Dispositivos Electrónicos

Tema 5: Transistores bipolares de unión

BJT

31/03/2022 Departamento de Ingeniería Electrónica 1

 Objetivos

Al acabar esta unidad, el alumno debe ser capaz de:

1. Describir el efecto transistor.

2. Reconocer el símbolo del transistor de unión bipolar e identificar sus
terminales.
3. Dibujar las curvas características de un transistor bipolar e identificar
en ellas las distintas regiones de funcionamiento.
4. Analizar circuitos básicos con transistores NPN o PNP en emisor
común.
5. Diseñar circuitos básicos con transistores NPN o PNP en emisor
común.

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 Índice

1. El BJT. Historia y conceptos básicos.

2. El transistor NPN ideal en emisor común.
3. El transistor NPN real en emisor común.

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 Índice

1. El BJT. Historia y conceptos básicos

1. Historia
2. Tipos de transistores BJT
3. Principio de funcionamiento
4. Modelo equivalente del BJT
5. Regiones de funcionamiento
2. El transistor NPN ideal en emisor común
3. El transistor NPN real en emisor común

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 Historia

En diciembre de 1947 fue inventado por:

o Dr. John Bardeen,
o Dr. Walter Brattain
o Dr. William Shockley
Premio Nobel in 1956

o El término transistor es la contracción de

transfer resistor, es decir, de resistencia de
transferencia.
o El Transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor que se utiliza como amplificador
o conmutador electrónico.
Fotografía del primer transistor

English version: https://www.youtube.com/watch?v=U4XknGqr3Bo

Spanish version: https://www.youtube.com/watch?v=f3IUVvJ2XgI

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 Índice

1. El BJT. Historia y conceptos básicos

1. Historia
2. Tipos de transistores BJT
3. Principio de funcionamiento
4. Modelo equivalente del BJT
5. Regiones de funcionamiento
2. El transistor NPN ideal en emisor común
3. El transistor NPN real en emisor común

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 Símbolo Transistor Bipolar de Unión (BJT) NPN

Colector Emisor

3 terminales:
• Emisor – emite portadores
• Colector – los recibe
• Base – modula el paso
Base

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 Tipos de transistores BJT

Colector

Base

2 tipos:
Emisor
• NPN
Colector
• PNP
Base

Emisor

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 Índice

1. El BJT. Historia y conceptos básicos

1. Historia
2. Tipos de transistores BJT
3. Principio de funcionamiento
4. Modelo equivalente del BJT
5. Regiones de funcionamiento
2. El transistor NPN ideal en emisor común
3. El transistor NPN real en emisor común

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 Principio de funcionamiento

- - - - -

+
-

+
+

+
+

+
+
- - - - - -

+
+

+
-

+
-

+
- -
-

+ +
-

+ +

+
+

+
+
- - - - - -

+
+
-

+
-

+
- - - -

+
-

+
+
-

+
+
P N N + - P

Extraído de la Universidad de Oviedo

http://www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia04_05/Electronica_y_Automatismos_9047/Presentaciones/Transistor_bipolar.pps

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 Principio de funcionamiento

P N N N P

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el

funcionamiento de la primera unión no afecta al de la segunda

Extraído de la Universidad de Oviedo

http://www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia04_05/Electronica_y_Automatismos_9047/Presentaciones/Transistor_bipolar.pps

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 Principio de funcionamiento

P N P

Extraído de la Universidad de Oviedo

http://www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia04_05/Electronica_y_Automatismos_9047/Presentaciones/Transistor_bipolar.pps

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 Principio de funcionamiento

P N P

Extraído de la Universidad de Oviedo

http://www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia04_05/Electronica_y_Automatismos_9047/Presentaciones/Transistor_bipolar.pps

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 Principio de funcionamiento

P N P

El terminal central (base) maneja una fracción de la corriente que circula entre los otros
dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

Extraído de la Universidad de Oviedo

http://www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia04_05/Electronica_y_Automatismos_9047/Presentaciones/Transistor_bipolar.pps

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 Principio de funcionamiento

Base

Emisor Colector

Transistor PNP
P N P

• El terminal de base actúa como terminal de control manejando una fracción de la corriente mucho
menor a la de emisor y el colector: Efecto transistor
• El emisor tiene una concentración de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector
no son intercambiables

Extraído de la Universidad de Oviedo

http://www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia04_05/Electronica_y_Automatismos_9047/Presentaciones/Transistor_bipolar.pps

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IDEAS IMPORTANTES

→ EMISOR
t DOPADO QUE COLECTOR

ANSISTOR DE 3 CAPAS BASE 1- ESTRECHA

1µm

CON UNA ÚNICA FUENTE DE TENSIÓN EL TRANSISTOR NO FUNCIONA °

PORQUE SIEMPRE HAY UNA DE LAS

2 UNIONES EN INVERSA

FÉ
ID

VD

-
CEN FALTA 2 FUENTES DE ENERGÍA
,
LA NUEVA CONECTADA EN LA BASE DEBE

TENER SUFICIENTE ENERGÍA PARA SUPERAR IA BARRERA DE POTENCIAL

DE LA UNIÓN BASE EMISOR

IET C tic
IB
→ B Vcc

VBB IRÉ E

IE LIE

DEBIDO A LAS DIMENSIONES DE LA BASE ( PEQUEÑAS) SÓLO UNOS POCOS ELECTRONES FLUYEN
HACIA LA BASE
,
IA MAYORÍA FLUYEN DESDE EL EMISOR AL Colector •
LA PROPORCIÓN SUELE SER 8

Ic =p IB CON
MI 100 AMPLIFICADOR
EFECTO TRANSISTOR

SENTIDO CORRIGNTES : CARGAS POSITIVAS ,

POR TANTO SE DIBUJARÁN COMO LAS
FLECHAS QUE APARECEN EN ROJO
 Índice

1. El BJT. Historia y conceptos básicos

1. Historia
2. Tipos de transistores BJT
3. Principio de funcionamiento
4. Modelo equivalente del BJT
5. Regiones de funcionamiento
2. El transistor NPN ideal en emisor común
3. El transistor NPN real en emisor común

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¿ Qué las
son
regiones de
funcionamiento
de un transistor ?
ON

AL IGUAL QUE UN DIODO RECTIFICADOR

PUEDE TRABAJAR EN 2 REGIONES
OFF

UN DIODO ZENER ON IVAK > 4)

A K
PUEDE TRABAJAR EN OFFIVAK < 4)
3 REGIONES
ZENER VAK « / 4)
CORTE
UN TRANSISTOR PUEDE
TRABAJAR EN 3 REGIONES ACTIVA

SATURACIÓN
 Modelo equivalente del BJT

Modelo transistor NPN en DC Modelo transistor PNP en DC

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 Índice

1. El BJT. Historia y conceptos básicos

1. Historia
2. Tipos de transistores BJT
3. Principios de funcionamiento
4. Modelo equivalente del BJT
5. Regiones de funcionamiento
2. El transistor NPN ideal en emisor común
3. El transistor NPN real en emisor común

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 Transistor NPN. Regiones de funcionamiento

CORTE
Unión base-emisor: INVERSA VBE<VBE-ON
Unión base-colector: INVERSA BC<VBC-ON

D1
ACTIVA
Unión base-emisor: DIRECTA VBE >VBE-ON
Unión base-colector: INVERSA VBC<VBC-ON
D2

SATURACIÓN
Unión base-emisor: DIRECTA BE> VBE-ON
Unión base-colector: DIRECTA VBC> VBC-ON

Modelo transistor NPN en DC

Nota: VAK2=VBE; VAK1=VBC

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 Transistor NPN. Regiones de funcionamiento

CORTE
Unión base-emisor: INVERSA VBE<VBE-ON
Unión base-colector: INVERSA BC<VBC-ON

VBE < VBE-ON Ibc=Ibe=0 IB = 0 A; IC =0A; IE= 0 A

VBE-ON

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 Transistor NPN. Regiones de funcionamiento

ACTIVA
Unión base-emisor: DIRECTA VBE >VBE-ON
Unión base-colector: INVERSA VBC<VBC-ON

VBE= VBE -ON ; IC = F IB= IB

VBE-ON

VBE-ON

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 Transistor NPN. Regiones de funcionamiento

SATURACIÓN
Unión base-emisor: DIRECTA BE> VBE-ON
Unión base-colector: DIRECTA VBC> VBC-ON

VCE VCEsat 0,2 V; VBE= VBE –ON; IC < F IB

VCEsat=VBC-ON-VBE-ON 0,2 V

VBC-ON

VBE-ON

VBE-ON

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 Transistor NPN. Regiones de funcionamiento

+
VCE
-
+
VBE -

VBE-ON

CUT-OFF (CORTE) ACTIVE (ACTIVA) SATURATION (SATURACIÓN)

Modelo: IB=0; IC=0; IE=0 Modelo: IC= IB; VBE=VBE-ON Modelo: VCE=VCEsat; VBE=VBE-ON
Condición: VBE<VBE-ON Condición: VCE>VCEsat; IB>0 Condición: IC< IB; IB>0

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 Principio de funcionamiento

EFECTO TRANSISTOR NPN (Zona Activa)

Colector

Colector
N P N Emisor

N
Base Base

P
VBE
VBC

N
Polarización de las uniones
Unión B-E polarizada directamente. Emisor
Unión B-C polarizada inversamente.
Camino de la corriente

Simulación NPN: https://tinyurl.com/yd35sehu

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 Principio de funcionamiento

EFECTO TRANSISTOR PNP (Zona Activa)

Colector

Colector
P N P Emisor

P
Base
Base

N
VBC VBE

P
Polarización de las uniones.
Unión B-E polarizada directamente.
Emisor
Unión B-C polarizada inversamente.
Simulación PNP: https://tinyurl.com/ya5slgeg Camino de la corriente

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 Transistor PNP. Regiones de funcionamiento

VBE-ON
C

B +
VCE
+ -
VBE -
E

CUT-OFF (CORTE) ACTIVE (ACTIVA) SATURATION (SATURACIÓN)

Modelo: IB=0; IC=0; IE=0 Modelo: IC= IB; VBE=VBE-ON Modelo: VCE=VCEsat; VBE=VBE-ON
Condición: VBE>VBE-ON Condición: VCE<VCEsat; IB<0 Condición: IC< IB; IB<0

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