Amplificadores Sintonizados

Tema 4:
AMPLIFICADORES SINTONIZADOS
EN RADIO FRECUENCIA
S ISTEMAS DE R ADIOCOMUNICACI ÓN - Ángel de la Torre - TSTC - UGR pág. 1

Tema 4: AMPLIFICADORES SINTONIZADOS EN RF
4.1.- Introducción
4.2.- Transistores BJT y MOSFET (repaso)
4.3.- Amplificadores en pequeña señal
4.4.- Modelo en parámetros
4.5.- Estabilidad del amplificador
Criterio de Linvill
Criterio de Stern
Obtención de estabilidad
Realimentación
4.6.- Ganancia de potencia en amplificación
4.7.- Diseño con dispositivo incondicionalmente estable
Con realimentación
Sin realimentación
4.8.- Diseño con dispositivo potencialmente inestable
Estabilización sin realimentación con fijo
Estabilización sin realimentación con y libres
4.9.- Diseño de etapa amplificadora sintonizada
Adaptación de impedancias y polarización
Procedimiento de diseño
S ISTEMAS DE R ADIOCOMUNICACI ÓN - Ángel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF pág. 2
4.1.- INTRODUCCIÓN
En radiocomunicaciones se necesitan amplificadores sintonizados: (en transmisor y receptor)
Amplificadores sintonizados ( grande), grandes ganancias
La estabilidad puede ser un problema: oscilaciones no deseables
Objetivo del tema: diseño y análisis de amplificadores sintonizados en RF
4.2.- TRANSISTORES BJT Y MOSFET (repaso)
EL TRANSISTOR BJT:
BJT: Bipolar Junction Transistor
(transistor bipolar de unión)
Regiones de operación:
Activa , (en npn)

Saturación , (en npn)
Corte , (en npn)
Activa inversa: , (en npn)
Comportamiento fı́sico del transistor:

Activa, saturación, corte, activa inversa
Uso del transistor BJT
En electrónica analógica: activa
En electrónica digital: corte y saturación
Comportamiento fı́sico: ecuaciones de Ebers Moll:
donde ( mV a ambiente)
En activa, y
En activa podemos describir el comportamiento con estas ecuaciones:
donde y son parámetros dependientes del dispositivo

En activa, la corriente de colector se controla mediante la tensión base-emisor (o medi-
ante la corriente de base)
Operación en activa: depende de
Efecto Early (modulación de anchura de la base)
MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL BJT:
El modelo de pequeña señal se obtiene linealizando en torno al punto de polarización
Modelo en parámetros (a partir de fı́sica del dispositivo)
: resistencia distribuida de base (pequeña)

: resistencia unión CB polarizada en inverso (muy grande)
: capacidad de unión CB polarizada en inverso (capacidad de transición)
: relación entre e
: capacidad de unión BE polarizada en directo (capacidad de difusión más capacidad de transición)
: transconductancia, relación entre e
: relación entre e (modela efecto Early)
Los parámetros , y dependen del punto de polarización:
La capacidad corresponde a la capacidad de transición de una unión pn polarizada en inversa:
donde depende del perfil de dopado ( del orden de 1 pF)

La capacidad incluye la capacidad de difusión y la de transición:
donde es el tiempo de tránsito de los portadores en la base ( del orden de decenas de pF)
Las capacidades condicionan el comportamiento en alta frecuencia (se pueden despreciar a baja frecuen-
cia pero influyen a alta frecuencia)
A partir de una cierta frecuencia, la ganancia en corriente disminuye:
siendo la (para la que )
EL TRANSISTOR MOSFET:
MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
(transistor de efecto campo metal-óxido-semiconductor)
Dispositivo de 4 terminales:
Sustrato o cuerpo (Bulk o Body, B)
Puerta (Gate, G)
Fuente (Source, S)
Drenador (Drain, D)
Comportamiento fı́sico del transistor:
Si la tensión supera el umbral , se crea un canal con
portadores libres(por efecto campo)
Si la tensión supera el umbral , el canal llega hasta el
drenador
Cuando hay canal entre fuente y drenador, hay conducción
óhmica (en triodo u óhmico)
Si no hay canal, no conduce (en corte)
Si , pero el canal no llega al drenador
y todos los portadores del canal llegan al drenador: (en satu-
ración). La corriente de drenador controlada por
En electrónica analógica, se usa en saturación
Comportamiento análogo al BJT con varias diferencias:
Dispositivo de puerta aislada
menor
Dependencia distinta a
Regiones de funcionamiento:
Saturación , (MOSFET de canal n)

Óhmica , (MOSFET de canal n)
Corte , (MOSFET de canal n)
En zona de comportamiento óhmico:
En zona de saturación:
siendo
donde:
(o ) es la movilidad de los portadores (electrones/huecos en MOSFET de canal n/p)
es la capacidad del óxido
es la anchura del canal
es la longitud del canal
Efecto Body: la tensión umbral depende de la tensión sustrato-fuente (normalmente el sustrato es-
tará cortocircuitado con la fuente o a la tensión más baja del circuito)
Operación en saturación: depende de
Efecto de modulación de longitud del canal (equivalente a efecto Early)
Tipos de MOSFET
En cuanto al tipo de canal:
De canal n (sustrato p, fuente y drenador n)
De canal p (sustrato n, fuente y drenador p)
En cuanto a la tensión umbral:
Si para hay canal, se llama MOSFET de , de , o de tipo (ocurre
si en MOSFET de canal n, o si en MOSFET de canal p)
Si para no hay canal, se llama MOSFET de , de , o de tipo (ocurre si
en MOSFET de canal n, o si en MOSFET de canal p)
MOSFET de canal n de realce MOSFET de canal p de realce
MOSFET de canal n de deplexión MOSFET de canal p de deplexión
MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL MOSFET:
El modelo de pequeña señal se obtiene linealizando en torno al punto de polarización
Para simplificar supondremos sustrato y fuente cortocircuitados (capacidades a sustrato
y se eliminan)
: capacidad del canal (debida a la estructura MOS; grande)

: capacidad del canal (debida a la estructura MOS; grande)
: capacidad drenador-sustrato (que está cortocircuitado con fuente)
: transconductancia, relación entre e
: relación entre e (modela efecto modulación de longitud del canal)
Los parámetros y dependen del punto de polarización:
La capacidad corresponde a la capacidad de la estructura MOS en el canal (y es del orden de algunos

pF):
Las capacidades y son varias veces menores que

Las capacidades condicionan el comportamiento en alta frecuencia (se pueden despreciar a baja frecuen-
cia pero influyen a alta frecuencia)
La frecuencia de transición es:
CONFIGURACIONES AMPLIFICADORAS CON BJT:
emisor común colector común base común

impedancia de entrada media alta baja
impedancia de salida alta baja muy alta
ganancia de corriente
ganancia de voltaje alta alta
ganancia de potencia muy alta media alta
frecuencia de corte
CONFIGURACIONES AMPLIFICADORAS CON MOSFET:
fuente común drenador común

impedancia de entrada muy alta muy alta
impedancia de salida media baja
ganancia de voltaje alta
frecuencia de corte
4.3.- AMPLIFICADORES EN PEQUEÑA SEÑAL
Amplificador en implica:
(1) Amplitudes suficientemente pequeñas para que los dispositivos activos se puedan modelar mediante
modelos lineales
(2) El voltaje de salida es proporcional al voltaje de entrada
¿Cuál es el lı́mite dentro del cual puedo considerar que un BJT o un MOSFET operan en pequeña señal?
Estudio de linealidad en un amplificador EC sintonizado
Suposiciones:
Capacidades internas del transistor suficientemente pequeñas a
Capacidades de desacoplo suficientemente grandes a
Despreciamos efecto Early
Resistencias de polarización y suficientemente grandes
A la frecuencia de resonancia , impedancia de carga
Ganancia en :
Si aumentamos la amplitud de deja de tener comportamiento lineal y abandonamos

la zona de operación en pequeña señal:
Desplazamiento del punto de polarización
Ganancia dependiente de la amplitud de la señal de entrada
Aparición de armónicos
Supongamos entrada:
La intensidad de colector viene dada por las ecuaciones de Ebers Moll:
donde se ha definido
La función es periódica y por tanto admite un desarrollo en serie de Fourier:
siendo las funciones de Bessel modificadas de primera especie

La intensidad de colector queda:
En pequeña señal ( ):
Análisis en gran señal:
El término produce un desplazamiento del punto de polarización:
Para , se incrementa un 6.3 %; para , se incrementa un 26.6 %
El término hace que la ganancia dependa de la amplitud de la señal de entrada:
Para , se incrementa un 3.2 %; para , se incrementa un 13.0 %
La ganancia dependiente de la amplitud da lugar a una distorsión. La distorsión tolerable determina el
lı́mite tolerable de amplitud de entrada (para mV, amplitudes incrementadas 1dB)
Los términos con dan lugar a armónicos de frecuencias (filtrados)
Análisis en gran señal para un MOSFET
Un valor grande de (comparado con ) tiene dos efectos:

Desplaza el punto de polarización del MOSFET
Da lugar a la aparición de un armónico de frecuencia
Sin embargo, no afecta a la ganancia para la componente
En la práctica, las no linealidades se hacen importantes para superiores a 400 mV
(en BJT para 25 mV)
4.4.- MODELO EN PARÁMETROS
Modelos de pequeña señal:
Basados en la fı́sica del dispositivo:

Aplicables en un rango amplio de frecuencias
Valores fijos en este rango de frecuencias
Adecuados para análisis mediante ordenador
Modelo en parámetros (parámetros de admitancia)
Modelo de cuadripolo (dispositivo con entrada y salida)
Útil para análisis de estabilidad y ganancia
Útil para análisis de realimentación
Los parámetros toman valores complejos especı́ficos para cada frecuencia
PARÁMETROS DE ADMITANCIA DE UN CUADRIPOLO
Cualquier dispositivo lineal de dos puertos se puede describir mediante las ecuaciones:
donde e son las admitancias de la fuente y de la carga, respectivamente, y donde ,

, e son los parámetros de admitancia en cortocircuito del dispositivo:
Ganancia de tensión y corriente, y admitancias de entrada y salida ( , , e ):
Ejemplo de cálculo de parámetros
Parámetros de admitancias de la red:
Ganancia de tensión y corriente, y admitancias de entrada y salida
PARÁMETROS DE UN MOSFET
PARÁMETROS DE UN BJT SIN
PARÁMETROS DE UN BJT CON
4.5.- ESTABILIDAD DEL AMPLIFICADOR
Circuito estable: libre de oscilaciones indeseables
Cualquier circuito es inestable si a la entrada recibe suficiente señal de la salida con la
fase adecuada
Acoplamiento entre salida y entrada:
A través de elementos internos: en BJT o en MOSFET
A través de elementos externos (red de realimentación)
Objetivo del amplificador:
Máxima ganancia de potencia
Estabilidad
Criterios de estabilidad:
Para dispositivos: Factor de Linvill
Para circuitos: Factor de Stern
incondicionalmente estable
Re
circuito estable
Re
FACTOR DE ESTABILIDAD DE LINVILL
El factor de estabilidad de Linvill se define como:
Re
Determina la estabilidad del dispositivo en el peor de los casos (con ambos puertos en
circuito abierto, es decir, )
Si el dispositivo es incondicionalmente estable (estable independientemente de
las admitancias de fuente y carga)
Si el dispositivo es potencialmente inestable (puede ser inestable para determi-
nados valores de las admitancias de carga y fuente)
Algunos BJTs y MOSFETs son potencialmente inestables en algunas frecuencias de-
bido a y
Factor de Linvill: ejemplo
Estudiar la estabilidad de un transistor 2N4957 a MHz, con mA y
V en emisor común
Consultando gráficas podemos ver:
m m
m m
m m
potencialmente inestable
Re
Obtención de parámetros de admitancia
FACTOR DE ESTABILIDAD DE STERN
Al añadir impedancias de fuente y carga finitas, la estabilidad tiende a mejorar
El factor de estabilidad de Stern se define como:
Re
Si el circuito es estable
Si el circuito es potencialmente inestable
Cuanto mayor sean y , mejor es la estabilidad (aunque disminuye la ganancia)
Si es próximo a 1, riesgo de inestabilidad por realimentaciones con elementos parásitos
Valores recomendados:
Factor de Stern: ejemplo
V en emisor común, con y k
m m
m m
m m
m m
m m Re m
circuito estable
Re
ESTABILIDAD EN CIRCUITOS REALIMENTADOS
Si consideramos una red de realimentación externa, podemos aplicar los criterios de
Linvill y Stern a la red completa
Para el análisis debemos considerar los parámetros de admitancia de la red completa:
Estabilidad en circuitos realimentados: ejemplo
V en emisor común, con y k al que se ha colocado una
capacidad pF entre colector y base
Parámetros del transistor:
m m
m m
Parámetros del circuito realimentado:
m m
m m
Factores de Linvill y Stern:
m m
m m
m m Re m
Re
Re
ESTABILIZACIÓN DE UN AMPLIFICADOR
La inestabilidad del circuito es debida a la trayectoria de realimentación:
Interna: a través de
Externa: a través de
Métodos de estabilización del circuito:
Unilateralización: Elegir que hace anula
Neutralización: Si es compleja (tiene parte real e imaginaria) es difı́cil encontrar
la red que hace que se anule; si se hace siendo , queda
suficientemente pequeña como para garantizar estabilidad: amplificador
neutralizado
Disminuir las resistencias de carga y de fuente mejora la estabilidad (a costa de re-
ducir ganancia); se recomienda
Re Re
Ejemplo de neutralización:
y se eligen para anular
Queda:
4.6.- GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICACIÓN
Definiciones de ganancia de potencia:
Ganancia de potencia de operación:
Ganancia de transductor:
Ganancia disponible:
Máxima Ganancia Disponible MAG:
GANANCIA DE POTENCIA DE OPERACIÓN
es la ganancia de potencia desde la entrada del amplificador hasta la carga:
potencia entregada a la carga

potencia en el puerto de entrada
Toma el valor:
GANANCIA DE POTENCIA DEL TRANSDUCTOR
es el cociente entre la potencia entregada a la carga y la potencia disponible en la
fuente:
potencia entregada a la carga
potencia disponible en la fuente
Se asume que el acoplamiento entre la fuente y el amplificador es óptimo:
Toma el valor:
GANANCIA DE POTENCIA DISPONIBLE
es la máxima ganancia que puede proporcionar el amplificador:
potencia disponible en el puerto de salida
potencia disponible en la fuente
Se asume que el acoplamiento entre la fuente y el amplificador es óptimo:
Se asume que el acoplamiento entre el amplificador y la carga es óptimo:
Toma el valor:
Re
MÁXIMA GANANCIA DISPONIBLE MAG
MAG es la ganancia teórica del amplificador suponiendo
En tal caso, se verifica:
Se asume acoplamiento óptimo en fuente y carga

MAG representa el lı́mite superior teórico de ganancia que puede obtenerse con el dis-
positivo activo
Su valor se obtiene de o de haciendo , con , :
MAG
GANANCIA DE POTENCIA Y DISEÑO DEL AMPLIFICADOR
MAG proporciona un lı́mite máximo teórico (si )
En general, y la ganancia máxima de potencia se obtiene cuando hay
acoplamiento de admitancias de fuente y carga ;
Esta condición es difı́cil de conseguir, ya que depende de , e depende de
Cuando se consigue esta condición, = ; si no se consigue,
Objetivo del diseño: maximizar (ganancia de operación) o (ganancia del trans-
ductor) manteniendo la estabilidad
Si el dispositivo es incondicionalmente estable, se pueden buscar los valores
que maximizan la ganancia (que hacen )
Si el dispositivo es potencialmente inestable:
Realimentación para unilateralizar o neutralizar, y buscar entonces las admitancias
que maximizan (que hacen )
O bien buscar las admitancias que maximizan para un factor de Stern
adecuado
DISEÑO DEL AMPLIFICADOR
Dispositivo incondicionalmente estable ( ):
Con realimentación (unilateralizado): MAG
Sin realimentación:
Dispositivo potencialmente inestable ( ):
Con realimentación:
Unilateralizado: MAG
Neutralizado con :
Neutralizado con : t.q.
Sin realimentación con : t.q.
4.7.- DISEÑO CON DISPOSITIVO INCOND. ESTABLE
AMPLIFICADOR UNILATERALIZADO (con realimentación)
La red de realimentación que proporciona unilateralización estarı́a formada por con
De este modo, como , queda y por tanto

Los parámetros de la red completa serı́an:
Las admitancias de entrada y salida serı́an:
e son independientes de e : la sintonización de la red no afecta al acoplamien-
to de impedancias; útil en diseño multietapa
Ganancia de potencia del transductor unilateralizado:
Si hay acoplamiento de impedancias de fuente y carga ( , ) estamos

en condiciones de máxima ganancia de potencia:
MAG
AMPLIFICADOR SIN REALIMENTACIÓN
Se deben elegir las admitancias de carga y fuente que maximicen la ganancia de poten-
cia:
donde:
Puesto que no se anula, afecta a ,e afecta a , por lo que el cálculo de

e no es inmediato
Se trata de determinar:
que maximicen :
, se pueden obtener derivando con respecto a , , y e igualando
las derivadas a 0:
Re Im
Re Im
El valor de obtenido en estas condiciones es:
Re Re
4.8.- DISEÑO CON DISPOSITIVO POTENC. INESTABLE
Si realimentamos y conseguimos unilateralizar, la red realimentada es incondicional-
mente estable y se sigue el procedimiento visto para dispositivos unilateralizados
Si realimentamos y neutralizamos, haciendo el dispositivo incondicionalmente estable,
podemos aplicar el procedimiento anterior para hacer ,
Si la neutralización no hace el dispositivo incondicionalmente estable o si no realimen-
tamos y es potencialmente inestable, debemos elegir las admitancias de carga y fuente
que hagan suficientemente grande
ESTABILIZACIÓN SIN REALIMENTACIÓN CON FIJO

El criterio de Stern indica que podemos conseguir estabilidad sin realimentar haciendo
y suficientemente grandes
Usualmente, en RF debe fijarse por consideraciones de ruido
Fijado y (el factor de Stern deseado), se obtiene despejando en:
Re
y se obtienen mediante un procedimiento iterativo
Pretendemos:
Im Im
donde:
Procedimiento iterativo:
1. Inicializamos:
2. A partir de calculamos y obtenemos
3. A partir de calculamos y obtenemos
4. Iteramos (2) y (3) hasta convergencia
5. Una vez obtenidos e se puede calcular la ganancia del transductor
ESTABILIZACIÓN SIN REALIMENTACIÓN CON Y LIBRES
Si y se pueden elegir sin restricciones, podemos establecerlos para que maxim-
icen para un valor dado de :
Re
Re
Y los valores de y se obtendrı́an mediante el proceso iterativo anterior
4.9.- DISEÑO DE AMPLIFICADOR SINTONIZADO
ADAPTACIÓN DE IMPEDANCIAS Y POLARIZACIÓN

A partir de un dispositivo activo sabemos calcular los valores e que proporcionan
la ganancia y estabilidad adecuados
Necesitamos adaptar las impedancias de fuente y carga reales a estos valores
Necesitamos sintonizar (establecer frecuencia de resonancia y ancho de banda)
Redes de adaptación de impedancias (tapped inductor o tapped capacitor)
Considerar las susceptancias ( y ) en la red de adaptación de impedancias
Necesitamos polarizar el transistor
Redes de polarización (condensadores de desacoplo, RFCs)
Ejemplo:
, , transforman en , sintonizan y compensan
, , transforman en , sintonizan y compensan
y polarizan el transistor (fijan la tensión de base en DC)
RFC son para aislar la base en pequeña señal
polariza el transistor (fija la corriente de colector en DC)
pone a tierra el emisor en pequeña señal
En DC, el colector está a debido a la bobina
Conviene poner un blindaje a tierra entre los conductores de colector y base para evitar
capacidades parásitas
La capacidad pone a tierra en pequeña señal
Si es necesario, se puede añadir circuito de unilateralización o neutralización
PROCEDIMIENTO DE DISEÑO
1. Se elige el transistor adecuado teniendo en cuenta los requerimientos de ganancia, fre-
cuencia, figura de ruido, etc.
2. Se determinan los parámetros de admitancias del transistor a la frecuencia de trabajo
3. Se determina la estabilidad del dispositivo (factor de estabilidad de Linvill), y del cir-
cuito (factor de estabilidad de Stern) considerando los distintos casos (realimentación
para unilateralización o neutralización, etc.) y se determinan las admitancias e
de carga y de fuente adecuadas
4. Se determinan las impedancias de la fuente de señal y de la carga (usualmente
50 )
5. Se diseñan las redes de adaptación de impedancias
Transformación de impedancias, teniendo en cuenta las susceptancias y de
entrada y salida del amplificador
Frecuencia de trabajo y ancho de banda
Usualmente redes tapped capacitor o tapped inductor

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Activa , (en npn)

Comportamiento fı́sico del transistor:

En activa podemos describir el comportamiento con estas ecuaciones:

donde y son parámetros dependientes del dispositivo

: resistencia distribuida de base (pequeña)

La capacidad corresponde a la capacidad de transición de una unión pn polarizada en inversa:

donde depende del perﬁl de dopado ( del orden de 1 pF)

siendo la (para la que )

Saturación , (MOSFET de canal n)

En zona de comportamiento óhmico:

MOSFET de canal n de realce MOSFET de canal p de realce

MOSFET de canal n de deplexión MOSFET de canal p de deplexión

: capacidad del canal (debida a la estructura MOS; grande)

La capacidad corresponde a la capacidad de la estructura MOS en el canal (y es del orden de algunos

Las capacidades y son varias veces menores que

emisor común colector común base común

fuente común drenador común

Si aumentamos la amplitud de deja de tener comportamiento lineal y abandonamos

La intensidad de colector viene dada por las ecuaciones de Ebers Moll:

siendo las funciones de Bessel modiﬁcadas de primera especie

Un valor grande de (comparado con ) tiene dos efectos:

Basados en la fı́sica del dispositivo:

donde e son las admitancias de la fuente y de la carga, respectivamente, y donde ,

Parámetros de admitancias de la red:

Ganancia de tensión y corriente, y admitancias de entrada y salida

Ganancia de potencia de operación:

Máxima Ganancia Disponible MAG:

potencia entregada a la carga

Se asume que el acoplamiento entre el ampliﬁcador y la carga es óptimo:

Se asume acoplamiento óptimo en fuente y carga

AMPLIFICADOR UNILATERALIZADO (con realimentación)

La red de realimentación que proporciona unilateralización estarı́a formada por con

De este modo, como , queda y por tanto

Las admitancias de entrada y salida serı́an:

Si hay acoplamiento de impedancias de fuente y carga ( , ) estamos

Puesto que no se anula, afecta a ,e afecta a , por lo que el cálculo de

El valor de obtenido en estas condiciones es:

ESTABILIZACIÓN SIN REALIMENTACIÓN CON FIJO

Y los valores de y se obtendrı́an mediante el proceso iterativo anterior

ADAPTACIÓN DE IMPEDANCIAS Y POLARIZACIÓN

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