Intro Ducci On
Intro Ducci On
Intro Ducci On
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.
Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con signo positivo. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos: - Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila. - Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. - Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio. - Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica. Semiconductores P y N En la prctica, para mejorar la conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas aadidas voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado, utilizndose dos tipos: Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fsforo, el antimonio y el arsnico.
Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.
En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.
Unin PN
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN . Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en sta, producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red
cristalina, los iones mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para recombinarse. Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la regin P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece una barrera de potencial que repele los huecos de la regin P y los electrones de la regin N alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a temperatura constante. Unin PN polarizada en directo
Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la regin N , la tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido contraro. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la unin PN se hace conductora, presentando una resistencia elctrica muy pequea. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente elctrica. Unin PN polarizada en inverso
Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la regin P (figura 6), la tensin U de la pila ensancha la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P y de iones positivos en la regin N, impidiendo la circulacin de electrones y huecos a travs de la unin.
La unin PN se comporta de una f orma asimtrica respecto de la conduccin e l ctrica; dependiendo del sentido de la conexin, se comporta corno un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso).
RECTIFICACIN
Muchos dispositivos o equipos mviles de naturaleza elctrica o electrnica, como las linternas, los receptores de radio, etc., se alimentan con generadores qumicos de corriente continua. Como ya sabemos, el gran inconveniente de este tipo de fuentes, es su limitada vida en el caso de las desechables o el escaso tiempo que permanece la carga o la tensin nominal en los reversibles o recargables. En consecuencia, siempre que sea posible, la alimentacin de aquellos dispositivos que requieran una corriente continua se realiza con sistemas que se fabrican con elementos elctricos y electrnicos. Dichos sistemas, de mayor o menor complejidad, pueden estar incorporados a los propios equipos o, por el contrario, ser independientes del aparato o elemento que necesita estar alimentado con una corriente de determinadas caractersticas. Nos referimos a las fuentes o sistemas de alimentacin electrnicos.
220 Vca
Fuente de Alimentacin
9Vcc
Circuito a alimentar
Generalmente las fuentes de alimentacin constan de las siguientes partes: 1. 2. 3. Un rectificador que convierte la c.a. de la red en una seal pulsante. Un filtro que reduce las ondulaciones de la tensin de salida, haciendo que sta sea lo ms constante posible. Un circuito estabilizador que hace que aunque se den variaciones de tensin de red o variaciones de la carga, la tensin de salida no vare. 220 Vca
Rectificador
Filtro
Estabilizador
Vc
De media onda Los rectificadores monofsicos pueden De doble onda Puente ser:
D1
Vp
Vsec
R1
R1 carga o elemento al que vamos a alimentar con la tensin rectificada. Vsec, tensin secundario) de entrada al rectificador (V
V sec = V D + VR1
Aplicamos una onda senoidal a la entrada (transformador reductor). En el semiciclo positivo el diodo queda polarizado directamente y se comporta prcticamente como un interruptor cerrado (excepto los 0.6V de la barrera de potencial). Esto hace que por el circuito circule una corriente cuya forma de onda est representada en la fig. 3. Esta corriente provoca una cada de tensin senoidal como la de la fig.2.
Fig. 2 V en la resistencia
En el semiciclo negativo, es diodo se polariza inversamente (nodo ms negativo que el ctodo), comportndose como un interruptor abierto. No existe corriente por el circuito y en la resistencia de carga R1 no hay cada de tensin, esto supone que toda la tensin de entrada estar en extremos del diodo como se ve en la fig.4
VR1 = 0V
VD1 = V sec
Vef =
Vmax 2
Valor medio
Vdc = 0
Vdc =
Vdc =
Vef = Vef =
Vmax 2 Vmax 2
Valor medio
Vmax
Vmax 2
I dc = I F ( AV )
I mx = I FRM
Cuando el diodo no conduce la tensin inversa que soporta coincide con la tensin mxima de la seal en el secundario o en la carga.
Vmx = VRWM
Ejemplo Resuelto Se quiere calcular un rectificador monofsico de media onda, que ha de alimentar a una carga cuyos datos son: nivel de continua 12V y corriente continua 0.5A. Dibujar el circuito, formas de onda y los datos para elegir los componentes.
D1
Vp
Vsec
R1
Vef =
Vmx
Nota: La cada de tensin en el diodo se desprecia (0,6V). El transformador sera de las caractersticas siguientes: Potencia V secundario P=14,69W como mnimo V=18,84V
PRCTICA RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA MATERIAL UTILIZADO 1 1 1 1 Transformador 220V/6V+6V Resistencia de carga de 220 Osciloscopio Polmetro
PROCESO OPERATIVO 1. Realizar el montaje del circuito y calcular los datos caractersticos del diodo, transformador.
T1
6V
D1
1N4007GP
220V
0V
R1
220ohm
6V
TRANSFORMADOR Vef= Ief= Pef= 2. 3. 4. 5. IFRM= IF(AV)= VRWM= DATOS DIODO RL= Vdc= Idc= CARGA
Observar en el osciloscopio y dibujar las tensiones que hay en el secundario del transformador, en el diodo y en la carga. A partir de las ondas anteriores, calcular Vdc e Idc en la resistencia de carga. Medir con el polmetro en continua, la tensin en la carga VRL y la corriente IRL. Hacer una tabla comparando los valores medidos con el osciloscopio, con el polmetro y es terico.
Vmx Trans.
Ief Trans.
Vmx RL
Vdc RL
Idc RL
DC-AC V en DC
Vdc/RL I en DC
1.- INTRODUCCION
As como un rectificador de media onda se obtiene un semiciclo por cada ciclo de la seal del transformador, en los rectificadores de doble onda (onda completa), se obtiene dos semiciclos por cada periodo (ciclo) de la seal del transformador. La rectificacin de doble onda u onda completa se puede realizar: Rectificador con toma intermedia (o central). Dos diodos. Rectificador en puente. Cuatro diodos.
Su nombre viene dado por el hecho de utilizar un transformador de toma intermedia, el cual proporciona dos tensiones en el secundario (Vt1 y Vt2), de igual amplitud pero desfasadas 180. Esta toma intermedia hace de masa punto de referencia de tensiones.
T1
A B C
D1
RED 220V
R1 D2
T1
A B C
D1
RED 220V
R1
T1
A B C
D2 R1
RED 220V
En cada uno de los semiciclos de la tensin aplicada, conducir un diodo y el otro estar polarizado inversamente. Es decir cada semiciclo es rectificado por un diodo, obtenindose en la carga una seal pulsante de doble onda. En el circuito podemos apreciar dos mallas: 1) A-D1-RL-B 2) C-D2-RL-B
A) SEMICICLO POSITIVO: A e s p o s i t i v o r e s p e c t o a B: El diodo D1 est polarizado directamente y conduce, mientras D2, al ser B negativo con respecto a C, est polarizado inversamente y no conduce. De esta forma la corriente que circula por RL es debida a Vt1 y; VR1 = Vt1 - VD1 = Vt1 - 0,6V (para Vt 0,6V)
B ) SEMICICLO NEGATIVO: C e s p o s i t i v o c o n r e s p e c t o a B : El diodo D2 est polarizado directamente y conduce, mientras que el D1, al ser ahora A negativo con respecto al B est polarizado inversamente y no conduce. De esta forma la corriente que circula por RL es debida a Vt2 y VR1 = Vt2 - VD2 = Vt2 - 0,6V (para Vt20,6V).
En ambos casos VR1 tienen la misma polaridad y el mismo sentido de la corriente. Hemos conseguido que durante ambas alternancias circule corriente por RL. VALORES MEDIOS Y EFICACES EN UN RECTIFICADOR DE DOBLE ONDA Con toma central:
V t = V RL + V D V ef = V dc = V mx 2 V mx
CALCULO DE UN RECTIFICADOR DE DOBLE ONDA Para la eleccin del diodo los valores a calcular son: IFRM. Mxima corriente directa de cresta peridica. IF(AV). Intensidad media directa. VRWM. Voltaje inverso mximo de trabajo.
Para la eleccin del transformador los valores sern: Vef. Voltaje eficaz de un secundario. Ief. Corriente eficaz de un secundario. Pef. Potencia de un secundario
EJEMPLO DE CALCULO. Se quiere calcular un rectificador de doble onda para alimentar a una carga cuyos datos son: Vdc = 5 V
D1
Idc = 0.5 A
T1
A B C
RED 220V
R1 D2
Datos en la carga:
Vdc I dc RL =
por por
RL = 5V RL = 0,5 A
Vdc 5V = = 10 I dc 0,5 A
I dc = I mx I ef =
2 I mx I = dc 2 I mx 2
IT2,ID2
Vmx I mx
Vef = Vef =
Vmx 2 7,85
El diodo D1 queda polarizado directamente y conduce a travs de la resistencia RL y del diodo D3, hasta el punto B (A-D1-C-RL-D-D3-B), donde se cierra el circuito. Los diodos D2 y D4 estn polarizados inversamente. Se produce dos caidas de tensin Vd1 y Vd3, siendo la tensin en RL VRL = Vt - (Vd1 + Vd3) = Vt - 1,2V (para Vt>1,2 V.)
B)
El diodo D2 est polarizado en sentido directo a travs de RL y de D4 (B-D2-C-RL-D-D4-A). Los diodos D1y D3 estan polarizados inversamente. Se produce dos caidas de tensin Vd2 y Vd4, siendo la tensin en RL VRL = Vt - (Vd2 + Vd4) = Vt - 1,2V (para Vt>1,2 V.)
En ambos casos la corriente ha circulado en el mismo sentido por RL, siendo C positivo respecto a D. Vemos que los resultados sean similares a los del rectificador con toma intermedia, pero ahora VRL es inferior en 1,2V a Vt, ya que la corriente ha de atravesar dos diodos y provoca dos caidas de tensin en lugar de una.
Ejemplo de Clculo Se quiere calcular un rectificador de doble onda en puente para alimentar una carga cuyos datos son: Vdc=15V Idc=3.
2 . . 4
D4
D1
RED 220v
Vdc=15V RL
D3
D2
3
2 Vmax 2 I max I dc = V I Vmax = dc I max = dc 2 2 Vmax I max Vef = I ef = 2 2 15 Vmax = = 23,6V 2 3 I max = = 4,7 A 2 I FRM = I max = 4,7 A Vdc = I F ( AV ) = V RWM I dc 3 = = 1,5 A 2 2 = Vmax = 23,6V
Vef = I ef =
Vmax 2 I max
23,6 2 4,7
= 16,7V
PRCTICA
MATERIAL UTILIZADO 1 Transformador 220/6V+6V. 4 Diodos 1N4007. 1 Resistencia de carga 220 ohm 1 Osciloscopio 1 Polmetro. PROCESO OPERATIVO 1.- Realizar el montaje del circuito y calcular los datos caractersticos del diodo, transformador, teniendo en cuenta que: Resistencia de carga: 220 ohm Tensin eficaz del transformador: 6 V
2 . . 4
D4
D1
D1-D4 1N4007
1
RED 220v
D3
D2
3
RL 220ohm
4.- Observar en el osciloscopio y dibujar las tensiones que hay en el secundario del transformador (Vt), en los diodos (D1=D3 y D2=D4) y en la carga (VRL). 5.- Medir con el polimetro en continua, la tensin en la carga (VRL) y la corriente (IRL). 6.- Hacer una tabla comparando los valores medidos con el osciloscopio, con el polimetro y el terico.
Vef Trasnformador
Vmax
VdcRL
IdcRL
VmaxT/2 V en AC VefT*2
2*Vmax/ V en DC
Vdc/RL I en DC