UNIDAD II: TRANSISTORES BIPOLAR

Tema 1-2

ELECTRÓNICA I
ING. JOEL MORENO
 UNIDAD II: TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

1. Definición de un dispositivo de tres terminales

1.2. Dispositivos semiconductores de tres terminales

1.3. El Transistor Bipolar.

1.4. Símbolos del Transistor Bipolar

2. Principio de funcionamiento del transistor bipolar

2.1 Comportamiento de las corrientes en el transistor:

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1. Definición de un dispositivo de 3 terminales

 Nuestro análisis se ha limitado a dispositivos de dos terminales.

 La presencia de un Terminal adicional aumenta la complejidad requerida

para describir un dispositivo de tres terminales.

 Para describir un dispositivo de 3 terminales, se considerando 2 de sus 3

pares de terminales, con una Terminal en común entre 2 puertos.

Puerto de Salida o
Puerto de Entrada o controlado
de control

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1.2. Dispositivos semiconductores de tres terminales

NPN
BIPOLARES
PNP

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIÓN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
CANAL N (MOSFET-N)
METAL-OXIDO-
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

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1.3. El Transistor Bipolar

 El transistor de unión bipolar funciona con el “Principio de Inyección de

Portadores minoritarios a la unión PN”, en este proceso participan ambos
portadores (electrones y huecos), por eso se conoce como transistor bipolar.

 El transistor se puede concebir como dos uniones pn colocadas “Espalda

contra espalda” .

 El transistor está formado por un cristal de silicio o germanio donde una capa
de semiconductor tipo N se encuentra entre dos capas de semiconductor tipo
P o viceversa.

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 El primero se conoce como transistor PNP y el segundo como NPN. .

Sus terminales:

 Emisor (E): Región muy contaminada que emite o inyecta portadores de carga.

 Base (B): Región medianamente contaminada, delgada y diseñada para dejar

pasar a los portadores de carga

 Colector (C): Capa grande de poca contaminación que se encarga de recibir a

los portadores de carga).

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1.4. SÍMBOLOS DEL TRANSISTOR BJT:

Los símbolos de cada uno de los transistores BJT son los siguientes:

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2. Principio de funcionamiento del transistor bipolar

- -
+
- - -

+
+ -

+
+

+
+

+
- - - - - -
+

+
- +

+
- - -
+ +

+ +
-
+

+
+

+
- - - - -
+

+
+

+
-
+

- -
+

+
- - -

+
+

+
P N N + - P

Concentración
de huecos
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

P N N N P

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en

serie: el funcionamiento de la primera unión no afecta al de la segunda
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

P N P
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

P N P
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

P N P

El terminal central (base) maneja una fracción de la corriente que circula

entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Base

Emisor Colector

Transistor PNP
P N P

El terminal de base actúa como terminal de control manejando una fracción

de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
El emisor tiene una concentración de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Transistor NPN

N P N

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente

se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.
En un transistor NPN en conducción, la corriente por emisor, colector y
base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Transistor NPN

Base

Emisor Colector

Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las

características del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de
forma y tamaño equivalente. Los NPN se emplean en mayor número de
aplicaciones.
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2.1- Comportamiento de las corrientes en el transistor:

Ipe: que son los huecos que van del emisor a la base.

Ine: que son los electrones que van de la base al emisor.

Ico: que es la corriente inversa de saturación de la unión colectora

en inverso.
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Parámetros que relacionan las componentes de corrientes:

a) EFICIENCIA DEL EMISOR:

Se define como la relación entre la corriente de portadores inyectados
en el emisor (Ipe) y la corriente total del emisor (IE), formada por la suma de
los huecos y electrones de la unión emisora (Ipe+Ine):

Ipe Ipe
   1
Ipe  Ine I E
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Parámetros que relacionan las componentes de corrientes:

b) FACTOR DE TRANSPORTE:
Se define como la relación entre la corriente de portadores inyectados
que llega al colector (Ipc), y la corriente de portadores inyectados en el
emisor (Ipe)

Ipc
*  1
Ipe
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Parámetros que relacionan las componentes de corrientes:

c) GANANCIA DE CORRIENTE PARA GRANDES SEÑALES:

También se conoce como razón de amplificación de corriente del
emisor al colector. se define como la relación entre la corriente de
portadores inyectados que llega al colector y la corriente del emisor:

Ipc Ipc Ico  Ic Ecuación 1

   1
Ipe  Ine I E IE

se asume la ganancia de corriente menor que uno, ya que la corriente de

portadores inyectados en el emisor es mayor que la corriente de portadores
que llegan al colector
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Parámetros que relacionan las componentes de corrientes:

c) GANANCIA DE CORRIENTE PARA GRANDES SEÑALES:

Ipc Ipc Ipe

  .     * .
IE Ipe I E

La relación entre la corriente del emisor y la corriente del colector viene

dada por su relación de factor de ganancia, si se despeja IC , de la
ecuación 1 se tiene que:

Ic  I E  Ico
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Parámetros que relacionan las componentes de corrientes:

c) GANANCIA DE CORRIENTE PARA GRANDES SEÑALES:

-La ecuación de corriente está representada para polarización del colector

en inverso.

- Si se generaliza la ecuación de corriente del colector para cualquier

valor de polarización se sustituye la corriente Ico por la corriente de la
unión base colector con Ico =−Io quedando la siguiente ecuación: :

  Vo  
Ic  I E  Ico. e  KT   1
 
 
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Parámetros que relacionan las componentes de corrientes:

d) FACTOR DE GANANCIA DE CORRIENTE:

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Parámetros que relacionan las componentes de corrientes:

d) FACTOR DE GANANCIA DE CORRIENTE:

El factor de ganancia se define como la relación de la corriente de
portadores del colector entre la corriente de la base, por lo tanto:

Remplazando las ecuaciones anteriores queda:

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Parámetros que relacionan las componentes de corrientes:

d) FACTOR DE GANANCIA DE CORRIENTE:

EN RESUMEN:



 1

Ic  I E