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Electronica Practica 6

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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA


MECANICA Y ELECTRICA

UNIDAD AZCAPOTZALCO

Fecha: 26/Marzo/2019 Grupo: 5MV3


Academia Eléctrica Electrónica

Ingeniería Mecánica

Electrónica de Potencia Aplicada

Profesor: Ing. Jorge Ortiz Bastida

PRÁCTICA #6: Transistor de unión bipolar en corte - saturación

EQUIPO # 3 INTEGRANTES
1 Pérez Hernández Javier

2 Suárez Villalobos Héctor Miguel

3 Mercado Castillero Juan Antonio


Objetivo: Determinar y comprender las condiciones de operación del transistor cuando
esta en corte y/o saturación

Material y Equipo

1 Resistencia de 390 Ω a ½ W 1 Fuente de alimentación de 5 VCD


1 potenciómetro de 5 kΩ a 2 W sin switch 1 Multímetro
1 transistor npn BC337 o 2n2222a 4 Cables banana - caiman
1 lampara miniatura de 6 VCD
1 Protoboard
1 alambre de colores para conexión #22 o
#24
1 Pinzas de punta y pinza de corte

DESARROLLO
Experimento 1: Transistor en estado de corte – saturación.
1) Conecte el circuito como se muestra en la figura 1

LAMPARA = 6V

POT. 5K

6V 350 Ω

Figura 1
2) Gire el potenciómetro hasta observar que la lampara enciende a su máxima
intensidad, y posteriormente gire lentamente en sentido opuesto en el punto hasta que
la lampara se apague, se dice que en este punto que el transistor está en la región de
corte, por lo tanto, mida y registre en la tabla siguiente: voltaje entre la terminal de
base y emisor (tierra), corriente que circula por la terminal de base corriente que
circula por el colector y voltaje entre las terminales colector emisor.
3) Nuevamente proceda a ajustar el potenciómetro hasta que la luz de lampara empiece
a encender, en ese punto se dice que el transistor es en saturación, por lo tanto, mida
y registre en la tabla siguiente: voltaje entre la terminal de base y emisor (tierra),
corriente que circula por la terminal de base, corriente que circula por el colector y
voltaje entre las terminales colector emisor.
Condición de Vbe Ib Ic Vce
operación
Corte 0.19 0 0 4.97
Saturacion 6 0.015

4) Realice su conclusión con los datos obtenidos en la tabla con respecto a las
condiciones de operación del transistor (corte y saturación).
Es posible reconocer el funcionamiento del transistor en relación a la resistencia variable.

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