REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA.

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA

EDUCACIÓN UNIVERSITARIA, CIENCIAS Y
TECNOLOGÍA.
INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO “SANTIAGO MARIÑO”
EXTENSIÓN MATURÍN.

TEORIA Y POLARIZACION DE F.E.T

Autor (a):
LUZMARIS GUERRA – C.I: 28.081.055
Profesor:
EVER DUARTE

MATURÍN, ENERO DEL 2021

 INTRODUCCION
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: FUENTE
(Source), DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan controlando la corriente entre
drenaje y fuente a través del campo eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al
terminal de puerta. El terminal de puerta, que funciona como terminal de control, no maneja
virtualmente corriente, salvo alguna corriente de fuga. El dispositivo presenta, en
consecuencia, una elevada impedancia de entrada (puede llegar a valores del orden de 10
MΩ) que resulta esencial en variadas aplicaciones como ser: llaves analógicas,
amplificadores de muy alta impedancia de entrada, etc. Son muy utilizados, también, como
resistencias controladas por tensión y fuentes de corriente. Algunos tipos de FET presentan
facilidades en cuanto a su integración en áreas pequeñas y se utilizan especialmente en altas
escalas de integración (LSI o VLSI), con un amplio desarrollo para circuitos digitales
(microprocesadores, memorias, etc.) y un permanente avance en su utilización en circuitos
integrados de aplicación analógica. Teniendo en cuenta que pueden llegar a manejar más
de 10 A de corriente se utilizan en diversas aplicaciones en reemplazo del transistor bipolar,
dando un alto rendimiento en circuitos relativamente simples.
1.-Defina el transistor de efecto de campo F.E.T

El FET o Transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales que utiliza un

campo eléctrico para controlar la corriente que fluye a través del dispositivo; también tiene
una alta impedancia de entrada que es útil en muchos circuitos. El transistor de efecto de
campo, FET, es un dispositivo semiconductor clave para la industria electrónica. El FET se
usa en muchos circuitos construidos a partir de componentes discretos en áreas desde
tecnología RF hasta control de potencia y conmutación electrónica a amplificación general.

El FET consiste en un canal semiconductor con electrodos en cada extremo denominado

drenaje y fuente. Un electrodo de control llamado compuerta se coloca muy cerca del
canal para que su carga eléctrica pueda afectar el canal. De esta manera, la puerta del
transistor de efecto de campo controla el flujo de portadores (electrones o agujeros) que
fluyen desde la fuente hasta el drenaje. Lo hace controlando el tamaño y la forma del
canal conductor.

El canal semiconductor donde se produce el flujo de corriente puede ser de tipo P o de

tipo N. Esto da lugar a dos tipos o categorías de FET conocidos como FET de
canal P y FET de canal N. Además de esto, hay dos categorías más. El aumento del voltaje
en la puerta puede agotar o mejorar la cantidad de portadores de carga disponibles en el
canal. Como resultado, hay FET en modo de mejora y transistor de efecto de campo en
modo de agotamiento.

Ejemplo: Un fet canal N con las siguientes especificaciones: I DSS = 8mA V p = -5V. Se pide
dibujar la curva de transferencia.

Desarrollo:

a) Para VGS = 0V ⇒ I D = IDSS = 8mA.

b) Para VGS = -5V ⇒ I D = 0mA.

c) Para VGS = -3V ⇒ I D = 1,28mA.

d) Para VGS = -2,5V ⇒ I D = 2mA

Además de seleccionar un tipo particular de transistor de efecto de campo para cualquier

circuito dado, también es necesario comprender las diferentes especificaciones. De esta
manera, es posible garantizar que el transistor de efecto de campo operará según los
parámetros de rendimiento requeridos.

Las especificaciones FET incluyen todo, desde los voltajes y corrientes máximos permitidos
hasta los niveles de capacitancia y la transconductancia. Todos estos juegan un papel en la
determinación de si un transistor de efecto de campo particular es adecuado para un
circuito o aplicación dada.

2.-Explique el funcionamiento del transistor J.F.E.T.

FET es un transistor de efecto de campo de la puerta de unión. El transistor normal es un

dispositivo controlado por corriente que necesita corriente para la polarización, mientras
que JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Igual que los MOSFET, como hemos visto
en nuestro tutorial anterior, JFET tiene tres terminales: Gate, Drain y Source

Utiliza una unión de diodo con polarización inversa para proporcionar la conexión de la
puerta. Esencialmente, se fabrica un pequeño diodo en el semiconductor del canal. En
funcionamiento, esto es polarizado en sentido inverso y significa que está efectivamente
aislado del canal: solo la corriente inversa del diodo puede fluir entre los dos.

Un mejor ejemplo para comprender el funcionamiento de un JFET es imaginar el tubo de

manguera de jardín. Supongamos que una manguera de jardín está proporcionando un
flujo de agua a través de ella. Si apretamos la manguera, el flujo de agua será menor y, en
cierto punto, si lo apretamos por completo, habrá un flujo de agua cero. JFET funciona
exactamente de esa manera. Si intercambiamos la manguera con un JFET y el flujo de
agua con una corriente y luego construimos el canal de corriente, podríamos controlar el
flujo de corriente.

Cuando no hay voltaje a través de la puerta y la fuente, el canal se convierte en un camino

suave que está abierto para que fluyan los electrones. Pero lo inverso sucede cuando se
aplica un voltaje entre la puerta y la fuente en polaridad inversa, lo que hace que la unión
P-N se desvíe y hace que el canal sea más estrecho al aumentar la capa de agotamiento y
podría colocar el JFET en la región de corte o pizca.

Si queremos apagar un JFET, necesitamos proporcionar una puerta negativa a la fuente de

voltaje indicada como VGS para un JFET de tipo N. Para un JFET tipo P, necesitamos
proporcionar VGS positivo.

3.-Explique las características del J.F.E.T.

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de
tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento
tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta
(gate).

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En
un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente
para que exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una
tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado

inversamente.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de
los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a
diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source
o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a
source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación
y ruptura. A continuación se realiza una descripción breve de cada una de estas regiones
para el caso de un NJFET.

4.-Que es la resistencia controlada por voltaje y explique la ecuación.

Una resistencia controlada por voltaje (VCR) es un dispositivo activo de tres terminales con
un puerto de entrada y dos puertos de salida. El voltaje del puerto de entrada controla el
valor de la resistencia entre los puertos de salida. Las videograbadoras se construyen con
mayor frecuencia con transistores de efecto de campo (FET). A menudo se utilizan dos
tipos de FET: el JFET y el MOSFET. Hay resistencias controladas por voltaje flotante y
resistencias flotantes conectadas a tierra. Los VCR flotantes se pueden colocar entre dos
componentes activos o pasivos. Los VCR conectados a tierra, el diseño más común y menos
complicado, requieren que un puerto de la resistencia controlada por voltaje esté
conectado a tierra.
El JFET es uno de los dispositivos activos más comunes que se utilizan para el diseño de
resistencias controladas por voltaje. Tanto es así, que los dispositivos JFET se empaquetan
y venden como resistencias controladas por voltaje. Por lo general, los JFET cuando se
empaquetan como VCR a menudo tienen altos voltajes de pinzamiento, lo que resulta en
un mayor rango de resistencia dinámica. Los JFET para VCR a menudo se empaquetan en
pares, lo que permite diseños de VCR que requieren parámetros de transistores
coincidentes.

El voltaje de salida se puede determinar a partir de la ecuación

V salida = V CC  ·  R DS  / ( R 1 + R DS ).

Ejemplo:

Un diseño de VCR no linealizado, la resistencia controlada por voltaje, el LSK489C JFET, se

usa como divisor de voltaje programable. El suministro VGS establece el nivel de
resistencia de salida del JFET. La resistencia de drenaje a fuente del JFET (R DS) y la
resistencia de drenaje (R 1) forman la red del divisor de voltaje.

Una simulación LTSpice del diseño de VCR no linealizado verifica que la resistencia JFET
cambia con un cambio en el voltaje de puerta a fuente (V GS). En la simulación (a
continuación), se aplica un voltaje de entrada constante (el suministro de VCC se establece
en 4 voltios) y el voltaje de puerta a fuente se reduce en pasos, lo que aumenta la
resistencia de drenaje a fuente de JFET. La resistencia entre los terminales de drenaje y
fuente del JFET aumenta a medida que el voltaje de puerta a fuente se vuelve más
negativo y disminuye a medida que el voltaje de puerta a fuente se acerca a 0 voltios. La
siguiente simulación lo confirma. El voltaje de salida es de aproximadamente 2,5 voltios
con un voltaje de puerta a fuente de -1 voltio. Por el contrario, el voltaje de salida cae a
aproximadamente 1,6 voltios cuando el voltaje de puerta a fuente es de 0 voltios.

Con una señal de entrada de 4 voltios y R 1 de 300 ohmios, el rango de resistencia para el
VCR JFET se puede calcular a partir de los resultados de la simulación ya que V GS varía
entre -1 voltio y 0 voltios usando la ecuación

R DS = V 0  ·  R 1  / (V DS - V 0).

Usando la ecuación anterior, en V GS = −1 V, la resistencia del VCR es de aproximadamente

500 ohmios, y en V GD = 0 V, la resistencia del VCR es de aproximadamente 200 ohmios.

5.-Explique las características de derivación y realice el siguiente ejercicio:

La ecuación de Shockley define la relación entre 𝐼𝐷 y 𝑉𝐺𝑆

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃

El término al cuadrado en la ecuación produce una relación no lineal entre 𝐼𝐷 y 𝑉𝐺𝑆 , la cual
genera una curva que crece exponencialmente con la magnitud decreciente de 𝑉𝐺𝑆 .

Podemos obtener la curva de transferencia utilizando la ecuación de Shockley:

Figura 1: Curva de transferencia a partir de las características de drenaje

En la figura aparecen dos gráficas, con la escala vertical en miliamperes en cada una. Una
de ellas es una gráfica de 𝐼𝐷 contra 𝑉𝐷𝑆 , en tanto que la otra es 𝐼𝐷 contra VGS. Con las
características de drenaje de la derecha del eje “y”, podemos trazar una línea horizontal de
la región de saturación de la curva denotada 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉 al eje 𝐼𝐷 . El nivel de corriente
resultante para ambas gráficas es 𝐼𝐷𝑆𝑆 . El punto de intersección en la curva de 𝐼𝐷 contra
𝑉𝐺𝑆 será como se muestra, puesto que el eje vertical se define como 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉.

Aplicaciones

- Amplificador

- Conmutador analógico

- Multiplexado

- Troceadores

- Amplificador de aislamiento

- Amplificador de bajo ruido

- Resistencia controlada por voltaje

- Control de ganancia automático

Ventajas y Desventajas

Ventajas:
 - Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy
elevada (107 a 1012 ohmios).

- Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

- Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.

- Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar más dispositivos en un CI.

- Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión valores pequeños
de tensión drenaje-fuente.

- La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

- Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

Desventajas:

- Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.

- Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que
los BJT.

- Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. En este apartado se

estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas
principalmente a sus aplicaciones analógicas.
5.1.-Problema. Trace la curva de transferencia para un dispositivo de canal
P con IDSS= 4mA y Vp = 3V.

𝑦 𝑉𝑝 = 3 𝑉

𝑉𝑝 𝑉
En 𝑉𝐺𝑆 = = 3 2 = 1.5 𝑉
2

𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑚𝐴
𝐼𝐷 = = 4 = 1 𝑚𝐴.
4 4

𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑚𝐴
𝐸𝑛 𝐼𝐷 = =4 = 2 𝑚𝐴
2 2

𝑉𝐺𝑆 = 0.3𝑉𝑝 = 0.3(3 𝑉) = 0.9 𝑉.

Ambos puntos de gráficas aparecen en la

Figura junto con los puntos definidos por 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑦 𝑉𝑝 .

6.-Defina MOSFET.

Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación

de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la
constitución del propio transistor. El transistor MOSFET está basado en la estructura MOS.
La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de silicio,
puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que,
posee características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de
entrada. Por último, sobre esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio),
que posee características conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico,
en contacto con la capsula

7.-Explique la construcción, operación y características básicas del MOSFET

tipo empobrecimiento.

El MOSFET tipo empobrecimiento, es el que se estudiará, ya que sus características son

parecidas a las de un JFET entre las condiciones de corte y saturación con IDSS y también
adicionalmente tiene las características que se extienden hasta la región de polaridad
opuesta de VGS.

MOSFET de empobrecimiento tipo n

Construcción básica
La capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la responsable de la muy
deseable alta impedancia de entrada del dispositivo.

• La resistencia de entrada de un MOSFET es más que la de un JFET típico, aun

cuando la impedancia de entrada de la mayoría de los JFET es suficientemente alta
en la mayoría de las aplicaciones.

• Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de compuerta IG es en

esencia de 0 A para configuraciones polarizadas de cd.

• La capa aislante entre la compuerta y el canal dio origen a otro nombre para el
dispositivo FET: compuerta aislada, o IGFET, aunque esta designación cada vez se
utiliza menos en la literatura.

Operación y características básicas

Curvas de drenaje y transferencia

• A menudo se le conoce como región de enriquecimiento, y a la región entre los

niveles de corte y saturación de IDSS como región de empobrecimiento.

• Es particularmente interesante y conveniente que la ecuación de Shockley

continúe siendo aplicable en el caso de las características de los MOSFET tipo
empobrecimiento tanto en la región de empobrecimiento como en la de
enriquecimiento. Para ambas regiones, sólo se requiere incluir el signo apropiado
con VGS en la ecuación y que el signo se monitoree con cuidado en las operaciones
matemáticas.

MOSFET tipo empobrecimiento de canal P

• El sustrato es de tipo n y el canal de tipo p

• Las terminales no cambian, pero las polaridades del voltaje y las direcciones de
corrientes se invierten.
• Las polaridades de VGS tienen las polaridades opuestas como se muestra en la
figura

• La corriente de drenaje se incrementara desde el valor de corte VGS=Vp en la

región positiva de VGS hasta IDSS.

• Continuara incrementándose con los valores negativos crecientes de VGS

8.-Explique la construcción, operación y características básicas del MOSFET
tipo enriquecimiento.

MOSFET tipo enriquecimiento de canal N

Si bien existen algunas semejanzas en la construcción y modo de operación entre los

MOSFET tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento, las características del MOSFET
tipo enriquecimiento son muy diferentes de cualesquiera otras obtenidas hasta ahora.

Construcción básica

• La fuente y el drenaje se conectan de nuevo mediante contactos metálicos a

regiones tipo n dopadas, pero observe que en la figura no hay un canal entre las
dos regiones tipo n dopadas. Ésta es la diferencia principal entre la construcción de
los MOSFET tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento: la ausencia de un
canal como componente construido del dispositivo.
Operación y características básicas

En la figura tanto VDS como VGS se ajustaron a un determinado voltaje positivo de más de
0 V, para establecer el drenaje y la compuerta a un potencial positivo con respecto a la
fuente. El potencial positivo en la compuerta ejercerá presión en los huecos (puesto que
las cargas semejantes se repelen) en el sustrato p a lo largo del borde de la capa de SiO3
para que abandonen el área y lleguen a regiones más profundas del sustrato p, como se
muestra en la figura.

Características de drenaje de un MOSFET tipo enriquecimiento

Para valores de VGS menores que el nivel de umbral, la corriente de drenaje de un MOSFET
tipo enriquecimiento es de 0 mA.
Trazo de las características de transferencia de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal
n a partir de las características de drenaje.

MOSFET tipo enriquecimiento de canal P

• La construcción de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p es como se

muestra en la figura. Es decir, ahora hay un sustrato tipo n y regiones tipo n
dopadas bajo las conexiones del drenaje y la fuente. Las terminales no cambian,
pero todas las polaridades del voltaje y las direcciones de la corriente se invierten.
9.-Explique el manejo del MOSFET.

MOSFET significa “FET de Metal Oxido Semiconductor” o FET de compuerta aislada. El

aislamiento entre la compuerta y el canal es el dióxido de silicio (SiO2). Ver el diagrama.

Esta capa aislante (área gris) es tan delgada que se si produjera un campo eléctrico fuerte,
podría destruirse, es por eso que la manipulación del MOSFET es tan importante. Debido a
la alta resistencia de la capa de dióxido de silicio, la carga en el capacitor no se dispersa
rápidamente, sino que se acumula. Esta acumulación de carga puede producir un campo
eléctrico destructivo.

El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estáticas durante la manipulación del
mismo en un día seco. También causan peligro los cautines para soldar, que por lo general
no están aislados de la línea de corriente alterna (C.A.). Para evitar que el MOSFET se dañe
de manera accidental, algunos fabricantes incluyen un diodo zener conectado entre la
compuerta (G) y la fuente (S) con el ánodo hacia la compuerta y el cátodo hacia la fuente.
Este zener está diseñado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS (tensión
compuerta – fuente) siempre se mantendrá por debajo o igual al valor de esta tensión, y
por debajo del valor de tensión destructivo. Ver la figura. Otra manera de asegurarse de
que el MOSFET no se dañe es almacenarlo y transportarlo con ayuda de esponjas
conductoras, que cortocircuitan los terminales del MOSFET y así no exista tensión entre
ellos.

Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la protección antes mencionada, la persona

que manipulará el elemento debe de asegurarse que su cuerpo no esté cargado de
estática. Existen unas pulseras especiales conectadas a un punto de tierra, pensadas para
mantener descargado el cuerpo del usuario.

10.-Defina VMOS y CMOS.

 Transistor VMOS.

Es un tipo de transistor semiconductor de silicio de óxido metálico que mitiga la

deficiencia en el manejo de niveles de potencia reducidos en comparación con los
MOSFET en general, con el cambio orientación en su construcción, a una disposición
vertical, contando con todos los elementos de un MOSFET plano. Razón por la cual es
denominado de dicha forma pues en este sobresale su ranura en forma de V en la base del
semiconductor, “(…) que se corta verticalmente en el sustrato para actuar como la
compuerta del transistor, permitiendo la entrega de una cantidad de corriente mayor,
proviniendo desde la fuente hacia el drenaje del dispositivo.” (Alcalde, 2016) Es así que
este tipo de transistor puede ser considerado como un transistor de potencia en el que la
región del canal se forma a lo largo de una ranura en forma de V formada en la superficie
del semiconductor, “(…) del cual obtiene su nombre después de que se realiza la difusión
del sustrato p sobre toda la superficie seguida de la difusión de la fuente n +.”

Los dispositivos de alimentación VMOS se utilizan principalmente en aplicaciones de

conmutación de fuente de alimentación de media tensión y amplificadores de RF de
potencia media, entre los cuales podemos destacar:

• Amplificadores de potencia de audio de alta fidelidad.

• Amplificadores de banda ancha de alta frecuencia.

• Amplificadores de potencia de conmutación que convierten las fuentes de alimentación

de CA en CC a voltajes arbitrarios

 Transistor CMOS
O semiconductor complementario de óxido metálico, es un dispositivo lógico de canal p y
canal n en el mismo sustrato caracterizado por sus altos niveles de impedancia de
entrada, rápida velocidad de conmutación y bajos niveles de potencia de operación; que
actúa bajo una configuración en estado de reposo, tal que el consumo de energía es
únicamente el debido a las corrientes parásitas, colocado en la placa base.

Su principal función y ventaja a la vez sobre sus análogos es su disipación de potencia

mucho menor, pues casi no tiene disipación de potencia estática, al igual que un mejor
rendimiento sobre estos. En la tecnología CMOS, se utilizan transistores de tipo N y tipo P
para diseñar funciones lógicas. La misma señal que enciende un transistor de un tipo se
usa para apagar un transistor del otro tipo. Esta característica permite el diseño de
dispositivos lógicos utilizando solo interruptores simples, sin la necesidad de una
resistencia de pull-up.

En las puertas lógicas CMOS, una colección de MOSFET de tipo n está dispuesta en una
red desplegable entre la salida y el riel de suministro de energía de bajo voltaje. En lugar
de la resistencia de carga de las puertas lógicas NMOS, las puertas lógicas CMOS tienen
una colección de MOSFET tipo p en una red de pull-up entre la salida y el riel de mayor
voltaje. Por lo tanto, si tanto un transistor de tipo p como uno de n tienen sus puertas
conectadas a la misma entrada, sus redes estarán dispuestas de tal manera que una este
encendida y la otra pagada para cualquier patrón de entrada. El CMOS ofrece una
velocidad relativamente alta, baja disipación de potencia, altos márgenes de ruido en
ambos estados y funcionará en una amplia gama de voltajes de entrada y fuente (siempre
que el voltaje de la fuente sea fijo).
 CONCLUSIÓN

El estudio de la electrónica continúa con el conocimiento de los transistores JFET.

Para el caso de los transistores de efecto de campo más conocidos como JFET la
relación entre las variables de entrada y salida es no lineal debido a la ecuación de
Shockley.

El transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. El

FET tiene más similitudes con un transistor bipolar que diferencias. Debido a esto
casi todos los tipos de polarización acerca de los transistores bipolares se aplican a
los transistores de efecto de campo con ciertas restricciones.

Para el cálculo de éstos se usa el método matemático, además también se utiliza el

método grafico el cual es el más utilizado.

Destacando que la ecuación mencionada anteriormente es la misma para todas las

configuraciones de red del JFET siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la
región activa. La red define el nivel de corriente y voltaje asociado con el punto de
operación mediante su propio conjunto de ecuaciones.

Este tipo de transistor se lo puede configurar de diferentes formas como son

polarización con dos fuentes, auto polarización; con resistencia de source y sin ella,
y polarización con dos fuentes. Además estos transistores FET existen de dos tipos
que son de tipo n y p, que en su simbología se lo reconoce por el signo de la flecha.