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Cap. 30

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30/ Receptores de radio modernos

En el momento actual puede encontrar radios que se encuentran en diferentes etapas de


desarrollo. Va a encontrar las clásicas con tándem, dial y potenciómetro de volumen, sin
microprocesador, que son las más económicas y menos durables; otras tienen tándem y
frecuencímetro digital reemplazando al dial (que también opera como reloj de tiempo
real y despertador) y control de volumen con dos pulsadores; estas últimas poseen
microprocesador y por último, las más desarrolladas que poseen sintonía por teclado,
control de volumen a pulsadores y reloj de tiempo real y despertador con un
microprocesador muy desarrollado.
A continuación vamos a analizar al reemplazo moderno del potenciómetro de control de
volumen y luego el reemplazo del tándem por componentes de estado sólido sin
desgaste.
Control de volumen en estado sólido
Existen muchos circuitos que controlan una atenuación por variación de una tensión
continua de control. En nuestro caso podríamos considerarlos como un resistencia
variable cuyo valor depende de una tensión aplicada al circuito en un lugar distinto al
camino de la atenuación; para entender el concepto vamos a presentar el control de
volumen de estado sólido mas simple que se basa en dos diodos de silicio.

Fig.1 Atenuador controlado por tensión a diodos (máxima salida)


Ya conocemos las características alineales del diodo; las mismas nos permitieron
utilizarlo como detector de señales o rectificador y luego como conversor. Justamente
en este uso el diodo no pasa del corte a la conducción total, sino que utiliza la pequeña
sección curva de sus características. Es decir donde el diodo no tiene resistencia infinita
o nula, sino un cierto valor de resistencia que depende de la tensión continua aplicada al
mismo.
En nuestro circuito atenuador se utilizan dos diodos que estan polarizados por dos
fuentes.
• Una, variable, es el potenciómetro de control de volumen que posteriormente
veremos que se trata de una pata del microprocesador.
• La otra, fija, la provee en este caso el generador de funciones y se ajusta con
offset en este caso en .7V.
Tal como esta diseñado el circuito cuando el potenciómetro está a nivel mínimo el
resistor R2 hace conducir a pleno a D1 y mantiene cortado a D2 llevando la salida a
máximo que es lo que puede observarse en el osciloscopio y en las sondas, en las que
observamos que ingresan 20 mV pap y salen 15,6. Observe que utilizamos un diente de
sierra para que se puedan observar fácilmente las distorsiones del circuito.
En la figura 2 llevamos el potenciómetro a 1V observando que en este caso se obtiene el
caso contrario al anterior porque conduce D2 y se corta D1 produciéndose la máxima
atenuación del circuito que lleva la salida a 641 uV pap.

Fig.2 Atenuador controlado por tensión a diodos (mínima salida)


En realidad a 0,8V la salida es casi igual que a 1V es decir que podemos considerar que
esa tensión continua es la de salida nula. Si probamos el atenuador a 0,4V en el
potenciómetro encontramos que la salida es de 7 mV lo que nos indica que el control es
casi lineal.
Un problema de este atenuador a diodos es que no admite una gran señal de alterna,
porque se producirían distorsiones de la misma; prácticamente nosotros lo trabajamos al
límite de su funcionamiento sin distorsión.
De cualquier modo este circuito fue entregado solo para que el alumno pueda realizar
una adecuada práctica en el laboratorio virtual o real. En las radios modernas el
atenuador controlado por tensión se encuentra dentro del único integrado analógico que
las mismas suelen poseer y el reparador suele ignorar de que tipo de atenuador se trata.
Solo puede controlar la pata por donde entra la tensión continua de control y tal ves el
nivel de entrada al amplificador de audio de potencia que sigue al atenuador.
Tamden en estado sólido
Un tándem son dos o más capacitores variables unidos al mismo eje.
Lo que se necesita para reemplazarlo es un capacitor controlado por tensión. Ese
componente existe y es un viejo conocido nuestro que acabamos de utilizar: El diodo.
En efecto todo diodo conectado en inversa se comporta como un capacitor variable por
tensión y llegó el momento de que analicemos su funcionamiento interno para entender
como un rectificador es además una resistencia variable por tensión y ahora, un
capacitor variable por tensión. Y además tiene otro uso que aun no mencionamos que es
el de regulador de tensión.
Nosotros vamos a ir analizando lo que podríamos llamar usos especializados del diodo
de a poco a medida que los vayamos utilizando, para reforzar la explicación teórica con
la necesaria práctica de su aplicación. Así que a continuación vamos a explicar que
ocurre internamente en un diodo cuando conduce y cuando está polarizado en inversa,
hasta llegar a su comportamiento como capacitor.
Como sabemos el diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de
corriente en un determinado sentido y se bloquea en el sentido contrario. En la Figura
30.4.1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del
funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Fig.3 Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal


La curva presentada es evidentemente la de un diodo ideal ya que presenta resistencia
nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el
sentido opuesto. La resistencia nula está indicada por el hecho de que corriente se hace
infinita con una tensión positiva infinitalmente pequeña. Y la resistencia infinita está
manifestada porque la corriente inversa es nula aún para tensiones negativas
infinitamente grandes. La punta de la flecha del símbolo, indica el sentido permitido de
circulación de la corriente.
Existen diodos fabricados de diferentes modos pero en el momento actual todos se
fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de características
opuestas, es decir, uno de tipo P y otro de tipo N. El material básico de ambas zonas es
el silicio que posee 8 electrones en su ultima orbita y por lo tanto tiene gran afinidad por
combinarse con otros átomos de silicio, formando una estructura cristalina.
Esos cristales son prácticamente aisladores; solo poseen una corriente de perdida debido
a la recombinación casual de sus portadores naturales que se llaman portadores
minoritarios. Para que esos cristales conduzcan la electricidad se los mezclan con
materiales que poseen 7 o 9 electrones en su orbita exterior. En el primer caso se forma
una laguna (ausencia de un electrón) en el cristal, que evidentemente tiene signo
positivo y al material se lo llama tipo P. En el segundo caso se forman electrones libres
de la estructura cristalina y el material se llama N.
Ambos materiales impuros o enriquecidos son conductores de la electricidad debido al
agregado de portadores (llamados mayoritarios) pero son menos conductores que los
metales y más conductores que los aisladores. Un sándwich de material N y P forma un
diodo de juntura o de unión.
A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el resto del
circuito. En la Figura 4 se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se
fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.
Fig.4 Esquemas de diodos de unión PN
El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales implica algunas
desviaciones del comportamiento con referencia al diodo ideal. Vamos a presentar en
primer lugar el proceso de formación de los diodos de semiconductores, para pasar
después a exponer el comportamiento eléctrico y las desviaciones con respecto al
comportamiento ideal.
Suponga que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con
una frontera bien definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la
otra con tipo N, como lo indica la figura 5.
• La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo átomos con 7
electrones en la red cristalina (por ejemplo, boro).
• La zona N dispone de 9 electrones (por ejemplo fósforo)
En ambos casos se tienen también portadores de signo contrario, aunque en una
concentración varios órdenes de magnitud inferior a la cantidad de átomos de silicio de
la red cristalina (portadores minoritarios).

Fig.5 Dopado del silicio para la obtención de diodos PN


En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón que se libera en N queda un
átomo de fósforo fijo que es un ión positivo. Y por cada hueco móvil se forma un ión
negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos internos.
En el momento mismo de crear dos zonas P y N de diferente concentración de
portadores (electrones y huecos) entra en juego el mecanismo de la difusión que tiende
a llevar partículas de un lado al otro debido a la atracción de las cargas opuestas. El
efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y
se instalan en la zona contraria, es decir que los electrones de la zona N pasan a la zona
P y los huecos de la zona P pasan a la zona N.
Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en la
región de la zona P cercana a la unión. El electrón que pasa la unión se recombina con
un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrón la carga
total era nula. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga
positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa.
El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N.
En consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga, que es
positiva en la zona N y negativa en la zona P según lo indica la figura 6.

Fig.6 Formación de la unión PN


La distribución de cargas formada en la región de la unión genera un campo eléctrico
que se opone al movimiento de todos los portadores evitando la difusión total de los
mismos. Es decir que cerca de los terminales los materiales quedan como material N y P
originales (antes de unirlos). En la unión hay un equilibrio entre la fuerza de difusión
debida al movimiento browniano y la atracción de las cargas opuestas. Al final la fuerza
de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa el traslado de portadores. En
ese momento está ya formado el diodo de unión PN, y como resultado del proceso se
obtiene: una zona P, semiconductora, con una resistencia RP; una zona N,
semiconductora, con una resistencia RN y una zona llamada de agotamiento o depleción
en la zona de unión, que no es conductora, puesto que no posee portadores de carga
libres (todos los portadores están encajados en su lugar del cristal. Podemos asegurar
que en ella actúa un campo eléctrico, o bien que entre los extremos de la zona de unión
actúa una barrera de potencial.
Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en el
que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningún aporte de energía,
excepto el de la agitación térmica que produce el movimiento browniano y desencadena
la difusión.
Este bloque PN en principio, no permite el establecimiento de una corriente eléctrica
entre sus terminales, puesto que la zona de depleción es aisladora. Sin embargo, si se
aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que “empujará”
los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de depleción. Sin
embargo, mientras ésta exista no será posible la conducción.

Fig. 7 Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera


Si la tensión aplicada supera la barrera, desaparece la zona de depleción y el diodo
conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo que indicamos en la figura
8.

Fig. 8 Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera


Los electrones y huecos se dirigen a la unión. En la unión se recombinan. Es decir que
polarizar un diodo PN en directa es aplicarle una tensión positiva a la zona P y negativa
a la zona N. Un diodo PN conduce cuando se lo polariza en directa porque la zona de
depleción se inunda de cargas móviles.
La tensión aplicada se emplea en vencer la barrera de potencial y mover los portadores
de carga.
Al contrario de lo anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la
zona P, se retiran los portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son
atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de depleción. Esto hace
que la corriente debido a los portadores mayoritarios se haga nula.

Fig.9 Diodo PN polarizado en inversa


Ahora bien, en ambas zonas P y N hay portadores minoritarios (los que se generan
naturalmente en el material no dopado). Un diodo polarizado en inversa lo está en
directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos
portadores minoritarios crea también una corriente, aunque muy inferior que la obtenida
en polarización directa para los mismos niveles de tensión.
Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la
zona de depleción, al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede
ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los
átomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo,
ello no significa necesariamente la destrucción del diodo, mientras la potencia
consumida por el mismo se mantenga limitada).
La característica tensión-corriente real puede observarse en la figura siguiente.
Fig.10 Característica V-I de un diodo de unión PN real
Para tensiones positivas, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se
alcanza la tensión de barrera (VON). El paso de conducción a corte no es instantáneo: a
partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P
y N. La intensidad que circula por la unión aumenta rápidamente. En el caso de los
diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0,7 V.
Para tensiones negativas, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los
mismos niveles de tensión que en directa, hasta que se llega a la tensión de ruptura, en
la que de nuevo aumenta en forma violenta.
Ya conocemos los usos del diodo en polarización directa como rectificador, como
detector y como conversor de frecuencia. Todos estos usos se basan en la alinealidad
extrema del cuadrante de polarización positiva de la juntura o al hecho de que entre los
extremos, no conductor a conductor, el grafico de resistencia es evidentemente curvo.
Polarización inversa – El zener y el varicap
Aun no tratamos la polarización inversa que tiene tanta aplicación como la directa. En
efecto; en inversa funcionan los conocidos como diodos zener que son dispositivos
reguladores de tensión. La tensión de ruptura es fuertemente dependiente de la
construcción y el dopado y entonces el fabricante la puede manejar a su antojo entre
valores de 3,3 y 150V. Por lo general los diodos zener admiten una disipación de
potencia de 500 mW para los mas pequeños y 1W para los más grandes. Mientras no se
superen estos valores el diodo puede funcionar en su tensión de ruptura todo el tiempo
que se desee. En la figura 11 se puede observar una fuente de tensión fija de 12V como
aplicación de un diodo zener.

Fig.11 Adaptador de fuente para automóvil 12/6V 1A


En el ejemplo de aplicación se observa un zener que regula en 6,8V aplicado a la base
de un transistor de potencia. En el emisor se obtienen unos 800 mV menos pero a una
corriente por la carga de 1A prácticamente. De este modo el circuito reduce y regula los
12V de la batería del auto para un equipo que requiera 6V y 1A de consumo.
Recomendamos que el alumno pruebe el circuito variando la tensión de fuente entre 11
y 13,5V y anote la minima variación de la tensión de salida. También puede variar la
resistencia de carga y observar que la tensión de salida prácticamente no cambia.
El varicap es una aplicación de corriente alterna del diodo polarizado en inversa. Según
la teoría expuesta cuando el diodo se polariza en inversa solo circula una minima
corriente por él debida a la recombinación de portadores minoritarios. Pero sobre la
juntura se encuentra una gran cantidad de carga eléctrica fija, que depende de la tensión
aplicada. Estas dos cualidades son las mismas que posee un capacitor variable y por lo
tanto podemos imaginarnos al diodo como un capacitor dependiente de la tensión.
Por supuesto que el diodo varicap tiene sus limitaciones. Sobre el no puede existir una
tensión alterna muy alta porque se transformaría en un capacitor alineal cuya capacidad
varia con el ciclo de la tensión alterna superpuesta sobre él, en tanto dicha tensión sea
una parte considerable de la tensión continua de polarización inversa.
La aplicación inmediata de un diodo varicap es un circuito de sintonía de frecuencia
variable que podría ser por ejemplo la bobina de antena de un superheterodino moderno
de estado sólido. En la figura 30.5.2 mostramos el correspondiente circuito.

Fig.12 Circuito de antena con diodo varicap a 0V


Leyendo con el cursor podemos observar que el pico de resonancia se encuentra a unos
500 KHz. Si se modifica la posición del cursor del potenciómetro se puede observa que
la resonancia va aumentando de frecuencia hasta que a los 12V llega a unos 1800 KHz,
con lo cual se cubre toda la banda de OM.
Los diodos varicap se fabrican en diferentes versiones de capacidad y tensión pero a
grandes rasgos podemos decir que hay diodos de baja tensión (12V) y de alta tensión
(30V). Los primeros se suelen usar en radios y los segundos en TV.
Conclusiones
En este capítulo comenzamos a analizar los receptores de radio modernos. Como
necesitábamos dos componentes controlados por tensión los buscamos y encontramos
que nuestro viejo conocido, el diodo, se podía comportar tanto como atenuador
controlado por tensión y como un capacitor controlado por tensión.
Para afianzar nuestro conocimiento indicamos dos circuitos para armar realmente o para
simular y probar en el laboratorio virtual Multisim. Aconsejamos al lector que no deje
de realizar las simulaciones que es el mejor modo de estudiar.

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