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    Laboratorio 9 Polarizacion Transistor JFET

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    Este documento describe tres procedimientos para polarizar un transistor JFET mediante diferentes circuitos. El primer procedimiento usa polarización fija para establecer los valores VDS(Q)=5.5V e ID(Q)=9mA. El segundo usa autopolarización para establecer VDS(Q)=6V e ID(Q)=9mA. El tercero usa un divisor de tensión para establecer VDS(Q)=8V e ID(Q)=9mA. Cada procedimiento requiere simular el circuito y medir los parámetros listados en una tabla.

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    Este documento describe tres procedimientos para polarizar un transistor JFET mediante diferentes circuitos. El primer procedimiento usa polarización fija para establecer los valores VDS(Q)=5.5V e ID(Q)=9mA. El segundo usa autopolarización para establecer VDS(Q)=6V e ID(Q)=9mA. El tercero usa un divisor de tensión para establecer VDS(Q)=8V e ID(Q)=9mA. Cada procedimiento requiere simular el circuito y medir los parámetros listados en una tabla.

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    Procedimiento practico actividad Formativa 1

    Polarización transistor JFET

    1) Realizar la Polarizacion Fija del transistor JFET, de acuerdo a los datos hallar la resistencia RD para que se cumpla
    los valores del Punto (Q) indicado: V DS(Q)=5.5 (V), ID(Q)= 9 (mA), VGS(off)= -3 (V), VGS= -1 (V), IDSS= 20 (mA),
    verificar parámetros de Tensión y Corriente en el circuito de acuerdo a los datos que pide la tabla adjunta y llene
    la tabla.

    ADJUNTE FOTO DE LA SIMULACIÓN

    Tabla del inciso 1)

    Parámetros a medir Abreviación


    Tensión de la fuente VDD VDD
    Resistencia de drenador RD RD
    Resistencia de Gate RG RG
    Tensión de la fuente VGG VGG
    Tensión Gate Source VGS
    Intensidad Drenador punto (Q) ID (Q)
    Voltaje Drenador Surtidor punto (Q) VDS (Q)
    2) Realizar la Autopolarizacion del transistor JFET, de acuerdo a los datos hallar la resistencia RD y RS, para que se
    cumpla los valores del Punto (Q) indicado: V DS(Q)=6 (V), ID(Q)= 9 (mA), VGS(off)= -3 (V), VGS= -1 (V), IDSS= 20 (mA),
    verificar parámetros de Tensión y Corriente en el circuito de acuerdo a los datos que pide la tabla adjunta y llene
    la tabla.

    ADJUNTE FOTO DE LA SIMULACIÓN

    Tabla del inciso 2)

    Parámetros a medir Abreviación


    Tensión de la fuente VDD VDD
    Resistencia de drenador RD RD
    Resistencia de surtidor RS RS
    Resistencia de Gate RG RG
    Tensión Source VS VS
    Tensión Gate Source VGS
    Intensidad Drenador punto (Q) ID (Q)
    Voltaje Drenador Surtidor punto (Q) VDS (Q)

    3) Realizar la Polarizacion por divisor de tension del transistor JFET, de acuerdo a los datos hallar la resistencia RD,
    RS, Y R1, para que se cumpla los valores del Punto (Q) indicado: V DS(Q)=8 (V), ID(Q)= 9 (mA), VGS(off)= -3 (V),
    VGS= -1 (V), IDSS= 20 (mA), verificar parámetros de Tensión y Corriente en el circuito de acuerdo a los datos que
    pide la tabla adjunta y llene la tabla.
    ADJUNTE FOTO DE LA SIMULACIÓN

    Tabla del inciso 3)

    Parámetros a medir Abreviación


    Tensión de la fuente VDD VDD
    Resistencia de drenador RD RD
    Resistencia de Gate RG RS
    Resistencia 1 R1 R1
    Resistencia 2 R2 R2
    Corriente Gate IG IG
    Tensión Gate Source VGS
    Intensidad Drenador punto (Q) ID (Q)
    Voltaje Drenador Surtidor punto (Q) VDS (Q)

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