Taller BJT

Teoría de Dispositivos
Integrantes:
Iván Andres Medina Sáenz
Camilo Andres Mur Parra
Taller: Principios de operación del BJT
Objetivo: Explicar los principios de operación del transistor de unión bipolar a partir
de su estructura física.
1. Describa en detalle las regiones semiconductoras del BJT, dibuje.

2. Explique los tres fenómenos que se presentan en la región de la base cuando un BJT se polariza
para región activa. Cuáles son las condiciones para región activa, dibuje el circuito de
polarización y dibuje el sentido del flujo de electrones.
3. Explique el significado de los nombres de las regiones del BJT: Emisor, Base y Colector.
4. Por qué el BJT tiene una baja impedancia de entrada.
5. Explique la acción amplificadora del BJT.
6. Qué significa que el BJT es un dispositivo no lineal, explique en detalle.
Solución
1. Describa en detalle las regiones semiconductoras del BJT, dibuje.
El acrónimo BJT significa Bipolar Junction Transistor, nada más que eso en español Transistor de unión
bipolar. El transistor incluye tres regiones Dopaje de semiconductores. El área del semiconductor de este
transistor es: Zona de lanzamiento, zona de referencia y zona de recogida; si se habla Transistores PNP,
estas regiones son de tipo P, tipo N y tipo P respectivamente, si En cambio, este es un transistor NPN,
entonces estas áreas serán Tipo N, Tipo P y Tipo N.
La arquitectura de este transistor admite:
La base está ubicada entre las regiones emisor y colector, y su resistividad es Alto, pero su estimulante
es bajo. El área del colector rodea al emisor, por lo que se inducen electrones En el momento de la
polarización, no escaparán del colector, y luego las constantes α y β alcanzan valores importantes, y en
el caso de α, sus valores se acercan a Saber que está relacionado con α para obtener un valor mayor.
Partiendo de la idea de que los transistores BJT no tienen una estructura simétrica, si cambie el colector
por el emisor y viceversa, el transistor ya no está polarizado de forma directa, funcionará a la inversa,
luego α y β constantes, Ya no tendrán el valor alto esperado cuando estén polarizados. Activo, pero en
cambio, estos valores serán muy bajos.
Asimetría, el dopaje en el dispositivo se debe a la tasa de dopaje presente en el recolector y el
dispositivo.
Transmisor; el emisor tiene un alto nivel de dopaje y el colector tiene la razón por la que una pequeña
cantidad de impurezas puede establecer una conexión inversa colector-base y no provocará la avería del
transistor; en este sentido, la mayoría el transportista es del emisor y usan fuera de servicio.
Imagen 1
Imagen 2
2. Explique los tres fenómenos que se presentan en la región de la base cuando un BJT se
polariza para región activa. Cuáles son las condiciones para región activa, dibuje el circuito
de polarización y dibuje el sentido del flujo de electrones.
La región activa es la forma normal de funcionamiento del transistor donde existen corrientes en todos
los terminales del BJT; dado la polarización que se le da, en la unión base-emisor existen una
polarización en directa y en la unión base-colector se establece una polarización inversa. Esta región se
encuentra intermedia entre la región de corte y la región de saturación y es ideal para lograr una
amplificación de
corriente, voltaje o potencia.
Para lograr tal polarización es necesario llevar al transistor a trabajar bajo unas condiciones especiales
de tensiones y corrientes, las cuales son:
VBE = 0.7V
VCE > 0.2V
Para hacer que el BJT alcance ese valor, es correcto usar una resistencia la unión se puede polarizar
entre la base y el emisor, y luego con fuente de alimentación; la corriente básica que se puede alcanzar
de esta manera será impartido por: Ib = (Vcc -VBE) /R, la tensión colector-emisor será: VCE=
Vcc>Vcsat.
Para lograr esto, el transistor no solo funciona en la región activa, sino también en cambie su valor de
voltaje para que pueda cortar o cuando está saturado, es importante establecer un circuito de resistencia
conectado a la resistencia transistor.
Imagen 3
Imagen 4
Imagen 5
3. Explique el significado de los nombres de las regiones del BJT: Emisor, Base y Colector.
En un transistor BJT, su área tiene una función que le da significado, los nombres son los siguientes:
 Emisor: La razón del nombre es que esta es el área más fuerte. Portadores mayoritarios de
dopaje, "emisión" o "inyección" base. Estos portadores mayoritarios cambian entre electrones u
huecos, si es un transistor tipo NPN o PNP.
 Base: Su nombre implica una acción de apoyo, y lo hace, aunque su tamaño es mucho más
pequeño que el transmisor, incluso mucho más grande que el colector el bajo dopaje permite que
los transportistas pasen por el emisor original inyecte para que puedan llegar al colector. En otras
palabras, se llama base porque se refiere a lo que realmente es forma las otras dos partes del
transistor.
 Colector: Como su nombre invita a pensar, el coleccionista ha recopilado del emisor y
previamente aprobado base. Como se mencionó anteriormente, el nivel más bajo en el área
estimulante que las otras dos regiones.
4. Por qué el BJT tiene una baja impedancia de entrada.
En la unión emisor-base, en la polarización directa, se conoce la impedancia el dopaje de cada zona está
relacionado con el dopaje, con emisor altamente dopado y base poco dopada, la impedancia relativa
idealmente puede ser imagine una impedancia que tiende al infinito, otra impedancia que tiende a cero,
realice las operaciones de adición en paralelo necesarias para obtener la tendencia de impedancia es
cero, que es muy bajo. Esto prueba que el transistor BJT polarizar la zona activa, es decir, evitar cortes o
saturaciones, se utiliza como amplificador lineal o de alta fidelidad, utilizando la señal como lo
suficientemente grande para no llevar el transistor a la región de corte, amplifique y obtenga una señal
de igual forma y frecuencia en la salida, pero la amplitud es mayor.
5. Explique la acción amplificadora del BJT.
Lo primero que debe hacer es polarizar el transistor BJT e intentar encontrar su unión. Realice la
operación Q cerca del punto medio de la línea de carga actual para lograr este objetivo, una señal
continua de baja amplitud energía CA en la base. Dado que la señal acoplada es una señal fluctuante,
fluctúa en la corriente de la misma forma y con la misma frecuencia. Colector Ic; por lo tanto, si la señal
de frecuencia f es onda sinusoidal, habrá una señal de onda sinusoidal en la salida, la misma frecuencia
f, pero la amplitud se amplifica. Tal amplificador es se considera de alta fidelidad o lineal porque no
causa forma de la señal. Si la señal de entrada está entre los límites el valor aceptable del transistor, es
decir, si es lo suficientemente pequeño, su salida se ampliará sin cambiar la forma, pero, en el segundo
caso, la señal de entrada es demasiado alta y su amplificación hará que el transistor funcione por lo
tanto, en la región de recorte y recorte, la señal amplificada se emitirá corta sus picos, tienen una
apariencia aproximadamente cuadrada, por lo que por lo tanto, la ampliación ya no se considerará de alta
fidelidad porque el cambio en la forma de la señal en comparación con la entrada.
Imagen 6
6. Qué significa que el BJT es un dispositivo no lineal, explique en detalle.
Empiece por mantener el principio de que los transistores BJT no son más que conjuntos en los dos
diodos, la naturaleza y el rendimiento del transistor hacen necesario analizar los parámetros del diodo
son los mismos. El diodo es un dispositivo semiconductor electrón no lineal, se ha determinado su curva
característica de comportamiento tenga fácilmente una curva exponencial; aplique igual o mayor que el
voltaje de ruptura a través del diodo (el diodo de silicio es 0,7, el diodo de silicio es 0,3 germanio), su
respuesta es un crecimiento exponencial; de manera similar, los transistores es el conjugado de dos
diodos, tienen en la unión de sus regiones el comportamiento típico de los diodos, por lo que los
transistores también tienen la respuesta exponencial del diodo al voltaje de entrada, la diferencia es que
depende del voltaje aplicado y polarización, el transistor funcionará en diferentes áreas, proporcione uno
u otro pros y contras; use dichas áreas bajo ciertas condiciones, y necesitar. Cabe mencionar que la no
linealidad del transistor también es relacionada con la forma en que interactúa la variable (no lineal) las
variables que lo afectan son inversamente proporcionales entre sí.
Imagen 7
Imagen 8
Referencias
[1] Ejea, P. E. (22 de 10 de 2008). El transistor bipolar . Obtenido de

https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
El transistor de unió n bipolar. BJT (Bipolar Junction Transistor). (20 de 05 de
2020). Obtenido de:
https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf
[2]Electró nica. Teoría de circuitos. Boylestad - Nashelsky.
[3] El transistor bipolar Gerold W. Neudeck Ed. Addison-Wesley Iberoamericana,
2ª
edició n, 1994
[4] Ingeniería Electró nica. Alley - Atwood
[5] My Electronic, E. T. (11 de 06 de 2012). SlideShare. Obtenido de El transistor
como
amplificador:
https://es.slideshare.net/Jomicast/el-transistor-como-amplificador-13275662
[6]Electró nica, D. T. (20 de 05 de 2020). Tema 5. El transistor bipolar. Obtenido
de
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf

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1. Describa en detalle las regiones semiconductoras del BJT, dibuje.

4. Por qué el BJT tiene una baja impedancia de entrada.

5. Explique la acción amplificadora del BJT.

[1] Ejea, P. E. (22 de 10 de 2008). El transistor bipolar . Obtenido de

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