SEMICONDUCTORES

Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente eléctrica mejor que otros.
Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente
eléctrica son conductores. Analógicamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta,
son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prácticamente tampoco el conductor
perfecto. Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su
nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones.
Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atómica. Los conductores son, generalmente,
metales esto se debe a que dichos poseen pocos átomos en sus últimas órbitas y, por lo tanto,
tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios átomos de un metal, se
acercan los electrones de su última órbita se desprenden y circulan desordenadamente entre una
verdadera red de átomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el
paso de la corriente eléctrica.
Los aislantes, en cambio, están formados por átomos con muchos electrones en sus últimas
órbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fácilmente y a no establecer
una corriente de electrones.
Los semiconductores son materiales del grupo IV, es decir tienen cuatro electrones en su último
orbital de energía. Gracias a esta característica es que se comportan como aislantes o
conductores según las circunstancias de operación. Estos átomos forman una red cristalina en la
que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro átomos vecinos,
formando así enlaces covalentes. A temperatura ambiente algunos electrones de valencia
absorben suficiente energía como para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red
cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones libres se los someten a un
potencial eléctrico se dirigirán hacia el polo positivo, formando una corriente eléctrica. Entre los
elementos más utilizados en la fabricación de semiconductores se encuentran el silicio y el
germanio, siendo el primero el de mayor utilización en la actualidad.
Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un
hueco, que con respecto a los electrones próximos tiene efectos similares a los que provocaría
una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrón pero con signo positivo. El
comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenómenos:
 Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo
positivo de la pila.
 Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la
pila.

Figura 1
O sea dentro de un semiconductor se pueden definir dos tipos de corrientes una corriente de
electrones (cargas negativas) y una corriente de huecos (cargas positivas). Hay que aclarar que
si bien el electrón existe físicamente (tienen masa), los huecos representan un vacio solo

1
existen desde el punto de vista eléctrico no hay que confundir a un hueco con un protón dado
que este último tiene masa y los huecos no.
SEMICONDUCTORES TIPO N-P DOPAJE.

Con el fin de aumentar la conductividad del semiconductor es que se le agregan impurezas. Esta
operación se denomina dopado, utilizándose dos tipos:
 Impurezas pentavalentes: Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de
valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio y el
arsénico. Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina
del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al
equilibrio y queda libre un quinto electrón, permitiendo así una mejor conducción. De
un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.
 Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de valencia en
su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio. Al introducir
una impureza trivalente, se formarán solamente tres enlaces covalentes quedando un
cuarto átomo de silicio con un electrón sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De
un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.

Figura 2

DIODO UNIÓN P-N.

Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e
impurezas tipo N por otro, se forma una unión PN, también conocida como DIODO. Los
electrones libres de la región N más próximos a la región P se difunden en ésta, produciéndose
la recombinación con los huecos más próximos de dicha región. En la región N se crean iones
positivos y en la región P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red
cristalina, los iones mencionados están interaccionados entre sí y, por tanto, no son libres para
recombinarse. Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la región N y otra
negativa en la región P, ambas junto a la unión. Esta distribución de cargas en la unión establece
una barrera de potencial que repele los huecos de la región P y los electrones de la región N
alejándolos de la mencionada unión. Una unión PN no conectada a un circuito exterior queda
bloqueada y en equilibrio electrónico a temperatura constante.
UNIÓN PN POLARIZADA EN DIRECTO

Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la región P y

el polo negativo a la región N , la tensión U de la pila contrarresta la «barrera de potencial»
creada por la distribución espacial de cargas en la unión, desbloqueándola, y apareciendo una
circulación de electrones de la región N a la región P y una circulación de huecos en sentido
contrario. Tenemos así una corriente eléctrica de valor elevado, puesto que la unión PN se hace

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conductora, presentando una resistencia eléctrica muy pequeña. El flujo de electrones se
mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido
eléctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente eléctrica.
UNIÓN PN POLARIZADA EN INVERSO

Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la región N y

el polo negativo a la región P la tensión U de la pila ensancha la «barrera de potencial» creada
por la distribución espacial de cargas en la unión, produciendo un aumento de iones negativos
en la región P y de iones positivos en la región N, impidiendo la circulación de electrones y
huecos a través de la unión.
La unión PN se comporta de una forma asimétrica respecto de la conducción eléctrica; dependiendo
del sentido de la conexión, se comporta corno un buen conductor (polarizada en directo) o como un
aislante (polarizada en inverso).

Figura 3
EL DIODO

El diodo ideal es un dispositivo lineal con características de corriente contra tensión. Esta
característica se conoce como lineal a segmentos, ya que la curva se construye con segmentos
de rectas, si se intenta colocar una tensión positiva (o directa) a través del diodo, no se tienen
éxito y la tensión se limita a cero. La pendiente de la curva está infinita. Por tanto, bajo esta
condición la resistencia es cero y el diodo se comporta como un cortocircuito. Si se colocan una
tensión negativa (o inversa) a través del diodo, la corriente es cero y la pendiente de la curva
también es cero. Por tanto, del diodo se comporta ahora como una resistencia infinita, o circuito
abierto.
En la figura 4 se puede ver el símbolo del diodo donde uno de los terminales se denomina
Ánodo (corresponde al material tipo P) y el otro termina Se llama Cátodo (correspondiente al
material tipo N) y suele indicarse con la letra K (Kathode). En la parte b de la figura se muestra
un diodo polarizado en forma directa.

En la figura 5 se ilustran las características de operación de un diodo práctico. Esta curva difiere
de la característica ideal en los siguientes puntos: conforme la tensión en directo aumenta más
allá de cero, la corriente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensión mínima, denotada por
Vγ, para obtener una corriente significativa. Conforme la tensión tiende a exceder Vγ la
corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva característica es grande pero no
infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensión mínima necesaria para obtener una
corriente significativa, Vγ, es aproximadamente 0.7 V para semiconductores de silicio (a
temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La diferencia de tensión para
el silicio y el germanio radica en la estructura atómica de los materiales. Para diodos de
arsenurio de galio, Vγ es más o menos 1.2 V. Cuando el diodo está polarizado el inverso, existe
una pequeña corriente de fuga, está corriente se producen siempre que la tensión sea inferior a la
requerida para romper la unión. El daño al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de
electrones, que fluyen a través de la unión con poco incremento en la tensión. La corriente muy

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grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce
como la tensión de ruptura del diodo (Vbr).

Figura 5
RELACIÓN ENTRE LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN EN UN DIODO ECUACIÓN DEL
DIODO

Existe una relación exponencial entre la corriente del diodo y en potencial aplicado. La relación
se describe por medio de la ecuación (1.1).

(1.1)

Los términos de la ecuación (1.1) se definen como sigue:

ID = corriente en el diodo
VD = diferencia de potencial a través del diodo
I0 = corriente de fuga
q = carga del electrón: 1.6 x 10−19 coulombs
k = constante de Boltzman 1.38 x 10−23 J/ð k
T = temperatura absoluta en grados kelvin
n = constante empírica entre 1 y 2 depende de la fabricación
La ecuación (1.1) se puede simplificar definiendo

(1.2)

Entonces:

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 (1.3)
Si se opera a temperatura ambiente (25° c) y solo en la región de polarización en directo,
entonces predomina el primer término en el paréntesis y la corriente está dada aproximadamente
por

(1.4)
La corriente de saturación inversa, I0, es función de la pureza del material, de la combinación y
de la geometría del diodo. La constante empírica, n, es un número propiedad de la construcción
del diodo y puede variar de acuerdo con los niveles de tensión y de corriente.
Aunque las curvas para la región en directo mostrados en la figura 1.3 recuerdan una línea recta,
se sabe que la línea no es recta, ya que sigue una relación exponencial, esto significa que la
pendiente de la línea se modifica conforme cambia i D. Se puede diferenciar la expresión de la
ecuación (1.3) para encontrar la pendiente en cualquier i D dada:

(1.5)

Figura 6
Aunque se sabe que rd cambia cuando cambian iD, se puede suponer fija para un intervalo de
operación específico.
EFECTOS DE LA TEMPERATURA

La temperatura tiene un papel importante en la determinación de las características

operacionales de los diodos. Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensión de
encendido Vγ. Por otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento en Vγ.

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Esto se ilustra en la figura 7. Aquí Vγ varía linealmente con la temperatura de acuerdo con la
siguiente ecuación (se supone que la corriente del diodo, i D, se mantiene constante):

Donde:
T0 = temperatura ambiente
T1 = temperatura del diodo
Vγ (T0) = tensión del diodo a temperatura ambiente
Vγ (T1) = tensión del diodo a la nueva temperatura
k = coeficiente de temperatura en V/° C

Figura 7

RECTIFICADORES
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Como conclusión de lo anterior podemos decir que un diodo deja circular la corriente en un solo
sentido (cuando está polarizado en forma directa). Sacando provecho de esta propiedad
podemos utilizarlo para eliminar componentes negativos de una tensión, en otras palabras
transformar una tensión de alterna en continua.
El circuito rectificador de media onda como su palabra lo dice actúa solamente sobre la mitad
de la onda senoidal. En la fig. 8 se puede ver un circuito rectificador de media onda, cuando la
tensión V0 está en el semi-ciclo positivo el diodo está polarizado en forma directa y circula
corriente por lo tanto la tensión en la resistencia será:

Mientras que en el semiciclo negativo el diodo está polarizado en forma inversa y no circula
corriente. En este grafico es posible observar que en el semiciclo positivo (polarización directa)
la tensión sobre la resistencia sigue a la señal de la fuente, mientras que en el semiciclo negativo

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(polarización inversa) la tensión sobre la resistencia es nula, se recorta la señal debido a que el
diodo no permite el flujo de corriente.

Viendo la tensión sobre la resistencia queda claro que se aleja mucho de una tensión continua,
podemos que es una tensión pulsante, cuyo valor medio (el valor medio de una señal es el valor
de la integral en un periodo, o sea el valor de continua) es:

Recordando que , para una onda senoidal.

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

También se estudio el circuito que se muestra en la Fig. 9 Este circuito se denomina puente
rectificador de Onda Completa, y consiste en 4 diodos colocados de manera tal que cuando la
fuente esta su semiciclo positivo la corriente fluye por los diodos 1 y 2, mientras que cuando la
fuente esta en inversa lo hace por los diodos 3 y 4.

Tensión en R

Corriente en D1 y D2

Corriente en D3 y D4

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Viendo el valor de la tensión en R podemos decir que se aproxima un poco más a una continua
pero aun sigue siendo una corriente pulsante. También podemos ver los periodos de conducción
de los diodos.
El valor medio de tensión de este circuito es:

ELIMINACIÓN DE RIPLE FILTRO CAPACITIVO

Los pulsos de tensión sobre la carga se conocen como Riple y es la componente de alterna que
existe en la carga. En muchas ocasiones esta componente es indeseada por ejemplo en un
circuito de audio dado que se amplificaría y la escucharíamos por los parlantes. Para eliminar
las componentes de alterna es que se utilizan filtros, un filtro es un dispositivo que permite o
elimina determinados componentes de una señal. En este caso el filtro es muy sencillo y está
compuesto por un capacitor. De acuerdo al valor del capacitor elegido la cantidad de alterna
eliminada será mayor o menor.

En la siguiente figura se puede aprecia las forma de onda del circuito anterior para dos valores
de C. Podemos ver que a medida que aumentamos el valor de C la tensión se asemeja más a una
continua.

DIODOS DE AVALANCHA , ZENER.

En la figura 2 se muestra la característica tensión corriente de un diodo en la región de

polarización inversa, incluyendo la zona de ruptura o avalancha. Los diodos diseñados con
capacidad adecuada para disipar potencia en dicha zona se los conoce como diodos zener, de
avalancha o de ruptura. En el circuito la fuente V y la resistencia R s se seleccionan de manera tal
que el diodo pueda funcionar en la región de avalancha. En esta región la tensión es V Z, que
también es la tensión aplicada en la carga.. El diodo regulara la tensión de la carga ante cambios
en la fuente de alimentación y en la corriente de la carga, ya que grandes cambios en la corriente
del diodo producen pequeñas variaciones en la tensión. El diodo regulara la tensión hasta que el
circuito funcione con una corriente menor a I ZK, ya que por debajo de esa corriente se sale de la
zona de avalancha. El límite superior de la corriente está dado por la capacidad de disipación del
diodo.

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 Figura 2: Características tensión corriente de un diodo zener.

E JEMPLO DE CÁLCULO .
En el siguiente circuito se desea regular la tensión V RL= 4,7V a una carga R L=100. La cual
está alimentada con una fuente que puede variar su voltaje de 9V a 12V.
Vamos a tomar un diodo con un valor V Z = 4,7V y con un IZK = 1mA. Primero debemos calcular
la resistencia serie RS de manera tal que nos permita una corriente I ZK en la peor condición de la
alimentación. Si observamos el circuito podemos decir que la peor condición para sostener la I ZK
es en el caso donde la tensión de alimentación es menor.
La caída de tensión en la resistencia será:
V RS=V −V Z
=9 V −4,7 V =4,3 V
RS se debe seleccionar para mantener una corriente en el zener I Z  IZK. En este caso tomamos IZ
un 10% mayor a IZK.
I Z =1,1.1 mA
I RS =I Z +I L
=1,1 mA+47 mA=48 , 1mA
Por lo tanto RS será:
V RS min
RS = =89 Ω
I RS
También es necesario calcular la potencia disipada por la resistencia. La peor condición será en
el caso de un corto circuito en la salida o sea R L = 0, ya que la caída de tensión en RS será igual
a la de la fuente. Para calculara la potencia en R S debemos tomar además el caso en que la
fuente tiene el valor máximo.
V 2max 122
PRS = = =1,6 Watt
R S 89
Ahora por último nos queda calcular la potencia que disipara el diodo zener en la peor
condición. La peor condición será para el caso de un circuito abierto en la salida o sea R L = .
V max −V Z
I Z max = =48 ,3 mA
RS
PZ max =I Z max .V Z =0 , 22Watt