Exposicion Jfet

Jfet:
Definicion:
Es un tipo de dispositivo electrnico de tres terminales que puede ser usado como
interruptor electrnicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por
voltaje. Posee tres terminales, comnmente
llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).
Al ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de
polarizacin. La carga elctrica fluye a travs de un canal semiconductor (de tipo N o
P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensin elctrica inversa al
terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la
corriente elctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensin
entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (regin de saturacin), pero cuando
esta tensin aumenta en mdulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los
terminales D y S crece, entrando as en la regin hmica, hasta determinado lmite
cuando deja de conducir y entra en corte. La grfica de la tensin entre los terminales
D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de
drenaje) es una curva caracterstica y propia de cada JFET.
Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el
orden de1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los
componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.
Ecuacin de entrada:
En la regin activa del JFET, siempre que la tensin entre puerta y fuente VGS sea
menor que el mdulo de la tensin de estrangulamiento o estriccin, en la cual el JFET
cae en la zona de saturacin, Vp tambin llamada VGS(off) , la curva de valores lmite de
Vgs
ID viene dada por la expresin: Id= Idss(1- )
Vp
Los puntos incluidos en esta curva representan la corriente ID y la tensin VGS en la

zona de saturacin, mientras que los puntos del rea bajo la curva representan la zona
hmica. Si |VGS| > |Vp| (zona de corte) la corriente de drenaje es cero (ID=0).
Ecuacin de salida:
Los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer
momento, la corriente de drenaje aumenta progresivamente segn lo hace la tensin
de salida drenaje-fuente (VDS). Esta curva viene dada por la expresin:
Idss
Id= k[2Vds(Vgs-Vp)-Vds], donde k viene siendo: k=
Vp
Vds 1
Se puede suponer que Id= , donde Ron es: Ron=k
Ron (VgsVp)
2
Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido por
una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relacin entre la ID y la
VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le
llame zona hmica. A partir de una determinada tensin VDS la corriente ID deja de
aumentar, quedndose fija en un valor al que se denomina Id de saturacin. El valor de
Vds a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la
expresin: Vds= Vgs-Vp
La corriente de saturacin, caracterstica de cada JFET, puede calcularse
reescribiendo la ecuacin de entrada y usando para "k" la expresin ya mencionada,
queda:
k
Id=2(Vgs-Vp)
Funcionamiento bsico
Son transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de
un "canal" en un material semiconductor. Los JFET pueden plantearse como
resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).
La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje
aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
JFET son de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una
tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no
conduccin, respectivamente.
Su funcionamiento se basa en las zonas de deplexin que rodean a cada zona P al ser
polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexin
se hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga
ms dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin,
cuanto mayor es la tensin inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la
corriente entre fuente y drenaje.
El JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los
electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin van al
drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente Id= Is
Polarizacin:
La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente
(Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente
(Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
El JFET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta a fuente
modifican la regin de rarefaccin (deplexin) y causan que vare el ancho del canal.
Curva Caracterstica:
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas caractersticas del
transistor JFET y se distinguen tres zonas importantes: la zona hmica, la zona de
corte y la zona de saturacin.
Aplicaciones:
Osciladores, radios y amplificadores.
Notacion
Smbolo Unidades Descripcin
Ig A Corriente de compuerta
Is A Corriente de fuente
Id A Corriente de drenaje
Idss A Corriente de drenaje en saturacin
Vds V Voltaje drenaje - fuente en CD
Vgs V Voltaje compuerta - fuente en CD
Vdsq V Voltaje drenaje - fuente en el punto de operacin en
CD
Vgsq V Voltaje compuerta - fuente en el punto de operacin
en CD
Vgs V Voltaje compuerta - fuente en CA
Vp V Voltaje de ruptura
Va V Voltaje Early
Gm A/V Transconductancia para el modelo de pequea seal
Rd Resistencia de salida para el modelo de pequea
seal
^ 1 Modulacion de la longitud del canal

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