El documento presenta un cuestionario sobre física de semiconductores con preguntas sobre transistores FET y MOSFET, incluyendo su estructura, funcionamiento y características.
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INSTITUTO TECNOLOGICO DE
CIUDAD MADERO
FISICA DE SEMICONDUCTORES
JUAN PABLO CHONG
MONSIVAIS
11 DE DICIEMBRE DEL 2023
CUESTIONARIO FISICA DE SEMICONDUCTORES Nombre del alumno(a) Juan Pablo Chong Monsivais
1. Defina qué es un transistor de unión de efecto de campo (JFET)
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje.
2. Indique cuál es la estructura básica de un transitar FET
Posee tres terminales llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).
3. Realice un esquema los símbolos de los transistores FET y MOSFET
4. Explique el Principio de funcionamiento de los transistores FET
El funcionamiento de los transistores FET se basa en la variación del ancho del canal de conductividad a medida que se modifica el voltaje en la puerta. Al aplicar un voltaje adecuado en la puerta, es posible incrementar o disminuir el ancho del canal, controlando así la corriente que pasa a través de él.
5. Cómo influye el V drain−source en la corriente de salida de I drain−V drain−source
6. Cómo influye el V gate−source en la corriente de salida de I drain−V drain−source 7. Indique cuales son las curvas características de los transistores FET 8. En una gráfica I drain−V drain−source señale las zonas de trabajo de un transistor FET 9. Que es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) Las siglas MOSFET vienen de las palabras Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect- Transistor, que en español significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. Un MOSFET es un transistor, un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada dada.
10. Cuál es la diferencia entre un MOSFET de acumulación y un MOSFET de depleción.
En un MOSFET de acumulación, la región del canal está presente en el sustrato y se acumula cuando se aplica una tensión negativa a la puerta. Por otro lado, en un MOSFET de depleción, la región del canal está presente en el sustrato y se agota cuando se aplica una tensión negativa a la puerta.
11. Defina que es un canal
Un canal se refiere a un medio o una ruta a través de la cual se transmiten señales, datos o información.
12. Dibuje la característica de transferencia para MOSFET de tipo agotamiento de canal n.
13. Indique las condiciones a las cuales se alcanza la zona de corte o de no conducción en un transistor FET En un transistor FET, la zona de corte se alcanza cuando la tensión entre la puerta y la fuente es menor que el umbral de voltaje de la compuerta. En esta región, el transistor FET se comporta como un circuito abierto y no conduce corriente.
14. Por qué al transistor al FET se le denomina dispositivo operado por voltaje. La característica principal del FET es que opera bajo el principio de la modulación de la conductividad. Este funcionamiento se distingue por la aplicación de un voltaje en su terminal de puerta (Gate), el cual crea un campo eléctrico. Este campo eléctrico es el que regula el flujo de corriente entre la fuente (Source) y el drenaje (Drain).
15. ¿Qué MOSFET se denomina MOSFET normalmente encendido y MOSFET
normalmente apagado? ¿Por qué? El MOSFET normalmente encendido se llama MOSFET de tipo depleción. Este MOSFET requiere una tensión negativa entre la puerta y la fuente para apagarse 1. Por otro lado, el MOSFET normalmente apagado se llama MOSFET de tipo enriquecimiento. Este MOSFET requiere una tensión positiva entre la puerta y la fuente para encenderse.
16. Indique y compare las diferencias entre un BJT y un MOSFET
BJT es un transistor de unión bipolar, mientras que MOSFET es un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal. BJT tiene un emisor, coleccionista y base, mientras que MOSFET tiene una puerta, fuente y drenaje. BJT es impulsado por corriente, mientras que MOSFET es controlado por voltaje. BJT tiene alta ganancia y velocidad de conmutación rápida, pero capacidad de voltaje limitada, mientras que MOSFET ofrece bajo consumo de energía, alta impedancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
17. Dibuje la región óhmica en las características de drenaje del JFET. Características del drenaje: 18. Explique que es el factor de amplificación en JFE El factor de amplificación es una medida de la ganancia de un dispositivo, es decir, el factor por el cual el dispositivo amplifica una señal 1. En el caso de los transistores de efecto de campo de unión (JFET), su factor de amplificación inherente no se puede expresar como una relación sin unidades como con los transistores bipolares.
19. Cuáles son las ventajas de FET sobre BJT
Mayor impedancia de entrada: Los FET tienen una impedancia de entrada
mucho mayor que los BJT, lo que significa que consumen menos corriente de entrada y son más sensibles a las señales de entrada débiles. Menos ruido: Los FET generan menos ruido que los BJT, lo que los hace ideales para aplicaciones de amplificación de señal de bajo ruido. Más estables a la temperatura: Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, lo que significa que su rendimiento no se ve afectado por los cambios de temperatura. Más fáciles de fabricar: Los FET son generalmente más fáciles de fabricar que los BJT, lo que permite una mayor densidad de empaquetado.
20. Indique y compare las características entre JFET y BJT.
Transistor JFET:
El transistor JFET tiene una impedancia de entrada muy alta, lo que significa que es menos sensible a las variaciones de la señal de entrada. El transistor JFET es un dispositivo de baja potencia y bajo ruido. El transistor JFET es un dispositivo de alta impedancia de entrada, lo que significa que es adecuado para aplicaciones de amplificación de señal de baja corriente. El transistor JFET es un dispositivo de canal n o p, lo que significa que puede ser de tipo de enriquecimiento o depleción. El transistor JFET es un dispositivo de voltaje controlado.
Transistor BJT:
El transistor BJT es un dispositivo de corriente controlada.
El transistor BJT tiene una impedancia de entrada baja, lo que significa que es más sensible a las variaciones de la señal de entrada. El transistor BJT es un dispositivo de alta potencia y alto ruido. El transistor BJT es un dispositivo de baja impedancia de entrada, lo que significa que es adecuado para aplicaciones de amplificación de señal de alta corriente. El transistor BJT es un dispositivo de tipo npn o pnp.
21. Cuáles son las características importantes de FET
La estructura básica de un FET consiste en un canal de conductividad entre
dos terminales llamados source (fuente) y drain (drenaje). Un tercer terminal, conocido como gate (puerta), controla el flujo de corriente a través del canal aplicando un voltaje, creando así un campo eléctrico que modula la conductividad del canal. Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (10 7 a 10 12 ohmios). Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. Los FET son más estables con la temperatura que los BJT. Los FET se utilizan en una variedad de aplicaciones electrónicas y de telecomunicaciones, como amplificación, conmutación y regulación de voltaje.
22. Induce y comparación las características entre JFET y MOSFET.
Fabricación: Actualmente, los MOSFET son más fáciles de fabricar que los JFET debido a su popularidad y la existencia de más líneas de fabricación. Control de corriente: En el JFET, la corriente se controla mediante la polarización inversa de las compuertas con el canal S-D. En el MOSFET, la corriente se controla mediante un campo eléctrico que atrae a los portadores minoritarios a través de una capa dieléctrica. Desviación de voltaje: El transistor JFET tiene una desviación de cero del voltaje, cuando no está polarizada la compuerta la corriente en D-S no es cero. En el MOSFET, la corriente D-S es igual a cero, a menos que exista polarización. Impedancia de entrada: Debido a la capa de dieléctrico entre la compuerta y el sustrato, el transistor MOSFET tiene una impedancia de entrada mayor que el JFET. Ganancia: El transistor JFET tiene mayor ganancia (transconductancia) que el MOSFET. Niveles de ruido: El transistor JFET tiene menores niveles de ruido que el MOSFET.
23. Explique los tipos de polarización del JFET
Polarización inversa: La polarización inversa se produce cuando la tensión
aplicada a la compuerta es negativa en relación al terminal de la fuente. En este caso, se crea una región de agotamiento en la unión PN que separa las cargas libres. Esto provoca que la compuerta tenga una alta impedancia y que la corriente que circula en el canal sea muy baja o nula. Polarización directa: En la polarización directa, la tensión aplicada a la compuerta es positiva en relación al terminal de la fuente. En este caso, se reduce la barrera de potencial en la unión PN y se permite que circule una corriente de canal. La corriente de canal aumenta a medida que aumenta la tensión de la compuerta. Polarización por divisor de voltaje: La polarización por divisor de voltaje se utiliza para establecer un punto de operación estable del JFET. En este caso, se utiliza un divisor de voltaje formado por dos resistencias para establecer la tensión de polarización de la compuerta. Polarización por corriente constante: La polarización por corriente constante se utiliza para mantener una corriente de canal estable en el JFET y así evitar la distorsión de la señal de salida. En este caso, se utiliza una fuente de corriente constante para polarizar la compuerta.
24. Explique que es la resistencia al drenaje.
La resistencia eléctrica es una medida de la oposición que presenta un material al paso de la corriente eléctrica. En el contexto del drenaje eléctrico, la resistencia eléctrica se refiere a la resistencia que presenta el suelo al paso de la corriente eléctrica.
25. Explique que es la conductancia de Transistor
La transconductancia, también llamada a veces conductancia mutua, es la característica eléctrica que relaciona la corriente de salida de un dispositivo con la tensión en la entrada del mismo. La conductancia es el recíproco de la resistencia.
26. Describa las ventajas de un JFET
Construcción simple: Los JFET tienen una construcción relativamente simple
en comparación con otros tipos de transistores. Consisten en un canal de Material, generalmente de silicio, que actúa como tubo o manguera para controlar el flujo de corriente. Alta impedancia de entrada: Oferta JFET una alta impedancia de entrada, haciéndolos adecuados para aplicaciones donde un alto nivel Se requiere amplificación de señal. Esta característica permite que los JFET funcionen bien como amplificadores de voltaje. Flexibilidad de sesgo: Los JFET se pueden sesgar fácilmente usando una sola fuente de alimentación, haciéndolos cómodos de usar en varias configuraciones de circuito. Esta flexibilidad simplifica el diseño proceso y reduce el número of componentes requeridos.
27. Enumerar los parámetros JFET
Varias características clave definir el comportamiento de un JFET. Estos parámetros incluyen:
Corriente de drenaje (IDENTIFICACIÓN): La fluyendo a través de el
drenaje terminal del JFET. Voltaje de puerta (VG): El voltaje aplicado a la puerta terminal para controlar el flujo de corriente. Voltaje de pellizco (VP): El voltaje de la puerta al cual el canal está completamente cerrado, lo que resulta en corriente de drenaje cero. Región JFET de operación: El rango de voltajes de puerta donde opera el JFET una región lineal o de saturación. Característica de transferencia: La relación entre la puerta voltaje y el drenaje actual, indicando el comportamiento del JFET.
28. Explique el nodo de agotamiento de operación en MOSFET
El nodo de agotamiento de operación en MOSFET es un tipo de MOSFET que se enciende por defecto sin aplicar ningún voltaje de puerta cuando se conecta. En este MOSFET, el flujo de corriente es desde el terminal de drenaje hasta la fuente. Una vez que se aplica un voltaje en la terminal de puerta del MOSFET, el drenaje al canal fuente se volverá más resistente. Cuando el voltaje de la fuente de la puerta aumenta más, el flujo de corriente del drenaje a la fuente se reducirá hasta que se detenga el flujo de corriente del drenaje a la fuente.
29. Explique el término drenaje en FET
El término “drenaje” en un transistor de efecto de campo (FET) se refiere a uno de los tres terminales del dispositivo, junto con la fuente y la compuerta. El drenaje es el terminal que recoge la corriente que fluye a través del canal del FET desde la fuente. La corriente fluye desde la fuente al drenaje, y la cantidad de corriente que fluye está controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
30. Defina que es el término puerta en FET
La “puerta” es el terminal que controla el campo eléctrico que modula la conductividad del canal. En otras palabras, la puerta es el terminal que permite que la corriente fluya o se detenga en el canal del FET.
31. Escriba las desventajas relativas de un FET sobre las de un BJT.
Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. En este apartado se estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.
32. Mencione los métodos utilizados para polarizar circuitos en FET
Hay dos métodos comunes para polarizar los FET: polarización simple y autopolarización. En la polarización simple, se utiliza una fuente de tensión externa para generar una VGS<0. En la autopolarización, la caída de tensión en la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.
33. Mencione las tres regiones que están presentes en las características de la fuente de drenaje de JFET La fuente de drenaje de un transistor de efecto de campo de unión (JFET) tiene tres regiones importantes: la región de agotamiento, la región de canal y la región de unión. La región de agotamiento es la región que rodea la unión PN y se extiende hacia el canal. La región de canal es la región que se encuentra entre la región de agotamiento y la región de unión. La región de unión es la región que se encuentra entre la región de canal y la región de drenaje.
34. Enumere las características de JFET.
Las principales características de un JFET incluyen alta impedancia de entrada, bajo ruido y la habilidad para operar en modo de agotamiento. La característica de transferencia de un JFET es una curva que muestra la relación entre el drenaje actual y la puerta-fuente de voltaje.
35. ¿Por qué MOSFET se llama IGFET?
IGFET (insulated-gate field-effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es más inclusivo porque muchos transistores MOSFET utilizan una puerta que no es metálica y un aislante de puerta que no es un óxido.
36. Compare las características entre JFET y MOSFET
El transistor MOSFET soporta mayores voltajes.
El transistor MOSFET tiene una impedancia de entrada mayor que el JFET. El transistor JFET tiene mayor ganancia (transconductancia) que el MOSFET. El transistor JFET tiene menores niveles de ruido. La corriente a través de JFET está canalizada por el campo eléctrico a través de la unión PN sesgada hacia atrás, mientras que en MOSFET la conductividad es debida al campo eléctrico transversal en el aislante de óxido de metal incrustado en el semiconductor. JFET proporciona un ruido muy bajo que MOSFET, aunque el MOSFET tiene una velocidad de conmutación muy alta que JFET.
37. Compare el JFET del canal P y del canal N.
La principal diferencia entre el JFET de canal P y el JFET de canal N es la polarización. En el JFET de canal N, el voltaje VDD tiene el terminal positivo hacia el terminal “D” (Drenaje) y el terminal negativo al terminal “S” (Fuente) del transistor. En el JFET de canal P, el voltaje VDD tiene el terminal negativo hacia el terminal “D” (Drenaje) y el terminal positivo al terminal “S” (Fuente) del transistor.
