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Área Mecánica Eléctrica Cuestionario de Repaso Unidad 1 Electrónica 1
Tarea 1
Nombre: Ramos Ramírez Miguel Angel Fecha: 8 de septiembre del 2019
1 ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre?

a) 1 b) 4 c) 18 d) 29
2. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es:
a) 0 b) +1 c) -1 d) +4
3. Si a un átomo de cobre se le extrae su electrón de valencia, la carga resultante es:

a) 0 b) +1 c) -1 d) +4
4. La atracción que experimenta hacia el núcleo el electrón de valencia de un átomo de cobre es:
a) Ninguna b) Débil c) Fuerte d) Imposible de describir
5. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo de silicio?

a) 0 b) 1 c) 2 d) 4
6. El semiconductor más empleado actualmente es:

a) Cobre b) Germanio c) Silicio d) Ninguno de los anteriores
7. ¿Qué número de protones posee un átomo de silicio?

a) 4 b) 14 c) 29 d) 32
8. Los átomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre de:
a) Enlace covalente b) Cristal c) Semiconductor d) Orbital de valencia
9. Un semiconductor intrínseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente causados por:

a) El dopaje b) Electrones libres c) Energía térmica d) Electrones de valencia
10. Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un:

a) Enlace covalente b) Electrón libre c) Hueco d) Recombinación
11. La unión de un electrón libre con un hueco recibe el nombre de:

a) Enlace covalente b) Tiempo de vida c) Recombinación d) Energía térmica
12. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como:

a) Una batería b) Un conductor c) Un aislante d) Un hilo de cobre
13. El tiempo que transcurre entre la creación de un hueco y su desaparición se conoce como:
a) Dopaje b) Tiempo de vida c) Recombinación d) Valencia
14. Al electrón de valencia de un conductor se le denomina también por:

a) Electrón ligado b) Electrón libre c) Núcleo d) Protón
15. ¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un conductor?

a) 1 b) 2 e) 3 d) 4
16. ¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor?

a) 1 b) 2 c) 3 d) 4
17. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos circulan:

a) Alejándose del potencial negativo b)Hacia el potencial positivo c)En el circuito externo d)Ninguna anterior
18. ¿Cuántos huecos presenta un conductor?

a) Muchos b) Ninguno c) producidos por la energía térmica d) Igual número que electrones libres
19. En un semiconductor intrínseco, el número de electrones libres es:

a) Igual al número de huecos b) Mayor que el número de huecos c) Menor que el número de huecos d) Ninguna de las anteriores
20. La temperatura de cero absoluto es igual a:

a) -273 °C b) 0 °C c) 2S °C d) 50 °C
21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco presenta:

a) Pocos electrones libres b) Muchos huecos c) Muchos electrones libres d) Ni huecos ni electrones
libres
22. A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco tiene:

a) Algunos electrones libres y huecos b) Muchos huecos c) Muchos electrones libres d) Ningún hueco
M.C. Clara R. Avila M. Página 1
Tarea 1
23. El número de electrones libres y huecos en un semiconductor intrínseco aumenta si la temperatura:
a) Disminuye b) Aumenta c) Se mantiene constante d) Ninguna de las anteriores
24. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos circulan hacia:
a) La izquierda b) La derecha e) En cualquier dirección d) Ninguna de las
anteriores
25. Los huecos se comportan
como: b) Cristales c) Cargas negativas d) Cargas positivas
a) Átomos
26. ¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes?

a) 1 b) 3 c) 4 d) 5
27. ¿Qué número de electrones de valencia tiene un átomo donador?
a) 1 b) 3 c) 4 d) 5
28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p. ¿qué emplearía?

a) Átomos aceptadores b) Átomos donadores c) Impurezas pentavalentes d) Silicio
29. Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo:

a) Extrínseco b) Intrínseco c) Tipo n d) Tipo p
30. ¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor tipo p?

a) Muchos b) Ninguno c) Los producidos por la energía térmica d) Igual número
que huecos
31. La plata es el mejor conductor. ¿Cuál es el número de electrones de valencia que tiene?
a) 1 b) 4 c) 18 d) 29
32. Un semiconductor intrínseco tiene un billón de electrones libres a temperatura ambiente, ¿cuántos presentará a 75°C?
a) Menos de un billón b) Un billón c) Más de un billón d) Imposible de contestar
33. Se aplica voltaje a un semiconductor p. Si el extremo izquierdo del cristal es positivo, ¿en qué sentido circularán los portadores
mayoritarios?
a) Hacia la izquierda b) Hacia la derecha c) En ninguna dirección d) Imposible de contestar
34. ¿Cuál de los siguientes conceptos está menos relacionado con los otros tres?
a) Conductor b) Semiconductor c) Cuatro electrones de valencia d) Estructura cristalina
35. ¿Cuál de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la temperatura ambiente?

a) 0°C b) 25 °C c) 5O °C d) 75°C
36. ¿Cuántos electrones hay en la orbital de valencia de un átomo de silicio dentro de un cristal?
a) 1 b) 4 c) 8 d) 14
37. Los iones positivos son átomos

que: b) Han perdido un protón c) Han ganado un electrón d) Han perdido un
a) Han ganado un protón electrón
38. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n?

a) Neutro b) Cargado c) Cargado negativamente d) Tiene muchos
positivamente huecos
39. Un semiconductor tipo p contiene
huecos y: b) lones negativos c) Átomos pentavalentes d) Átomos donadores
a) Iones positivos
40. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p?

a) Es un material neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente d) Pose muchos
electrones·libres
41. ¿Cuál de los siguientes elementos no se puede mover?

a) Huecos b) Electrones libres c) lones d) Portadores
mayoritarios
42. ¿A qué se debe la zona de
deplexión? b) A Ia recombinación c) A la barrera de potencial d) A los iones
a) Al dopaje
43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de:

a) 0.3 V b) 0.7 V c) 1 V d) 2 mV por °C

Tarea 1
44. Para producir una corriente en un diodo de silicio polarizado la tensión aplicada debe superar:
a) 0 V b) 0.3 V c) 0.7 V d) 1V
45. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente:

a) Muy pequeña b) Muy grande e) Cero d) En la región de ruptura

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Área Mecánica Eléctrica Cuestionario de Repaso Unidad 1 Electrónica 1

1 ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre?

3. Si a un átomo de cobre se le extrae su electrón de valencia, la carga resultante es:

5. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo de silicio?

6. El semiconductor más empleado actualmente es:

7. ¿Qué número de protones posee un átomo de silicio?

9. Un semiconductor intrínseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente causados por:

10. Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un:

11. La unión de un electrón libre con un hueco recibe el nombre de:

12. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como:

14. Al electrón de valencia de un conductor se le denomina también por:

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17. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos circulan:

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19. En un semiconductor intrínseco, el número de electrones libres es:

20. La temperatura de cero absoluto es igual a:

21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco presenta:

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26. ¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes?

28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p. ¿qué emplearía?

29. Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo:

30. ¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor tipo p?

35. ¿Cuál de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la temperatura ambiente?

37. Los iones positivos son átomos

38. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n?

40. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p?

41. ¿Cuál de los siguientes elementos no se puede mover?

43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de:

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45. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente:

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