s para l=0 d para l=2
p para l=1 f para l=3
El número cuántico magnético ml, proporciona el número de niveles de energía,
o de orbitales, para cada número cuántico acimutal. El número total de
números cuánticos magnéticos para cada l es 2l+1. Los valores totales están
dados de –l a +l. Para l=2, hay 2(2)+1=5 números cuánticos magnéticos, con
valores -2,-1,0,+1, y +2.
3.- El principio de exclusión de Pauli. El cual establece que no más de dos
electrones, cada uno con spín opuesto, puede permanecer en cada orbital. Al
número cuántico de spín ms le son asignados los valores de +1/2 y -1/2 que
reflejan los diferentes spines.
Isótopo.- La mayoría de los elementos están formados de átomos con masa

distinta, los isótopos de un elemento dado contienen el mismo número de
protones y de electrones porque son átomos del mismo elemento. Su masa
varía porque contienen distinto número de neutrones en el núcleo.
PROBLEMAS RESUELTOS
Problema 1.1
23 30
Considerando los isótopos 11 Na, Si indicar
14
6
a) # de protones en el núcleo
b) # de neutrones
c) # de electrones
d) el # de protones, neutrones, electrones en los iones Na1 , Si 4
Solución:
Na Si Na1+ Si4+
a) # Protones 11 14 11 14
b) # Neutrones 12 16 12 16
c) # Electrones 11 14 10 10
Problema 1.2
¿Cuál es la masa en gramos de un átomo de Au?
Una uma equivale exactamente a 1/12 de la masa del átomo de carbono-
12.
Solución:
El peso atómico del Au es 197 uma si consideramos el peso atómico en
gramos, esto representa la masa de 6.023x10 23 átomos de Au así 1 átomo de
Au pesa:
1at (197 g )
1at. Au 23 3.2707 x10 22 g
6.023x10 at
La energía radiante se describe en término de la teoría ondulatoria. Cualquier onda se

caracteriza por su longitud de onda λ, o su frecuencia ν. La λ, es la distancia entre dos
puntos idénticos adyacentes en la onda, por ejemplo dos crestas adyacentes. La
frecuencia ν, es el número de crestas de onda que pasan a través de un punto dado
por unidad de tiempo; suele expresarse en ciclos/segundo o con mayor frecuencia
como 1/s. Para ondas que viajan con cierta velocidad la λ y la ν se relacionan así
λν=velocidad de propagación de la onda o λν=c
Problema 1.3
Calcule el número de posibles orbitales en la capa L, donde n=2.

Solución:
Si n=2, entonces l=0,1.
Para l=0, hay 2(0)+1= 1 números cuánticos magnéticos, así ml=0.
Para l=1, hay 2(1)+1= 3 números cuánticos magnéticos, así ml=-1, 0, +1.
Consecuentemente hay un total de cuatro posibles orbitales en la capa L.
Problema 1.4
Determine el número máximo de electrones en la capa M de un átomo.

Solución:
El número cuántico principal dela capa M es n=3, entonces l=0, 1, 2.
s nivel, l=0, ml=0 , ms= +1/2, -1/2 2 electrones
p nivel, l=1, ml = -1, ms= +1/2, -1/2

= 0, ms= +1/2, -1/2 6 electrones
= +1, ms= +1/2, -1/2
7
d nivel, l=2, ml = -2, ms= +1/2, -1/2

= -1, ms= +1/2, -1/2
= 0, ms= +1/2, -1/2 10 electrones
= +1, ms= +1/2, -1/2
= +2, ms= +1/2, -1/2
Así un total de 18 electrones pueden estar presentes en la capa M.
Problema 1.5
¿Que evidencia indica? que la Radiación Electromagnética es de
a) Tipo ondulatorio, b) Tipo partícula.
Solución:
a) Los haces luminosos pueden interferir entre sí dando lugar a rayas
luminosas alternadas con otras obscuras. Para esto es necesario que
los trenes de ondas posean idéntica frecuencia y exista entre ellos una
diferencia de fase constante y determinada, Línea Brillante.
b) Es igual al movimiento armónico simple. La fuerza de restitución actúa

casi horizontalmente para valores de y el movimiento es
aproximadamente lineal. La fuerza de restitución es entonces
proporcional al desplazamiento y el movimiento es armónico simple.
Un fenómeno periódico que puede llamarse armónico simple aún

cuando no exista un cuerpo masivo; el movimiento del punto luminoso
sobre la escala de un galvanómetro balístico es armónico simple aún
cuando no exista un cuerpo masivo.
En el curso de ondas electromagnéticas, es cualquier componente del

campo eléctrico o magnético.
Problema 1.6
¿Por qué se dispersa la luz blanca al atravesar el prisma?
Solución:
La velocidad de la luz en un medio material (que no sea el vacío) varía según la
longitud de onda , ello equivale a decir que el índice de refracción (n) depende de la
longitud de onda.
La dispersión por tanto se puede considerar el resultado de una refracción “diferencial”
o desigual.
Problema 1.7
3
Si cada átomo de 1 mol de átomos emite un fotón con =5.15x10 Å. ¿Cuánta energía
se emite? Exprese la respuesta en KJ/Mol.
Solución:
34 2.997925 x108 m s
E h (6.6262 x10 J .s)( )
3 1010 m
(5.15 x10 Å)x
1Å
Joules
19 1KJ
E 3.8572 x10 x
Atomo 1000 Joules
KJ 6.023x1023 atomo
E 3.8572 x10 22 x
atomo 1mol
8
E 232.32 KJ mol
Problema 1.8
Indique si cada uno de los enunciados es verdadero o falso. Corrija.
Solución:
a) La energía de un e en el hidrógeno depende solo del número cuántico
principal n. V
b) Las energías de electrones en el H y el He + son los mismos cuando el número
cuántico principal n es el mismo. F
c) El número de orbitales en una subcapa del numero cuántico azimutal l es el
mismo de acuerdo al valor del numero cuántico n. V
d) La serie (n 4, l 3, ml 3) , es una serie permisible de números cuánticos
para un e en el hidrógeno. V
e) La representación del contorno del orbital 3p se parece mucho a la del orbital
3dz2. V
Problema 1.9
El principio de incertidumbre de Heisenberg se puede expresar matemáticamente
como,
x. p h 2
Donde x y p representa la incertidumbre en posición y momento respectivamente y

h es la constante de Planck.
a) Si un electrón tiene una velocidad de 3.0 x10 6 m/s y la exactitud con la cual
esta se puede medir es 1.0% ¿Cuál es el mínimo de incertidumbre en la
posición del electrón?
b) Repita el cálculo de a) pero para una bala de 12 gramos cuya velocidad es 200
m/s.
c) Compare los resultados de a) y b);
d) ¿Como se interpreta el resultado con el tamaño del objeto? (p=m )
Solución:
Para el electrón
h2 1.054 x10 34 J .seg
34
1.054 x10 J .S
x
p
p m
m
p (3 x106 )(9.1072 x10 31 kg )
s
kg .m
p 2.73216 x10 24
seg
34
1.054 x10
x
24 kg .m
2.73216 x10
seg
x 3.857755 x10 11 m
Para la bala
9
p (200 m s )(12 x10 3 kg )

kg .m
p 2.4
seg
1.054 x10 34 J .S
x
kg .m
2.4
seg
35
x 4.39166 x10 m
Comparando el resultado obtenido, encontramos que la incertidumbre crece con

objetos muy pequeños.
Problema 1.10
Un átomo en su nivel fundamental absorbe radiación UV de = 2x10-7m, enseguida
emite radiación con = 6x10-7 m. ¿Cuál es la más corta de la radiación que el átomo
puede emitir?
c 2.997925 8 m / s 34
Ea h (6.6262 x10 ) J s )(
2 x10 7 m
Ea 9.932425 x10 19 Joules (energia _ que _ absorbe)
25
1.986485 x10
Ea E1 E2 E1
1
25 25
1.986485 x10 1.986485 x10
Ea
6 x10 7 2
25
19 1.986485 x10
Ea 3.3108 x10
2
19
1 Ea ( J ) 3.3108 x10 ( J ) 6.621825 x10 19
2 1.986485 x10 25 1.986485 x10 25
2 2.999 x10 7 m
c c hc hc
Ea h h
a a 1 2
hc hc hc hc 1 1 1 1 1
hc( ) ( )
2 a 1 2 a 1 2 a 1
1 1 a a 1
2
2 a 1 1 a
1.2 x10 13 1.2 x10 13 7

2 3.0 x10
(6 x10 7 ) (2 x10 7 ) 4 x10 7
Problema 1.11
Un láser produce radiación electromagnética en el espectro IR cercano con una

=1.064 m. ¿Cuál es la energía de la radiación?
10
10 6 m 33 6.24 x1018 ev
1.064 mx h 0.662 x10 J ·sx
m J
c
E h h c 2.99 x108 m
s
15
h 4.13 x10 ev
2.99 x108 m
E (4.13088 x10 15 s)
ev) x(
1.064 x10 6 m
1J 19
E (1.16083ev) x( ) 1.8603 x10 J
6.24 x1018 ev
Problema 1.12
23 30
Considerando los isótopos 11 Na, 14 Si indicar
e) # de protones en el núcleo
f) # de neutrones
g) # de electrones
h) el # de protones, neutrones, electrones en los iones Na1 , Si 4
Solución:
Na Si Na1+ Si4+
a) # Protones 11 14 11 14
b) # Neutrones 12 16 12 16
c) # Electrones 11 14 10 10
Enlace atómico
Existen cuatro mecanismos mediante los cuales los átomos se enlazan.
Enlace metálico. Este se produce cuando los átomos forman un “mar” de electrones
alrededor de sus átomos vecinos. Los electrones de valencia los cuales están más
débilmente unidos al núcleo se comparten entre los átomos vecinos, de tal forma que
no pertenecen a ningún átomo en particular, moviéndose libremente dentro del mar de
electrones y llegando asociarse con los varios núcleos de los átomos vecinos
formando así un enlace fuerte entre los diferentes átomos que los contienen. Cuando
un elemento que exhibe el enlace metálico es doblado los átomos que están en esa
región tratan de cambiar su interrelación con otros vecinos, así la dirección del enlace
solo cambia y no se rompe, esto permite que los materiales con este enlace presenten
buena ductilidad y sean deformados permanentemente, este enlace también permite
buenos conductores eléctricos.
Problemas Resueltos
Problema 1.13
Calcule el número de átomos en 100g de Al. Si todos los electrones de valencia
pueden llevar una corriente eléctrica. Calcule el número de estos portadores de
carga en 100g de Al.
Solución:
Peso atómico Al 26.981g.gmol
11
100 gx6.023x1023 at.mol

# at 2.232 x1024 at. Al
26.981g.gmol
Cada átomo de Al contiene 3e- de valencia así el número total de portadores de carga:
portadores de c arg a 3(2.232 x1024 at. Al ) 6.696 x1024 e
Enlace iónico,
Cuando diferentes tipos de átomos con alta diferencia de electronegatividad se unen
uno de los átomos puede donar electrones a su vecino y el átomo vecino lo aceptará,
con ello cada uno de estos átomos adquieren una carga eléctrica y se comportarán
como iones el átomo que dona los electrones será un anión el que los acepta será un
catión. Los materiales que exhiben este enlace generalmente son frágiles.
Problemas Resueltos
Problema1.15
La energía potencial neta E N entre dos átomos adyacentes se puede algunas veces
representar como función de la distancia interatómica de acuerdo a la relación:
A B
EN
rm rn
En la cual A, B, m y n son constantes cuyo valor depende del material.
Calcular la energía de enlace Eo en términos de los parámetros A, B, m y n.
Solución:
Diferenciamos En con respecto a r y la expresión resultante se iguala a cero; Se
resuelve r en términos de A, B, m y n
dEN
Amr m 1 Bnr 1 n
dr
Amr m 1 Bnr 1 n 0
r r0
1
Amr0 m Bnr0 1 n
0
m 1 1 n
Amr0 Bnr0
1
0 Am Bnr0 1 n m 1
0 Am Br0m n
0
r0 m r0 1 n
Am Am m1 n
r0m n
r0 ( )
Bn Bn
A B
E0 m n
(1)
Am m n Am m n
( ) ( )
Bn Bn
12
10-10 m k0 q 2 4
2.11Åx FA
Å a2
1 1 VM
k0 k0 k0 8.9 x109
4 0 4 (8.9 x10 12
c
) c
VM
VM (1.6 x10 19 c) 2 VM (2.46 x10 38 c 2 )
FA 8.9 x109 ( )(4) FA 8.941288943 (4)
c (2.11x10 10 M ) 2 c (4.4521x10 20 M 2 )
18 VM c 2
FA 5.14 x10 (4)
c M2
Vc
FA 5.14 x10 18 (4)
M
J
( )c
J
FA 5.14 x10 (4) c
18
2.056 x10 17
M M
9 J 2 k0 q 2 Vm 2
FAKCl 2.96 x10 ;a ; k0 8.9 x109 ;q 2.56 x10 38
m FA c
Vm
c Vm 2
Vm Vc 2
c
Vm
(8.9 x109 )(2.56 x10 38
c2 )
a 2 c 7.6979 x10 20
m2
Vc
2.96 x10 9
m
Problema 1.16
Para el par de iones Na+ y Cl- la energía de atracción y de repulsión E A y ER
respectivamente, dependen de la distancia entre iones r, de acuerdo a la ecuación
siguiente y el valor de sus constantes es: A=1.436, B=7.32x10-6, m=1, n=8
6
1.436 7.32 x10
EA ; ER
r r8
Para estas expresiones, la energía está dada en eV para el enlace del Na+-Cl-, y r es
la distancia inter-iónica en nm, la energía neta es:
EN = EA + Er
a) Sobre la base de esta gráfica, determine (i) El espacio de equilibrio r0 entre los iones
de Na+ y el Cl-.
b) Determine matemáticamente el r0 y el E0 usando valores de la soluciones del
problema anterior y compare estos resultados con los resultados de la gráfica.
Solución:
13
A B
E0 m n
Am m n Am m n
( ) ( )
Bn Bn
6
1.436 7.32 x10
E0 1 8
(24521.35) 1 8
(24521.35)1 8
6
1.436 7.32 x10
E0 6.081 0.7601 5.3208eV
(24521.35) 0.1428 (24521.35) 1.1428
1
Am m n
(1.436)(1)
r0 0.236nm
Bn (7.32 x 6 )(8)
Para diversos valores de r tenemos:
r = 1 nm r = 1.5 nm r = 2 nm r = 0.5 nm
EA = -1.436 ev EA = -0.9573 ev EA = -0.718 ev EA = -2.872 ev
ER = 7.32x10-6 ev ER = 2.8561x10-7 ev ER = 2.8593x10-8 ev ER = 3.90625x10-3 ev
r = 0.4 nm
EA = -3.59 ev
ER = 11.16x10-3 ev
r = 0.3 nm
EA = -4.78 ev
ER = 11.15x10-3ev
r = 0.2 nm
EA = -7.18 ev
ER = 2.859 ev
r = 0.1 nm
EA = -14.36 ev
ER = 732 ev
Graficando estos valores:
14
800
(a)
600
400
Er(eV)
200
0 2
r(nm)
(b)
0
-2
-4
-6
Ea(ev)
-8
-10
-12
-14
-16
0 2
r (nm)
0 (c)
-2
E(eV)
-4
-6
0 2
r(nm)
Fig. 1. (a) Energía de repulsión (b) Energía de atracción (c) Suma de las Energías
de atracción obteniéndose la distancia de equilibrio y energía potencial mínima
entre iones de Na+ y Cl-
15
Enlace Covalente.- Los materiales que exhiben este enlace comparten electrones
entre dos o más átomos, por ejemplo los átomos de Si, el cual contiene 4 electrones
de valencia, obtiene 8 electrones de valencia al compartir con cuatro átomos de Si a
su alrededor, con ello forma cuatro enlaces covalentes con los átomos vecinos. Para
formar estos enlaces los átomos de Si deben estar arreglados de tal forma tal que los
enlaces tengan una relación direccional entre ellos. En el caso del Si se produce un
arreglo tetraédrico entre ellos, con ángulos de casi 109° entre cada enlace, la
probabilidad de que los electrones se encuentren muy localizados es alta para este
tipo de enlace. Así, los materiales con este enlace se comportan más bien frágiles y
como aislantes eléctricos.
Problemas Resueltos
Problema 1.17
Describa como se forma el enlace covalente en la molécula de (SiO 2)
Solución:
Si
Fig. 2. Compartimiento de electrones entre el Oxígeno y el Silicio y la posible

estructura tetraédrica formada por enlaces covalentes en la molécula de SiO2.
Enlace Van der Waals.- Este enlace une a los átomos o las moléculas por débiles
atracciones electrostáticas. El mecanismo de enlazamiento secundario es por
atracción de cargas opuestas y la diferencia con el enlace primario es que no se
transfieren electrones, la atracción depende de las distribuciones asimétricas de carga
positiva y negativa dentro de cada unidad atómica o molecular que se enlaza.. Esta
asimetría de cargas se le conoce como dipolo. Muchos polímeros, cerámicas, metales
están permanentemente polarizados y en otros se puede inducir la polarización; esto
es que algunas porciones de las moléculas tienden a tener carga positiva o negativa.
La acción electrostática entre las débiles regiones cargadas positivamente y las
regiones negativas de cada molécula forman un débil enlace conocido como el enlace
Van der Waals este es un enlace de tipo secundario que puede hacer cambios
importantes en las propiedades de muchos materiales.
Problema 1.18
Describa el enlace Van der Waals para las moléculas de agua.
Solución:
_ +
16
Fig. 3 El enlace Van der Waals es formado debido a la polarización de las

moléculas o grupos de átomos, en el agua los electrones en el oxígeno tienden a
concentrarse lejos del hidrógeno la diferencia de carga resultante permite que la
molécula sea débilmente enlazada a otra molécula de agua.
Energía de Enlace y distancia interatómica

La distancia interatómica es la distancia de equilibrio entre los átomos y es causada
por el balance entre las fuerzas de atracción y repulsión. La separación de equilibrio
ocurre cuando la energía total en el par de átomos es un mínimo. Esta energía
representa la energía de enlace o la energía para crear o romper el enlace.
Núcleo +
2r
E Periferia -
Energía de
Enlace
Fig. 4 Átomos o iones están separados por una distancia de equilibrio que
corresponde al mínimo de energía de los átomos o iones formando enlace.
Problemas Resueltos
Problema 1.19
La figura muestra las curvas de Separación-Energía de tres materiales, un metal un
cristal iónico, y uno con enlace de Van der Waals.
Indique cual curva corresponde a cada uno de estos materiales.
Solución:
E Distancia Interatómica
17
AB
C
A Van Der Waals, B Metálico, C Iónico
Una importante conclusión sobre el enlace en los compuestos, nos lleva a

encontrar que elementos metálicos poseen relativamente bajas
electronegatividades y los no metálicos poseen altas electronegatividades.
Cuando dos elementos teniendo baja diferencia de electronegatividad se unen
para formar un enlace, esta será predominantemente metálico o covalente,
dependiendo de la naturaleza de los elementos involucrados, con un
incremento de la diferencia de electronegatividad entre los elementos que
forman el enlace se formará un compuesto iónico. Así los compuestos
puramente metálicos iónicos o covalentes son realmente extremos en la escala
continua del enlace.
Metálico
Van der Waals
Covalente Iónico
Fig. 5 Tetraedro para tipos de enlaces, los vértices en el tetraedro representan el

enlace puro en los materiales reales siempre existe una mezcla de estos enlaces
por lo que para representar ese tipo de enlace se haría sobre la superficie de una
de las caras o en el centro del tetraedro.
La energía de los enlaces de los diferentes tipos de enlaces, se puede comparar a

través de una de las propiedades físicas de estas subtancias, por su punto de fusión
en la tabla se presentan algunos materiales representativos.
Material Tipo de enlace Punto de fusión (°C)
CaCl2 Iónico
Si covalente 1414
Covalente y secundario
Au Metálico 1064.43
Dipolo inducido
H2O Secundario (dipolo permanente) 0
PROBLEMAS PROPUESTOS
1.- El Cr tiene un número atómico de 24, tiene cuatro isótopos: 4.31% átomos de Cr
contienen 26 neutrones, 83.76% contiene 28 neutrones, 9.55% contiene 29 neutrones,
y 2.38% contiene 30 neutrones. Calcule la masa atómica del Cr.
2.- El cobre, el cual tiene un número atómico de 29 y una masa atómica de 63.54g.mol
contiene dos isótopos el Cu 63 y Cu65. Determine el porcentaje de cada isótopo en el
Cu.
18
3.- Calcule el número máximo de electrones en la capa O de un átomo. Determine el

número atómico de este átomo si todos los niveles en las capas K, L, M, N y la capa O
están llenas.
4.- El In con número atómico de 49, contiene todos sus niveles de energía llenos
excepto el subnivel 4f. Proponga la estructura electrónica y determine el número de
electrones de valencia para el In.
5.- La energía potencial de un cristal iónico algunas veces es encontrado como
1 N 0 Mz 2e2 N0 B
EA (1)
4 o r rn
Donde B y n son constantes de los materiales. ( n está entre 5 y 12)
a) Diferencie la ecuación (1) con respecto a, r y resuelva para B.
b) Use los datos del problema resuelto 1.16
6.- Describa en un tetraedro las características del enlace para el CH4, NaCl, Na y HF.
7.- Los electrones de valencia de un átomo se pueden expulsar por excitación de un

haz de radiación electromagnética. Calcule la longitud de onda mínima de la radiación,
para expulsar un electrón 1s de un átomo de 12C. Utilice el diagrama de niveles de
energía, observe la convención de signo. Una energía de atracción es negativa, los
electrones 1s están más cercanos al núcleo y más fuertemente atraídos por el núcleo
(-283.9 eV). Los electrones de la órbita externa tienen una energía de solo -6.5eV. El
nivel cero corresponde a un electrón que es removido completamente del potencial de
atracción del núcleo.
6.5 2sp3
E(eV)
283.9 1s
8.-Las moléculas de gas exhiben enlace secundario, estas moléculas sobre una
superficie sólida proporcionan un método para la medición del área superficial de los
materiales porosos. Si se disminuye la temperatura del sólido por debajo de la
temperatura ambiente, un volumen medido del gas se condensará formando un
recubrimiento de monocapa de moléculas sobre la superficie porosa. Para una
muestra de 100g de catalizador de Cu fundido se necesita un volumen de 9 x 10 3 mm3
de nitrógeno, en condiciones normales (0°C y 1atm) para formar una monocapa por
condensación. Calcule el área superficial del catalizador, en m 2/kg. Suponga que el
área que cubre una molécula de nitrógeno es 0.162 nm 2, y recuerde que para un gas
ideal, pV=nRT, siendo n el número de moles del gas.
9.-
10.-
19
20
Capítulo 2
ESTRUCTURA
Estructura.- Los agregados atómicos en estado sólido se agrupan en varias formas, en
el estado sólido dos de estas formas son:
Cristalina.-formando un orden de largo alcance
Amorfa.- formando un orden de corto alcance
En la naturaleza encontramos en los agregados atómicos cristalinos 14 redes, que se
caracterizan por el tamaño de sus aristas a, b, c, y el ángulo entre ellas α,β,γ son
arreglos únicos que se les conoce como Redes de Bravais fig. 2.1, en honor del
francés Auguste Bravais (1811-1863).
CÚBIC0
a=b=c, y α=β=γ=90°
CS FCC BCC
TETRAGONAL
𝑎 = 𝑏 ≠ 𝑐 y α=β=γ=90°
TS BCT
ORTORRÓMBICO
𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐 y α = β = γ = 90°
OCB OCC OCF OS
HEXAGONAL
𝑎 = 𝑏 ≠ 𝑐 y α = β = 90°; γ = 120°
21
HEXAGONAL
𝑎 = 𝑏 ≠ 𝑐 y α = γ = 90° ≠ 𝛽
HS HC
MONOCLÍNICO
𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐 y α = γ = 90° ≠ 𝛽
MS MC
TRICLÍNICO
𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐 y α ≠ 𝛽 ≠ γ ≠ 90°
Fig.2.1 Los catorce tipos de redes de Bravais, agrupados en siete sistemas cristalinos.
Según el tipo de enlace que se manifieste en mayor proporción entre los

átomos enlazados, habrá cristales iónicos, covalentes, metálicos.
Las propiedades físicas químicas y mecánicas de los cristales, se manifiestan a
través de este, en bulto, sin embargo la porción más pequeña que exhibe estas
propiedades es la celda unitaria.
Los cristales por lo general son anisotrópicos esto significa que no exhiben
propiedades idénticas a través de direcciones y planos atómicos, por ello se
requiere un lenguaje que ayude a identificar las direcciones y planos dentro del
cristal. Los Índices de Miller para planos y direcciones desarrollan este
concepto.
INDICE DE MILLER PARA PLANOS

La determinación de los índices de Miller para planos, se realiza de la siguiente forma:
22
1.- Se determina las intersecciones del plano con los ejes x, y, z,

2.- Se toman los recíprocos de las intersecciones con los ejes.
3.- Incluir los números resultantes entre paréntesis ( ) se debe tener cuidado de
representar los índices negativos mediante una barra sobre el número.
INDICES DE MILLER PARA CRISTALES HEXAGONALES (hkil)

Los tres índices de Miller pueden describir cualquier plano para cualquier cristal. Sin
embargo es útil en sistemas hexagonales establecer cuatro índices (hkil), porque
definen mejor la simetría, tres de estos índices son coplanares, el cuarto índice i está
relacionado matemáticamente a la suma de los dos primeros:
h + k = -i
Algunas consideraciones importantes deben ser hechas para los planos cristalinos:
a) Los planos y sus negativos son idénticos.
b) Los planos y sus múltiplos no son idénticos.
c) Cierto grupo de planos son equivalentes. Por ejemplo el plano [100] es
equivalente con [01-0] al redefinir las coordenadas.
d) Un grupo de planos equivalentes forman una familia, los paréntesis { } indican
una familia de planos.
Problemas Resueltos
Problema 2.1
Determine los índices de Miller para cada uno de los planos mostrados en las
estructuras cristalinas cúbicas de las figuras.
Solución:
2/3
1/3
3/4 4/5 1/1

1/2
3/4
(a) (b) (c) (d)

34 5 4 9
(2 ) (1 1) ( 0 ) (100)
23 4 3 14
Problema 2.2
Determine los índices de Miller de los planos mostrados en cada uno de las celdas
unitarias que pertenecen al sistema cristalino cúbico mostrado en las figuras a
continuación.
Solución:
23
3/4
1/4
2/3
2/3
1/2
(a) (b)
1/3
1/3
3/4
3/4
(c) (d)
Intercepción con los ejes Recíprocos Índices de Miller

Plano X Y Z 1/x 1/y 1/z H k L
(a) 1 2/3 3/4 1 3/2 4/3 1 3/2 4/3
(b) ½ 2/3 1/4 2 3/2 4 2 3/2 4
(c) -1/3 -3/4 ∞ -3 -4/3 0 -3 -4/3 0
(d) -9/5 1/3 ∞ -5/9 1/3 0 -5/9 1/3 0
Problema 2.3
Dibuje los planos en una celda hexagonal.
Solución:
No existe
_ _ _ __
(1210) (1102) (0120) (1121)
Problema 2.4
_
Liste los miembros de la familia {0110} de los “planos prismáticos” para la celda
hexagonal.
Solución:
24
(0 110)
_
l (1100)
_
(1010)
{1100} _
(0110)
_
(1100)
__
(1100)
h i
INDICES DE MILLER PARA DIRECCIONES

La determinación de los índices de Miller para direcciones, se realiza de la siguiente
forma:
1.- Se determinan las coordenadas del punto de inicio y final del vector que representa
la dirección.
2.- Se restan las coordenadas del punto final al inicial.
3.- Si existen fracciones se obtienen número enteros multiplicando todos por un factor
4.-Incluir los números resultantes entre paréntesis [ ], se debe tener cuidado de
representar los índices negativos mediante una barra sobre el número.
Algunas consideraciones importantes deben ser hechas para las direcciones

cristalinas:
a) Una dirección y su negativo no son idénticas; [100] [100] ello representa la
misma línea pero con direcciones opuestas.
b) Una dirección y sus múltiplos son idénticos; [100] = [210].
c) Cierto grupo de direcciones son equivalentes. Por ejemplo la dirección [100] es
equivalente con [010] al redefinir las coordenadas.
d) Un grupo de direcciones equivalentes forman una familia, los paréntesis < >
indican una familia de direcciones.
e) Las direcciones paralelas siempre tienen los mismos índices.
Problemas Resueltos
IM para los dos vectores
(a) 1- [0,0.25,0.3] dL=1.2803x107 at/cm

2- [0.2,0.25,0.3] dL=1.1399x107 at/cm
0.4
(b) (0 5 0) DP = no hay
2
1
0.4 0.4 a at
0.2 (5,5,5) DP 4.8129 x1014
2 2 (0.2828)(0.2449) cm2
2
(c) a- ortorrómbico b-tetragonal
25
Problema 2.5
En la figura se muestran dos celdas cúbicas unidad, para un metal hipotético

Determine los Índices de Miller para las direcciones de los dos vectores mostrados
Solución:
0,1/2, 1
0.4 nm DD
D1
0.3 nm
0. 5nm
½, ½, 0 D2
Iniciamos determinando las coordenadas del punto de inicio del vector y el final de
este, ahora se procede a restar el final del inicio.
res tan do
1 1
0 1 000 2(0 1)
2 2
Direccion 1 [012]
res tan do
11 11 11
1 000 1 1 2
22 22 22
_
Direccion 2 112
res tan do
1 1
0 1 000 2(0 1)
2 2
Direccion 1 [012]
res tan do
11 11 11
1 000 1 1 2
22 22 22
_
Direccion 2 112
Problema 2.6
- - -
Dibuje las direcciones a) [211] b) [1-22] c) [11 1] d) [1 2 0] en un sistema hexagonal.
26
Solución:
z
b
a
c
d
y
x i
Problema 2.7
La celda para un metal con los siguientes valores: a = 4.5258 Å, b = 4.5186 Å,
c = 7.6570 Å, = = =90º. Encuentre a que red de Bravais corresponde.
Solución:
Consultando las constantes para las catorce redes de Bravais encontramos que si
𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐 y 𝛼 = 𝛽 = 𝛾 = 90° entonces pertenece a la red Ortorrómbica.
Problema 2.8
Dibuje en una celda unitaria ortorrómbica donde y la dirección
y el plano
Solución:
z
_
[211]
z (021)
x y
x y
Densidad Lineal y Puntos equivalentes:

La densidad lineal y densidad de puntos equivalentes, es el recíproco de la distancia
más corta entre átomos o sitios equivalentes, en la red cristalina representándose con
la relación:
27
atomos
at [ x , y , z ]
longitud
puntosequivalentes
Peq[ x , y , z ]
longitud
La densidad planar, es la fracción de un plano en la red que intersecta al átomo por el

centro, podemos calcularla a partir de la relación:
d {hkl} = número de átomos que intersectan al plano/ área del plano
Problemas Resueltos:
Problema 2.9
Determine el número de átomos/cm2 y de puntos equivalentes, en los planos

(031) y (210) para el Cu y el C
Solución:
Aplicando las relaciones
atomos puntosequivalentes
at [ x , y , z ] Peq[ x , y , z ]
longitud longitud
El Cu tiene la estructura FCC
Cu
0
a 3.62
0.5at
(031) at 8 2
3.6197 x1014 at / cm2 Peq
10(3.62 x10 cm)
3
1at
(210) at 6.8254 x1014 at / cm2 Peq
5(3.62 x10 8 cm) 2
2
El C presenta dos formas alotrópicas, en este caso la estructura es la FCC cúbica
diamantina.
C 0.5at
0 (031) at 3.7501x1014 at / cm 2 Peq
a 3.5565 10(3.5565 x10 8 cm) 2
3
1at
(210) at 7.0713x1014 at / cm2 Peq
5(3.5565 x10 8 cm) 2
2
Problema 2.10
Determine la densidad lineal de átomos y de puntos equivalentes por cm en las

direcciones [111], [120] y [220] para el MgO y Au.
28
Solución:
atomos
El MgO exhibe la estructura FCC aplicando la relación at [ x , y , z ] y
longitud
puntosequivalentes
Peq[ x , y , z ]
longitud
MgO a 4.1 Ǻ 111 d 3a 7.1014 x10 8 cm

Peq 1.4082 x107 puntos / cm at 2.8163x107 at / cm
120 d 5a 9.1679 x10 8 cm Peq 1.0908x107 puntos / cm
at 2.1815x107 at / cm
2a
220 d 2.8991x10 8 cm Peq 3.4493x107 puntos / cm
2
at 3.4493x107 at / cm
Au a 4.1295 Ǻ 111 d 3a 7.1525x10 8 cm

Peq 1.3981x107 puntos / cm at 1.3981x107 at / cm
120 d 5a 9.2338x10 8 cm
Peq 1.083x107 puntos / cm at 1.083x107 at / cm
2a
220 d 2.92 x10 8 cm
2
Peq 3.4247 x107 puntos / cm at 3.4247 x107 at / cm
El Zn tiene la estructura hexagonal compacta, determine.

Densidad
a) LaPlanar:
densidad lineal para el Zn en la dirección [110]
b) La densidad planar para el Zn en el plano (0001)
Solución:
a)
z
(0001)
x
[110]
29
1at. 1
d[110] 3.75 x107 at.
a 2.6648 x10 8 cm cm
b)
La densidad planar en el plano (0001)
Calculamos el área de uno de los triángulos equiláteros de la base,
bxh a.a 3 3a 2
A
2 4 4
1
6at 1at
3 12at
d(0001)] 1.6264 x1015 at.
3a 2 6(1.732)(7.10 x10 16
cm 2 ) cm2
6
4
Problema 2
El Cr tiene una constante de red de 2.8844 Ȧ y una densidad de 7.19 g/cm 3
a) Calcule el número de átomos por celda unitaria
b) ¿A qué tipo de estructura pertenece?
c) Determine el factor de empaquetamiento.
Solución:
a)
g
m v (7.19 )(2.8844 x10 8 cm)3 1.725422 x10 22
g
cm3
51.966 g NA
22
1.725422 x10 g X
X 1.999 2atomos / cu
b) El cristal es un cúbico centrado en el cuerpo
c) El factor de empaquetamiento
30
4 3 8 3
( r )2 r (3 3)
3 3 3
fe 0.6801
4r 64r 3 8
( )3
3
Problema 3
El Cr tiene la estructura BCC y una constante de red de 2.8844 Ȧ, si
para cada una de las figuras mostradas la estructura pertenece al Cr.
.
a) Determine los Indices de Miller para los vectores mostradas en las
Solución:
figuras A,B,C,D.
b) Determine la densidad lineal de las direcciones A, B, C, D.
c) Determine la densidad planar para los planos (001), (201), .
Solución:
1/2
1/2
1/2
A B (c) (d)
a)
_
A 101 011 011-101= 110
_ _
B 101 010 010-101= 111
1 1_ _
C /210 101/2 101/2-1/210= 1 2 121
2 2
1 _
D 100 011/2 1
/210-100= 10 2 120
2
b)
1atomo
A dl 24.51x106 atomos / cu
a 2
1
B dl 20.0163 x106 atomos / cu
a 3
C dl no _ toca _ atomos
1 2
D dl 23.11x106 atomos / cu
3 3a
a
2
c)
Densidad planar para el plano (001):
31
1
D. A 1.2019 x1015 at / cm2
a2
Densidad planar para el plano (201)

x a2
x2 a2
a/2 4
a 5 2
x2 a
4
a 5
x
2
a 2
2 2
cos
a 5 5
2
arco
0.8860º
5a 2 2a 2 5a 2 2a 2 3 2
h2 h2 a
4 4 4 4 4
a 3
h
2
4.92265 x10 3 atomos

D. A
(a 2)(a 3 / 2)
2
9.845301376 x10 3
D. A 16
4.8312 x1012 atomos / cm 2
(2.4494)(8.319763x10 )
_ _
Densidad planar para el plano (334) :
x
3
/4 a
a
32
9 2 25 2
x2 a a2 a
16 16
5
x a
4
a 3
2 2 3
cos 0.8054º
5a 5
4
25a 2
h 2 3a 2
16
25a 2
h2 3a 2
16
73 2 a
h a h 73
16 4
4.474444 x10 3 atomos

D. A 2.90734 x1012 at / cm 2
a
(a 3) 73
4
2
Problema 2.11
Determine la densidad planar para el Au en los planos (010) y (002)

Solución:
El Au tiene la estructura FCC y una constante de red a = 4.0786 Ǻ.
El plano (010) en el Au contiene:

1
( atomo)4 1atomo 2atomos
4
La densidad planar será:
z
2atomos
d p (010) 1.2022 x1015 at / cm2
(4.0786x10-8cm) 2
x y El plano (002) en el Au contiene:

1
( atomo)4 2atomos
2
La densidad planar será:
2atomos
d p (002) 1.2022 x1015 at / cm2
(4.0786x10-8cm) 2
Angulo entre direcciones.
33
Para ciertos cálculos para la determinación de propiedades mecánicas en el cristal es

necesario determinar el ángulo entre dos direcciones, en cristales cúbicos se puede
' ' '
determinar cos[hkl ] [h k l ] por el producto punto.
Problema 2.12
Un cristal de un sulfuro tiene una cara (hkl) cayendo en la intersección de las zonas
[2-30] y [041-]. Los siguientes ángulos han sido medidos.
(100) a (hkl) = 51°28’
(010) a (hkl) = 70°18’
Determine los índices hkl, el ángulo (001) a (hkl) y la longitud de los ejes a y c, dado
que b=12.94 °A
Solución:
Por la ley de la zona de Weiss, hu+ku+lu=0. Así (hkl) = (328). Usando triángulos
esféricos, o el hecho que la suma de los cuadrados de los cosenos de la dirección en
ejes ortogonales es la unidad, para obtener el ángulo (001) a (hkl) = 45° 5’. Por esa
razón usa la ecuación a la normal, a cos[(100) a (hkl)]/h = b cos [(010) a (hkl)]/k = c
cos [(100) a (hkl)]/l, para obtener a = 10.5 Å;
Factor de Empaquetamiento:
Si los átomos en la celdilla unidad se consideran esféricos, se puede calcular el factor
de empaquetamiento atómico APF a través de la relación,
Fracción de volumen ocupado por los átomos, dentro de una celda unitaria, se calcula
a partir de la relación:
Factor de empaquetamiento = volumen de los átomos dentro de la celda

unitaria/volumen de la celda unitaria
Problema 2.13
Determine el factor de empaquetamiento para la estructura cúbica CS, BCC, FCC y

la estructura HC
Solución:
Para CS, tomando como base de cálculo una celda unitaria.
4
3r3
fe 0.5236
(2r )3
Para BCC, tomando como base de cálculo una celda unitaria
34
2( 4 3 r 3 )
fe 0.64
( 4 3r )3
Para FCC, tomando como base de cálculo una celda unitaria
4( 4 3 r 3 )
fe 0.75
( 4 2r )3
Para la celda HCC (hexagonal compacta), existen en la celda (3at. En el centro+2(1/2)

centrando las bases+12(1/6) en los vértices = 6 átomos), si c 2a
60
-------a -------
a2
a2 h2
4 6 3a 2
AT 6 3r 2 a 2r
3a 4
h
2
6at.( 4 3 r 3 )
fe 0.6045
(6 3r 2 )4r
Problema 2.14
El Ti BCC con un parámetro de red de a=3.32 Å se transforma en una estructura
HC con parámetros de red de a=2.978 Å y c=4.735 Å. Calcular el cambio de
volumen durante el enfriamiento.
Solución:
Por la ley de la conservación de la materia:
Enf
3 celdillas BCC (6 átomos) 1 celdilla de HC
1 celda BCC de Ti V=a =(3.32)3=36.594368A3
3
3 celdas BCC de Ti Vt=109.783104A3
35
El cálculo del volumen de una celda HC:
a a
a a a/2
a2 a 3 2
a2 h2 h2 a2 a
4 4 4
3a
h
2
(a ) 3a / 2 3a 2
A
2 4
2
6 3a
AT 23.04099
4
VHC (23.04099 A)4.735Å=109.0991223
VBCC VHC 0.6839817
Contraccion 0.623%
Problema 2.15
El Fe por debajo de los 912°C tiene una estructura cristalina BCC con un
parámetro de red de a=2.89 Å, por arriba de esta temperatura se transforma
en una estructura cristalina FCC con un parámetro de red a=3.66 Å.
a) Calcular la variación del radio durante el calentamiento.
b) Calcule el porcentaje de la variación del volumen durante el calentamiento y
determine si el material se expande o se contrae.
Solución:
Calculando r para la estructura BCC y FCC
a
4r
36
BCC
16r 2 a 2 2a 2 3a 2
3a 2 a 3 4r
r2 r a
16 4 3
2.89 3
r 1.254Å
4
FCC
2a 2 a 2
16r 2 2a 2 r2 r
16 4
3.66 2
r 1.2940Å
4
r 1.2940Å 1.254Å 0.0426 incremento _ 3.40%
2 BCC FCC
2(2.89 x10 8 )3 (3.66 x10 8 )3
b) 24
48.275 x10 cm3 49.028
24
0.752862 x10
Se expande el 1.15%
El Cobalto experimenta una transformación alotrópica a los 420°C de hexagonal

compacto a cúbico centrado en las caras. Calcule el cambio de volumen que
experimenta una pieza de Co de 2cm de espesor y 3 cm de ancho cuando es
calentado por arriba de los 420 °C. Establezca si se contrae o se expande.
Solución:
3 cm
2 cm
Por la ley de la conservación de la materia:

2celdillas HC con 6 átomos cada una 3celdillas FCC con 4 átomos cada una
El cálculo del volumen de una celda HC:
a a
a a a/2
37
a2 a 3 2
a2 h2 h2 a2 a
4 4 4
3a
h
2
(a) 3a / 2 3a 2
A
2 4
6 3a 2
AT
4
3 3
VHC 3a 2 c 3a 3 (1.63) 5.368(2.5071x10 8 )3 8.46 x10 23
cm3
2 2
Cálculo para el volumen de una celda FCC:

4r 4(1.253x10 8 cm)
a 3.5 x10 8 cm
2 2
a3 4.2875 x10 23 cm3
Estableciendo la relación para la pieza de Co,
2 celdas HC de Cobalto al calentarse se transforman en 3 celdas FCC de Cobalto así:

2(8.45916 x10-23 cm3) de Co HC se transforma en 3(4.2875x10-23cm3) de Co FCC,
entonces 18 cm3 de Co HC al calentarse por arriba de 420°C se transforma en 13.699
cm3 de Co FCC. Por lo que el material se contrae al calentarse hasta los 420°C.
Análisis de estructuras cristalinas

Determinación de la estructura cristalina y del parámetro reticular: difracción de
rayos X.
Puesto que algunas de las longitudes de onda de la radiación electromagnética
del rango de los rayos X son aproximadamente iguales a la distancia
interplanar en los sólidos cristalinos, al hacerlas incidir sobre el cristal, se
producen picos de difracción de diferente intensidad, de la radiación emitida por
el cristal. Fig.
38
Fig.- Registro de los ángulos de difracción para una muestra de acero M2

recubierto con TiN obtenido con un difractómetro
La disposición de los átomos en la celda unitaria es específica de una red

cristalina de un material debido a que solo ciertos planos del cristal producen
intensidades de difracción esto constituye la base para la determinación de la
estructura cristalina. Los rayos X que se utilizan en la determinación de la
estructura cristalina de los cristales, es del tipo Kα está polarizado y es
monocromático. Su energía se calcula a partir de la ecuación de Planck:
c
E h
Donde h es la constante de Planck;; c la velocidad de la luz y λ la longitud de
onda. La razón de flujo de esta energía a través de un área unitaria
perpendicular al movimiento de la onda es la intensidad la cual es proporcional
al cuadrado de la amplitud esto es;
I A2
Interferencia constructiva.- Cuando la radiación electromagnética incide sobre

los átomos del cristal, todos los electrones emiten ondas esféricas que se
expanden y se superponen unas con otras.
39
La técnica más común utilizada para la investigación de la estructura cristalina es por

el método de polvos o el método de monocristal, La interpretación de los resultados de
la difracción de los rayos X sobre una muestra cristalina es compleja para la mayoría
de las sustancia cristalinas y sobrepasa el propósito de este libro por ello solo se
propone el análisis de metales cúbicos. El análisis de los datos se simplifica
combinando la ecuación de difracción de Bragg con la ecuación para la distancia
interplanar la cual para sistemas cúbicos tiene la relación:
a
d
h k2 l22
Si se diferencia entre las estructuras cristalinas cúbicas FCC y BCC y del espectro se
pueden identificar los planos de difracción principales y los valores de 2
correspondientes entonces empleando la ecuación de Bragg elevando al cuadrado y
despejando sen2 se obtiene:
2
(h2 k 2 l 2 )
sen2
4a 2
A partir de los resultados experimentales de difracción de rayos X se pueden obtener los
valores de 2 para cualquier serie de planos principales, como la longitud de onda y la
constante de red son constantes entonces se puede obtener la siguiente relación:
sen 2 A (h 2 A k 2 A l 2 A )
sen 2 B (hB 2 kB 2 lB 2 )
Aplicando la ecuación y los índices de Miller para los principales planos de difracción
para la estructura BCC {110} y {200} y sustituyendo los índices de Miller {hkl} para
estos planos se obtiene:
sen2 A (12 12 02 )
0.5
sen2 B (22 02 02 )
Así, si la estructura cristalina de un material desconocido es cúbica y la relación de los
valores de sen2 es 0.5 para las dos primeras series de planos la estructura es BCC.
Aplicando la ecuación y los índices de Miller para los principales planos de difracción
para la estructura FCC {111} y {200} y sustituyendo los índices de Miller {hkl} para
estos planos se obtiene:
sen2 A (12 12 12 )
0.75
sen2 B (22 02 02 )
Así, si la estructura cristalina de un material desconocido es cúbica y la relación de los
valores de sen2 es 0.75 para las dos primeras series de planos la estructura es FCC.
Problema 2.15
En un experimento usando Rayos X con =1.79Å sobre polvo de platino. Se

observan en una película líneas de difracción localizadas a 2 46.44º, 80.37º y
86.14º. Determine los índices de Miller de los planos que los producen.
40
Solución:
Líneas 2 sen2 sen2 /0.1427 h2+k2+l2 (h, k, l)
1 46.44° 23.22° 0.1554 1 2 (110)
2 80.37° 40.185° 0.4163 2.67 4 (200)
3 86.14° 43.07° 0.4663 3 6 (211)
Al analizar una muestra de Cr, con rayos X con =1.5418Å se obtienen líneas de
difracción de primer orden localizadas a 2 , 44.4º, 64.6º y 81.8º. Determine los
índices de Miller de los planos correspondientes a cada línea.
Solución: terminarlo
Líneas 2 sen2 sen2 /0.1427 h2+k2+l2 (h, k, l)
1 44.4° 22.2° 0.14276 1 2 (110)
2 64.6° 32.3° 0.2855 2 4 (200)
3 81.8° 40.9° 0.4286 3 6 (211)
Problema 2-15
La distancia entre planos (110) en un cristal es 2.024 Å, determine el parámetro de
red, el ángulo 2 resultante cuando se aplican rayos X con =0.558 Å. Proponga el
elemento.
Solución :
Aplicando la ecuación de difracción de Bragg, donde n es el orden de difracción y se le
dará el valor de 1, d es la distancia interplanar la cual para sistemas cúbicos tiene la
relación:
a
d , 2θ ángulo de difracción. Con el valor de d se calcula la
2
h k2 l2
constante de red para la muestra.
n 2dsen
7.920
2θ 15.840
a 2.024Å 12 12 0 2.8623Å
Consultando los parámetros de red para los elementos de la tabla:

El elemento podría ser el Cr con nuna constante de red reportada de 2.8844 A y
una estructura BCC o el Fe con una constante de 2.866 y estructura BCC.
41
Problema 2.16
A una muestra cristalina de Ni se le aplican rayos X, con una =0.58Å y un orden

de difracción de n=1. Calcule la constante de red sobre la distancia interplanar d 200
si el ángulo de reflexión obtenido de la aplicación de los rayos x fue =9.5º.
Solución:
Aplicando la ley de Bragg para difracción, n 2dsen y la ecuación para la

distancia entre planos en sistemas cúbicos,
a a o a
d 200 , sustituyendo en la ecuación de Bragg, (1)(0.58 ) 2 sen9.5
4 0 0 2 2
0
se despeja de la ecuación la constante de red a 3.514
Problema 34
Un alambre de cobre se deformó al aplicársele una carga externa. En una muestra
del alambre se aplicó un análisis de rayos x utilizando radiación con = 2.29 Å, el
análisis mostró que el ángulo era de 28.6º para difracción de primer orden en la
familia de planos {111}.
a) Calcule el cambio porcentual del parámetro de red en relación al
parámetro a temperatura ambiente.
b) De acuerdo a los resultados anteriores, deduzca si el alambre se estiró o
se acortó?
c) Si la difracción se hubiera producido sobre la familia de planos {110} cual
sería el ángulo 2 ?
Solución:
Aplicando la ecuación de Bragg para difracción, se encuentra la constante de red en la
muestra deformada,
a
n 2dsen , sabiendo que para sistemas cúbicos d 2
, substituyendo
h k2 l2
en la ecuación de Bragg,
0
a (1)(2.29 A) 1 1 1 0
n 2 sen entonces a 4.143 A
h2 k 2 l 2 2sen28.6 0
0
La constante de red para el Cu a temperatura ambiente a 3.62 A
La variación de la constante de red por la deformación,
0
(4.143 3.163) A
0
x100 14.45% Se concluye de este resultado que el alambre se
3.163 A
alargó.
Problema 2-17
Un alambre de cobre se deformó al aplicársele una carga externa. A una muestra de

este alambre se le aplicó un análisis de rayos X utilizando radiación con =2.29 Å, el
42
análisis mostró que ángulo de difracción 2 era de 57.2º para los planos {111} para
n=1
a) Calcule el cambio porcentual del parámetro de red en comparación con el
valor de equilibrio.
b) Deduzca si el alambre sufrió alargamiento o compresión.
c) Calcule los ángulos 2 sobre las familias de planos {111} {110}, {202} para
n=1
d) Calcule la densidad planar ( ) en los planos propuestos en c, para el
cristal deformado
Solución:
(a) Aplicando la ecuación de difracción de Bragg, donde n es el orden de difracción,
d es la distancia interplanar la cual para sistemas cúbicos tiene la relación
a
d , 2θ ángulo de difracción. Se calcula la constante de red para la
2
h k2 l2
muestra deformada.
n 2dsen
28.60
n 0
d 2.3919 A
2sen
La constante de red para el material después de la deformación
a 2.3919Å 12 12 12 4.1429Å
La constante de red sin deformación para el Cu es a 3.62Å calculando la variación
en %
4.1429 3.62
% (100) 14.44%
3.62
(b) Se alargó
4.1429Å
(c) Para la familia de planos 110 d 2.9295Å
1 1 0
4.1429Å
Para la familia de planos 202 d 1.4647Å
4 0 4
Aplicando la ley de Bragg
n
n 2dsen sen 2 46.01
2d
2átomos 4 4 at
(d) {111} ρ 111 0.1345 2
3 a 2 3 (4.1429Å) 2 3 Å
a
a 2 2
2
2átomos 2at at
{110} ρ 110 2
0.1165 2
2
a 2 (4.1429Å) Å
43
1átomo 2at at
{202} ρ 202 0.0823
a2 (4.1429Å) 2 Å2
2
Problema 2-18
De la difracción de Rayos X con = 1.5418Å obtenida del polvo de Ni. Sobre
una película se observan líneas de difracción localizadas a 2 = 36.12º, 43.05º y
76.64º. El parámetro de red del Ni es 3.5167Å. Determine los índices de Miller
de los planos que producen estas líneas.
Solución:
Ni =1.5418 Å 2 =36.12 2 =43.05 2 =76.64 a=3.5167 Å.
Aplicando la ecuación de Bragg para difracción:
n =2dsen
a
a) d 2.486671768 h2 k2 l2 ( )2 2 110
2sen d
b) d 2.101076451 2.8 c) d 1.243280951 8 220
d 2.88 d 1.6628 d 2.3515
a) b)
2 76.86 90 2 99.14
De un análisis por rayos X con una = 1.5418Å aplicados a una muestra cristalina,
se obtiene sobre una película una línea de difracción localizada a 2 = 38.51º; para
los planos (111), determinar la constante de red de la muestra, determine el tipo
de estructura a la que pertenece la muestra.
Solución:
Aplicando la ley de Bragg para difracción y la relación de distancia entre planos
para sistemas cúbicos:
n 2dsen
a a
d
1 1 1 3
2a
1.5418 x10 8 cm sen
3
1.335237968 x10 8
a 3.3852 x10 8 cm
0.3944268
Como partimos del sistema cúbico hay tres posibilidades, se calcula el radio
atómico considerando cada una de las estructuras.
a
CSa 2r r 1.6926Å
2
4r a
B.CCa r 3 1.4658Å
3 4
4r 2a
FCCa r 1.1968Å
2 4
44
1.-Determine el número de puntos equivalentes y de átomos por mm 2 que habrá en
los planos (031) y (210) para el Cu y el C
2.-Determine la densidad lineal de puntos equivalentes y la densidad lineal de
átomos por mm en las direcciones [100] y [120] para el NaCl y Al.
3.-Dibuje las direcciones [1-2-0], [210], [1-1-1] y [121] en una celda hexagonal.
4.- Al analizar una muestra de Cr con rayos x con una = 1.5418Å, se obtienen
líneas de difracción de primer orden con ángulos de 2 44.4º, 64.6º y 81.8º.
Calcule los índices de Miller de los planos correspondientes a cada línea.
5.-En una película se observan líneas de difracción localizadas a 2 =46.44º, 80.37º
y 86.14º, obtenidas en un experimento usando Rayos X con =1.79Å en polvo de
platino. Determine los índices de Miller de los planos que los producen.
6.- Determinar la densidad de átomos/mm, para las direcciones [110] [210] y [1-11].
En las estructuras de la fig.
7.- La distancia entre planos (110) en un cristal es 2.024Å, determine el parámetro

de red y el radio de los átomos del material. ¿Cuál sería el elemento más probable
y el ángulo 2 resultante cuando se aplican rayos X con =0.558Å?
8.- En una película usando radiación de rayos X con =1.5418Å, se observa una
línea de difracción 2 =76.64º, esta es obtenida de polvo de Ni, el parámetro de red
del Ni es 3.5167Å, cuales son los índices de Miller del plano que produce la línea,
si se usaron 10 gr de polvo de Ni, cuántos átomos están presentes? Cuántos
electrones de valencia que puedan conducir corriente?
9.- Para analizar Ag se aplica radiación con = 1.79Å, cual es el ángulo 2 de

difracción para líneas de difracción de segundo orden de los planos (101), (211) y
(111)
10.-Determinar el diámetro del átomo más grande que pueda caber en un

intersticio de una celda CC de Rubidio.
(a)¿Cuál elemento puede introducirse en la celda?
(b) Si en una de cada 23 celdas se incrusta uno de estos átomos. ¿Cuál será la
densidad del material?
11.- a) Calcule al ángulo de difracción 2 de la reflexión de los planos (110) en el
Hierro a temperatura ambiente si las líneas de difracción son de primer orden y
es de 1.79Å.
45
b) Por difracción de rayos x se determinó que el parámetro del latice del hierro a
T.A. es 2.89Å y a 913ºC 3.66Å. Determine el radio atómico en cada caso y calcule
el porcentaje de incremento o reducción del radio producido por esta
transformación
c)Cual será la densidad planar a temperatura ambiente y cual a 913ºC en esos

planos
1) Determine el número de átomos y puntos equivalentes por mm2 para los planos
(001) y (102) para el C y el Mo.
2) Determine la densidad planar por cm2, en los planos (100), (210) y (1 -11-) para el
Cu y el NaCl.
3) Al analizar una muestra de cromo con rayos X con una = 1.5418 Å se obtienen
líneas de difracción con ángulos = 22.2º, 32.3º y 40.9º. Determinar los índices de
Miller de los planos correspondientes a cada línea. a=2.8845Å
4) Determine la densidad lineal de puntos equivalentes y de átomos por mm en las
direcciones [111], [121] y [101] para el NaCl, Au y Si.
5)
6) Dibuje los siguientes planos en una celda hexagonal (12 -20), (11-02), (1001 y (325-
0)
7) Determine la cantidad de átomos y de puntos equivalentes por cm 2en los planos
(001) y (210) para el Cu y C.
1) a)Determine el tamaño de grano ASTM cuando se observan 5, 10 y 15 granos al

microscopio a 100x, 250x y 500x si la longitud del recuadro observado es de 3.5
cm
1) b)Determine el tamaño equivalente de grano cuando se interceptan 8, 15 y 17
fronteras de grano a los mismos aumentos y con el mismo recuadro del inciso a).
En un circulo de 3 cm de diámetro se observan 13 granos, y 13 intercepciones de
frontera de grano. Si el aumento utilizado es 100x, 250x, 500x y 800x determine el
número de tamaño de grano ASTM y el número de tamaño de grano equivalente.
1) a)Determine el tamaño de grano ASTM cuando se observan 8, 14, 19 granos al
microscopio a 100x, 300x y 800x sobre un circulo de 10 cm de diámetro.
b) Determine el tamaño de grano equivalente cuando se interceptan 13, 18 y 21

fronteras de grano a los mismos aumentos y sobre el mismo circulo del inciso a.
2) Una barra cilindrica de Niquel contiene 2.3x10 3 vacantes/cm3 a 370ºC y 4.7x108

vacantes a 542ºC, las dimensiones de la barra son 12.7 mm de diámetro y 5 cm de
longitud.
a) Determine el número total de vacantes en el material a 435ºC
b) Determine el número de celdas por cada vacante
1) Durante el estudio de un material policristalino se aplica a los granos un circulo de
prueba de 20 cm de diámetro encontrandose 13 intersecciones de frontera de
grano y 35 granos. Determine el Nº de tamaño de grano por los dos metodos vistos
si el aumento a que se observa fue a)100x, b)250x, c)500x, d)800x.
2) Suponga que en un material de cobre hay una vacante por cada 60 celdas
unitarias y que se han sustituido 2 de cada 50 átomos por átomos de Sn. Si
suponemos que no hay cambio en el parámetro de red determine:
a) Densidad teórica del Cu
b) Densidad del material con vacantes
c) Densidad del material con átomos de sustitución
d) Densidad real del material con vacantes y átomos de sustitución
46
1) Determine la densidad de puntos equivalentes y de átomos para el Cu, NaCl y Mo

en las direcciones [120] y [111] por cada cm.
47
Capítulo 3
DEFECTOS
Imperfecciones cristalinas
En la realidad, no existen cristales perfectos sino que los cristales contienen varios
tipos de defectos e imperfecciones que afectan a sus propiedades. Esto es de
importancia en Ingeniería ya que su conocimiento se logra su manejo para lograr el
control de las propiedades del material que los contiene. Las imperfecciones en los
cristales se clasifican en: Defectos puntuales de dimensión cero, defectos de línea o
de una dimensión (dislocaciones), defectos de dos dimensiones que incluyen límites
de grano y granos. Las imperfecciones en los apilamientos atómicos, son
responsables de afectar las propiedades físicas, químicas y mecánicas, eléctricas y
ópticas. Las imperfecciones en los sólidos se clasifican como:
1.- Defectos puntuales o de dimensión cero. Vacantes, defectos de Schottky, defectos

Frenkel e intersticialidades.
2.- Defectos de línea o de una dimensión (dislocaciones). Defectos de borde y de
tornillo.
3.- Defectos superficiales. Fronteras de grano, granos.
4.-Compuestos anestequiométricos.
5.- Defectos macroscópicos o de volumen. Poros, fisuras e inclusiones.
6.- Soluciones sólidas
1.- Defectos puntuales o de dimensión cero

A todas las temperaturas superiores al cero absoluto, los átomos de un sólido están
sujetos a vibraciones térmicas, lo que significa que vibren continuamente alrededor de
su posición de equilibrio en la malla con una amplitud promedio de vibración que
aumenta con la temperatura. A una temperatura dada siempre hay un espectro amplio
de amplitudes de vibración, con lo que las vibraciones en una región localizada
ocasionalmente pueden ser tan intensas que desplazan un átomo de su posición en la
malla y se forma una vacancia. El átomo desplazado se puede mover a un intersticio,
a este defecto se le conoce como Frenkel y a la vacancia simple se le conoce como
Schotky.
Experimentalmente se ha encontrado que a ciertas temperaturas existen
concentraciones de equilibrio en los defectos de Frenkel y Schottky, lo que significa
que el cristal con defectos debe tener una energía libre más baja que el cristal perfecto.
La energía libre está definida por la siguiente ecuación:
G H T S
Donde representa la energía necesaria E d para formar un defecto, o para

desplazar un átomo de su lugar en la malla, en este caso E d es positiva y por tanto
corresponde a un aumento de la energía libre del cristal. Por otra parte la presencia de
defectos aumenta el grado de desorden del cristal y aumenta la entropía, lo que
favorece la disminución de la energía libre. Las contribuciones relativas de estos dos
términos a la energía libre del cristal están dadas en función del número de defectos, n,
en la fig. se observa que conforme aumenta el número de defectos, la energía libre
cae hasta un mínimo y luego aumenta, el número de equilibrio de defectos n e
corresponde a la condición de energía libre mínima.
48
Fig.3.1 El número de equilibrio de defectos ne, corresponde a la condición de mínima

energía libre.
Calculando la condición de energía mínima libre en función de la temperatura,

Boltzman obtuvo la siguiente expresión que proporciona el número de equilibrio n e y
por tanto la concentración ce de equilibrio de los defectos.
ne ED
ce A exp
N KT
Donde N es el número total de átomos en el cristal, A es una constante que con

frecuencia se toma igual a la unidad, T es la temperatura absoluta y K es la constante de
Boltzman.
La densidad para una muestra de MgO es 3.58g/cc su parámetro de red es de 4.20 Ȧ.
Determine el número de defectos Shottky por celda unitaria en el MgO presentes en
la muestra.
Solución:
Base de cálculo 1 celda de MgO, este presenta la estructura FCC, con 4Mg 2+ y 4O-2.
Peso atómico Mg 24.312 masa de 4Mg2+ =1.6146x10-22g
Peso atómico O 15.999 masa de 4O-2=1.0625x10-22g
la masa total en la celda unitaria Mt= 2.677x10-22g
Calculando la densidad teórica
2.677 x10 22 g
3.6134 g / cc
7.4088 x10 23 cc
Comparando la densidad de la muestra contra la densidad teórica del MgO encontramos

que si el volumen de la celda permanece constante, la diferencia en masa por celda
unitaria será.
22 22 24
2.677 x10 g / cu 2.6523x10 g / cu 2.47 x10 g / cu
el número de defectos Shottky (la vacancia simple)

g
2.47 x10 24 (4iones / cu )
cu vac
0.06119
g cu
1.6146 x10 22
cu
49
problema
Una barra de Si de 2 cm. de diámetro y 20 cm de longitud contiene 3.1 x 10 2
vacantes/cm3 a 300°C y 2.5 x 109 vacantes/cm3 a 600°C.
a) Determinar las vacantes a 490°C
Solución:
Base de cálculo 1cm3 de Si
No. de celdas en la barra de Si a=5.4307 Ȧ a 3=1.6016x10-22 cm3
Vol. De la Barra =62.832 cm3 en 1cm3 de Si, hay 6.243564x1021 celdas/cm3
Y 4.99485x1022at.Si/cm3
Para 300°C
n 3.1x102 vac / cm3 21
6.20639 x10
N 4.99485 x1022 at / cm3
Para 600°C
n 2.5 x109 vac / cm3 14
5.00516 x10
N 4.99485 x1022 at / cm3
Determinando la constante M del sistema,
E E
24 24
21 (13.8 x10 J / K )(573 K ) 16 (13.8 x10 J / K )(873 K )
6.20639 x10 Me ;7.966 x10 Me
21 E E
ln 6.20639 x10 ln M 21
;ln 5.0016 x10 14 ln M 20
7.9074 x10 J 1.20474 x10 J
E E
46.52871 ln M ; 30.62572 ln M
7.9074 x10 21 1.20474 x10 20
Despejando:
19
M 0.77805 E 3.6594 x10 J
Vacantes a 490°C en la barra

19
3.6594 x10 J
n (13.8 x10 24
J / K )(763 K ) 16
0.77805e 6.2732 x10
N
4.99985x1022 at / cm3 (6.2731x10 16
) 3.13x107 vac / cm3
50
Comprobar resultados mios y de Frank

1) T=500ºC ; 1x10-9 ; T=1000ºC ; 1x10-6
E E E
n 9 20 6 20
Me KT
1x10 Me 1.0667 x10
;1x10 Me 1.75674 x10
N
E E
20.723266 20
ln M 13.51551 20
ln M
1.0667 x10 1.75674 x10
2.21055x10 19 1.0667 x10 20 ln M E; 2.42703x10 19 1.75674x10 20 ln M E
2.1648x10 20 6.9004 x10 21 ln M ;ln M 3.137209 M 0.0434
19
1.8759 x10
4 13463.0435
E 1.8759 x10 19
10 Me KT
; 9.2103 3.137209
T
19
1.8759 x10
n (13.8 x10 24
)(473) 14
T 1943.8º C(2216.8º K ) 0.0434e 1.43x10
N
Un latón contiene 75% de Cu y 25% de Zn en peso.

a) Determine los porcentajes atómicos de cada uno de los componentes.
b) ¿Cuál es el peso de cada celda unitaria de este latón?
c) La densidad de este latón es 8.5g/cm3.¿Cuál es el volumen y el valor de la
constante de red de este material?
Solución :
a)
Base de cálculo 100g de aleación entonces en 100g existen:
El peso atómico del Cu 63.54 el número de átomos de en 75g de Cu 7.1093x1023
El peso atómico del Zn 65.37 el número de átomos de en 25g de Cu 2.3034x10 23
No total de átomos 9.4127x10 23 ;
7.1093x1023 at.
a
% Cu x100 75.52 a %
9.4127 x1023 at.
2.3034 x1023 at.

a
% Cu x100 24.47 a %
9.4127 x1023 at.
b)
La estructura de la aleación es FCC así en la celda existen 4 átomos/celda unitaria de
estos,
7.1093x1023 at.
a Cu
% x100 75.52 a %
9.4127 x1023 at.
4(75.52)
at.Cu 3.020
100
51
4(24.47)
at.Zn 0.9788
100
En la celda unitaria por cada 4 átomos existen 3 átomos de Cu y 1 átomo de Zn.
c)
La total de esta cantidad de átomos en cada celda unitaria es:
4(24.47)
at.Zn 0.9788
100
M t 3.1648x10 22 g 1.0853x10 22 g 4.2502 x10 22 g
La densidad de la celda es:
22 22 22
Mt 3.1648x10 g 1.0853x10 g 4.2502 x10 g
22
4.2502 x10
8.5 g cm3
a3
Despejando la constante de red:
22
4.2502 x10
8.5 g cm3
a3
0
a 3.68 A
Propiedades Electrónicas
Prob. De estudio Colangelo pag 136 5.3
En un cierto material a 500ºC 1 átomo por cada 10 9 tiene la energía necesaria para
saltar y ocupar una vacante adyacente sin embargo a 1000ºC 1 átomo de cada 10 6
tiene la energía suficiente para lograrlo. Determine E si la fracción de átomos n/N que
poseen esta energía es:
E
n
Ae kT
N resp. 1.2 eV
T 500 C
T 1000 C
n E
ln ln A 1 E
N kT ln 6 ln A
1 E
10 (2
cal
)(1273 K )
ln 9 ln A mol º K
10 (2
cal
)773º K
mol º K 16.1180 ln A 3.9277 x10 4 E
20.723 ln A
E ln A 16.1180 3.9277 x10 4 E
cal
1546
mol
ln A 20723 6.4683 x10 4 E
Igualando las ecuaciones:
52
20723 6.4683 x10 4 E 16.1180 3.9277 x10 4 E

2.5406 x10 4 E 20, 706.882
cal
E 81,503.904
mol
Para formar una vacante en un metal se requiere una energía de activación de 2.0 eV
a 800ºC hay una vacante por cada 104 átomos ¿A qué temperatura habrá una
vacante por cada 1000 átomos?
Solución;
E
n 6 ev
Ae kT k 86.1x10 A 2.5x105
N ºK
2.0 ev
6 ev
1 (86.1x10
ºK
)(1073)
Ae
104
2.0 ev
6 ev
1 (86.1 x10 )(T )
(2.5 x105 )(e ºK
)
1000
Tomando Logaritmos
23.2288 x103
6.9077 12.4292
T
3
23.2288 x10
19.3369
T
3
23.2288 x10
T T 1201.2680º K
19.3369
3) Si Ø=2 cm; l=20cm; 3.1x102 v/cm3; T=300ºC ; 2.5x109 v/cm3 @ 600ºC ; a=5.4307
Ea
n n n n Ea
Me KT
; 6.20639 x10 21; 5.00515 x10 14 ;ln ln M
N N1 N2 N KT
Ea Ea
24
ln 6.20639 x10 21 ln 5.00515 x10 14
(13.8 x10 )(573) (13.8 x10 24 )(873)

1.20474 x10 20 Ea 4.4325x10 39 7.9074 x10 21 Ea 2.9175x10 39
1.515x10 39 4.14 x10 21 Ea Ea 3.6594 x10 19 M 0.7783
19
3.6594 x10
n 24 n 16
0.7783e (13.8 x10 )(763) 6.2752 x10 #VAC 3.134 x107 / cm3
N N
# at 3.1384 x1024
53
Problema 3.1
Una barra de níquel contiene 2.3 x 10 vacantes por centímetro cúbico a 370 oC y
3
4.7 x 108 vacantes a 542oC, las dimensiones de la barra son12.7 mm de diámetro y

5 cm de longitud. Determine el número de vacantes totales en el material a 435 °C.
Solución:
Calculando el volumen de la barra;
2
1.27cm
V 5cm 6.334cm 3 , el Ni tiene la estructura FCC y a=3.5072x10-8 cm, 4
2
átomos de Ni están contenidos en un volumen de 4.3140x10 -23 cm3 por lo que en 1cm3
de Ni; N 2.318x10 22 at.
Aplicando la ecuación de Boltzman para 370 °C;
E
2.3x103
E
n (13.8 x10 24 J
)(643 k )
Me KT
, Me K
aplicando logaritmos,
N 2.318 x1022
20 E
ln 9.92235 x10 ln M 21
8.8734 x10
Despejando;
E
ln M 43.7569 21
(1)
8.8734 x10
Aplicando la ecuación de Boltzman para 542 °C,

E
4.7 x108 (13.8 x10 24 J
)(815 k )
Me K
2.318 x1022
14 E
ln 2.0276 x10 ln M 20
1.1247 x10
Despejando;
E
ln M 31.5293 20
(2)
1.1247 x10
Igualando (1) y (2):
E E
21
43.7569 20
31.5293
8.8734 x10 1.1247 x10
Resolviendo para E;
1.1269 x1020 E 43.7569 8.8912 x1019 E 31.5293 2.3778x1019 E 12.2276
12.2276
E 5.1424 x10 19 J
2.3778 x1019
Substituyendo E en (2) y resolviendo para M;
M 1.458618x106
Para encontrar las vacantes totales a 435 oC
19
5.2414 x10 J
n (13.8 x10 24 Jk )(708 k ) n 18
1.4586 x106 e 7.3435 x10 despejando,
N N
n 1.7022 x105 vacantes / cm3
54
x5 vac
vacantestotales1.7022 10 3
. / cm 6.31
x 3
cm 1.078 x610
Problema 3.2
En una pieza de Fe se encuentra 1vacante por cada 45 celdas, 1 átomo de carbono
por cada 150 átomos de Fe y un átomo de cromo por cada 50 átomos de Fe.
a) La densidad teórica del Fe
b) La densidad del Fe con vacantes.
c) La densidad del Fe con átomos de carbono.
d) La densidad del Fe con átomos de cromo.
e) La densidad del Fe con todos los defectos.
Solución:
La constante de red del Fe; a=2.9098Ȧ
(2at.)(55.847 g )
a) 7.527 g / cm3
(6.023x1023 at.)(2.9098x10 8 cm)3
T
(89)(55.847g )
b) 7.443g / cm3
(45)(6.023x1023 at .)(2.9098x 10 8 cm )3
V
(1)(12.11g ) 150(55.847 g )
c) 7.538g / cm3
(75)(6.023x1023 at.)(2.9098 x10 8 cm)3
C
(1)(52g ) 49(55.847g )
d) 7.518g / cm3
(25)(6.023x1023 at .)(2.9098x 10 8 cm )3
Cr
(3)(12.11g ) 9(52 g ) 436(55.847 g )

e) M 23 8 3
7.444g / cm3
(225)(6.023x10 at )(2.9098 cm)
Problema 3.3
El número de vacantes aumenta cuando la temperatura aumenta, entre 20ºC y
1020ºC, la constante de red de un metal con estructura BCC, aumentó un 0.5 l/0
debido a la expansión térmica, en el mismo intervalo de temperatura la densidad
disminuyó 2%, teniendo una vacante por cada 1000 celdas unitarias a 20ºC. ¿Cuántas
vacantes habrá por cada 1000 celdas unitarias a 1020ºC?
Solución:
4r
La estructura del metal es BCC entonces la constante de red, a el metal presenta
3
1/1000c.u =1x10-3vacantes/cu
Calculando la densidad,
Tomando como base de cálculo 1 celda unitaria,
2at (1x10 3 ) ( PA) / NA 1.999( PA)( 3)3

20º C
4r ( NA)64r 3
( )3
3
1.999 Pat ( 3)3 1.999 Pat ( 3)3
1020º C 0.02
( NA)64r 3 ( NA)64r 3
1.999 Pat ( 3)3 55
1020º C 1 0.02 (1)
( NA)64r 3
Considerando la disminución de la densidad y el aumento de la constante de red

Se establece la siguiente ecuación en donde x representa en número de vacantes a
1020ºC por cada 1000c.u
(2 x) NA
PA
2 x PA
1020`C 3
NA
3
(2)
4r 4r 4r
0.005 (1.005)
3 3 3
Igualando (1) y (2)
P.at ( 3)3 (1.999)(0.98) (2 x) P.at ( 3)3

( NA)64r 3 NA 64r 3 (1.005)3
Re solviendo
1.95902(1.005)3 (2 x)
x 0.011447528Vacantes / cel.unit.
y 11.44Vacantes /1000cu
Problema 3.4
A 1000oC, uno de cada 225 sitios en la red del cobre está vacante. El material se
enfría rápidamente hasta 20 °C de manera que las vacantes permanecen.
Determine:
a) La densidad teórica del cobre
b) La densidad del material obtenido
c) Si se tiene una aleación cobre-níquel con 25 % atómico de níquel cual sería la
densidad del material
Solución:
PAtCu= 63.54 gr ; PAtNi=58.71 gr la constante de red para el Cu a = 3.62 Å
Base de cálculo una celda unitaria
(4at.)(63.54g ) 3
a) = 8.8955g / cm
(6.023x1023 at .)(3.62x 10 8 cm )3
Cu
Base de cálculo 225 sitios de la red del Cu.
(224)(63.54)(4) 3
b) = 8.8559 g / cm
(6.023x1023 )(3.62x 10 8 )3 (225)
M
Base de cálculo una celda unitaria del Cu, esta es FCC con 4 átomos por celda el 25%
de 4 es 1 esto es lo que existe de Ni en cada una de las celdas, entonces la densidad
de la aleación es:
3(63.54) 58.71 3
c) = 8.7264 g / cm
(6.023x1023 )(3.62 x10 8 )3
A
56
Problema 3.5
Una estructura de hierro contiene una vacante por cada 60 celdas y un átomo de
carbono intersticial por cada 100 átomos. Si suponemos que no hay cambio en el
parámetro de red, determinar:
a) La densidad teórica del hierro
b) La densidad del hierro únicamente con vacantes
c) La densidad del hierro únicamente con átomos intersticiales
d) La densidad del material con vacantes y átomos intersticiales.
Solución:
El Fe a temperatura ambiente tiene la estructura BCC, si tomamos como base de
cálculo 1 celda unitaria de Fe.
Existen 2 átomos de hierro por celda unitaria, el peso atómico del hierro es 55.847 si
se toma en gramos ese peso le corresponde a 6.023 x 10 23 átomos de hierro,
utilizando la ecuación (1).
m
(1)
v
Sustituyendo la masa de 2 átomos de hierro sobre el volumen de la celda unitaria;
(2at.)(55.847g )
a) 7.5271gr / cm3
(6.023x1023 at .)(2.9098x 10 8 cm )3
T
Cambiando la base de cálculo a 60 celdas unitarias de hierro BCC, se calcula el

volumen de las 60 celdas unitarias;
v 60a 3 60(2.9098x10 8 cm)3 ; en 60 celdas BCC existen 120 átomos de hierro

menos 1 vacante tendremos 119 átomos de hierro, sustituyendo la masa de estos
átomos y el volumen de las 60 celdas en la ecuación (1);
(119at )(55.847g )
b) 7.4644gr / cm3
(6.023x1023 at )(2.9098x 10 8 cm )3 (60)celdas
VAC
Cambiando la base de cálculo a 100 átomos de hierro con estructura BCC, esto
corresponde a 50 celdas unitarias, v 50a 3 50(2.9098x10 8 cm)3 utilizando la
ecuación (1);
(100at )(55.847 g ) (1at )(12 g )

c) 7.5433gr / cm3
(50cel.)(6.023x1023 at )(2.9098 x10 8 cm)3
C
Empleando de nuevo la base de cálculo de 60 celdas unitarias de hierro BCC, y

considerando la masa de hierro menos una vacancia, mas la masa de los átomos de
carbono intersticial empleando esto en la ecuación (1);
(119at )(55.847g ) (12g )(1.2at )

d) 7.4765gr / cm3
(60celdas)(6.023x1023 at )(2.9098x10 8 cm )3
MAT
Problema 3.6
Una muestra de Sr contiene una vacante por cada 50 celdas y un átomo de
nitrógeno intersticial por cada 125 átomos. Si suponemos que no hay cambio en el
a) La densidad teórica del estroncio
b) La densidad del estroncio únicamente con vacantes
c) La densidad del estroncio únicamente con átomos intersticiales 57
d) La densidad del material
Solución:
Se tomará una base de cálculo de 62.5 celdas unitarias de Sr el elemento tiene la
estructura cristalina BCC con una constante de red a=6.0849Å
V=a3= (6.0849x10-8cm)3=2.2529x10-22cm3
Volumen de 62.5 celdas unitarias=1.4080x10-20cm3, peso atómico del Sr 87.62
62.5 celdas de Sr contienen 250 átomos de Sr estos pesan,
(250atdeSr )(87.62 g ) 20
m 3.6368 x10
6.023x10 23 atdeSr
3.6368 x10 20 g
2.5830 cmg 3
1.4080x10-20cm3
T
Se toma como base de cálculo 50 celdas unitarias de Sr, las cuales contienen 200
átomos pero existe una vacante entonces la masa es para 199 átomos de Sr
(199atSr )(87.62 g )
2.5699 cmg 3
(50celdas)(6.023x1023 atSr )(2.2529 x10 22 cm3 )
V
Se toma como base de cálculo 62.5 celdas unitarias de Sr, las cuales contienen 250
átomos pero existen átomos intersticiales, entonces la masa es para 250 átomos de Sr
más 2 átomos de N.
(250atSr )(87.62 g ) (2atN )(14 g )

2.5862 cmg 3
(62.5celdas)(6.023x1023 at )(2.2529 x10 22 cm3 )
N
Se toma como base de cálculo 62.5 celdas unitarias de Sr, las cuales contienen 250
átomos pero existen vacantes y átomos intersticiales, entonces la masa es para
248.75 átomos de Sr mas 2 átomos de N.
(2at )(14 g ) (248.75at )(87.62 g )

2.5731 cmg 3
(62.5celdas)(6.023x1023 at )(6.0849 x10 8 cm)3
M
Problema 3.7
Una muestra de acero contiene una vacante por cada 45 celdas y un átomo de
carbono intersticial por cada 120 átomos y suponemos que no hay cambio en el
a) La densidad teórica del fierro
b) La densidad del fierro únicamente con vacantes
c) La densidad del fierro únicamente con átomos intersticiales
Solución:
a) Se toma una base de cálculo de 1 celda unitaria de Fe. Para b, se toma una base
de cálculo de 45 celdas. Para c, se toma una base 120 átomos de fierro. Para d, la
base de cálculo 120 átomos de hierro el cual tiene la estructura cristalina BCC con una
constante de red a=2.9098Å, y radio atómico=1.26 Å
(2at )(55.847 g )
T 23 8 3
7.527 g / cm3
(6.023x10 at )(2.9098 x10 cm)
(89at )(55.847 g )
V 23 8 3
7.443g / cm3
(45)(6.023x10 at )(2.9098 x10 cm)
58
(120at )(55.847 g ) 1at (12 g )

7.541g / cm3
(60)(6.023x1023 at )(2.9098 x10 8 cm)3
c
(118.67at )(55.847 g ) 1at (12 g )

7.457 g / cm3
(60)(6.023x1023 at )(2.9098 x10 8 cm)3
M
Defectos de línea o de una dimensión (dislocaciones).
Dislocaciones:
Si un problema elástico es definido en términos de los desplazamientos, se puede
considerar el campo elástico de una dislocación de borde en un medio infinito y
elásticamente isotrópico.
Una forma de producir una dislocación de borde es entresacando un plano del cristal y
acercando las caras expuestas como se observa en la figura.
Fig.3.2 Formación de una dislocación de borde
Los desplazamientos elásticos así producidos son todos paralelos a la normal del
plano a la línea de la dislocación y son convenientemente definidos, considerando la
relación entre la dislocación de borde y una dislocación de cuña.
Fig.3.3 Formación de una dislocación de cuña y una dislocación de borde.
La fig.3.3 muestra la formación de una dislocación de cuña positiva, que se crea

removiendo la cuña AOB de un ángulo pequeño Ω (a), y forzando las caras a AO y OB
a estar en contacto (b). Una dislocación de cuña negativa se forma haciendo un corte
radial a través de AO (d) forzando a la formación de un pequeño ángulo Ω y uniendo,
si un corte radial OC es hecho (b) el material se abrirá para formar la brecha COD de
59
ángulo pequeño Ω en (c), y los esfuerzos desaparecerán, en efecto el sector BOC ha
sido rotado meramente de la posición que tuvo en (a). Si COD es ahora rotada con un
ángulo Ω nada es cambiado, el cuerpo permanece libre de esfuerzos, y existe aún una
dislocación de cuña a lo largo de OC. Esto significa que una dislocación de cuña a lo
largo de cualquier radio cancela el campo de esfuerzos de una dislocación de cuña
positiva a lo largo de cualquier otro radio entonces i.e,
(i) Su campo de esfuerzos son iguales y opuestos

(ii) El campo de esfuerzos de una dislocación de cuña es cilíndricamente simétrica.
La declaración (i) implica que los esfuerzos derivados de los dos desplazamientos uw+
y - uw- son iguales. Así que el desplazamiento solo puede diferir por el desplazamiento
de un cuerpo rígido. Si las dos dislocaciones son formadas como en a), d) con un
punto común O y una dirección común no desviada OA, entonces.
uw- = uw+
Ahora hacemos una dislocación de cuña positiva y entonces una dislocación de cuña
negativa con su ápice a una pequeña distancia d=OO ’ como se muestra en (e). Una
forma de hacer esto es:
(i) Cortar a lo largo de AO, BO
(ii) Deslizar la cuña hacia abajo tal que su ápice esté en O ’ y se una a lo
largo de AO’ un cuerpo sin esfuerzos conteniendo una fisura radial de
lados paralelos de ancho b= Ωd es derecha,
(iii) Cierre la fisura y únala
El resultado de cerrar los lados de la fisura paralela de ancho b, es la de producir una

dislocación de borde con un vector de Burgers de magnitud b,
Es evidente que
ue ( x, y ) uw ( x, y ) uw ( x, y d )
u w ( x, y ) u w ( x, y d )
Poniendo esto en forma diferencial, y substituyendo b= Ωd,
b
ue uw ...,
y
i.e el campo elástico de una dislocación de borde puede ser obtenida de aquélla de
una dislocación de cuña simplemente por diferenciación. Usando el sistema de
coordenadas definido en la figura 6.8.2. f, muestra que el desplazamiento elástico
debido a una dislocación de borde es
b y 1 xy
u= tan 1
2 x 2(1 ) r2
b 1 2 1 1 y2
= ln
2 2(1 ) r 2(1 ) r2
Donde σ es la relación de Poisson.
60
Un tipo de defectos lineales son las dislocaciones, estos son largos en una dirección
en tanto que miden solamente alrededor de uno o dos diámetros atómicos en dirección
perpendicular a su longitud. En la fig. se observa un monocristal cargado en tensión la
fuerza aplicada se descompone en dos componentes, una componente normal de
tensión PT y una componente paralela Ps a cualquier plano ( o sea una fuerza cortante),
en el plano XX’.
Esto significa que una fuerza de tensión produce fuerzas cortantes y por tanto
esfuerzos cortantes en una muestra. El valor del esfuerzo cortante varía con la
orientación del plano y es máximo para los planos a 45° respecto al eje de tensión. El
orden de largo alcance alcanzado en el cristal perfecto, por las posiciones regulares de
los átomos, moléculas o iones en la red, minimiza la energía potencial del cristal; así la
61
presencia de defectos en la red cristalina presenta una elevación de la energía
potencial en todos los átomos, moléculas o iones en los que la presencia de estos
defectos afectan sus posiciones de equilibrio. Por lo tanto se le puede asignar una
energía a una dislocación, esta es la energía incorporada en la estructura cristalina por
efecto del desplazamiento de los átomos, moléculas o iones de sus posiciones de
equilibrio.
Estimando la energía para una dilocación de tornillo en un cilindro de longitud l como
se muestra en la figura.
62
En un radio r, la deformación de un anillo delgado de espesor dr está dada por la
magnitud b del vector de Burgers de manera que la deformación cortante , es

b/2 r , está
fig b y aplicando la ley de Hooke para el corte el esfuerzo promedio

dado por Gb / 2 r en donde G es el módulo de corte elástico, entonces el campo de
esfuerzo de una dislocación es inversamente proporcional a la distancia de la
dislocación y por tanto se describe de largo rango
, así las dislocaciones interactúan entre sí a distancias bastante largas de hecho el campo
de esfuerzo podrá alcanzar un valor del orden de 10 -5G, a distancias de 10,000 átomos
del núcleo.
La energía del esfuerzo elástico dw de un pequeño elemento de volumen dv está dado
1
por dv de manera que se obtiene:
2
2
1 1 Gb b 1 b
dw dv . dv G dv
2 22 r 2 r 2 2 r
Pero como el volumen del elemento anular es 2 rldr ,

Gb 2l dr
dw
4 r
La energía alrededor de la dislocación se obtiene integrando esta ecuación hasta el
límite R. Sin embargo, no se toma el límite inferior de la integración igual a cero por las
siguientes razones:
a) El cálculo supone que que el material es un continuo isótropo aunque en la
región cercana en la dislocación esta suposición es irreal, por lo que es
63
necesario considerar los desplazamientos y las fuerzas entre los átomos
individuales.
b) Los esfuerzos cerca de la dislocación son grandes, y la ley de Hooke, en que
están basados los cálculos no funciona con esfuerzos grandes. Por ello se
toma el límite inferior de integración con un valor pequeño r o (que con
frecuencia se hace igual a b, la región dentro de ro se conoce como el centro
de la dislocación así se obtiene:

Gb 2l R dr
E Ecl
4 ro r
En donde Ec l es la energía del esfuerzo dentro del radio 0 a r o, o sea que sería la
energía del centro, aunque el cálculo de la energía del centro es complejo se
acepta como razonable Gb2l /10 , por tanto al integrar para obtener la energía del
esfuerzo elástico se obtiene para la energía total de esfuerzo:
Gb 2l R Gb 2l
E ln
4 ro 10
Ya que generalmente R>>ro, el término logarítmico de esta expresión varía
lentamente con R/ro, para una aproximación, se puede tomar R>>ro igual a 4 ,
con lo que:
Gb 2l
E Gb 2l
10
Dos características importantes se muestran en la ecuación.
1.- La energía total es proporcional al alcuadrado del vector de Burgers.
64
2.- La energía del centro es de 1/10 de la energía del esfuerzo elástico.

Existe una nomenclatura para describir las dislocaciones en función del vector
de Burgers.
Cuando b es de magnitud igual al espaciado de malla, se conocen como
dislocaciones unitarias, este es un caso específico de una dislocación perfecta,
esto es el vector es un número entero de espaciados de malla.
Una dislocación imperfecta es cuando el vector de Burgers es menor a la unidad,
una superdislocación puede ser perfecta o imperfecta con un vector de Burgers
mayor que la unidad.
Fuerza en las dislocaciones:

La fuerza en una dislocación como consecuencia de un esfuerzo aplicado está
relacionado al vector de Burgers de la dislocación. En la fig. se observa un
cristal de espesor unitario que se ha cortado por el movimiento de una sola
dislocación de borde desde la cara A a la cara B. Si F es la fuerza por unidad de
longitud unitaria de dislocación entonces FL es el trabajo hecho cuando se
mueve una dislocación desde la cara A a la cara B, la fuerza en el plano de
es xarea xLx1 L , y
deslizamiento debido al esfuerzo cortante aplicado
esta fuerza hace trabajo para producir el desplazamiento b(vector de Burgers).
El vector de Burgers es la magnitud y dirección de deslizamiento resultado del
movimiento de una sola dislocación, b.
PROBLEMAS RESUELTOS
Problema 3.7
Dibujar un circuito de Burgers para una dislocación de borde en un cristal cúbico
primitivo. El vector de Burgers en determinado cristal para una dislocación de borde
65
es de 2.5 x 10-10. Calcular la fuerza por longitud unitaria en la dislocación cuando se
aplica un esfuerzo cortante de 350 N/m2

Solución:
a) Defecto de borde dentro de una red cúbica simple.
b).- Empleando la relación:

F b
Substituyendo:
N 10 8 N
F 350 2.5 x10 m 8.7 x10
m2 m
66
3.- Defectos superficiales.

En la solidificación de un líquido (aleación, metal puro, cerámica), la rapidez con la que
desciende la temperatura del líquido durante la solidificación, resulta en una
considerable magnitud de sobreenfriamiento. Bajo estas condiciones se produce la
formación de núcleos (agrupamiento cristalino de cantidades pequeñas de átomos), la
cual avanza rápidamente a través del líquido, una vez formados los núcleos conforme
desciende la temperatura los átomos restantes van tomando posiciones cristalinas en
alguno de esto núcleos, formando así los granos, cuando se completa la solidificación.
Idealmente, dentro del grano, todos los átomos tendrán una sola orientación, los
granos adyacentes tienen orientaciones diferentes y en los límites granulares, se hace
evidente la separación del espaciamiento atómico regular de los granos. Se ha
observado que los granos se presentan por los menos en tres formas que se ilustran
en la fig. Son varios factores los que afectan la forma el tamaño y orientación de los
granos.
Fig. Tipos de granos a) Dendrítico b) Equiaxial c) Alargado
Tamaño de grano y área de la frontera de grano.
67
Donde n es el número de tamaño tamaño de grano.

TAMAÑO DE GRANO,
El tamaño de grano y el área de frontera de grano son importantes en el

El tamaño de grano de materiales policristalinos es
comportamiento físico del material

importante, porque la cantidad de superficie de límite de grano tiene un efecto
significativo en muchas de las propiedades de los materiales especialmente en la
resistencia. A temperaturas bajas aproximadamente a ½ Tb, los límites de grano
refuerzan al material por restricción del movimiento de las dislocaciones bajo tensión, y
los límites de grano pueden llegar a ser regiones de baja resistencia en materiales
policristalinos. Un método de medida del tamaño de grano es el método ASTM
(American Society for Testing and Materials), en el cual el índice del tamaño de grano
n es definido por la relación, N 2n 1 donde N es el número de granos por pulgada
cuadrada sobre una superficie de material pulida y grabada, con aumentos de 100x y n
es un número entero referido al índice ASTM de tamaño de grano.
Fig. Mallas de referencia para establecer el tamaño de grano (ASTM). Un número

grande para el tamaño de grano indica más granos y más área de frontera de grano
por unidad de volumen.
El área de frontera de grano se puede calcular considerando el perímetro y el área que
proporciona la imagen del microscopio a un aumento x100, con la siguiente relación,
Sv 2 PL
Sv área de frontera de grano por unidad de volumen
PL número de frontera de grano interceptadas por el perímetro del campo observado
La tabla muestra los índices de tamaño de grano que corresponden a los números
nominales de granos por pulgada cuadrada a x100 aumentos y granos por milímetro
cuadrado a x1
Tamaño de grano ASTM
68
Número nominal de granos

Índice del tamaño de grano Por milímetro cuadrado a x1 Por pulgada cuadrada a x100
1 15.5 1.0
2 31.0 1.0
3 62.0 4.0
4 124 8.0
5 248 16.0
6 496 32.0
7 992 64.0
8 1980 128
9 3970 256
10 7940 512
a
Fuente: Metals Handbook, vol. 7, 8. ed., American Society for Metals, 1972, pag.4.
El área de frontera de grano/in3 puede ser calculada a partir de la relación:

Sv 2 PL
Donde:
PL= # de Granos Interceptados/Longitud
Malla patrón ASTM para láminas de acero de bajo

carbono. n= 9.

carbono. n= 8.

carbono. n= 7.
Los materiales se pueden clasificar en general en grano grueso cuando n < 3, grano
medio; 4 < n < 6 y de grano fino cuando 7 < n < 9 y de grano ultrafino n >10.
69
PROBLEMAS RESUELTOS
Suponga que el T.G #2 de la figura representa el corte bidimensional de un sólido

policristalino. Calcule el área de frontera de grano.
Solución:
# Fronteras _ grano _ int erceptado Area _ frontera _ de _ grano

PL SV
L L3
Para TG 2 # de fronteras interceptadas = 8
16.8
L 0.168cm
100
8
PL 47.61
0.168cm
SV 2 PL 95.23
Problema 3.8
Al efectuar un estudio cristalográfico, se observa en el microscopio en un campo de

1.2 in de diámetro, 10 granos y 13 fronteras de grano interceptadas a un aumento
de 250x y 16 granos y 17 fronteras de grano interceptadas a un aumento de 500X
determine:
a) El tamaño de grano ASTM
b) El tamaño de grano equivalente
c) Área de frontera de grano/in 3
Solución:
1
N 2n (1)
Para aplicar la ecuación (1) se calcula N para 100x
10 granos
N1 2
55.2621 granos
in 2
; log 55.2621 log 2(n1 1) n1= 6.7882 equivalente a 7
( 1.22in 100
250 )
La circunferencia del círculo de 1.2 in, intersecta 13 fronteras de grano a 250x, por lo
tanto :
13
PL 862.08 / in así Sv 2(862.08 / in) 1724.17in2 / in3
1.2in / 250
70

16 granos
N2 2
353.67 granos
in 2
; log 353.67 log 2(n2 1) n2=9.4663 equivalente a 10
( 1.22in 100
500 )
tanto:
17
PL 2254.69 / in Sv 2(2254.69 / in) 4509.39in2 / in3
1.2in / 500
Problema 3.9
Al efectuar un estudio cristalográfico, se observa al microscopio en un objetivo

de 1.2 in de diámetro, en la muestra 1, se observan 10 granos y 13 fronteras de
grano interceptadas a 250x, en la segunda muestra se observan 16 granos y 17
fronteras de grano interceptadas a 500x.
Determine:
a) El tamaño de grano ASTM para cada muestra.
b) PL para cada muestra.
c) Sv para cada muestra.
cSolución:
1
N 2n (1)
10 granos log 55.262

N1 1.2 in 100 2
55.262 granos
in2
n 1 6.78 equivalente a n = 7
( 2 250 ) log 2
tanto :
13
PL 862.08 / in así Sv 2(862.08 / in) 1,724.16in2 / in3
1.2in / 250
tanto :
17
PL 2, 254.69 / in así Sv 2(2254.695 / in) 4,509.39in2 / in3
1.2in / 500

N2 353.67 granos n 1 9.46
( 1.22in 100 2 in2
log 2 equivalente a n=9
500 )
Problema 3.10
Al efectuar un estudio cristalográfico, se observan tres muestras en el

microscopio en un campo de 3.2 cm (1.26in) de diámetro, en la muestra 1, se
observan 8 granos y 10 fronteras de grano interceptadas a 250x, en la segunda
muestra se observan 12 granos y 12 fronteras de grano interceptadas a 500x en
la tercera muestra se observan 15 granos y 18 fronteras de grano interceptadas
a 800x. Determine:
a) El tamaño de grano ASTM para cada aumento.
b) El tamaño de grano equivalente para cada aumento
c) Área de frontera de grano/in 3
71
Solución:
8 granos log 40.09

N1 1.26 in 100 2
40.09 granos
in2
n 1 6.32 equivalente a n = 6
( 2 250 ) log 2
La circunferencia del círculo de 1.2 6in, intersecta 10 fronteras de grano a 250x, por lo
tanto :
10
1.26in / 250

N1 1.26 in 100 2
240.59 granos
in2
n 1 8.91
( 2 500 ) log 2
tanto :
12
1.26in / 500

N1 1.26 in 100 2
769.91 granos
in2
n 1 10.58
( 2 800 ) log 2
tanto :
18
1.26in / 800
NM
g 10 6.64log
C
Al efectuar un estudio de microestructura, se observan dos muestras en el

microscopio en un campo de 3.2 cm (1.26in) de diámetro, en la muestra 1, se
observan a 300x 10 granos y 11 fronteras de grano interceptadas, en la
muestra 2 se observan a 800x, 14 granos y 17 fronteras de grano interceptadas
en un perímetro de 12.8 cm.
Determine:
a) El tamaño de grano ASTM para cada aumento.
b) El tamaño de grano equivalente para cada aumento
Solución:
3.2 cm ; 10, 14 granos; 11, 17 Fg; Aum. 300x y 800x; A=1.587 in2; P=12.8 cm.
ln N
a) N=56.71 n 1; n=6.825 N=403.277 n=9.656
ln Z
N=564.87 n=10.142 N=79.395 n=7.311
NM
b) E 10 6.64log 6.01 8.839 7.266 10.095
C
72
Límite de grano.
El límite de grano es la superficie que separa los granos individuales, esta es una zona
estrecha donde los átomos no se encuentran de manera ordenada, en ciertos sitios del
límite pueden estar muy espaciados creando una zona de compresión en otros sitios
pueden estar muy estrechados creando una región de compresión, en algunas zonas
existen vacancias y enlaces rotos, se pueden controlar las propiedades mecánicas de
un material a través del endurecimiento mediante el control de tamaño de grano en el
material. La ecuación de Hall-Petch relaciona el tamaño de grano con el esfuerzo de
fluencia del metal.
1
2
y 0 Kd
Donde y es el esfuerzo de fluencia (deformación plástica por efecto de esfuerzos)
constantes y temperatura), d es el diámetro promedio de los granos y 0 K son
Determinar en la ecuación de Hall-Petch para el acero mostrado en la figura.
constantes del material.
Solución:
1
2
50, 000 psi 0 K (8mm ) (1)
1
40, 000 psi 0 K (4.9mm ) 2
(2)
Resolviendo las ecuaciones (1) y (2)
1
K 3225.80mm 2
o 24,193.548 psi
Problema 3.12
Un alambre de cobre se deformó al aplicársele una carga externa. A una muestra

de este alambre se le aplicó un análisis de rayos X utilizando radiación con
=2.29Å, el análisis mostró que ángulo de difracción 2 era de 57.2º para la
reflexión en los planos {111} para n=1
Solución:
e) Calcule el cambio porcentual del parámetro de red en comparación con el
valor de equilibrio.
f) Deduzca si el alambre sufrió tensión o compresión.
g) Calcule los ángulos 2 sobre las familias de planos {110}, {202} para n=1
h) Calcule la densidad planar( ) para la familia de planos {110}, {202}
(c) Aplicando la ecuación de Bragg para difracción.
73
El parámetro de red del Cu a 25°C es 3.6151 Å

n 2dsen
0 0
28.60 a 2.3919 A 12 12 12 4.1429 A
n 0
d 2.3919 A
2sen
4.1429 3.6151
% (100) 14.59%
3.6151
(b) Se Tensó
0
4.1429 A 0
(c) Para la familia de planos 110 d 2.9295 A
1 1 0
0
4.1429 A 0
Para la familia de planos 202 d 1.4647 A
4 0 4
Aplicando la ley de Bragg para la familia de planos {110}
0
(1)2.29
n 2dsen sen 0
2 46.01
(2)2.9295
Aplicando la ley de Bragg para la familia de planos {202}
0
(1)2.29
n 2dsen sen 0
2 102.83
(2)1.4647
0 2
2at (1.26 )
(d) familia {110} densidadplanar 0
0.833
4(1.26 ) 2
2( )
3
Para la familia {202} la densidad planar es cero ya que el plano no corta

a ningún átomo por el centro.
Problema 3.13
74
Un alambre de cobre se deformó al aplicársele una carga externa. En una

muestra del alambre se desarrolló un análisis de rayos x utilizando radiación
con = 2.29 Å, el análisis mostró que el ángulo era de 28.6º para difracción de
primer orden en la familia de planos {111}.
d) Calcule el cambio porcentual del parámetro de red en relación al
parámetro a temperatura ambiente.
e) De acuerdo a los resultados anteriores, deduzca si el alambre se estiró o
se redujo?
f) Si la difracción se hubiera producido sobre la familia de planos {110}
1) Dibuje los planos (12-10), (11-02), (012-0) y (112-2) en una celda hexagonal
cual sería el ángulo 2 ?
Solución:
Aplicando la ecuación de Bragg, se encuentra la constante de red en la muestra
deformada
a
n 2dsen , sabiendo que para sistemas cúbicos d 2
, substituyendo
h k2 l2
en la ecuación de Bragg,
0
a (1)(2.29 A) 1 1 1 0
n 2 sen entonces a 4.143 A
h2 k 2 l 2 2sen28.6 0
0
La constante de red para el Cu a temperatura ambiente a 3.62 A
La variación de la constante de red por la deformación,
0
(4.143 3.163) A
0
x100 14.45% El alambre se alargó.
3.163 A
SOLUCIONES SÓLIDAS
Las soluciones sólidas sustitucionales pueden ocurrir tanto en sólidos metálicos como
iónicos la fig. muestra un ejemplo simple de una solución sólida iónica. La estructura
es el MgO en la cual los iones Mg 2+ han sido remplazados por iones de Fe 2+, como los
radios de los dos iones son 0.66 Ȧ y 0.74 Ȧ respectivamente, es posible la sustitución
total. Un requisito más severo para las soluciones cerámicas es la carga del átomo
que sustituye debe ser igual a la carga del átomo sustituido.
Problema 3.14
a) Una aleación contiene 75 p/o de Cu y 25 p/o de Zn. ¿Cuánto a/o de Cu y a/o de Zn?
b) ¿Cuánto pesará cada celda unitaria de esta aleación?
c) La densidad de este latón es 8.5 g/cm3 ¿Cuál es el volumen y la constante de red
promedio de cada celda unitaria?
Solución:
a
Base de cálculo 100 gr de aleación #átomos /o
75 gr de Cu P.At. 63.54 7.1093x1023 75.52%
25 gr de Zn P.At. 65.37 2.3034x1023 24.47%
9.4127x1023
De 4 átomos/cu : 3.0 son de Cu y 1.0 es de Zn
75
22 22
Masa / cu 3.164868 x10 1.0853395 x10
22
Masa / cu 4.250207532 x10
g 4.250207532 x10 22
8.5
cc a3
vol.a 3 5.00029 x10 23 cm3
a 3.68 x10 8 cm
a 3.68Å
Compuestos Anesteqiométricos
Los compuestos que contienen proporciones exactas de elementos y cargas se les
conoce como esteqiométricos. Sin embargo existen compuestos que no contienen
proporciones exactas de átomos y de cargas a estos se les conoce como compuestos
anesteqiométricos, un ejemplo de ellos es el Cu 2Al el cual puede contener desde un
31ª/o hasta un 37ª/o de Al en lugar de ser 33 1/3 ª/o de Al. La anestequiometría del
Fe1-xO tiene un origen diferente debido a la diferencia del tamaño de los iones que lo
forman en estos compuestos siempre encontramos la presencia de Fe2+ y Fe3+
entonces para lograr el balance de cargas debe de haber un exceso de oxígeno en la
red así para un par de iones de Fe 3+ se requiere de un ion extra de O2- ; o de lo
contrario cada par de iones debe estar acompañado de una vacante por catión fig. A
este tipo de estructuras se les conoce como defectuosas, ya que hay irregularidades
en el empaquetamiento atómico.
Problema 3.15
Una muestra de óxido de hierro Fe 1-xO contiene 52 a/o de oxígeno, y tiene una
constante de red a= 4.29Å
a) ¿Cuál es la proporción de iones Fe +2 / Fe+3?
b) ¿Cuál es la densidad de este material?
Solución
Fe2+ vacancia Fe3+ O-2
Fig.- Estructura FCC de Fe1-xO anestequiométrica, las vacantes son necesarias para
76
balancear las cargas.
Base de cálculo 100 iones de material anestequiométrico como el que se muestra en

la fig.
52 iones de O-2
x iones de Fe+3
y iones de Fe+2
48 iones=x+y
x=48-y
Balance de carga
52(-2)+3(x)+2(y)=0
-104+3(48-y)+2y=0
-104+144-3y+2y=0
y=40
x=8
2
Fe
3
5
Fe
(52)(15.99) / NA 55.847(48) / NA
5.6812 g / cl
v (4.29 x10 8 )313
831.48 2680.656 3512.136
NA() 618.198
Problema 3.16
Por c/u hay 4 aniones y 4 cationes entonces deben ser 100 iones y cationes son 13
c/u.
Problema 4.3.3 l
¿Cuál es la densidad de Fe<1O si la razón Fe+3/Fe+2 es de 0.14 Fe<1O si este tiene la
estructura del NaCl y el promedio vFe + Ro es de 2.15 Å?
Solución:
Base de cálculo 1 celda unitaria

4 iones de O-2 y 4 iones (Fe+2, Fe+3, vacantes)
Fe 3
0.14
Fe 2
x Fe 3
2
y Fe
3
Fe 0.14 Fe 2
x 0.14 y
4 x y v
4 0.14 y y v
Balance de cargas
77
4( 2) (0.14 y )(3) 2( y ) 0
8 0.42 y 2 y 0
2.42 y 8
y 3.305 / cu x 0.4628 / cu
v 4 0.14 y y v 0.2322vac / cu
4(15.99) 3.7678(55.847) 22 22
masa masa 1.061929 x10 3.493613 x10
NA NA
masa 4.55554 x10 22 gr
22
4.555 x10 g
5.729 g
8 3 cc
(2.15 x10 )2
_ _
1.- Dibuje una celda unitaria ortorrómbica e incluya la dirección 211 y el plano (021)
3) Determine la densidad planar para el C, Fe y Ni en los planos (101) y (210)

4) Determine el numero de átomos por mm2 sobre los planos (101) y (200) para el
NaCl, Ba y Al.
5) Suponga que en un material de cobre hay una vacante por cada 240 atomos y que
ademas se han sustituido 2 de cada 50 atomos por estaño, si no hay cambio en el
parámetro de red:
a) Determine la densidad teórica del cobre
b) Determine la densidad del material con vacantes
c) Determine la densidad del material con estaño sin vacantes
d) Determine la densidad del material con estaño y vacantes
1) Una barra cilindrica solida de Silicio es de 2 cm de diámetro por 20 cm de longitud;
contiene 3.1x102 vacancias/cm3 a 300ºC y 2.5x109 vacancias/cm3 a 600ºC.
a) Determine las vacancias/cm3 a 500ºC
b) Determine la densidad del material perfecto y de los tres casos mencionados.
El Si es CCC y a=5.4307Å
2) Suponga que uno de cada 250 átomos se pierde en el cromo.

a) Determine la densidad del material puro y del material con vacantes
b) si se sustituyen 2 atomos de Cr por Ni determine la densidad.
2.- Una placa de zinc contiene 1.8 x 102 vacantes por centímetro cúbico a 70 oC y 2.7 x
106 vacantes a 220oC, las dimensiones de la placa son15.7 mm de espesor y 5 x 7 cm
por cada lado. Determine el número de vacantes totales en el material a 100°C.
3.- Una muestra de Cu contiene una vacante por cada 50 celdas y un átomo de
nitrógeno intersticial por cada 125 átomos. Si suponemos que no hay cambio en el
a) La densidad teórica del estroncio
b) La densidad del estroncio únicamente con vacantes
c) La densidad del estroncio únicamente con átomos intersticiales
78
4.- Al efectuar un estudio cristalográfico se observan al microscopio en un objetivo de

3.2 cm de diámetro 15 granos y 12 fronteras de grano interceptadas, si el aumento
utilizado fuese: 100x, 250x, 500x y 800x determine:
a) El tamaño de grano ASTM
5.- Un alambre de cobre se deformó al aplicársele una carga externa. A una muestra
de este alambre se le aplicó un análisis de rayos x utilizando radiación con =2.29Å, el
análisis mostró que ángulo de difracción 2 era de 57.2º para la reflexión de los planos
{111} con líneas de primer orden
i) Calcule el cambio porcentual del parámetro de red en comparación con el
valor de equilibrio
j) Diga si el alambre sufrió tensión o compresión
k) Si el análisis hubiera sido efectuado sobre las familias de planos {110}, {202}
¿Cuáles deberían de ser los ángulos 2 ?
6.- Calcule el ángulo de difracción 2 de la reflexión de los planos (110) y (200) en el
hierro a temperatura ambiente, si las líneas de difracción son de primer orden y
=1.79Å =2
b) ¿Cuál será la densidad planar a temperatura ambiente y a 913ºC en esos planos? si
por difracción de rayos x se determinó que el parámetro de red del Hierro a
temperatura ambiente es 2.89Å y a 913ºC es 3.66Å.
2) Una barra cilindrica de Si es de 2 cm de diámetro por 20 cm de longitud y contiene

3.1x102 vacantes/cm3 a 300ºC y 2.5 x109 vacantes a 600ºC. Una formula para
n Ea KT
determinar las vacancias con respecto a la temperatura es e .
N
a) Determine las vacantes presentes a 490ºC
b) Determine el número de atomos de Si en la barra a las tres temperaturas
2) En cierto material a 500ºC, un atomo de cada 109 tiene la energia necesaria para
saltar y ocupar una vacante adyacente. A 1000ºC un atomo de cada 10 6 tiene la
energia necesaria para lograrlo
a) Determine el valor de la energía requerida para el proceso
b) A que temperatura sería igual a 10-4 la fracción de atomos con esa energía
c) 200ºC
3) Suponga que el Estroncio contiene una vacante por cada 50 celdas y un atomo
intersticial de Nitrógeno por cada 125 atomos. Si suponemos que no hay cambio
en el parámetro de red determinar:
a) Densidad teorica del Estroncio
b) Densidad del Estroncio con Vacantes
c) Densidad del Estroncio con atomos intersticiales
d) Densidad del Estroncio con vacantes y atomos intersticiales
3) El Niquel tiene un parámetro de red de 3.5238Å. Suponer que un atomo de

carbono se acomoda intersticialmente por cada 10 celdas unintarias, considerar
que los atomos de carbono no cambian a 0, si ademas se han perdido dos atomos
de Ni por cada 200 celdas determinar la densidad de la aleación.
79
Capítulo 4
Difusión Atómica en Sólidos
La difusión atómica es el mecanismo a través del cual la materia se transporta a través

de la materia. Hay dos principales mecanismos de difusión de los átomos en una red
cristalina.
1) Mecanismo Substitucional o por vacantes; los átomos pueden moverse en la
red cristalina de una posición atómica a otra cuando estos tienen suficiente
energía (Ea) energía de activación.
2) Mecanismo intersticial; Este mecanismo se da cuando los átomos se mueven
de posiciones intersticiales a otras intersticiales.
Difusión en estado estacionario.- Cuando no existe interacción química entre los

átomos del soluto y el disolvente y existe una diferencia de concentración entre
dos planos, se produce un flujo neto de átomos en la parte de concentración más
alta a la más baja. Se produce cuando un gas no reactivo se difunde a través de un
sólido.La densidad de flujo o corriente se calcula a partir de la primera ley de Fick
80
dc
J D
dx
J flujo.o.corriente.neta.de.átomos
D difusividad
dc
gradiente.de.la.concentracion
dx
Se utiliza un signo negativo porque la difusión tiene lugar de una concentración mayor
a otra menor. Las unidades SI para esta ecuación son
atomos m2 dc atomos 1
J( ) D( ) ( )
m2 .s s dx m3 m
Coeficiente de difusión o difusividad. El coeficiente de difusión varía con la naturaleza

de los átomos que se difunden (soluto), con la naturaleza de la estructura del sólido
(solvente) en donde se difunde el soluto, y con los cambios de la temperatura.
Como la difusión atómica implica movimientos atómicos, entonces el incremento de la
temperatura en muchos sistemas puede expresarse por el siguiente tipo de ecuación
de Arrhenius.
Q
D Do e RT
D= Coeficiente de difusión, m2/s

Do= Constante de proporcionalidad, m2/s (no varía con la temperatura solo varía con
el tipo de sistema).
Q = Energía de activación de las especies en difusión, J/mol o cal/mol
R = Constante molar de los gases =8.314 J/mol.K ó 1.987 cal/mol.K
T = Temperatura, K
Problema 4.1
Se difunde gas hidrógeno a través de una membrana de hierro de 1.7mm de

espesor y 5 cm de perímetro, la concentración del lado donde se inyecta el gas es
de 4.2 X 1018 átomos de H/cm3 y el número de átomos totales que pasan a través
de la membrana es de 8.2 X 10 15 átomos de H en un segundo a 700 oC. ¿Cuál es la
concentración del otro lado de la membrana al dar inicio la difusión?
Solución:
( H en FeBcc Do=0.0012 cm2/s, Q=3,600 cal/mol )
81
15
8.2 X 10 át. de H/s
1.5915cm
18 3 O
C1= 4.2 X 10 átomos de H/cm 1.7mm T=700 C
C2 C1
Aplicamos la 1a, ley de Fick J D (1), se calcula el coeficiente de difusión a
0.17cm
3600 mol
cal
cm 2 cm2 (1.987 molK

cal )(973 K )
700ºC donde D0 0.0012 s D 0.0012 s e
4 cm2
D 1.8642 x10 s
5cm (1.5915cm) 2
P 1.5915cm A r2 1.9894cm 2 entonces
2
8.2 x1015 atH atH
J 8.2 x1015
1.9894cm 2 s cm 2 s
Introduciendo el coeficiente de difusión y J, despejando C2 de (1)
15 at .cm2 4 cm2
C2 4.2 x1018 cm
atH
3
4.1217 x 10 s 1.8642 x10 s
0.17cm
3.6586 x1018 C2 4.2 x1018 C2 5.414 x1017 atH

cm3
1) D= 0.5 in; 0.25% at Cu; 0.1 % at; J=?; 500ºC; a=4.05Å; Do=2.0cm2/s; Q=33900
Cal/mol; #at /cm3= 6.0213645x1022; Sup=1.5053411x1020; Cen=6.02136x1019;
C=-9.032046x1019.
Q 33900
22.038
D Do e RT
D 2e (1.987)(773) 2e D 5.1965x10 10 cm2 / s
C 9.032045 x1019
1.422369 x1020 J ( 5.3723x10 10 )( 1.4223695 x1020 )
x 0.635
J 7.391x1010 at / cm2 seg
Problema 4.2
Se difunde gas hidrógeno a través de una membrana de hierro de 1.7mm de
espesor y 1.59155 cm de perímetro, la concentración del lado donde se inyecta el
gas es de 3.7 X 1018 átomos de H/cm3 y del otro lado de la membrana se reciben
2.1 X 1015 átomos de H/cm3 ¿Cuál es el flujo de átomos totales de H que pasan a
través de la membrana en un segundo a 700 oC?
82
Solución : L=1.7 mm; Ø=1.59155cm; A=1.989cm2; C2=3.7x1018 át. de H/cm3;

C1=2.1x1015 át. de H/cm3; T=700ºC.
( H en FeBcc Do=0.0012 cm2/s, Q=3,600 cal/mol )
Q
Se calcula el coeficiente de difusión a 700°C : D D0e RT
3,600 cal / mol
cm2 1.987
cal
973 K cm2
D 0.0012 e mol K
D 1.86424 x10 4
s s
Para encontrar el flujo de átomos de H a travéz de la membrana se aplica la 1a. ley de
C
Fick : J D
X
at.H at.H at.H
C 2.1x1015 3.7 x1018 3.6979 x1019
cm3 cm3 cm3
at.H
3.6979 x1018
cm2 4 cm3 ) 4.055 x1015 at.H
J 1.86424 x10 (
s 0.17cm cm2 s
Problema 4.3
Una muestra de hierro FCC (austenítico), contiene recubrimiento electrolítico de Ni en
la superficie, este es de 1.5 a/o, a 5 mm de la superficie y la concentración de Ni es de
0.8 a/o. Si la temperatura se mantiene a 1000ºC determine el flujo de átomos de Ni en
la superficie.
Solución: Ni en Fe FCC D1000°C 2x10-12 cm2/s

Aplicando la 1ª ley de Fick para la difusión y tomando como base de cálculo 1 celda
unitaria de Fe FCC, se calculan las concentraciones en la superficie y a 5 mm de la
superficie en átomos de Ni/cm3
dc
J D ;
dx
C2 C1
; aFe 3.59Å
a
0.06at.Ni at.Ni
C1 1.296 x1021
(3.59 x10 8 )3 cm3
0.032at.Ni at.Ni
C2 6.916 x1020
(3.59 x10 8 )3 cm3
at.Ni
C2 C1 1.296 x1021 6.91620 6.0438 x1020
cm3
at.Ni
6.0438 x1020
dc cm3 at.Ni
1.208762 x1021
dx 0.5cm cm3cm
a 1000ºC
83
cm2
12 at.Ni
J (2 x10 )( 1.208 x1021 3 )
s cm cm
at.Ni
J 2.416 x109
s cm2
Problema 4.4
Una lámina de oro contiene 22 átomos de plata por cada 10 8 átomos de oro a una
profundidad de 0.29 cm y 38 átomos de plata por cada 10 8 átomos de oro en la
superficie.
a) ¿Cuál es la densidad de flujo atómico a 700 oC?
b) ¿Cuánto tiempo se requiere para aumentar la concentración de plata al doble
en el material inicial?
Solución:
38 at. Ag / 108 at. Au

0.29cm
22 at.Ag /108 át. Au
a) El Do=0.072 cm2/s para Ag en Au y Q=40,200 cal/mol

Estructura del Au es FCC la constante de red aau= 4.07 Ǻ en la estructura FCC
existen 4 átomos de Au por celda así que 108 átomos de Au son 2.5x 108 celdas. Con
estos datos se calculan las concentraciones C1 y C2 en átomos de Ag/ cm3 para la
superficie y profundidad del material:
84
38at. Ag at. Ag
C1 2.25455 x1015 ;
2.5 x108 celdas(4.07 x10 8 cm)3 cm3
22at. Ag at. Ag
C2 1.305 x1015 ;
2.5 x10 celdas(4.07 x10 8 cm)3
8
cm3
40200cal / mol
cm2 (1.987 cal / mol . K )(973 K ) 11 cm2
D 0.072 e 6.735 x10
s s
15 at. Ag at. Ag
2 1.305 x10 2.254 x1015
J ( 6.735 x10 11
cm
)( cm 3
cm3 ) 2.204 x105 at. Ag
s 0.29cm cm
b) Lograr aumentar la concentración en la superficie al doble, haciendo uso del
sistema no es posible ya que la difusión se da, de la concentración mayor a la
menor. Esto solo se lograría aumentando el flujo externo de átomos del gas
que alimentan a la superficie.
Un gradiente de Zn en una aleación de Cu es 10 veces más grande que un

gradiente de aluminio en una aleación de Cu. Compare el flujo de átomos de
soluto/cm2 en las dos aleaciones a 500 ºC.
Solución: Estableciendo la condición de los gradientes:
dc dc
( ) Al 10( ) Al
dx dx Zn
cm2 cal
( Zn Cu ) Do1 0.78 Q1 43900
s mol
cm2 cal
( Al Cu ) Do2 0.045 Q2 39500
s mol
dc dc
J1 D1 (10 ) J2 D2
dx dx
cal cal
43900 39500
mol mol
cm2 2
cal
(773º K ) cm2 2
cal
(773º K )
D1 (0.78 )e mol º K
D2 (0.045 )e mol º K
s s
13 cm2 13 cm2
D1 3.6301x10 D2 3.606 x10
s s
85
cm2
13 dc
3.6301x10 (10 )
J1 s dx
2
10.0065
J2 13 cm dc
3.606 x10
s dx
Problema 4.5

gradiente de Al en una aleación de Cu, compare el flujo de átomos de soluto/cm 2.s
en las 2 aleaciones a 700 ºC.
dc dc
( ) Al 10( ) Al
dx dx Zn
Para Zn en Cu
cm2
Do1 0.34 Q1 45,600cal / mol
s
Para Al en Cu??????? buscarlommmmmmmmmmmmmmmm
cm2
Do2 0.045 Q2 39,500cal / mol
s
Estableciendo la ecuación de difusión para ambos sistemas:
dc dc
J1( Zn Cu ) D1 (10 ) J 2( Al Cu ) D2
dx dx
Calculando el coeficiente de difusión para ambos sistemas a 700°C
86
cal cal
45600 39500
mol mol
cal cal
(2 )973 K (2 )973 K
D1 (0.34cm2 / s)e mol º K
D2 (0.045cm2 / s)e mol º K
11 cm2 11 cm2
D1 2.2636 x10 D2 6.88466 x10
s s
Se encuentra la relación entre los flujos atómicos:
cm2
11 dc
(2.2636 x10 )(10 )
J1 s dx 18.06
J2 cm2 dc
(6.88466 x10 11 )( )
s dx
Problema 4.6

gradiente de Al en una aleación de Cu, compare el flujo de átomos de
soluto/cm2.s en las 2 aleaciones a 500 ºC.
dc dc
( ) Al 10( ) Al
dx dx Zn
Para Zn en Cu
cm2
Do1 0.78 Q1 43,900cal / mol
s
Para Al en Cu
cm2
Do2 0.045 Q2 39,500cal / mol
s
Estableciendo la ecuación de difusión para ambos sistemas:
dc dc
J1( Zn Cu ) D1 (10 ) J 2( Al Cu ) D2
dx dx
Calculando el coeficiente de difusión para ambos sistemas a 500°C
87
cal cal
43900 39500
mol mol
cal cal
(2 )773 K (2 )773 K
D1 (0.78cm2 / s)e mol º K
D2 (0.045cm2 / s)e mol º K
10 cm2 11 cm2
D1 1.2439 x10 D2 6.88466 x10
s s
Se encuentra la relación entre los flujos atómicos:
cm2
10 dc
(1.2439 x10 )(10 )
J1 s dx 18.06
J2 cm2 dc
(6.88466 x10 11 )( )
s dx
Problema 4.7
Av 22x10-8 Ag; .29 cm; 38x10-8 Ag; T= 700°C ;; α=4.1295

40200
(1.987)(973) 11
# atAg1 1.2496 x1016 ; # atAg2 2.1585x1016 ; D 0.072e 6.7156 x10
1.2496 x1016 2.1585 x1016
J ( 6.7156 x10 11 )( ) J 2.1048x106 ; No Se Puede
0.29
Problema 4.8
Una muestra de hierro FCC (auténtico) tiene un recubrimiento electrolítico de Ni en la
superficie es de 1.5 a/o y a una profundidad de 5 mm la concentración de Ni es de 0.8
a
/o. Si la temperatura se mantiene a 1000ºC determine el flujo de átomos de Ni en la
superficie.
D=3x10-12 cm2/s
88
dc
J D ;
dx
C2 C1
; aFe 3.59Å
a
0.06 atomos
C1 1.296 x1021
(3.59 x10 8 )3 cm3
0.032 atomos
C2 6.916 x1020
(3.59 x10 8 )3 cm3
atomos
C2 C1 1.296 x1021 6.91620 6.0438 x10 20
cm3
atomos
6.0438 x1020
dc cm3 atomos
1.208762 x1021
dx 0.5cm cm3cm
a 1000ºC
cm2
12 at
J (3x10 )( 1.208762 x1021 3 9
s cm cm
at
J 3.6262 x109
s cm2
La superficie del acero puede endurecerse mediante la carburización. Durante uno de

tales tratamientos a 1000ºC hay una caída en la concentración del carbono de 5 a 4%
a una distancia entre 1 y 2 mm desde la superficie del acero. Estime el flujo de los
átomos de carbono hacia el acero en esta región cercana a la superficie.
Solución:
dc
J D 3.66Å
dx
# atomos 3.60x10-8cm
C1
cm3 a3 (3.66 x10 8 cm)3
# atomos
C2 a3 49.028 x10 24
cm3
cm3
Base 100 gr de acero

Sup 95gr Fe y 5gr de C
96gr de Fe y 4gr de C
55.847gr NA
95 gr x
x=1.02455x1024 atomos de Fe
=256.1375x1021c/u
12.011 NA
5gr x
x= 2.5073x1023 atomos de C
89
2.5073 x1023 atC

C1 24 3 21
19.9659 x1021 3
(49.028 x10 cm )(256.1375 x10 ) cm
1.03534 x1024 atomos _ Fe 2.5883 x1023 c / u _ FCC
200.583x1023 atomosC
2.00582 x1023 atC
C2 15.8064 x1021 atC / cm3
(2.5883 x1023 )(49.028 x10 24
cm3 )
C2 C1 4.1595 x1021 atC
4.1595 x1022
0.2cm 0.1cm 0.1cm cm3 ·cm
D 4 x10 7 cm2 / s
at.c atC
J (4 x10 7 cm2 / s)(4.1595 x1022 ) 1.6638 x1015
cm3 ·cm cm 2 ·s
6).-Si CD ; x=0.05cm ; z 107 ; x 107 ; C/ x= -2x1018 at/cm3.cm
C C1 C2 C C
;x C1 C2 ; C2 C1 x ; C2 9.9897 x1015 (0.05)( 2 x1018 )
x x x x
C2 1.099897 x1017 ; C2 22atGa /107 Si %w=5.46x10-4 %
1) Si 0.05 cm; 2 at Ga / 107 Si; C/ x= -2x1018 at/cm3 cm; a=5.4307;

Vcelda=1.60165x10-22cm3; #celdas=1,250,000; VT=2.0021x1016cm3; at
Ga/cm3=9.9895x1015
C1 C2 C C
; C2 C1 ( ) x 9.9895 x1015 ( 2 x10 18
)(0.05) C2 1.0999 x1017
x x x
atGa 22.021/107 Si %w 5.466 x10 4
Segunda ley de Fick.

Difusión en estado no estacionario,
Difusión en estado no estacionario.- El estado estacionario, en el cual las condiciones

permanecen invariables con el tiempo, no se encuentran comunmente en los
materiales de ingeniería. En la mayor parte de los casos, la difusión en estado no
estacionario, en la que la concentración de los átomos de soluto en cualquier punto del
material cambia con el tiempo, es la que tiene lugar. Para los casos de difusión en
estado no estacionario, en los que el coeficiente de difusión es independiente del
tiempo, se aplica la segunda ley de la difusión de Fick,
2
C C
D
t x2
90
Esta ley establece que la velocidad de cambio de la composición de la muestra es

igual al coeficiente de difusión por la velocidad de cambio del gradiente de
2
C C
concentración, los valores de y se determinaron experimentalmente en el
t x2
laboratorio para poder calcular los valores de D la difusividad []
La solución particular a esta ecuación para una gas que se difunde en un sólido es de
gran importancia para algunos procesos de difusión en ingeniería como carburización,
descarburización, producción de semiconductores, producción de aleaciones para
MEMS etc.
dc d 2c
D
dt dx 2
Esta ecuación describe la dinámica, de la difusión de los átomos en estado no

estacionario la solución de la ecuación depende de las condiciones de frontera para una
situación particular. Una de las soluciones a esta ecuación es:
cs cx x
erf ( )
cs c0 2 Dt
Donde cs es la concentración constante de los átomos que se difunden sobre la superficie
del material, co es la concentración uniforme inicial de los átomos que se difunden en
el material y cx es la concentración de los átomos que se difunden localizados a una
profundidad x de la superficie del material después de un tiempo t. D es el coeficiente
de difusión del átomo A difundiéndose en el material.
Cs
Cx
Concentraciones
C0
Distancia
La solución de esta ecuación se aleja de los objetivos de este libro. Sin embargo, la
resolución particular a esta ecuación para un gas que se difunde en un sólido es de
gran importancia para algunos procesos de difusión en ingeniería y se utiliza para la
solución de problemas de difusión en la industria.
Considérese el caso de de un gas A difundiéndose en un sólido B, como se ilustra en
la fig.
A
B
І
X=0
A medida que aumenta el tiempo de difusión la concentración de átomos de soluto en
cualquier punto del sólido en la dirección x también aumentará, como se indica en los
tiempos t1 y t2, Si el coeficiente de difusión del gas A en el sólido B es independiente
de la posición, entonces la solución a la segunda ley de Fick es
91
Cs C x x
erf
Cs Co 2 Dt
Donde Cs=concentración superficial del elemento en el gas que difunde dentro del
sólido
Co= concentración inicial uniforme del elemento en el sólido
Cx= concentración del elemento a la distancia x de la superficie en el tiempo t
D= coeficiente de difusión del elemento soluto que difunde
t = tiempo
PROBLEMAS RESUELTOS
Problema 4.9
Con el objeto de producir un semiconductor extrínseco se difunde Fósforo en
Germanio, si la concentración de fósforo en la superficie del Germanio es de 45 %
atómico y la concentración a una profundidad de 0.15 mm es de 1 % atómico de
fósforo.
a) Calcule el flujo de átomos de Fósforo a 900oC en Germanio.
b) Estime el tiempo que durará el proceso si se desea elevar la concentración
del Fósforo, hasta una tercera parte de la concentración que se tiene en la
superficie
Solución:
El parámetro de red del Ge a=5.6575 Å;
Primero se calcularán las concentraciones en la superficie y en la profundidad
señalada, tomando como base de cálculo 1 cm 3 de Ge:
Cs=Concentración de P en la superficie.
En 1cm3 de Ge hay 4.4179 x1022 átomos entonces habrá 1.988 x 10 22 de átomos de P
en la superficie.
Cx=Concentración de P a la profundidad de 0.015cm
En 1cm3 de Ge hay 4.4179 x1022 átomos entonces habrá 4.4179 x10 20 átomos de P
en la profundidad señalada.
1.988 x1022 at.deP 4.4179 x1020 at.deP 1.9438 x1022 at.deP

Cs C C
cm3 cm3 cm3
x
Con la ecuación tipo Arrhenius, se calcula el coeficiente de difusión del P en el Ge a la

2
temperatura de 900°C si D0 2 cms para P en Ge y Q 57500 mol cal
entonces;
Q
D D0 e RT
(57500 mol
cal )
cm2 (1.987 Kcal )(1173 k ) 11 cm2

D 2 s e . mol
3.8629 x10 s
El coeficiente de difusión obtenido, se aplica a la 1ª. Ley de Fick, para calcular el flujo
estacionario de átomos de P en Ge de la superficie a la profundidad indicada;
C
J D( ) substituyendo en la ecuación de la 1ª. Ley de Fick ,
x
11 cm2
4.4179 x1020 atcm.deP
3 1.988 x1022 at .deP
cm3
J 3.8629 x10 s 5.0058 x1013 atcm.deP
2
0.015cm
92
Para determinar el tiempo en que varía el proceso, se aplica la solución de la segunda

ley de Fick;
CS C x x
erf ( )
CS C0 2 Dt
Se sabe que Cs=0.45% atómico de P en la superficie, Cx=0.15% atómico de P a
0.015cm de la superficie; C0=0.01% atómico de P como concentración inicial. De
acuerdo con la segunda ley de Fick
Cs Cx x 0.45 0.15 0.015cm

erf ( ) erf ( )
Cs C0 2 Dt 0.45 0.01 2
2 D cms t
0.015cm
0.6818 erf ( )
11 cm2
2 3.8629 x10 s t
De la tabla de tabulación error función encontramos:
N erf. N
0.70 0.677801
- 0.71 - 0.684666
---------- ------------
0.01 6.865 x10-3 0.6818-0.677801= 3.999 x10-3
y 3.999 x10-3
y = (3.999x10-3) 0.01/6.865x10-3 = 5.8252x10-3 para encontrar el valor sin error:
0.70 + 5.8252x10-3 =0.7058 este valor se sustituye en la ecuación de la 2ª. Ley de

Fick y se elimina erf. sabiendo que x= 0.015 cm;
0.015cm 0.0001129cm2
0.7058 t 2 2.923x106 s 811.97h
2 3.8629 x10 11 cm2
s t 3.8629 x10 11 cms
Problema 4.10
La descarburizacion así como la carburizacion de un acero puede describirse

mediante la función error de la 2ª ley de Fick si se toma Cs=0 deduzca una
expresión para describir el perfil de concentración de carbono conforme se difunde
en un acero con concentración inicial C o. (Esta situación se puede producir
colocando el acero en el vacío a una temperatura elevada)
Solución:
C C C C
93
_________________Cs =0
C acero C
Aplicando la segunda ley de Fick, y substituyendo C s=0
Cs C x x
erf
Cs Co 2 Dt
0 Cx x
erf
0 Co 2 Dt
x
Cx Co (erf )
2 Dt
Problema 4.11
Calcule y dibuje el perfil de concentración de Carbono en una descarburización,

calculando la concentración Cx con la expresión obtenida en el problema anterior
después de 1 hora a una profundidad de 1 mm de la superficie en el vacío a 1000ºC
el contenido inicial del acero es de 0.3% en peso.
Solución:
2
El coeficiente de difusión de carbono en Fe, FCC D1000 C 4 x10 7 cm
s
Substituyendo en la ecuación de la segunda ley de Fick para descarburización:
94
Cx 0.1cm
erf
0.3 7 cm 2
2 4 x10 (3600 seg )
s
Cx
erf (1.3176)
0.3
Cx
0.06920728
0.3
C x 0.020762%C
Problema
Calcule y dibuje el perfil de concentración de Carbono en una descarburización,

calculando la concentración Cx con la expresión obtenida en el problema anterior
después de 21600 s a una profundidad de 0.07 cm de la superficie en el vacío a 680ºC
el contenido inicial del acero es de 0.03% en peso.
Solución :
Fe Cs=0; Cx=?; Co=0.03%; T=680ºC; t=21600seg; x=0.07cm
18300
0 Cx 0.07 7
erf ( ) D 0.0047e (1.987)(953) D 2.985679 x10
0 0.03 2 Dt
0 Cx 0 Cx
erf 0.435832 0.462324 Cx 0.01387%
0 0.03 0 0.03
Problema 4.12
Considerar un acero que contiene 0.15 % de carbono. Este material es colocado en
una cámara al vacío con el fin de descarburizarlo, la temperatura del proceso es de
900 oC, después de 42 horas (a) ¿Cuánto carbono estará presente a 7 mm bajo la
superficie? (b) ¿Cuánto tiempo se requiere para eliminar el 50 % de la
concentración inicial?
Solución: 0.15% C ; T= 900ºC ; t= 42 hrs ; X=0.7 cm

Q
(a) Aplicando la ecuación, D D0 e KT se calcula el coeficiente de difusión de carbono

en hierro BCC a 900°C donde D0 0.011 cms ; Q
2
20,900 mol
cal
substituyendo en la
20900 mol
cal
2 (1.987 cal )(1173k ) 2

ecuación D 0.011 cms e mol . k
1.4029 x10 6 cms
En este proceso el carbono saldrá del material por lo que Cs deberá igualarse a cero.
95
Aplicando la solución a la segunda ley de la difusión de Fick se procede a sustituir las

diferentes concentraciones existentes en el acero:
Cs Cx x Cx 0.7cm
erf ( ) erf ( )
Cs C0 2 Dt 0.15% cm26
2 (1.4029 x10 )(151, 200 s)
s
Cx
erf (0.7599)
0.15
De la tabla de tabulación erf encontramos:
N erf. N
0.75 0.7112
- 0.76 - 0.7175
---------- ------------
0.01 6.3 x10-3 0.7599-0.75= 9.99 x10-3
-3
9.9x10 y
y = (9.99x10-3) 6.3x10-3/0.01= 6.237x10-3 para encontrar el valor:

Fick;
Cx
0.717437 Cx 0.1076%
0.15
La concentración inicial es 0.15%C si se elimina el 50% de esta cantidad quedaría
0.075%C, se sustituye este valor en la ecuación de la segunda ley de Fick:
0.075% 0.7cm 0.35cm
erf ( ) 0.5 erf ( )
0.15% cm 6
2
cm2
6
2 1.403x10 t 1.403x10 t
s s
N erf. N
0.47 0.4937
- 0.48 - 0.5027
---------- ------------
0.01 9.0 x10-3 0.5 - 0.4937 = 6.3 x10-3
y 6.3x10-3
y = 7.0 x10-3 para encontrar el valor:
7.0 x10-3 + 0.47 = este valor se sustituye en la ecuación de la 2ª. Ley de Fick;
0.35cm 0.35 2 1
0.477 t ( ) ( )
cm 6
2 0.477 1.403x10 6
1.403x10 t
s
t 383,744.054seg (106.59hrs)
96
Problema 4.13
Con el objeto de producir un semiconductor extrínseco se difunde fósforo en

germanio, si la concentración de fósforo en la superficie es de 45 % atómico y la
concentración a una profundidad de 0.15 mm es de 1 % atómico de fósforo.
a) Calcule el flujo de átomos de fósforo a 900oC en germanio.
b) Estime el tiempo que durará el proceso si se desea elevar la concentración
del fósforo, hasta una tercera parte de la concentración que se tiene en la
superficie
Solución:
45% atómico de P en Sup.; 1% atómico de P en x=0.015 cm.; El parámetro de red del
Ge a=5.6575 Å;
Primero se calcularán las concentraciones en la superficie y en la profundidad
señalada, tomando como base de cálculo 1 cm3 de Ge:
Cs=Concentración de P en la superficie.
En 1cm3 de Ge hay 4.4179 x1022 átomos entonces habrá 1.988 x 1022 de átomos de P
en la superficie.
Cx=Concentración de P en la profundidad.
En 1cm3 de Ge hay 4.4179 x1022 átomos entonces habrá 4.4179 x10 20 átomos de P
en la profundidad señalada.
1.988 x1022 at.deP 4.4179 x1020 at.deP 1.9438 x1022 at.deP

Cs Cx C
cm3 cm3 cm3
Con la ecuación tipo Arrhenius, se calcula el coeficiente de difusión del P en el Ge a la
2 cms para P en Ge y Q 57500 mol
cal
2
temperatura de 900°C si D0 entonces;
Q
D D0 e RT
(57500 mol
cal )
cm2 (1.987 Kcal )(1173 k ) 11 cm2

D 2 s e . mol
3.8629 x10 s
estacionario de átomos de P en Ge de la superficie a la profundidad indicada;
C
J D( ) substituyendo en la ecuación de la 1ª. Ley de Fick ,
x
11 cm2
4.4179 x1020 at .deP
cm3
1.988 x1022 at .deP
cm3
J 3.8629 x10 s 5.0058 x1013 atcm.deP
2
0.015cm
Para determinar el tiempo en que varía el proceso, se aplica la solución de la segunda

ley de Fick;
CS C x x
erf ( )
CS C0 2 Dt
97
Se sabe que Cs=0.45% atómico de P en la superficie, Cx=0.15% atómico de P a

0.015cm de la superficie; C0=0.01% atómico de P como concentración inicial. De
acuerdo con la segunda ley de Fick
Cs Cx x 0.45 0.15 0.015cm

erf ( ) erf ( )
Cs C0 2 Dt 0.45 0.01 2
2 D cms t
0.015cm
0.6818 erf ( )
11 cm2
2 3.8629 x10 s t
N erf. N
0.70 0.677801
- 0.71 - 0.684666
---------- ------------
0.01 6.865 x10-3 0.6818-0.677801= 3.999 x10-3
-3
y 3.999 x10
y = (3.999x10-3) 0.01/6.865x10-3 = 5.8252x10-3 para encontrar el valor sin error:

Fick sabiendo que x= 0.015 cm;
0.015cm 0.0001129cm2
0.7058 t 2
2 3.8629 x10 11 cm2
s t 3.8629 x10 11 cms
t 2923114seg 811.98hrs
Problema 4.14
Se difunde plata en oro y se requiere una densidad de flujo atómico de 105 átomos
de plata/cm2s en una distancia de 2.8 mm.
(a)¿Qué concentración se debe tener en el lado de menor concentración si en el de
mayor concentración tenemos 45 átomos de plata por cada 1.5x10 7 átomos de oro.
b) ¿Cuánto tiempo se requiere para aumentar un 25% la concentración en el lado

de menor concentración?
Solución: El coeficiente de difusión para Ag en Au Do=0.072. Q=40,200)
J=105 at Ag/cm2s; x=0.28 cm; CM= 45/1.5 x107; T= 550ºC; cm= ?
(45)(4)
CM 1.7041x1017
(1.5 x107 )(4.1295 x10 8 )3
40200
D 0.072e (1.987)(823) 1.5179 x10 12

C CM (0.28)(105 )
J D m Cm CM
x 1.5179 x10 12
Cm 1.7041x1017 1.8446 x1016 Cm 1.51964 x1017
(1.51964 x1017 )(1.5x107 )(4.1295x10 8 )3 40.13atAg
4 1.5 x107 atAv
98
b) No se Puede
Problema 4.15
Una muestra de acero con 0.25% de carbono es colocado en una cámara al vacío
con el fin de descarburizarlo, la temperatura del proceso es de 900ºC, después de
42 horas. ¿Cuánto carbono estará presente a 3mm bajo la superficie?
b) Cuánto tiempo se requiere para eliminar el 50% de la concentración inicial de
carbono del acero?
Solución:
En este proceso se libera carbono de la superficie por lo que Cs=0% atómico de
carbono.
C0 =0.25% atómico de carbono en el acero.
Cs= 0% atómico de carbono en la superficie.
Cx=Concentración de carbono a 0.3 cm después de 42 h.
Q
Aplicando la ecuación, D D0 e KT se calcula el coeficiente de difusión de carbono en

hierro BCC a 900°C donde D0 0.011 cms ; Q
2
20900 mol
cal
substituyendo en la
20900 molcal
2 (1.987 mol
cal )(1173 k )
6 cm2
ecuación D 0.011 cms e .k
1.4029 x10 s
Aplicando la solución a la 2a. Ley de Fick
Cs Cx x x 0.3cm
erf ( ); 0.325688
Cs C0 2 Dt 2 Dt 2( (1.4029 x10 6 cm2
s )(151200s)

N erf. N
0.32 0.349126
- 0.33 - 0.359279
---------- ------------
0.01 0.010153 0.325688 - 0.32= 5.688x10-3
-3
5.688x10 y
y = (5.688x10-3) 0.010153/0.01= 5.7750x10 -3 para encontrar el valor error función:

0.349126 + 5.7750 x10-3 =0.3549
CS C X 0 CX Cx
0.3549 0.3549 Cx 0.0887%C
C S C0 0 0.25 C0
El tiempo que se requiere para eliminar el 50% de la concentración inicial de carbono

del acero?.
0.125 x 0.3cm
erf ( ) 0.5 erf .
0.5 2 Dt 2 1.4029 x10 6 cm2
s t
N erf. N
0.47 0.4937
- 0.48 - 0.5027
---------- ------------
0.01 9x10-3 0.5 - 0.4937= 6.3x10-3
-3
y 6.3 x10
99
y = 7.0x10-3 para encontrar el valor sin error función:

0.47 + 7.0 x10-3 =0.477
0.3cm
0.477
6 cm 2
2 1.4029 x10 s t
0.3 1
t ( )2 ( ) t 70488.63seg 19.56h
(2)(0.477) 1.4029 x10 6
4) T=700ºC ; J=105 ; X=.0.28cm ; C2=35 por cada 108; a=4.1295 Å

C2=1.9881x1016
40200
C C
D 0.072e (1.987)(973)
6.7156 x1011 J D 105 6.7156 x1011
X 0.28
C 4.1694 x1014 C1 C2 4.1694 x1014 C1 1.9464 x1016
8
C1=34.3 at Ag por cada 10 at Au No se puede duplicar
Problema 4.16
Se difunde plata en oro y se requiere una densidad de flujo atómico de 105 átomos
de plata/cm2s en una distancia de 0.28 cm. Si en la región de mayor concentración
existen 45 átomos de plata por cada 1.5x10 7 átomos de oro. ¿Qué concentración
debe existir en la región de menor concentración? b) cuanto tiempo se requiere
para aumentar un 25% la concentración en el lado de menor concentración?
Solución:
El Do=0.072 cm2/s para la difusión de Ag en Au, Q=40,200 cal/mol
aau= 4.07 Ǻ estructura FCC con 4 átomos de Au por celda, así 1.5x107 átomos de
Au son 3.75x 106 celdas, se calcula CM la concentración mayor.
45at. Ag at. Ag
CM 1.793x1017
(3.75 x10 celdas)(4.06 x10 8 cm)3
6
cm3
Se calcula la difusión de la Ag
2 40,200 cal / mol 2 en Au a
cm (1.987 cal / mol . K )(823 K ) 12 cm
D 0.072 e 1.5179 x10
s s
at. Ag
(0.28cm)(105 )
C CM cm 2 s
J D m despejando Cm CM 2
x cm
1.5179 x10 12
s
at. Ag at. Ag 17 at. Ag
Cm 1.793x1017 1.8446 x1016 Cm 1.51964 x10
cm 3
cm3 cm3
100
J=105 at Ag/cm2s ; x=2.8mm ; CM=45 at Ag/1.5x107 at Au CM=1.704x1017 at

Ag/cm3; D=3.095x10-13; a=4.1295
Cm CM (10)5 (0.28)
J D Cm CM 9.0468 x1016 Cm CM
x 3.095 x10 13
x4
1.704x1017 9.0468x1016 7.9932x1016 7.9932 x1016 21.1 26.38
1.5 x107 a3
Cs Cx x 1.704 x1017 9.9897 x1016 7.0503x1016
erf ( ) 0.779314
Cs C0 2 Dt 1.704 x1017 7.9932 x1016 9.0468 x1016
0.7761 0.86 5.3x10-3 0.01

0.7814 0.87 3.214x10-3 x=6.064x10-3 = 0.866064
2
0.28 1
t ( 13
)
(0.866064)(2) 3.095 x10
8.4317x1010 seg 2.342x107 hrs 9.758x105 Dias
Problema 4.17
Una barra cilíndrica de cobre de 15 mm. de diámetro, contiene 0.32 % en peso de

zinc en la superficie. La concentración en el centro de la barra es de 0.08 % en
peso.
a) Determine el flujo atómico hacia el centro de la barra a 550 °C
b) Determine el tiempo para obtener una concentración de 0.13 % en peso de Zn a
una profundidad de 4 mm. de la superficie.
Solución:
Ø=1.5 cm; 0.32% at Zn Sup.; 0.08% at Zn Int.; El parámetro de red del Cu
aCu =3.62 Ǻ, Zn en Cu Do=0.78 cm2/s, Q=43,900 cal/mol
Cs
Cx
Zn
Fig. Difusión de átomos de Zn de la superficie al centro de una barra de Cu
Primero se calcularán las concentraciones en la superficie y en el centro de la barra

tomando 1 cm3 de cobre como base de cálculo:
C1=Concentración de Zn en la superficie de la barra.
En 1cm3 de Cu hay 8.429 x1022 átomos estos pesan 8.8924g el 0.32% de este peso es
0.02845g que corresponde a 2.6212 x 10 20 átomos de Zn de la superficie.
C2=Concentración de Zn en el centro de la barra.
101
En 1cm3 de Cu hay 8.429 x1022 átomos estos pesan 8.8924g el 0.08% de este peso es
7.1139 x 10-3 que corresponde a 6.5545 x 10 19 átomos de Zn en el centro de la barra.
2.6212 x1020 at.deZn 6.5545 x1019 at.deZn

C1 C2
cm3 cm3
1.96575 x1020 at.deZn
C
cm3
Con la ecuación tipo Arrhenius, se calcula el coeficiente de difusión del Zn en el Cu a
la temperatura de 550°C;
Q
D D0 e RT
(43900 mol
cal )
cm2 (1.987 Kcal )(823 k ) 12 cm2

D 0.78 s e . mol
1.711x10 s
estacionario de átomos de Zn en Cu de la superficie al centro de la barra;
C
J D( ) substituyendo en la ecuación,
x
12 cm2
1.96575 x1020 at .deZn
cm3
J 1.711x10 s 4.4845 x108 atcm
.deZn
2
0.75cm
Para determinar el tiempo en que varía la concentración, se aplica una de la

soluciones de la segunda ley de Fick;
CS Cx x
erf ( )
CS C0 2 Dt
Se sabe que Cs=0.32% en peso de Zn en la superficie, Cx=0.13% en peso de Zn a
0.75c de la superficie; C0=0.08% en peso de Zn concentración inicial en el centro de la
barra de acuerdo con la segunda ley de Fick
0.32 0.13 x x
erf ( ) 0.7917 erf ( )
0.32 0.08 2 Dt 2 Dt
N erf. N
0.88 0.7867
- 0.89 - 0.7918
---------- ------------
0.01 5.1 x10-3 0.7917 - 0.7867= 5x10-3
-3
X 5x10
X = (5x10-3) 0.01/5.1x10-3 = 9.8x10-3 para encontrar el valor sin error:
0.88 + 9.8x10-3 =0.8898 este valor se sustituye en la ecuación de la 2ª. Ley de Fick
sabiendo que x= 0.4 cm;
0.4cm 12 cm2 0.4cm 2
0.8898 1.711464 x10 s t ( )
2 1.711464 x10 12 cm2
s t (2)(0.8898)
t 2.9519 x10 seg 8.2 x10 hrs 3.42 x105 dias
10 6
Problema 4.18
Un gas de hidrocarburo se utiliza para que el contenido de carbono de la superficie

(Cs) sea del 1% en peso. El contenido inicial de carbono del acero (C o) es de 0.2%
en peso. Cuanto tiempo será necesario para que a 1000ºC se alcance un 102
contenido de carbono de 0.6 % en peso a una distancia de 1 mm de la superficie.
Solución:
Cs C x x
erf
Cs Co 2 Dt
Cs C x 1 0.6 0.4
0.5
Cs Co 1 0.2 0.8
D1000ºC 4 x10 7 cm 2 / s
de la tabla erf
erf N N erf N N
0.4937 0.47 0.4755 0.45
0.5027 0.48 0.5205 0.50
0.0090 0.01 0.0450 0.05
0.0063 x=7x10-3 0.0245 x=0.0272
x=0.45+0.0272
x=0.4772
0.47+7x10-3=0.477
x
0.477 x (0.477) s Dt x 0.954 Dt x2 0.910116( Dt )
2 Dt
(0.1cm) 2
t
7 cm 2
(0.910116)(4 x10 )
s
t 27.46 x103 seg
t 7.62horas
Problema 4.19
Considerar que una muestra de acero que contiene 0.15 % de carbono, es
colocada en una cámara al vacío 42 horas, con el fin de descarburizarla, la
temperatura del proceso es de 900 oC.
a) ¿Cuánto carbono estará presente a 7mm bajo la superficie al final de las 42
horas?
b) ¿Cuánto tiempo se requiere para eliminar el 50 % de la concentración inicial?
Solución :
La difusión inversa en los sólidos también se puede dar, este proceso se utiliza en la
industria para disminuir la concentración de soluto en el sólido a través de la superficie,
para lograrlo la pieza se deberá colocar en una cámara al vacío a temperaturas altas
como se muestra en la fig.
vacío
103
C C
9000C
C C
C C
acero
Fig. Descarburización en una pieza de acero
a) Para C en Fe BCC Do=2.2 cm2/s, Q=29,300 cal/mol

Calculando el coeficiente de difusión a la temperatura de 900oC
29300 cal / mol
cm2 (1.987 cal / molK )(1173 K ) 6 cm2
D 2.2 e 7.636 x10 , 42 horas = 151,200 s
s s
Como se está dando una descarburización en el material, la concentración en la
superficie debe ser cero. Así substituyendo en la ecuación de la segunda ley de Fick
Cs Cx x Cx 0.7cm
erf ( ) erf ( )
Cs C0 2 Dt 0.15%C 6cm2
2 (7.636 x10 )(151200 s)
s
Cx
erf (0.3257) ahora consultando N en la tabla error función
0.15
N erf. N
0.32 0.3491 0.3257 – 0.32 = 5.7 x 10-3
0.33 0.3593
--------- ----------
0.01 0.0102
5.7 x 10-3 x x = 5.814 x10-3 5.814 x10-3 + 0.3491= 0.3549
Cx
0.3549 Cx 0.0532%
0.15
c) El 50% de la concentración inicial es 0.075%C así:
0.075 0.7 0.35

( )erf 0.5 erf ( ) consultando la tabla error función
0.15 2 1.403x10 t 6
Dt
0.35 0.35 2 1
0.4769 t ( ) ( )
Dt 0.4769 1.403 x10 6
t 383905seg (106.64hrs)
Problema 4.20
Un supervisor de tratamientos térmicos, está realizando un programa de economías
PROBLEMA 3.14
para obtener una mayor vida de los hornos eléctricos, para lograrlo el recomienda
reducir la temperatura de carburización del proceso de 1000ºC a 900ºC. Con los
datos siguientes determine si esta medida es correcta.
La concentración de un engrane es de 0.2 %C, se requiere elevar esta
concentración a 0.5%C a una profundidad de 0.005 cm. Manteniendo la
104
concentración en la superficie en 0.9%C, ¿Qué porcentaje de reducción de tiempo
se obtendría de ser correcto el programa de economías del supervisor?
Solución:
Para 900°C Para C en Fe BCC Do=0.011 cm2/s, Q=20,900 cal/mol
para C en Fe FCC Do=0.23 cm2/s, Q=32,900 cal/mol
C0=0.2%C; Cx=0.5%C; CS=0.9%C; x=0.005cm

32900 cal / mol
cm2 (1.987 cal / mol K )(1273 K ) 7 cm2
D1000 C 0.23 e 5.1637 x10
s s
20900 cal / mol
cm2 (1.987 cal / mol K )(1173 K ) 6 cm2
D900 0.011 e 1.403x10
s s
Cs Cx x
aplicando la segunda ley de Fick erf ( )
Cs C0 2 Dt
0.9%C 0.5%C
0.571429 consultando la tabla error función 0.559794
0.9%C 0.2%C
Substituyendo este valor en la ecuación de la segunda ley de Fick,
0.005
0.559794 en esta ecuación se subtituyen los coeficientes de difusión para
2 Dt
1000°C Dt 1.99445x10 5
t1000 C 38.624seg y para 900°C
t900 C 14.2156seg de estos resultados se encuentra que existe una reducción en
los tiempos del 63.19% con lo que se comprueba que la propuesta del Supervisor es
correcta.
Problema 4.21
Un supervisor de tratamientos térmicos, está realizando un programa de

economías para obtener una mayor vida de los hornos eléctricos, para lograrlo
el recomienda reducir la temperatura de carburización del proceso de 1000ºC
a 900ºC. Con los datos siguientes determine si esta medida es correcta.
La concentración de un engrane es de 0.2 %C, se requiere elevar esta
concentración a 0.5%C a una profundidad de 0.0127cm. Manteniendo la
concentración en la superficie en 0.9%C, ¿Qué porcentaje de reducción de
tiempo se obtendría de ser correcto el programa de economías del supervisor?
Solución :
2
Para 900°C Para C en Fe BCC Do=0.011 cm /s, Q=20,900 cal/mol
2
para C en Fe FCC Do=0.23 cm /s, Q=32,900 cal/mol
T1=1000ºC ; T2=900ºC ; Co=0.2% ; Cx=0.5% ; Cs=0.9% ; x=0.0127cm.
Calculando el coeficiente de difusión para 1000°C
32900 cal
2
D(1000º) (0.23cm / s)e (1.987 cal / molK )(1273 K )
5.163655x10 7 cm2 / s
Calculando el coeficiente de difusión para 900°C
105
20900 cal / molK
D(900º) (0.011cm2 / s)e (1.987 cal / molK )(1173 K )

1.402959 x10 6 cm2 / s
Aplicando la segunda ley de Fick
3
0.9 0.5 0.0127 6.35 x10
erf ( );0.571429 erf ( )
0.9 0.2 2 5.163655 x10 7 t 5.163655 x10 7
buscando N en la tabla erf. se obtiene ; 0.571429 este valor se iguala a la razón de

las composiciones; se calcula t para cada temperatura
3
6.35 x10
0.559794 t1000º 248.95seg t900º 91.72seg
5.163655 x10 7 t
y se encuentra que a la temperatura de 900ºC es más rápida la difusión lo cual
confirma lo que ha propuesto el supervisor.
Problema 4.21
Los aceros pueden endurecerse por nitruración a 800ºC. Si la atmósfera nitrurante
contiene 0.1% de nitrógeno en la superficie de un acero que contiene originalmente
0.001% de nitrógeno. Determine el porcentaje de nitrógeno a una distancia de 1
mm de la superficie después de 560 min.
Solución:
Para 800°C para N en Fe BCC Do=0.0047 cm2/s, Q=18,300 cal/mol
CS=0.1% ; C0=0.001% ; x=0.1cm ; t=560min=33600seg
Calculando el coeficiente de difusión a 800°C
cal
18300
mol
cm2 (1.987
cal
)(1073 K )
7 cm2
D 0.0047 e mol K
8.7988 x10
s s
Aplicando la segunda ley de Fick :
Cs Cx x 0.1cm
erf ( ) para calcular N 0.2908
Cs C0 2 Dt cm27
(2)( 8.7988 x10 (33600 s)
s
buscando N en la tabla error func. se obtiene ; 0.3191 este valor se iguala a la razón
0.1 Cx
de las composiciones ; 0.3191 Cx 0.0684%
0.1 0.001
Problema 4.22ta
Con el objeto de producir un semiconductor extrínseco se difunde fósforo en
germanio, si la concentración de fósforo en la superficie es de 45% atómico y la
concentración a una profundidad de 0.15 mm es de 1 %,
a) Calcule el flujo de átomos a 900ºC
b) Estime cuánto durará el proceso si se desea elevar la concentración hasta una
tercera parte de la concentración en la superficie.
Solución: aGe=5.6575Ȧ, para P en Ge Do=2.0 cm2/s, Q=57,500 cal/mol; T=900ºC ;

CM=45% ; Cm=1% ; x=0.15mm ; n=4.4179x1022 at/cm3; CM=1.988x1022 ;
20
Cm=4.4179x10 .
106
a) Para encontrar el flujo atómico a 900°C, calculamos el coeficiente de difusión a

T=900°C y se aplica la 1a. ley de Fick .
cal
57500
mol
cm2 (1.987
cal
)(1173 K )
11 cm2
D 2 e mol K
3.8629 x10
s s
at at
4.4179 x1020 1.988 x1022 3
C cm2 cm 3
cm )
J D 3.8629 x10 11 (
x s 0.015cm
at
5.00 x1013 2
cm s
Cs Cx x
b) Aplicando la segunda ley de Fick erf ( )
Cs C0 2 Dt
susbtituyendo las concentraciones;
0.2589 0.083
0.677926 buscando erf.N en las tablas encontramos el valor
0.2589 0.0043
de 0.7002 este se sustituye en la ecuación de la segunda ley de Fick.
0.015cm
0.7002 despejando el tiempo t 2.97 x106 seg 825Hrs
2
cm
2 D t (s)
s
Si se desea elevar la concentración hasta una tercera parte de la concentración en la
superficie se encuentra el tiempo el cual es t=2.92x106seg =811.98 Hr
Problema 4.23
Si la profundidad (x) de una capa carburizada, en una pieza de acero es proporcional a
(Dt)1/2.
¿Qué tiempo se tomará el producir una camisa de carbono de 1mm de espesor a
500°C en comparación con 1000°C?
Solución: El coeficiente de difusión para C en Fe BCC a 500°C es D=6.3x10 -8cm2/s, y
el coeficiente de difusión para C en Fe FCC a 1000°C es D=3.0x10 -7cm2/s.
Aplicando la condición impuesta por el problema;
x Dt
T 500 C
0.1 6.3 x10 8 t
0.01 6.3 x10 8 t
t1 15,8730.1587 s t2 44.09hrs
T 1000 C
0.01 4 x10 7 t
t2 25, 000 s t1 6.94hrs
t t2 t1 44.09 6.94 37.15hrs
Problema 4.24
107
Se requiere difundir Al en Si puro para fabricar un semiconductor. ¿Cuánto tiempo se

debe calentar a 1300ºC el Si en contacto con Al, de modo que la concentración del Al
a 0.01 mm bajo la superficie sea igual a la mitad de la concentración del Aluminio en la
superficie inmediata?
Solución: Para el Al en Si D0=8cm2/s y Q=80,000.00 cal/mol
Utilizando la ecuación:
Q
D D0e RT
Substituyendo en la ecuación,
cal
80,000
mol
cm2 1.98 molcal K 1573 K cm2
D 8 e 5.5951x10 11
s s
Utilizando este valor y la relación x Dt :
x2 (0.001cm) 2
t 17,872.78s 4.96horas
D cm2
5.5951x10 11
s
Cx 0.061%at
Durante la carburización de un acero con 0.2% de C se introduce 1.0% de C en la

superficie. Calcular la cantidad de C a una distancia de 0.1cm por debajo de la superficie
después de 1 hora a 1000 ºC, a esta temperatura el acero tiene la estructura FCC.
Solución:
32900 cal
D(1000º) (0.23cm2 / s)e (1.987 cal / molK )(1273 K )

5.163655x10 7 cm2 / s
0.1
1.3176
cm2
7
2 (4 x10 )(3600s)
s
D1000ºC 4 X 10 7 cm2 / s t = 1 hora N erf

1.30 0.9340
1.40 0.9523
0.10 0.0183
0.0176 x=8.052x10-4
0.1
1.3176
cm2
7
2 (4 x10 )(3600s)
s
108
Cs C x
0.35 Cs C x 0.35(Cs Co )
Cs Co
Cx 0.35(Cs Co ) Cs Cx 0.35(Cs Co ) Cs
Cx 0.35(1 0.2) 1.0
Cx 0.72
1.80 0.9891
1.90 0.9928
0.1 0.0037
0.0633 x=2.3421x10-3
Cs C x
0.9348052 Cx 0.99144(1 0.2) 1.0
Cs Co
Cx 0.2068
erfN 1 0.06599 1 0.93401
1 erfN 0.06599
Es Cu en Ni ?????
2) Ø=12.7mm Ni ; 0.25% Cu S ; C 0.1%Cu ; T=500ºC ; 9.271712x1022
Q ( 61500)
18
a) D Do e RT ;0.65e (1.987)(773) 2.652252 x10
1xS 2.31793x1020 ; i 9.27171x1019
18
9.3849 x10 ( Do 2.3)
C 1.39076 x1020
J D 2.652252 x10 18 ( ) 580.9 2055.45
x 0.635
C Cx x 0.25 0.17 0.254
b) s erf ( ); erf (
Cs Co 2 Dt 0.25 0.1 2 2.652252 x10 18 t
0.127
0.5333 erf ( ) 6.487 x1015 1.802x1012
18
2.652252 x10 t
0.127 0.127 2
0.5147 ; Dt ( ) 0.06088 t 2.2955x1016 seg 6.7516x1012 hrs
Dt 0.5147
4) P en Ge ; Do=2 ; Q=57500 ; C1=0 ; C2=2.2777x1022 ; x=0.1mm
57500
D 2e (1.987)(1073)
3.876 x10 12 cm2 / seg
C 2.2777 x1022
J D ( 3.876 x10 12 )( ) 8.828x1012
x 0.01
109
Cs Cx x 0.50 12.5 x x
erf ( ); erf ( );0.75 erf ( )
Cs Co 2 Dt 0.50 0 2 Dt 2 Dt
0.01
0.81345 t 9747528.5seg 2707hrs 112.82dias
2 3.876 x10 12 t
2) Do=2.0; Q= 57000; T=800ºC; CD=8 at; a=5.6Å; #at sup=2.277697x10 22; C=-
2.277697x1022; C/ x=2.277697x1024
57000
(1.99)(1073) 26.69452 12
D 2e 2e 5.10209845x10
12 24
J ( 5.10209845x10 )( 2.2777697 x10 ) 1.1621x1013
Cs Cx x 0.5 0.25 0.001 0.001 0.001
erf ( ); erf ( );0.5 erf ( );0.477
Cs Co 2 Dt 0.5 0 2 Dt 2 Dt 2 Dt
0.954 Dt 0.001 Dt 1.048218029x10 3 Dt 1.098761036x10 6
t 215354.73seg 59.82hrs
2) Do=2 ; Q=57500 ; #at/cm3=4.5554x1022 ; #at P=2.2777x1022
Q
C 2.2777 x1022
D Do e RT
D 3.876 x10 12
) 3.876 x10 12 (
J D( )
x 0.01
Cs Cx x 50 12.5 0.01
8.8284 x1012 erf ( ) erf
Cs Co 2 Dt 50 0 2 Dt
0.01 0.01 0.01
0.75 erf ( );0.81345 ( ) Dt 6.146659 x10 3
2 Dt 2 Dt 2(0.81345)
5
3.778 x10
Dt 3.778 x10 5 t 9747528.5seg 2707hrs
3.876 x10 12
110
Difusión atómica
1.-En una barra de aluminio de 0.5 in de diámetro contiene 0.25% atomos de Cu
en la superficie, la concentración de cobre en el centro de la barra es de 0.1%
atomos. Cual es el flujo de Cobre hacia el centro de la barra a 500ºC
a=4.05Å Do= 2.0 cm2/s Q=33900 Cal/molK
2.- Con el objeto de producir un tipo de semiconductor se difunde P en Ge; si D o=2.0
cm2/s y Q=57500 Cal/Mol, para el Ge a=5.6Å
(a) Calcule el coeficiente de difusión del P en Ge.
Si la concentración de P en la superficie es de 50at % y la concentración a una
profundidad de 0.1mm es de cero.
(b) Calcule el flujo de átomos a 800ºC
(b) Estime cuanto tiempo llevará el proceso si el P se difunde en Ge

hasta que la concentración alcance un cuarto de la concentración
de la superficie.
3.- Los aceros pueden endurecerse por nitruración a 800ºC. Si la atmósfera nitrurante
es de 0.1% N en la superficie de un acero que contiene originalmente 0.001% N.
Determinar el porcentaje de N a una distancia de 1 mm debajo de la superficie
después de 360 min.
4,-a)Con el objeto de producir un tipo de semiconductor se difunde P en Ge. Si Do para
el P en Ge es de 2.0 cm2/s y Q=57000 cal/molK, determine la difusividad del P en Ge a
800ºC
b)Si la concentración de P en la superficie de Ge es de 50% atomos y la

concentración a una profundidad de 0.1 mm es cero calcule el flujo de atomos
entre la superficie y esta profundidad a 800ºC, El Ge es CD y a=5.6Å
c)Estime cuanto tiempo durara el proceso si el fosforo se difunde en Ge hasta que

la concentración a 0.01 mm de la superficie alcanza la mitad de la concentración
en la superficie.
5.- a)Una barra de Niquel de 12.7 mm de diámetro contiene 0.25% atomico de

cobre en la superficie. La concentración de Cu en el centro de la barra es de 0.1%
atomico. Cual sera el flujo de atomos de Cu hacia el centro de la barra a 500ºC
b)En que tiempo se obtendra una concentración de 0.17% atomico de cobre a una
profundidad de 0.1 pulgadas de la superficie.
4) Un cristal de Si de 0.05cm de espesor contiene 2 atomos de Ga por cada 10 7

atomos de Si en una superficie, la otra superficie es tratada para producir una alta
concentración de Ga, cuantos atomos de Ga por cada 10 7 atomos de Si deben
estar presentes en la superficie para producir un gradiente de concentración de -
2x1018 at / cm3cm. Que % de Ga, a0=5.4307
1) Durante la carburizacion de un acero con 01.% de C se introduce el acero en 1 atm

de C con 1.7 de C, el contenido final de C requerido a 0.15 cm bajo la superficie es
de 0.5% C. Determinar el tiempo necesario para este proceso a 800º y 1000ºC
2) Se difunde un gas a traves de una membrana de hierro de 1.7 mm de espesory 5
cm de perímetro, la concentración del lado en donde se inyecta el gas es de
4.2x1018 atomos H/cm3 y el número de átomos totales que pasan a traves de la
membrana es de 8.2x105 at H en un segundo a 700ºC, cual era la concentración
del otro lado de la membrana al iniciar la difusión.
111
3) Una lamina de oro contiene 22 átomos de plata por cada 10 8 atomos de oro a una
profundidad de 0.29 cm y 38 átomos de plata por cada 10 8atomos de oro en la
superficie
a) Cual es la densidad de flujo atómico a 700ºC
b) Cuanto tiempo se requiere para aumentar la concentración de plata al doble
3) a) Con el fin de fabricar un semiconductor se difunde arsénico en silicio. Si D o es

0.32 cm2/s y Q=82000 Cal/Mol. Determine la difusividad del arsénico en Si a
1000ºC
b)Si la concentración de As en la superficie de Si es 45% atomico y la
concentración a 0.07 mm es 1% atomico calcule el flujo de atomos entre la
superficie y esta profundidad a 1000ºC. El Si es CD y a=5.4307
c)Estime cuanto tiempo durara el proceso si se requiere una concentración de ¼
de la de la superficie a una profundidad de 0.035 mm
4) Si se requiere una densidad de flujo atomica de Ni en Fe a 1000ºC de 10 6

atomos/cm2 en una distancia de 3.7 mm, que concentración se debe tener en el
lado de mayor concentración si en el de menor concentración tenemos 5 atomos
de Ni por cada 108 atomos de Fe.
5) Considerar un acero que contiene 0.15% de C este material es colocado en una
camara al vacío con el fin de descarburizarlo, la temperatura del proceso es 880ºC,
después de 36 hrs cuanto estará presente a 7 mm bajo la superficie?
5) Considerar un acero conteniendo 0.03%de N. este es puesto en una camara a

vacio a 680ºC; después de 6 hrs cuanto N esta presente a 0.07 cm bajo la
superficie?
6) Suponga que un supervisor de tratamientos térmicos está haciendo un programa
de economías para obtener una mayor vida de sus hornos eléctricos. El
recomienda reducir la temperatura de carburización de 1000°C a 900 ºC
considerando que la vida del horno será mas larga a 900ºC, también dice que el
tiempo de carburización será solo de 105 mayor que a 1000ºC. Con los datos
siguientes determine si él está en lo correcto o está equivocado; la concentración
de un engrane es de 0.2%C, se requiere elevar a 0.5% C en 0.005 in y la
concentración de la superficie es de 0.9 %C.
7) Se difunde un gas a través de una membrana circular de fierro de 1.7 mm de
espesor y 5 cm de perímetro, la concentración del gas del lado en donde se
inyecta el gas es de 3.7x10 18 átomos de H/cm3 y del otro lado la concentración es
de 2.1x1015 átomos de H/cm3. Determine el número total de átomos que pasan a
través de la membrana en un segundo a 700ºC.
8) Se difunde plata en oro y se requiere una densidad de flujo a 700ºC de 105 at/cm2s
en una distancia de 2.8 mm. Que concentración se debe tener en el lado de menor
concentración si en el de mayor concentración tenemos 35 átomos de plata por
cada 108 átomos de oro. Cuanto tiempo se requiere para duplicar la concentración
en el lado de menor concentración.
9) Una barra cilíndrica de cobre de 15 mm de diámetro contiene 0.32% atómico de Zn
en la superficie. La concentración en el centro de la barra es de 0.08% atómico
a) Determine el flujo atómico hacia el centro de la barra a 550ºC
b) En que tiempo se obtendrá una concentración de 0.13% atómico de Zn a una
profundidad de 4 mm de la superficie.
112
Capítulo 5
Conductores Eléctricos
Conductores
Por sus propiedades electrónicas todas las sustancias de la naturaleza pueden ser
divididas en tres grandes grupos: conductores, semiconductores y aislantes.
Conductores.- En un metal los electrones de valencia tienen la capacidad de moverse

a través de todo el metal, los electrones se comportan como ondas estacionarias. Así,
se mueven dentro del metal transportando la misma carga tanto en un sentido como el
opuesto. En ausencia de un campo eléctrico no hay un transporte de carga neto. Si el
conductor se coloca bajo un campo eléctrico los electrones adquieren un momento
adicional como resultado aparece la velocidad de arrastre.
La red de un metal cristalino es un medio excelente para el movimiento de los

electrones. Sin embargo cualquier irregularidad en la estructura deflecta la onda. El
efecto neto es una reducción de la velocidad de arrastre, a pesar de que el campo
eléctrico no se alteró, así las irregularidades en la red disminuyen la conductividad e
incrementan la resitividad. La distancia promedio que un electrón es capaz de viajar sin
ser deflectado se conoce como la trayectoria libre media.
La resistividad de un metal aumenta con la temperatura fig.
En una primera aproximación el aumento es lineal (excepto para temperaturas cercanas

al cero absoluto). Conforme aumenta la temperatura la agitación térmica aumenta en
intensidad. Este incremento en la agitación disminuye la trayectoria libre media, y por
113
tanto disminuye la movilidad de los electrones. Podemos expresar la relación

versus T mediante un coeficiente térmico de la resistividad yT . Así
T 0 C (1 yT T )
Donde 0 C es la resistividad a 0°C o 273°K. El valor de este coeficientes de,

aproximadamente, 004/°C para metales puros tabla.
Esto sugiere que la trayectoria libre media de los electrones se reduce en un factor de
dos, entre 0°C a 250°C. El efecto de la temperatura sobre la resistividad eléctrica de un
metal con una red cristalina perfecta. La pendiente de la curva es el coeficiente de la
resistividad. Fig.
Las imperfecciones de la red dispersan los electrones y así reducen la movilidad de

los portadores de carga y con ello la conductividad eléctrica del metal. El incremento
en la resistividad debido a los átomos (soluto) en la solución sólida se puede calcular a
partir de la siguiente relación:
d b(1 x) x
Donde:
d Incremento de la resistividad por los defectos.
b Coeficiente de la resistividad por defectos.

x Fracción atómica por impurezas.
La resistividad total en el metal variará por la temperatura y por la cantidad de defectos
así:
T d
PROBLEMAS RESUELTOS
¿A qué temperatura la resistividad del Au, será igual a la resistividad de la plata a
50°C ?
114
6
Solución: Ag 0o C
1.7 x10 .cm , yAg 0.0038 .cm / C
Empleando la ecuación para la resistividad en metales, encontramos la resistividad de

la Ag a 50°C,
Ag 1.7 x10 6 .cm 1 0.0038 .cm / C (50 C ) 2.023x10 6 .cm
6
La resistividad para el Au Au 0o C 2.3x10 .cm , yAu 0.0034 .cm / C entonces
calculando para el Au igualamos a la resistividad de la Ag,
2.023x10 6 .cm 2.3x10 6 .cm 1 0.0034 .cm / C (T )
Despejando T de la ecuación,
T 35.42 C
Problema 5.1
La resistividad del Fe conteniendo 5at % de impurezas a 500°C es de 2.0x10 4Ωcm.

Determine para este material la contribución a la resistividad debido a la temperatura e
impurezas.
a) Calculando la resistividad esperada para el Fe puro a 500 °C.
c) Calculando el coeficiente de la resistividad por defectos.
Solución: La resistividad del Fe puro a 0 0C 0 9 .cm , y el coeficiente de la
-1
resistividad de temperatura yt=0.0045°C
0 (1 yT )
(a) 9 . .cm(1 0.0045 C 1 (500 C)) 29.25 . .cm
Aplicando la relación:
d b(1 x) x
2.0 x104 .cm
(b) b 1000 .cm
(1 5)5
1.- ¿A qué temperatura la resistividad de la Ag, será igual a la resistividad del Au a

50°C?
115
Energía de Fermi.
A 0°K los estados de menor energía más cercanos al núcleo se llenan primero,
después los siguientes y así sucesivamente. Finalmente todos los electrones quedan
ubicados.
La energía del estado ocupado más alto recibe el nombre de nivel de Fermi Ef es la
energía a la cual la mitad de los posibles niveles de energía en la banda son realmente
ocupados por los electrones.
Distribución de Fermi. La distribución de Fermi f ( E ) da la probabilidad que un nivel de

energía particular E en la banda es ocupada por un electrón. La función f ( E ) , la cual
puede variar de de 0 a 1, es:
1
f (E) E Ef
kT
1 exp
Donde k es la constante de Boltzman (8.63x10 -5 eV/K). En el cero absoluto, la

probabilidad f ( E ) que un electrón tiene una energía E menor que E f es uno; la
probabilidad f ( E ) que un electrón tiene E mayor que Ef es cero. A altas temperaturas,
algunos electrones entran a los niveles de energía en la banda de conducción.
PROBLEMAS RESUELTOS
Problema 5.2
-
(a) ¿Cuál es la probabilidad de que 1e sea térmicamente promovido a la banda de
conducción en el diamante a 25°C? Eg=5.6eV
(b) ¿Cuál es la probabilidad de que 1e- sea térmicamente promovido a la banda de
conducción en el Silicio a 25°C? Eg=1.07eV
Solución: Aplicando la función de distribución de Fermi:

5.6
E Ef eV 2.8eV
2
1 48
f (E) 2.8 eV
5.9 x10
eV
(86.6 x10 6 )298º K
1 e K
116
1.107
(b) Para el Si E Ef eV 0.5535eV
2
1 10
f (E) 0.5535 eV
4.49 x10
eV
(86.6 x10 6 )(298 K )
1 e K
Aún cuando estos números son muy pequeños su magnitud es 38 veces mayor que
el valor para el diamante y esto es suficiente para crear pares de electrón-hueco para
el comportamiento del Si como semiconductor.
Calcular la probabilidad a niveles de energía a Ef y a Ef + 0.025eV, Ef + 0.075eV, Ef +

0.10eV, Ef + 0.25eV, Ef + 1.0eV, de un electrón a 30°C.
SEMICONDUCTORES
Es necesario saber que el comportamiento eléctrico es influenciado por la estructura

del material, su procesamiento y el ambiente al cual es expuesto, en la selección de un
material para aplicaciones eléctricas y electrónicas. La ley de Ohm
V IR
Donde V es el voltaje (volts, V), I es la corriente (ampers, A), y R es la resistencia

(ohms, Ω) al flujo de la corriente. La resistencia de los materiales también se puede
medir a través de la ecuación:
l l
R
A A
Donde l es la longitud del conductor, A es la sección transversal de el conductor, es

la resistividad eléctrica la cual es el recíproco de .
Una segunda forma de la ley de Ohm se obtiene combinando las dos ecuaciones:
Il
V IR así,
A
I V
A l
I V
Si se define como la densidad de corriente y como el campo eléctrico
A l
entonces:
117
Con ello podemos determinar que
J nqv
Donde n es el número de portadores de carga, q es la carga del electrón (1.6 x10-19C) y

v es la velocidad promedio a la cual se mueven los portadores de carga así:
v
nqv o nq
v
El término es llamado la movilidad
Finalmente la ley de Ohm :

nq
Donde n es el número de portadores de carga, q es la carga del electrón (1.6 x10 -19C) y
es la movilidad.
Los más importantes semiconductores son el Si y el Ge elementos del grupo IVB de la

tabla periódica. Ambos tienen la estructura cristalina del diamante y tienen enlaces
covalentes altamente direccionales. Los orbitales híbridos de enlace sp 3 que forman los
átomos enlazados en el cristal son discretos y ocupados por pares de electrones, estos
electrones son capaces de moverse a través del cristal y conducir electricidad siempre
que estos electrones contengan la energía suficiente para superar la brecha de energía
prohibida entre la banda de valencia y la banda de conducción que existe en el
semiconductor, al incrementarse la temperatura más electrones pasan la brecha
prohibida y la conductividad eléctrica se incrementa rápidamente así cada electrón que
pasa a la banda de conducción, deja una vacante en la banda de valencia, bajo la
influencia de un campo eléctrico aplicado electrones y huecos se mueven en sentido
contrario y por lo tanto ambos contribuyen aditivamente a la corriente.
Semiconductores intrínsecos.- El movimiento de los portadores de carga en general

tiene un carácter caótico, el vector de su velocidad media es igual a cero, es decir a cada
portador de carga libre le corresponderá un portador con una velocidad, cuyo vector está
dirigido en sentido inverso fig. en consecuencia la velocidad media del movimiento
dirigido de todos los portadores de carga es igual a cero, por eso no existe la
transferencia de carga. Si se coloca un semiconductor en un campo eléctrico bajo la
acción de este campo sus electrones libres comienzan a moverse en sentido contrario al
del campo. Los electrones que se mueven en sentido contrario del campo eléctrico
debido a la energía térmica serán acelerados por el campo y durante el recorrido libre
acumularán energía. Los electrones que se mueven por el campo serán retardados por
este, y su energía será disminuida. Fig. al chocar con defectos en la red cristalina, estos
electrones entregarán su energía excedente adquirida por acción del campo externo, o
bien recibirán energía de él. El movimiento dirigido de los portadores de carga libres en
un campo eléctrico se le conoce como deriva, y la velocidad de su movimiento dirigido
se llama velocidad de deriva en la fig se muestran con líneas continuas los vectores de la
componente de la deriva de la velocidad, y con líneas de trazos, los vectores de la
velocidad resultante del movimiento térmico y de la deriva. En este caso la velocidad
118
media del movimiento de los electrones libres ya no es igual a cero, y por el

semiconductor circulará una corriente en sentido del campo aplicado, debida a los
electrones libres.
Los electrones de los enlaces saturados, que transitan al enlace incompleto por acción
del campo eléctrico, se desplazarán en sentido contrario al del campo. Con ello el lugar
de valencia del enlace de valencia también se desplazará, pero ya en dirección del
campo, lo equivale al desplazamiento de una carga positiva por el campo. El mecanismo
de conducción determinado por el movimiento de los electrones acoplados por los
enlaces de valencia, se llama conducción por hueco.
Por lo tanto, la corriente eléctrica en el semiconductor intrínseco se determina por dos

componentes: la corriente electrónica y la corriente por huecos que circulan en una
misma dirección.
PROBLEMAS RESUELTOS
Un material semiconductor experimental exhibe una conductividad de 0.001 -1cm-1 a

20°C y de 0.5 -1cm-1a 100°C, determine el tamaño de la brecha energética del
semiconductor
Solución:
Suponiendo que
se está
preparando un
semiconductor
tipo intrínseco
entonces:
Eg
o e 2 kT
Substituyendo:
Eg
6 ev
2(86.5 x10 293 K )
1 1
0.001 cm o e K
(1)
Eg
6 ev
2(86.5 x10 373 K )
1 1
0.5 cm o e K
(2)
Resolviendo 1 y 2:
Eg 1.46eV
119
Problema 5.3
Cada átomo en el Sn gris tiene 4e - de valencia la constante de red del Sn gris

a = 6 49Å. Cálculos independientes indican que hay 2x10 19 e/cm en la banda de
conducción. ¿En qué cantidad se han promovido los electrones a la banda de
conducción?
Solución:
Cada átomo de Sn gris contiene 4 electrones de valencia, así habrá 32 e - /cu
32e
nn 1.17 x1023 e / cm3
(6.49 x10 8 cm)3
e
2 x1019
3
fraccion cm 1.7 x10 4
0.0002
e
1.17 x1023 3
cm
Problema 5.4
Solución: Utilizando la conductividad del Ge a 20°C, se calcula σ 0
La resistividad del Ge a 20ºC es de 50 ·cm. ¿Cuál es la resistividad a 40 ºC?
EgGe 0.72ev
Eg
6 ev
o e 2 kT
K 86.1x10
ºK
T 293º K
120
0.72 ev
6 ev
2(86.1 x10 )(293º K )
ºK
o e 8
o 1.27 x10
1 1 1
0.02 ·cm 14.27
o e
Para 40ºC se sustituye el valor encontrado,

0.72 ev
6 ev
2(86.5 x10 )(313 K )
8
1.27 x10 e ºK
14 1 1
1.099 x10 cm
1
40º C 9.09 x1013 cm
Semiconductores extrínsecos:
La semiconducción extrínseca resulta de la adición de impurezas al semiconductor
intrínseco; hay dos tipos de semiconducción extrínseca: tipo n (en la cual dominan los
portadores negativos) y tipo p (en la cual dominan los portadores positivos). La
semiconducción extrínseca es otro proceso activado térmicamente que sigue el
comportamiento de Arrhenius.
Para semiconductores tipo n la conductividad la podemos calcular a partir de la
ecuación:
( Eg Ed ) / kT
0 e
Se observa que en esta ecuación no aparece el 2 en la exponencial, esto es porque la

activación térmica produce un solo portador de carga opuesto a los dos portadores que
se producen en el caso de la semiconducción intrínseca.
Para semiconductores tipo p la conductividad la podemos calcular a partir de la
ecuación:
( Eg Ep ) / kT
0 e
PROBLEMAS RESUELTOS
121
Problema 5.5
Se requiere preparar un semiconductor extrínseco tipo p con una conductividad

de 0.1 -1cm-1. ¿Cuánto B se necesita añadir al Si en átomos/cm 3 para lograr
esta conductividad?
Solución: Aplicando la ecuación para semiconductores extrínsecos tipo p,

P nP q
1 1 19 V ·s cm 2
0.1 cm nP 1.6 x10 (500 )
V ·s
h
nP 1.25 x1015
cm3
Por cada átomo de Boro introducido en la red cristalina del Si, se produce 1 hueco
Entonces se tendrá que introducir 1.25x10 15 átomos de Boro por cada cm3 de Si.
Problema 5.6
El Si tienen una =2.33 g/cm3, (a) ¿Cuál es la concentración de átomos de Silicio

por centímetro cúbico?, (b) Se le añade fósforo P, al silicio para formar un
semiconductor tipo n con una conductividad Ω-1cm-1 y una movilidad electrónica de
1400 cm2/V·s ¿Cuál es la concentración de electrones del donador por cm3?
Solución:
(a) Peso at del Si 28.09 g así encontrando los átomos en 2.33g de Si

2.33xNA
28.09 at
x 4.9934 x1022
cm3 cm3
Aplicando la ley de Ohm para semiconductores extrínsecos tipo n y substituyendo,
1 1 19 cm 2
nn q e 1 cm nn (1.6 x10 C )(1400 )
V ·s
(b) 1 1cm 1 e1
nn 4.46 x1015
V ·s cm3
(1.6 x10 19 )(1400cm 2V ·s)
Problema 5.7
(a) Calcular el número de cargas extrínsecas en un semiconductor tipo n cuando 1

de cada 107 átomos en Ge es reemplazado con un átomo de fósforo.
(b) Calcular la conductividad del Ge en el rango de agotamiento.
122
Solución: Ge a=5.66 A a3 =181.321x10-24cm3
(a) El Ge es del grupo IV mientras que el P es del grupo V entonces por cada átomo
de P introducido en la red del Ge se adiciona 1e- , así,
24
V 181.321x10 cm3 / celda
107 at.Ge
16
V 2.2665 x10 cm3 entonces
1e 1
n 7
o n 16
10 atomosGe 2.2665 x10 cm3
e
n 4.4120 x1015
cm3
(c) Aplicando la ley de Ohm

nn q e np q p para semiconductores extrínsecos tipo n
e cm2
(4.4120 x1015 3
)(3800 )(1.6 x10 19 C ) 2.6824 1
cm 1
cm v·s
Problema 5.8
Suponga que la zona de agotamiento ocurre a 200ºC en un Si semiconductor de Si

extrínseco dopado con 5 átomos de In por 10 7 átomos de Si,
(a) Determine el valor de no.
(b) El número de portadores de carga a 0 ºC
(c) La conductividad a 0 ºC
Solución:
Por cada átomo de In introducido en la red cristalina del Si se produce 1 hueco por e-
107 átomos de Si ocupan 2.0x10-16 cm3
5at.deIn hoyos
Entonces np 2.4903x1016
2.00 x10 16 cm3 cm3
a Si 5.43Å
3
a 1.60 x10 22 cm3
V 1.60 x10 22 cm3 / celda
Para semiconductores extrínsecos:
123
np n0e KT
para el In en Si p 0.160eV a 200°C
0.160 ev
6 ev
(86.1x10 )(473º k )
ºK
np n0e
hoyos
n0 1.2710 x1018
cm3
0.160 ev
(86.1x10 6 )(273º K ) hoyos
(b) NT 1.2710 x1018 e 1.4057 x1015 a0º C
cm3
hoyos cm2
(c) (1.4057 x1015 )(1.6 x10 19
)(500 ) 0.112456 1
cm 1
cm3 v·s
Problema 5.9
3 gr de Si tipo n que había sido contaminado con fósforo para producir una
conductividad de 6 -1cm-1, son fundidos junto con silicio tipo p, que había sido
contaminado con aluminio para producir una conductividad de 6 -1cm-1 ¿Cuál es la
conductividad resultante? ¿Será un semiconductor tipo p o tipo n?
Solución:
Se calcula el número de átomos contenidos en 3g de Si,
3gx6.023x1023 at.
at.Si 6.4325 x1022
28.09 g
cm 2 cm 2
eSi 1400 hSi 500
V ·s V ·s
Despejando el número de portadores negativos y substituyendo, de la ecuación de
conductividad para semiconductores tipo n extrínsecos:
nn q n
1
6 cm 1 e
nn 2.6785 x1016
V ·s cm 2 cm3
(1.6 x10 19 )(1400 )
·s V ·s
124
Despejando el número de portadores positivos y substituyendo, de la ecuación de
conductividad para semiconductores tipo p extrínsecos:
nh q h
1
6 cm 1 h
nn 7.5 x1016
V ·s cm 2 cm3
(1.6 x10 19 )(500 )
·s V ·s
Considerando la posibilidad de que se neutralicen un número igual de portadores

positivos y negativos:
nh nn 4.8215 x1016 h
Como quedan portadores negativos en exceso el semiconductor resultante es del tipo p,

y la conductividad:
h cm2
(4.8215 x1016 )(1.6 x10 19V .s. 1
)(500 ) 3.8572 1
cm 1
cm3 V .s
Problema 5.10
El Ge extrínseco se hace fundiendo 3.22x10 -6 g de Sb con 100 g de Ge. (a) ¿Qué

tipo de semiconductor se forma? (b) Calcular la concentración de Sb en átomos/cm 3
en Ge.
Solución:
El Sb pertenece al grupo V al ocupar una posición nodal dentro de la red del
Ge aporta por cada átomo un e - en exceso, por lo que el semiconductor resultante:
(a) Será del tipo n
La densidad del Ge 5.35g/cm3
Peso atómico del

Ge 72.59 en 100g de Ge habrá:
100 gx6.023x1023 at.

8.5824 x1023 at.Ge
72.59 g
Peso atómico del

Sb 121.75 en 3.22x10-6 habrá:
3.22 x10 6 gx6.023x1023 at.
1.5929 x1016 at.Sb
121.75 g
El Ge exhibe una celda cúbica diamantina por cada celda existen 8 átomos la
constante de red del Ge a=5.66Ȧ
125
24
V 181.321x10 cm3 / celda
8.5824 x1023 at.Ge
V 19.4521cm3
1.5929 x1016 atSb at.Sb
n 8.188 x1014
19.4521cm3 cm3
(b) n= 8.1888x1014at.Sb/cm3
-6 -6
(c) Se
Para un prepara un semiconductor
semiconductor extrínseco elal agotamiento
mezclar 3.22x10 g de Sb ocurre
de donadores y 3.4x10 g de In
a 145°C,
3
en 190por
cuando g de Ge.10
cada La densidad
7
átomos endelelGe
Si es
sondede5.35 g/cm
P (a) .
Determinar la conductividad
(d)semiconductor
del (a) Determinarextrínseco
la conductividad del de
en la zona material en la zona de agotamiento.
agotamiento.
Solución
El tipo de
semiconductor
que se forma al
agregar P el cual
es del grupo V es
tipo n
El Si exhibe una celda cúbica diamantina por cada celda existen 8 átomos la constante
de red del Ge a=5.66Ȧ
Por cada átomo de P introducido en la red cristalina del Si se produce 1 e -
107 átomos de Si ocupan 2.0x10-16 cm3
Entonces para la zona de agotamiento:
a Si 5.43Å
1at.deP e 3
nn 4.9948 x10 15
a 1.60 x10 22 cm3
2.002 x10 16 cm3 cm3
V 1.60 x10 22 cm3 / celda
Calculando la conductividad para el semiconductor en la zona de agotamiento.
h cm2
(4.9948 x1015 )(1.6 x10 19V .s. 1
)(1900 ) 1.5184 1
cm 1
cm3 V .s
Problema 5.11
El Ge extrínseco se hace fundiendo 4.2x10-5g de Sb en 78g de Ge. (a) Determinar

la conductividad de este material en la zona de agotamiento a 200°C (b) Determinar
la conductividad del material a 175°C.
126
Solución:
(a) Base de cálculo 78g de Ge, así por cada átomo de Sb introducido en la red se
produce un portador negativo 1e -
Peso atómico:
78 gxNA
Ge 72.59 6.4718 x1023 atomosGe
72.59 g
4.2 x10 5 xNA

Sb 121.75 2.0777 x1017 atomosSb
121.75 g
24
8atGe 181.321x10 cm3
6.4718 x1023 at. x
3
x 14.6684cm
2.0777 x1017 e e
n 1.4164 x1016
14.6684cm3 cm3
La conductividad en la zona de agotamiento es debido al agotamiento de los
portadores de carga en el nivel de donadores, en este semiconductor se produce a
200°C:
e cm2
(1.4164 x1016 3
)(3800 )(1.6 x10 19 C ) 8.6117 1
cm 1
cm v·s
a) Para encontrar la conductividad del material a 175°C utilizaremos la ecuación

de conductividad para un semiconductor extrínseco tipo n.
d
oe KT
Substituyendo valores en la ecuación para la conductividad a 200°C,
0.0096 eV
5 eV
8.63 x10 (473) K
8.6117 1cm 1 oe
K
(2)
Despejando de (2)
o 10.8941 1cm 1
Así la conductividad del semiconductor a 175°C será,
0.0096 eV
5 eV
8.68 x10 (448 K )
1
(10.8941 cm 1 )e K
8.4988 1
cm 1
127
Problema 5.12
Se prepara un semiconductor al mezclar 3.22x10-6 g de Sb y 3.4x10-6 g de In en 90

g de Ge. La densidad del Ge es de 5.35 g/cm3.
(a) Determinar la conductividad del material en la zona de agotamiento.
Solución:
En la zona de agotamiento todos los portadores de carga de los elementos dopantes

se han promovido por lo que se calcula el número de portadores aportados por los
elementos dopantes:
Al dopar el Ge con Sb e In se producen huecos y electrones en la red del Ge debido a

que el In es del grupo III y el Sb es del grupo V de la tabla periódica.
Se calcula el número de átomos a partir de la masa de cada uno de los elementos,
Ge 72.59 Ge 7.467 x1023 atomos

Sb 121.75 Sb 1.5929 x1016 atomos
In 114.82 In 1.7835 x1016 atomos
16
Se obtiene la cantidad total portadores = 1.7835 x10( e )
1.59291016
(h) 1.9059 x1015( e )
A partir de la densidad del Ge, se calcula el volumen que ocupan 90g de Ge,
V= 16.822 cm3
1.906 x1015 e e_ con el número de portadores totales se calcula la
nn 1.133x1014
16.822cm3 cm3 conductividad del semiconductor extrínseco.
e cm2
(1.133x1014 )(1.6 x10 19
C )(3900 ) 0.07069 1
cm 1
cm3 V ·s
Problema 5.13
A 125°C la conductividad intrínseca del Ge se iguala a la conductividad extrínseca

a 20°C de cierto semiconductor de Ge dopado con Sb (a) ¿Cuántos átomos/cm 3
de Sb se requieren en el semiconductor GeSb para poder producir este efecto (b)
¿Qué porcentaje atómico representa?
Solución:
2 2
Ge a =5.6575 Å; µe=3,800 cm /V.s; µh=1,820 cm /V.s; Eg=0.67eV; la conductividad del
-1 -1
Ge a 25°C es 0.02Ω cm
128
(a) Substituyendo valores en la ecuación o e 2 KT , se calcula σo
0.67 eV
5 eV
2(8.63 x10 )(293 K )
1 1
0.02 cm 0 e K
; o 11,344.2610 1
cm 1
La conductividad del Ge a 125°C;

0.67 eV
5 eV
2(8.63 x10 )(398 K )
1
11,344.2610 cm 1 (e K
) 0.6591 1
cm 1
El Sb es del grupo V, por cada átomo de Sb introducido en la red de Ge se produce un

portador negativo 1e-, para encontrar el número de portadores negativos se iguala la
conductividad del Ge a 125°C
1 1
0.6591 cm nn (1.6 x10 19V 1
)(3,800cm2 / V .s)
e
nn 1.084 x1015
cm3
b) Para calcular el porcentaje de cada uno de los componentes;
1.084 x1015 e 1.084 x1015 at.Sb
1cm3Ge 4.4179 x1022 at.Ge
Número total de átomos =4.4179x1022 at.
Fracción de átomos de Sb
1.084 x1015 8
2.45 x10
4.4179 x1022
Sb
% atómico de Sb = 2.45x10-6
1.- A 300°C la conductividad intrínseca del Si se iguala a la conductividad extrínseca a

25°C de cierto semiconductor de SiAl. ¿Cuántos átomos/cm3 de Al se requieren en el
semiconductor SiAl para poder producir este efecto?
2.- El silicio contiene 310 vacantes/cm3 a 300ºC y 2.5x109 vacantes/cm3 a 600ºC.
Determine el número de vacantes a 250ºC y a 450ºC.
3.-
129
Indice
Arreglo atómico y iónico 15,
celdas unitarias
densidad
estructura cristalina
estructura hexagonal compacta
factor de empaquetamiento
parámetros de red
planos/direcciones
puntos de red
red
redes de Bravais
sistemas cristalinos
sitios intersticiales
transformaciones alotrópicas
transformaciones polimórficas
Arreglos atómicos /iónicos imperfectos
defectos lineales
130
defectos puntuales
defectos superficiales
dislocaciones
Atomos intersticiales
Atomos substitucionales
Banda de conducción
Banda de energía
Banda de valencia
131
132

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INDICES DE MILLER PARA DIRECCIONES

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(a) 1- [0,0.25,0.3] dL=1.2803x107 at/cm