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    Semiconductores Exposicion Final 1

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    Juan Torres
    El documento describe los fundamentos de los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen 4 electrones de valencia, lo que les permite conducir electricidad pero no tan bien como los conductores. También describe cómo los materiales tipo N y tipo P se crean mediante la adición de impurezas, y cómo los diodos semiconductores usan una unión PN para permitir el flujo de corriente en una sola dirección.

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    Juan Torres
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    El documento describe los fundamentos de los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen 4 electrones de valencia, lo que les permite conducir electricidad pero no tan bien como los conductores. También describe cómo los materiales tipo N y tipo P se crean mediante la adición de impurezas, y cómo los diodos semiconductores usan una unión PN para permitir el flujo de corriente en una sola dirección.

    Descripción original:

    Física electrónica

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    El documento describe los fundamentos de los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen 4 electrones de valencia, lo que les permite conducir electricidad pero no tan bien como los conductores. También describe cómo los materiales tipo N y tipo P se crean mediante la adición de impurezas, y cómo los diodos semiconductores usan una unión PN para permitir el flujo de corriente en una sola dirección.

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    Juan Torres
    El documento describe los fundamentos de los semiconductores. Explica que los semiconductores tienen 4 electrones de valencia, lo que les permite conducir electricidad pero no tan bien como los conductores. También describe cómo los materiales tipo N y tipo P se crean mediante la adición de impurezas, y cómo los diodos semiconductores usan una unión PN para permitir el flujo de corriente en una sola dirección.

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    SEMICONDUCTORES

    FISICA ELECTRONICA
    ELECTRONES DE VALENCIA

    Son los electrones que se encuentran


    en la capa más alejada del núcleo.
    El término “valencia” se utiliza para
    indicar que el potencial requerido
    para remover estos electrones es
    significativamente más bajo que el
    requerido para cualquier otro
    electrón en la estructura.
    TEORIA DE BANDAS
    CONDUCTORES, SEMICONDUCTORES Y AISLANTES
    Conductores Aislantes
    AS¿s¿SSSA¿¿
    Conductores semiconductores y aislantes.
    Conductores: los átomos que forman un elemento conductor tienen en su
    orbita de valencia 1e
    Semiconductores: los átomos que forman un elemento material
    semiconductor tienen en su orbita de valencia 4e.
    Aislantes: los átomos que forman un elemento conductor tienen en su orbita
    de valencia 8e .
    ENLACE COVALENTE DEL
    SILICIO
    En un cristal de silicio, los átomos
    forman un enlace que se caracteriza por
    compartir electrones, a este tipo de
    enlace lo llamamos enlace covalente.
    Normalmente existe mayor atracción
    entre los electrones de valencia y su
    átomo padre, aun así es posible hacer
    que dichos electrones entren en su
    estado “libre”. A causa de fenómenos
    físico como diferencia de potencial,
    campos eléctricos y variaciones de
    temperaturas.
    PORTADORES INTRÍNSECOS
    El término intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya
    sido cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas ; en
    esencia, lo más puro posible que se pueda fabricar.
    Los electrones libres presentes en un material debido a sólo causas
    externas se conocen como portadores intrínsecos.
    Factor de movilidad relativa
    Niveles de energía en un átomo aislado.
    Dentro de la estructura atómica de cada átomo aislado hay niveles específicos de energía
    asociados con cada capa y electrón en órbita.
    Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es su estado de energía y cualquier
    electrón que haya abandonado a su átomo padre tiene un estado de energía mayor que
    todo electrón que permanezca en la estructura atómica.
    Aislante, semiconductor y conductor
    MATERIALES EXTRÍNSECOS

    Como ya antes se indicó, las características de un material


    semiconductor se pueden modificar de manera significativa con la
    adición de átomos de impureza específicos al material semiconductor
    relativamente puro
    Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado
    se conoce como material extrínseco
    Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la
    fabricación de dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p.
    MATERIAL TIPO N
    Un material tipo n se crea
    introduciendo elementos de
    impureza que contienen cinco
    electrones de valencia, como el
    antimonio, el arsénico y el
    fósforo (todos del grupo 5).
    Las impurezas difundidas con
    cinco electrones de valencia se
    conocen como átomos
    donadores.
    MATERIAL TIPO P
    El material tipo p se forma dopando un
    cristal de germanio o silicio puro con
    átomos de impureza que tienen tres
    electrones de valencia. Los elementos más
    utilizados para este propósito son boro,
    galio e indio.
    Las impurezas difundidas con tres
    electrones de valencia se llaman átomos
    aceptores.
    El vacío resultante se llama hueco y se
    denota con un pequeño círculo o un signo
    más
    PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS

    En un material tipo N el electrón En un material tipo P el


    es portador mayoritario y los hueco es el portador
    huecos son portadores mayoritario y los
    minoritarios. electrones son portadores
    minoritarios.
    DIODO SEMICONDUCTOR
    Es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la
    corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente
    circula en sentido contrario. Esto hace que el diodo tenga dos posibles posiciones: una
    a favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra de la corriente (polarización
    inversa).
    Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.
    Esta compuesto por un material tipo n unido a un material tipo p.
    El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión p-n.
    SIN POLARIZACIÓN APLICADA
    En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la
    región de la unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la
    región próxima a la unión. Dicha región recibe el nombre de región de empobrecimiento.
    debido a la disminución de portadores libres en la región.
    POLARIZACIÓN INVERSA
    Al aplicar un potencial externo a través de la unión p-n con la terminal positiva conectada al
    material tipo n y la negativa conectada al material tipo p, el número de iones positivos
    revelados en la región de empobrecimiento del material tipo n se incrementará por la gran
    cantidad de electrones libres atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado, haciendo
    que la región de agotamiento se ensanche y por lo tanto obstruyendo el paso de la corriente.
    Es importante tener en cuenta que la polarización inversa solo puede soportar una pequeña
    cantidad de corriente
    POLARIZACIÓN DIRECTA
    Se establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n.
    La aplicación de un potencial de polarización en directa VD “presionará” a los electrones en el material tipo n y a
    los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones próximos al límite y así reducir el ancho de
    la región de empobrecimiento.
    En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la región de empobrecimiento
    continuará reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unión, lo que produce un
    crecimiento exponencial de la corriente.
    Ecuación y gráfica de un diodo:
    conocida como ecuación de Shockley,
    para las regiones de polarización en
    directa y en inversa.

    vd
    Id = Is e nvt −1
    • Id: corriente en polarización directa.
    •
    Is: corriente de saturación.
    •
    Vd: es el voltaje en polarización directa.
    •
    n: factor de idealidad.
    •
    kT
    Vt: voltaje térmico definido por: Vt = q
    •
    k: constante de Boltzmann.
    •
    T: temperatura en Kelvin.
    •
    q: carga del electrón.

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