Practica 8 Dispo

Instituto Politécnico Nacional
Escuela Superior de Ingeniería

Mecánica y Eléctrica
Unidad Zacatenco
Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica
5to Semestre
Materia:
Dispositivos
Profesora:
Arévalo González Elizabeth
Practica No 8:
Caracterización del transistor bipolar con señal de C.A.
Grupo:
5CV1
Alumnos:
Aguilar Gómez David 2016300014
Romero Barco Jorge 2016302163
Fecha de elaboración:
29 de Mayo del 2018
Objetivo.
Caracterizar el comportamiento del transistor bipolar en diferentes situaciones
haciendo uso de graficas mediante el análisis y la interpretación de las mediciones
Desarrollo
1.1 Armar el circuito como se indica en la figura 1 para obtener las gráficas de
entrada del transistor (graficar XY, ambos canales con acoplo en CD) a
temperatura ambiente y dibujar las gráficas en la gratícula p en el papel
milimétrico. Realizar y reportar las medidas como se indican en la tabla en la
gráfica dora correspondiente para distintos voltajes de VCE. La señal de la fuente
de alimentación (Vs) de CA se tomara del generador de funciones, seleccionando
la señal senoidal o triangular con máxima amplitud y una frecuencia que se
encuentre entre 60 Hz y 1kHz. La fuente de polarización Vcc se tomara de variar
en CD. El resistor de base puede ser de un valor más pequeño (pero no menor de
10kohms a 1w o 2w), para no dañar el transistor. Recordar que por la base la
corriente que influye debe ser del orden de micro amperes. Al ir variando la fuente
de Vcc se debe ir midiendo el voltaje entre las terminales colector-emisor, esta
medición se debe realizar con el voltímetro en CD, así como el voltaje entre las
terminales colector-base del transistor y el voltaje en RC
Nota 1
Si se mide el voltaje de RB con el multímetro en Vcd y se calcula la Ib (con el valor

de VRB/RB), se tendrá la corriente de base en CD. Si se toma el valor medido de
voltaje de RB con osciloscopio esta será en valor pico; por lo que la corriente de
base también será en valor pico.
Transistor bipolar
Vce (V) Vcc (V) Vbe pol dir Vbe pol inv VCB (V) IB (mA) IC (mA) IE (mA) β
0V 0V 254.64mV 2.31 V 2.32 V 26.9 μA 27μA 6.8 μA 1
0.5V 0.904V 254.34mV 2.34 V 2.87 V 27.2 μA 300μA 7.8 μA 11
5V 8.05V 254.32mV 2.32 V 6.87 V 27 μA 3.03mA 700 μA 112

Fig. 1 Circuito para obtener la gráfica de entrada del transistor
2.1.1 Anotar el comentario y las conclusiones, a partir de las observaciones
2.2 Variar la frecuencia del generador; observar que pasa en la gráfica en modo
XY del osciloscopio, reportar los cambios observados en la grafica
Grafica del modo xy del osciloscopio
2.3 Del circuito anterior ir variando Vcc hasta obtener un voltaje de VCE=5V, y
realizar las medidas como se indica y registrarlas en la tabla y en la gráfica
correspondiente (en la gratícula o en papel milimétrico). Acercar un cerillo
encendido al transistor por cinco segundos para obtener y dibujar la gráfica de
entrada del transistor a temperatura mayor a la ambiente. Reportar la gráfica
observada a temperatura mayor a la ambiente, en la gráfica del punto anterior, con
otro tipo de línea o con otro color; reportar los cambios observados en la gráfica.
La grafica se observa en modo XY del osciloscopio
Vce Vcc V BE pol VBE VCB IB IC IE β

dir pol inv
5V 8.05V 318.1mVV 11.1V 6.74V 28.2μA 3.31mA 740μA 117
2.4 Armar el circuito como se indica en la figura 2, y obtener la gráfica de entrada
del transistor con el emisor abierto. Realiza las medidas como se indica y
registrarlas la tabla en la gráfica correspondiente, a temperatura máxima
ambiente. La señal vs se tomara del generador (señal senoidal con máxima
amplitud, con una frecuencia que se encuentre entre 60HZ y 1KHz). Dibujar la
gráfica en la graticula o en papel milimétrico. La grafica se observa en modo XY
osciloscopio
Fig.2 Circuito para obtener la gráfica de entrada del transistor con el emisor abierto
Vcb pol inv Ib Vbe Vce

Vcb pol dir
3.27V 11.1V 27.3μA 2.39V 15mV
Grafica del modo xy del osciloscopio
2.5 Armar el circuito como se indica en la figura 3 y obtener la gráfica de entrada

del transistor con el colector abierto. Realizar las mediciones como se indica y
registrarlas la tabla y en la gráfica correspondiente (graticula o papel milimétrico),
a temperatura ambiente. La señal Vs se tomara del generador (señal senoidal con
máxima amplitud con una frecuencia que se encuentre entre 60Hz y 1Khz). La
grafica se observa en modo XY del osciloscopio
Fig. 3 Circuito para obtener la gráfica de entrada del transistor con el colector
abierto
Vbe pol dir Vbe pol inv Ib Vbc Vce
318.3mV 3.43V 27.7μA 0.28V 68mV
3. Caracterización de los transistores bipolares (de silicio o bien de germanio

para obtener la gráfica de salida del transistor)
3.1 armar el circuito como se muestra en la figura 4, para obtener las gráficas de
salida del transistor a diferentes voltajes de vs (se tomara del varias en CD y el
osciloscopio debe estar con acoplo en CD y en modo graficado XY). Para obtener
la señal pulsante de onda completa, utilizar el transformador entre extremo-
derivación y el arreglo de 4 diodos o el de 2 diodos para que el rectificador tenga
una amplitud entre 10vp o 15vp. Medir lo que se indica en la tabla y dibujar la
gráfica para para cada variación de vs. En la misma hoja milimétrica graticula
dibujar cada una de las gráficas para obtener la familia de curvas de salida del
transistor. Colocar los valores medidos y las unidades, en las tablas y en las
gráficas. Las gráficas observadas en cada cambio de vs, se realizan para cada
valor medido del VCE y para cada valor medido de Ic. Las mediciones de los
voltajes entre las terminales base-emisor y colector-base, se realizaran con el
voltímetro en CD así como la medición del VRB
Nota 2
Si se mide el voltaje de RC con el multímetro en VCD, y se calcula la Ic (con el

valor de VRC/RC), se tendrá la corriente de colector en CD. Si se toma el valor
medido de voltaje de RC con el osciloscopio esta será en valor pico; por lo que la
corriente de colector también será en valor pico
Nota 3
El resistor de base puede ser de un valor más pequeño (pero no menor a 10Kohm
a 1W o 2 W), para no dañar el transistor.
Fig. 4 Circuito para obtener las gráficas de salida del transistor
Tabla: valores para la familia de curvas de salida del transistor
Vs Vce VBE VRB VCB Ic IB IE Β
0V 10.9V 0.4mV 0V 10.8V 10.6mV 0A 0A 0
2V 6.15V 0.63mV 1.43V 5.9V 5mV 14.3mA 5.04mA 350
4V 1.79V 0.65mV 3.38V 1.13V 9.15mV 33.8mA 9.18mA 270
6V 0.77V 0.66mV 5.3V 0.38V 10.65mV 53mA 10.69mA 200
8V 0.15V 0.67mV 7.35V 500mV 10.8mV 75.7mA 10.87mA 140
10V 0.12V 0.67mV 9.42V 550mV 10.7mV 99.2mA 10.84mA 114
12V 0.11V 0.68mV 11.41V 560mV 10.8mV 113.1mA 10.91mA 95
3.2 Del circuito anterior seleccionar una gráfica que tenga valores intermedios de
voltaje de VCE y de corriente de IC, y acercar un cerillo para calentar el transistor,
por cinco segundos. Dibujar la gráfica observada en las mismas graficas del punto
3.1 utilizando otro tipo de línea u otro color. La grafica se observa en modo XY del
osciloscopio
Grafica con Vs = 0 V Grafica con Vs = 6 V
Grafica con Vs = 12 V
Conclusión
En esta práctica hubo cierta confusión al momento de conectar y hacer las

mediciones con el osciloscopio por lo que es probable que los valores de la
práctica sean erróneos
Referencias
http://www.mouser.com/ds/2/149/BC547-190204.pdf
http://mrelbernitutoriales.com/el-bjt-en-alterna/
https://es.slideshare.net/PEPESANCHEZSALAZAR/2-el-transistor-bjt-amplificador-paginas-1-18
Transistor en CA
Para analizar la operación de un amplificador con señal de CA, se desarrolla un

circuito equivalente en CA de la siguiente manera.
1. Los capacitores C1, C2 y C3 son remplazados por cortos efectivos porque

sus valores se seleccionan de modo que Xc sea despreciable a la
frecuencia de la señal y se pueda considerar que es de 0Ω.
2. La fuente de CD es remplazada por tierra.
La resistencia interna de una fuente de voltaje de cd es de cerca de 0Ω porque

mantiene un voltaje constante independiente de la carga (dentro de los límites); no
se puede desarrollar voltaje de ca a través de ella, de modo que aparece como un
corto de ca. Por eso la fuente de cd se conoce como tierra de ca.
El análisis en ca, la tierra de ca y la tierra real son tratadas eléctricamente como el

mismo punto.
El amplificador en emisión común porque el capacitor de punteo C2 mantiene el

emisor a la tierra de ca. La tierra es el punto común en el circuito.
Voltaje de señal de ca en la base. Se muestra una fuente de voltaje de ca, Vs,

conectada a la entrada. Si la resistencia interna de la fuente de ca es de 0Ω,
entonces todo el voltaje de la fuente aparece en la base. No obstante, si la fuente
de ca no tiene una resistencia interna cero, entonces se deben tener en cuenta
tres factores al determinar el voltaje de señal en la base: la resistencia de la fuente
(Rs), la resistencia de polarización (R1||R2) y la resistencia de entrada de ca en la
base del transistor. Es deseable un alto valor de resistencia de entrada de modo
que el amplificador no cargue en exceso a la fuente de la señal. Esto se opone al
requerimiento de un punto Q estable, el cual necesita resistores más pequeños. El
requerimiento incompatible con la alta resistencia de entrada y la polarización
estable es solo uno de los muchos intercambios que han de ser considerados
cuando se eligen componentes para un circuito. La siguiente formula expresa la
resistencia de entrada total.
𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 𝑅1||𝑅2||𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑏𝑎𝑠𝑒)
𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑡𝑜𝑡)
𝑉𝑏 = ( )𝑉𝑠
𝑅𝑠 + 𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑡𝑜𝑡)
Si Rs<<Rent(total), entonces Vb = Vs donde Vb en el voltaje de entrada, Vent al

amplificador.
Resistencia de entrada base.
Para desarrollar una expresión para la resistencia de entrada de ca viendo la

base, se utiliza el modelo del transistor conectado al resistor externo Rc en serie
con el colector. La resistencia de entrada viendo la base es.
𝑉𝑒𝑛𝑡 𝑉𝑏
𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑏𝑎𝑠𝑒) = =
𝐼𝑒𝑛𝑡 𝐼𝑏
El voltaje base es.
𝑉𝑏 = 𝐼𝑒𝑟𝑒
Y como Ie = Ic
𝐼𝑒
𝐼𝑏 =
𝛽𝑐𝑎
Sustituyendo en lugar de Vb e Ib,
𝑉𝑏 𝐼𝑒𝑟𝑒
𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑏𝑎𝑠𝑒) = =
𝐼𝑏 𝐼𝑒/𝛽𝑐𝑎
Eliminando Ie
𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑏𝑎𝑠𝑒) = 𝛽𝑐𝑎𝑟′𝑒
Resistencia de salida.
La resistencia de salida del amplificador en la configuración en emisor común es la

resistencia viendo el colector y es aproximadamente igual al resistor en serie con
el colector.
𝑅𝑠𝑎𝑙 = 𝑅𝑐
En realidad, Rsal=Rc||r’c pero como la resistencia interna de ca en el colector del

transistor, r’c, es en general mucho más grande que Rc, la aproximación casi
siempre es válida.
Ganancia de tensión.
La tensión de salida es la componente alterna de la tensión en Rc. Si la situamos

por el circuito equivalente, vemos que no existe ninguna contradicción ya que Vi
esta aplicada al diodo emisor y este lo hemos sustituido por su resistencia a la ca.
Por otra parte, el circuito de colector lo hemos sustituido por una fuente de
corriente ic.
Donde el signo – representa que Vu está desfasada 180° respecto de Vi.
De forma gráfica, la ganancia de tención se puede observar en la gráfica 9.2.
Como Vi lleva asociada una variación de la corriente base (ib) y, por tanto, un
desplazamiento del punto de trabajo en torno a Q, esto implica variaciones de Vce
de valor Vce. Cuando Vi aumenta (semiciclo positivo) provoca un deslizamiento
del punto hacia la región de saturación, esto implica una disminución de Vce,
alcanzando su valor más pequeño cuando Vi disminuye de tal forma que, cuando
su valor es el pico negativo, Vce alcanza el valor más alto.
Graficas.
Ganancia de tensión y de corriente.

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Si se mide el voltaje de RB con el multímetro en Vcd y se calcula la Ib (con el valor

0V 0V 254.64mV 2.31 V 2.32 V 26.9 μA 27μA 6.8 μA 1

0.5V 0.904V 254.34mV 2.34 V 2.87 V 27.2 μA 300μA 7.8 μA 11

5V 8.05V 254.32mV 2.32 V 6.87 V 27 μA 3.03mA 700 μA 112

2.1.1 Anotar el comentario y las conclusiones, a partir de las observaciones

Grafica del modo xy del osciloscopio

Vce Vcc V BE pol VBE VCB IB IC IE β

Vcb pol inv Ib Vbe Vce

Grafica del modo xy del osciloscopio

2.5 Armar el circuito como se indica en la figura 3 y obtener la gráfica de entrada

Vbe pol dir Vbe pol inv Ib Vbc Vce

318.3mV 3.43V 27.7μA 0.28V 68mV

3. Caracterización de los transistores bipolares (de silicio o bien de germanio

Si se mide el voltaje de RC con el multímetro en VCD, y se calcula la Ic (con el

Fig. 4 Circuito para obtener las gráficas de salida del transistor

Tabla: valores para la familia de curvas de salida del transistor

Vs Vce VBE VRB VCB Ic IB IE Β

0V 10.9V 0.4mV 0V 10.8V 10.6mV 0A 0A 0

2V 6.15V 0.63mV 1.43V 5.9V 5mV 14.3mA 5.04mA 350

4V 1.79V 0.65mV 3.38V 1.13V 9.15mV 33.8mA 9.18mA 270

6V 0.77V 0.66mV 5.3V 0.38V 10.65mV 53mA 10.69mA 200

8V 0.15V 0.67mV 7.35V 500mV 10.8mV 75.7mA 10.87mA 140

10V 0.12V 0.67mV 9.42V 550mV 10.7mV 99.2mA 10.84mA 114

12V 0.11V 0.68mV 11.41V 560mV 10.8mV 113.1mA 10.91mA 95

En esta práctica hubo cierta confusión al momento de conectar y hacer las

Para analizar la operación de un amplificador con señal de CA, se desarrolla un

1. Los capacitores C1, C2 y C3 son remplazados por cortos efectivos porque

2. La fuente de CD es remplazada por tierra.

La resistencia interna de una fuente de voltaje de cd es de cerca de 0Ω porque

El análisis en ca, la tierra de ca y la tierra real son tratadas eléctricamente como el

El amplificador en emisión común porque el capacitor de punteo C2 mantiene el

Voltaje de señal de ca en la base. Se muestra una fuente de voltaje de ca, Vs,

Si Rs<<Rent(total), entonces Vb = Vs donde Vb en el voltaje de entrada, Vent al

Resistencia de entrada base.

Para desarrollar una expresión para la resistencia de entrada de ca viendo la

Sustituyendo en lugar de Vb e Ib,

La resistencia de salida del amplificador en la configuración en emisor común es la

En realidad, Rsal=Rc||r’c pero como la resistencia interna de ca en el colector del

La tensión de salida es la componente alterna de la tensión en Rc. Si la situamos

De forma gráfica, la ganancia de tención se puede observar en la gráfica 9.2.

Ganancia de tensión y de corriente.

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