SEMICONDUCTORES

Todos los circuitos integrados se fabrican Un circuito integrado contiene millones

con semiconductores, sustancias cuya de uniones p-n, cada una de las cuales
capacidad de conducir la electricidad es cumple una finalidad específica dentro de
intermedia entre la de un conductor y la los millones de elementos electrónicos de
de un no conductor o aislante. circuito.

El silicio es el material semiconductor más La colocación y polarización correctas de

habitual. Como la conductividad eléctrica las regiones de tipo p y tipo n hacen que la
de un semiconductor puede variar según corriente eléctrica fluya por los trayectos
la tensión aplicada al mismo, los diodos adecuados y garantizan el buen
fabricados con semiconductores actúan funcionamiento de todo el chip.
como minúsculos conmutadores que
abren y cierran el paso de corriente en POLARIZACIONES
sólo unos pocos nanosegundos
(milmillonésimas de segundo). Esto Si el terminal positivo de la fuente está
permite que un ordenador pueda realizar conectado al material tipo p y el terminal
millones de instrucciones sencillas cada negativo de la fuente está conectado al
segundo y ejecutar rápidamente tareas material tipo n, diremos que estamos en
complejas. "Polarización Directa".

El bloque básico de la mayoría de los La conexión en polarización directa

dispositivos semiconductores es el diodo, tendría esta forma:
una unión de materiales de tipo negativo
(tipo n) y positivo (tipo p).

Los términos “tipo n” y “tipo p” se refieren

a materiales semiconductores que han
sido dopados, es decir, cuyas propiedades
eléctricas han sido alteradas mediante la
adición controlada de pequeñísimas
concentraciones de impurezas como boro
o fósforo.

En un diodo, la corriente eléctrica sólo

fluye en un sentido a través de la unión: En este caso tenemos una corriente que
desde el material de tipo p hasta el circula con facilidad, debido a que la
material de tipo n, y sólo cuando el fuente obliga a que los electrones libres y
material de tipo p está a una tensión huecos fluyan hacia la unión. Al moverse
superior que el de tipo n. los electrones libres hacia la unión, se
crean iones positivos en el extremo
La tensión que debe aplicarse al diodo derecho de la unión que atraerán a los
para crear esa condición se denomina electrones hacia el cristal desde el circuito
tensión de polarización directa. La externo.
tensión opuesta que hace que no pase
corriente se denomina tensión de Así los electrones libres pueden
polarización inversa. abandonar el terminal negativo de la
fuente y fluir hacia el extremo derecho del puro, en el sentido de desplazar el centro
cristal. El sentido de la corriente lo de gravedad de la carga hacia uno u otro
tomaremos siempre contrario al del átomo. El parámetro que determina este
electrón. desplazamiento es la electronegatividad
de los átomos constituyentes. Cuanto más
diferente sea, mayor será el
desplazamiento y el enlace será más
iónico que covalente.

La estructura cristalina de los

semiconductores es en general compleja
aunque puede visualizarse mediante
superposición de estructuras más
sencillas. La estructura más común es la
del diamante, común a los
semiconductores Si y Ge, y la del Zinc-
Lo que le sucede al electrón: Tras Blenda que es la del Arseniuro de Galio.
abandonar el terminal negativo de la En estas redes cristalinas cada átomo se
fuente entra por el extremo derecho del encuentra unido a otros cuatro mediante
cristal. Se desplaza a través de la zona n enlaces covalentes con simetría
como electrón libre. tetraédrica. Se requiere que posean unas
estructuras cristalinas únicas, es decir, que
sea monocristal. Dependiendo de cómo se
obtengan éste puede presentarse en forma
Propiedades de los semiconductores de monocristal, policristal y amorfo. El
comportamiento electrico de los
 Una propiedad importante en los materiales semiconductores (resistividad y
semiconductores es que posibilita el poder movilidad) así como su funcionamiento
modificar su resistividad de manera depende de la estructura cristalina del
controlada entre márgenes muy amplios. material de base, siendo imprescindible la
La razón primera de este comportamiento forma monocristalina cuando se requiere
diferente reside en su estructura atómica, la fabricación de circuitos integrados y
básicamente en la distancia interatómica dispositivos electroópticos (láser, leds).
de sus átomos en la red así como el tipo
de enlace entre ellos. En lo referente al transporte de carga en
Así el enlace atómico depende del número semiconductores el fenómeno de las
de electrones de valencia de los átomos colisiones de los portadores con otros
formantes del enlace y de la portadores, núcleos, iónes y vibraciones
electronegatividad de los mismos. Los de la red, disminuye la movilidad. Ello
electrones de la capa externa o electrones guarda relación con el parametro de la
de valencia son los que determinan y resistividad (o conductividad) definido
forman los enlaces y los que en su como la facilidad para la conducción
momento pueden determinar el carácter eléctrica, depende intrínsecamente del
conductivo o no de él. En un material en cuestión y no de su geometria.
semiconductor formado por dos Así pues en los fenómenos detransporte
elementos químicos diferentes (Arseniuro en semiconductores y a diferencia de los
de Galio) la asimetría conlleva en general metales, la conducción se debe a dos tipos
una cierta pérdida de carácter covalente de portadores, huecos y electrones.
 luz; o bien debido a las pocas impurezas
MATERIALES EXTRINSECOS que no han podido eliminarse; sin
embargo, la energía ganada disminuye
Un material extrínseco es un material cuando el electróntiene alguna colisión
semiconductor que se ha sujetado a un con otra partícula, volviendo a cantidades
proceso de dopaje. de energía propias de la banda de
valencia, haciendo que el electrón viajero
Material Tipo N “se aloje”, en algún hueco disponible,
Tanto los materiales tipo n como los tipo dándose el fenómeno llamado
p se forman cuando se añade un numero recombinación.
predeterminado de átomos de impureza a Los huecos que resultan de la liberación
una base de germanio o de silicio. El de estos electrones son en cantidades
material tipo n se crea al introducir poco significativas; así que tanto las cargas
elementos impuros que cuentan con cinco libres negativas o positivas en el cristal no
electrones de valencia (pentavalentes) serían suficientes para transportar
como el caso del antimonio, el arsénico o cantidades de electricidad significativas.
el fosforo. Las impurezas que cuentan con Por lo tanto, si se desea que un material
cinco electrones de valencia se denominan semiconductor pueda ser capaz de
átomos donores. transportar la corriente eléctrica de mejor
manera, se procede a impurificarlo.
Material Tipo P
Se forma mediante el dopado de un cristal
puro de germanio o de silicio con átomos TIPO P Y TIPO N
de impureza que cuenten con tres
electrones de valencia. Los elementos que Semiconductor tipo N 
se utilizan de forma mas frecuente son: el Un Semiconductor tipo N se obtiene
boro, el galio y el indio. Las impurezas llevando a cabo un proceso
difundidas que cuentan con tres de dopado añadiendo un cierto tipo de
electrones de valencia se denominan átomos al semiconductor para poder
átomos aceptores. aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso negativas
Materiales Intrinsecos o electrones).
Un cristal intrínseco es aquél que se Cuando el material dopante es añadido,
encuentra puro (aunque no existe éste aporta sus electrones más débilmente
prácticamente un cristal 100% puro); es vinculados a los átomos del
decir, no contiene impurezas; mientras semiconductor. Este tipo de agente
que un cristal extrínseco es aquél que ha dopante es también conocido
sido impurificado con átomos de otra como material donante ya que da algunos
sustancia. Al proceso de impurificación se de sus electrones.
le llama también dopado, y se utiliza para El propósito del dopaje tipo n es el de
obtener electrones libres que sean capaces producir abundancia de electrones
de transportar la energía eléctrica a otros portadores en el material. Para ayudar a
puntos del cristal. entender cómo se produce eldopaje tipo n
Un material en estado intrínseco puede considérese el caso del silicio (Si). Los
tener electrones libres cuando algunos de átomos del silicio tienen una valencia
sus electrones de valencia llegan a romper atómica de cuatro, por lo que se forma
su enlace covalente por adquirir energía un enlace covalente con cada uno de los
adicional debido a fuentes de calor o de átomos de silicio adyacentes. Si un átomo
con cinco electrones de valencia, tales semiconductor se
como los del grupo VA de la tabla mantiene eléctricamente neutro en
periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) general. No obstante, cuando cada hueco
o antimonio (Sb)), se incorpora a la red se ha desplazado por la red, un protón del
cristalina en el lugar de un átomo de átomo situado en la posición del hueco se
silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado
enlaces covalentes y un electrón no por un electrón. Por esta razón un hueco
enlazado. Este electrón extra da como se comporta como una cierta carga
resultado la formación de "electrones positiva. Cuando un número suficiente de
libres", el número de electrones en el aceptores son añadidos, los huecos
material supera ampliamente el número superan ampliamente la excitación
de huecos, en ese caso los electrones son térmica de los electrones. Así, los huecos
los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores mayoritarios, mientras
son los portadores minoritarios. A causa que los electrones son los portadores
de que los átomos con cinco electrones de minoritarios en los materiales tipo P.
valencia tienen un electrón extra que Los diamantes azules (tipo IIb), que
"dar", son llamados átomos donadores. contienen impurezas de boro (B), son un
Nótese que cada electrón libre en el ejemplo de un semiconductor tipo P que
semiconductor nunca está lejos de un ion se produce de manera natural.
dopante positivo inmóvil, y el
material dopado tipo N generalmente APLICACIÓN DEL DIODO
tiene una carga eléctrica neta final de
cero.... La principal aplicación del diodo es la
obtención de una tensión contínua a
Semiconductor tipo P partir de una fuente de corriente alterna
Un Semiconductor tipo P se obtiene lo cual ocurre porque deja circular
llevando a cabo un proceso de dopado, corriente a través suyo cuando se conecta
añadiendo un cierto tipo de átomos al el polo positivo de la fuente al ánodo, y el
semiconductor para poder aumentar el negativo al cátodo, y se opone al paso de
número de portadores de carga libres (en la misma si se realiza la conexión opuesta
este caso positivos o huecos). de forma que realiza así la conversión de
Cuando el material dopante es añadido, corriente alterna en continua al permitir
éste libera los electrones más débilmente solo el paso de la alternancia positiva. A
vinculados de los átomos del este proceso se le llama "rectificación".
semiconductor. Este agente dopante es
también conocido como material
aceptor y los átomos del semiconductor FISICA DEL ESTADO SOLIDO DEL
que han perdido un electrón son DIODO
conocidos comohuecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de Distribución de carga
crear abundancia de huecos. En el caso
del silicio, un átomo tetravalente Cuando existen materiales de tipo p y de
(típicamente del grupo IVA de la tabla tipo n juntos en un cristal, se producen
periódica) de los átomos vecinos se le une una redistribución de carga. Algunos de
completando así sus cuatro enlaces. Así los electrones libres del material n migran
los dopantes crean los "huecos". Cada a través de la unión y se combinan con
hueco está asociado con un ion cercano huecos libres en el material p. De la
cargado negativamente, por lo que el misma forma, algunos de los huecos libres
de material p se mueven a través de la La ecuación (1.1) se puede simplificar
unión y se combinan con electrones libres definiendo
en el material n. Como resultado de esta
redistribución de carga, el material p
adquiere la carga negativa neta y el
material n obtiene una carga positiva neta.
Estas cargas crean un campo eléctrico y
una diferencia de potencial entre los dos
tipos de material que inhibe cualquier
otro movimiento de carga. El resultado es
una reducción en el número de portadores Esto da
de corriente cerca de la unión. Esto sucede
en un área conocida como región
desértica. Estampó eléctrico resultante
proporciona una barrera de potencial, o
colina, en una dirección que inhibe la
migración de portadores a través de la
unión.
Relación entre la corriente y la tensión en
un diodo 
Existe una relación exponencial entre la
corriente del diodo y en potencial (1.2)
aplicado. La relación se describe por Si se opera a temperatura ambiente (25ð
medio de la ecuación (1.1). c) y solo en la región de polarización en
directo, entonces predomina el primer
termino en el paréntesis y la corriente está
dada aproximadamente por

Los términos de la ecuación (1.1) se

definen como sigue:

ID = corriente en el diodo
vD = diferencia de potencial a través del (1.3)
diodo La corriente desaturación inversa, I0, es
I0 = corriente de fuga función de la pureza del material, de la
q = carga del electrón: 1.6 x 10-19 coulombs combinación y de la geometría del diodo.
k = constante de Boltzman 1.38 x 10-23 J/ð La constante empírica, n, es un número
k propiedad de la construcción del diodo y
T = temperatura absoluta en grados kelvin puede variar de acuerdo con los niveles de
n = constante empírica entre 1 y 2 tensión y de corriente.

Aunque las curvas para la región en

directo mostrados en la figura 1.15 desplaza a través de la zona p como
recuerdan una línea recta, se sabe que la electrón de valencia. Tras abandonar el
línea no es recta, ya que sigue una relación extremo izquierdo del cristal fluye al
exponencial, esto significa que la terminal positivo de la fuente.
pendiente de la línea se modifica
conforme cambia iD. Se puede diferenciar
la expresión de la ecuación (1.) para
encontrar la pendiente en cualquier iD
dada:

(1.4)
 

Figura 1.15
Aunque se sabe que rd cambia cuando
cambian iD, se puede suponer fija
Para un intervalo de operación específico.

En la unión se recombina con un hueco y

se convierte en electrón de valencia. Se