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    Consulta JFET

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    Toby Feihaber
    El documento trata sobre el transistor JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión). Explica que el JFET permite controlar la corriente entre sus terminales Source y Drain variando la tensión en su terminal Gate. Describe las partes del JFET, sus símbolos, cómo están construidos y cómo se polarizan. También explica las curvas características del JFET y las diferentes regiones de operación. Finalmente, cubre temas como la verificación de hojas de especificaciones, tipos de polarización en corriente continua y configuraciones como la

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    El documento trata sobre el transistor JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión). Explica que el JFET permite controlar la corriente entre sus terminales Source y Drain variando la tensión en su terminal Gate. Describe las partes del JFET, sus símbolos, cómo están construidos y cómo se polarizan. También explica las curvas características del JFET y las diferentes regiones de operación. Finalmente, cubre temas como la verificación de hojas de especificaciones, tipos de polarización en corriente continua y configuraciones como la

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    Características del JFET

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    El documento trata sobre el transistor JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión). Explica que el JFET permite controlar la corriente entre sus terminales Source y Drain variando la tensión en su terminal Gate. Describe las partes del JFET, sus símbolos, cómo están construidos y cómo se polarizan. También explica las curvas características del JFET y las diferentes regiones de operación. Finalmente, cubre temas como la verificación de hojas de especificaciones, tipos de polarización en corriente continua y configuraciones como la

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    Electrónica Fundamental

    Consulta
    Departamento de Eléctrica y Electrónica
    Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE
    Integrantes: Jorge Yacelga, Diego Cabascango
    NRC: 9405
    Fecha: 14/08/2020
    TEMA: Transistor JFET
    También denominado Transistor de Efecto de Campo. Su nombre proviene del acrónimo
    inglés Junction Field Effect Transistor. Es un dispositivo mediante el cual se
    puede controlar el paso de una cierta cantidad de corriente haciendo variar una tensión,
    esa es la idea principal; existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de canal p, se
    comentará para el caso de JFET de canal n. La principal característica de este tipo de
    transistores es que prácticamente no requieren de corriente de entrada en su terminal de
    control. Permite el paso, o no, de corriente entre sus terminales Source (Fuente)
    y Drain (Drenador) mediante la aplicación de voltaje en su terminal Gate (Puerta). Al no
    necesitar corrientes de polarización, como ocurre con los transistores bipolares, se puede
    reducir el número de componentes externos necesarios para hacerlo funcionar.
    (Hernández, 2019)

    Fig 1 Transistor JFET y sus partes

    En el símbolo, el terminal Gate puede estar desplazado o en el centro. Se usa de manera


    indistinta sin que signifique ningún tipo de JFET especial o variación en el transistor.
    (Hernández, 2019)

    Fig 2 Simbología del JFET según su canal


    Están fabricados con materiales semiconductores tipo n y tipo p, al igual que los diodos;
    la figura que sigue es una representación para comprender como están distribuidos los
    materiales semiconductores para el de canal n y el de canal p, y las conexiones de los
    pines a estos semiconductores, la figura servirá para tener una idea del
    comportamiento del JFET. (MrElberni, 2015)

    Fig 3 Región de agotamiento de JFET canal n

    Para polarizar un JFET de canal n, de la batería o fuente de alimentación VGG que se


    use entre la compuerta y la fuente se conectará su polo negativo hacia la compuerta(G)
    y hacia la fuente(S) su polo positivo; la batería o fuente de alimentación VDD que se
    conecta entre el drenaje y la fuente, es la encargada de suministrar la corriente que se
    controla con la VGS, VDD se conecta con su polo positivo en el drenaje(D) y el
    negativo a la fuente(S); si el JFET es de canal p las conexiones de las alimentaciones se
    invierten, tal como se ve en la imagen siguiente.

    Fig 4 Polarización de JFET en canal en n y p

    De la figura anterior se puede ver que al estar polarizado el diodo entre la compuerta y
    la fuente en inversa, la corriente que se aparece a través de la compuerta IG es muy
    pequeña, del orden de los nA, por eso se considera que IG=0, también es por este
    motivo que se dice que el JFET tiene una alta impedancia de entrada, propiedad que se
    aprovecha en los amplificadores basados en el JFET; la corriente que circula entre
    el drenaje y la fuente se conoce como corriente de drenaje ID, el valor de esta corriente
    depende del valor de la tensión VGS; como se ha visto anteriormente al hacer variar la
    VGS se logra que la región de agotamiento aumente o disminuya, lo que hace que el
    canal por el que circula la corriente de drenaje ID disminuya o aumente, al disminuir o
    aumentar el canal se controla la cantidad de ID que circula por el JFET; esta es la forma
    que se controla la corriente por tensión con el transistor JFET.
    Cuando VGS=0 la región de agotamiento será mínima, en este caso si la tensión entre el
    drenaje y la fuente VDS se aumenta la corriente de drenaje ID aumentará también, pero
    llegará un momento que la corriente ID deje de aumentar por más que se aumente
    la VDS, en ese momento se dice que el JFET se ha saturado (en un JFET la VDS tiene
    un límite que si se sobrepasa el JFET se dañará, ese valor máximo para VDS
    se encuentra en su hoja de datos), a esa corriente ID que ya no aumenta más se la
    conoce como corriente de drenaje fuente de saturación la cual se simboliza como IDSS,
    es un dato muy importante característico de los JFET que se encontrará en su hoja de
    datos; cuando la VGS=VGSoff la corriente ID=0, como se puede ver la ID variará desde
    un mínimo de 0A hasta un máximo de IDSS y todo esto controlado por la VGS.
    Curvas Características
    Si juntamos ahora en una misma gráfica el efecto que sobre el funcionamiento del
    dispositivo tienen ambas tensiones (VDS y VGS)
    Al representar la corriente de drenador en función de ambas tensiones, aparecen las
    denominadas curvas características del transistor JFET. En la gráfica se representan las
    curvas características de salida para un JFET de canal n. En ella se
    representa la corriente de drenador ID frente a la tensión drenador (fuente VDS) para
    distintos valores de la tensión puerta (fuente VGS).En la misma podemos ver como
    el valor de la tensión VDS para el que se produce la saturación de la corriente de
    drenador cuando VGS=0, conocido también como VP haciendo referencia al
    “estrangulamiento” o “pinch-off” producido en el canal .Indicar que esta tensión VP se
    puede considerar de igual valor, pero de signo contrario, a la tensión VGSoff
    característica del dispositivo. Por otro lado, para otros valores de VGSel valor
    dela tensión VDS para el que se producirá la saturación de la corriente de drenador
    vendrá dado por la expresión VDSsat= VGS-VGSoff, donde todas las tensiones deben
    de ponerse con su signo correspondiente. Es decir, cuanto más negativa sea la tensión
    VGS antes se alcanzará la condición de saturación, o de otra forma, el canal se
    “estrangulará” para valores menores de la tensión VDS, lo cual parece lógico ya que
    cuanto más negativa sea VGS menor es el canal de partida que tenemos. En las curvas
    características de la gráfica podemos distinguir 4 zonas bien diferenciadas:
    •Zona de corte o de no conducción.
    •Zona óhmica o de no saturación.
    •Zona de saturación o de corriente constante.
    •Zona de ruptura.
    Fig 5 Curva característica del JFET y sus regiones de trabajo

    Verificación de hojas de especificación, principales datos

    Uno de los principales datos que nos debe de proveer una hoja de especificaciones es la
    siguiente:

    Voltaje del drenaje de fuente = 𝑉𝐷𝑆


    Voltaje de drenaje de compuerta= 𝑉𝐷𝐺
    Voltaje de la compuerta a fuente en inversa = 𝑉𝐺𝑆𝑅
    Corriente de Compuerta = 𝐼𝐺
    Disipación total del dispositivo @Ta=25ºC = 𝑃𝐷
    Reducción de valor nominal a más de 25 ºC

    Características de apagado
    Voltaje de Corte de la compuerta a la fuente = 𝑉𝐺𝑆(𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜)

    Características de encendido
    Voltaje de Drenaje con voltaje cero en la compuerta = 𝐼𝐷𝑆𝑆
    Algunos ejemplos
    JFET 2N5457
    JFET 2N5951
    NOTA: los niveles máximos especificados para VDS y VDG no deben ser excedidos en
    cualquier punto de operación de diseño del dispositivo, la fuente VDD puede exceder estos
    niveles, pero el nivel real de voltaje entre terminales nunca debe exceder el nivel especificado
    Las características eléctricas incluyen el nivel de 𝑉𝑃 en las características apagado e 𝐼𝐷𝑆𝑆 en las
    características de encendido

    Tipos de polarización en DC
    Polarización fija de un transistor JFET

    Análisis en CD
    Para el análisis de CD
    𝐼𝐺 ≅ 0𝐴
    𝑉𝑅𝐺 = 𝐼𝐺 ∗ 𝑅𝐺 = 0𝐴 ∗ 𝑅𝐺 = 0 𝑉

    𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝐺𝐺

    Como la magnitud del voltaje VGS es fija, de ahí la


    designación de la configuración polarización fija
    𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷
    𝑉𝑆 = 0 𝑉
    𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑆
    𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆
    𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
    𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆
    Del libro de Malvino
    Polarización en la región Óhmica
    El JFET puede polarizarse en la región Óhmica o en la región activa, cuando esta polarizado en
    la región Óhmica el JFET es Equivalente a una resistencia, y cunado esta polarizado en la
    región activa el JFET se comporta como una fuente de corriente
    Polarización de Puerta
    𝑽𝑫 = 𝑽𝑫𝑫 − 𝑰𝑫𝑹𝑫 la polarización de puerta es el peor método para polarizar un JFET en la
    región activa ya que el punto Q es muy inestable

    a) Polarizacion Puerta b) Punto Q inestable en la región activa

    C) Polarización en región Óhmica d) el JFET es equivalente a una resistencia


    Libro de Boylestad
    Configuración de Auto polarización
    La configuración de auto polarización elimina la necesidad de dos fuentes de cd. El voltaje de
    cntol de l compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a través de una resistencia 𝑅𝑆

    Para análisis de CD los capacitores en circuito abierto y la resistencia 𝑅𝐺 por un equivalente


    cortocircuito puesto que 𝐼𝐺 = 0
    Ecuaciones

    𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 2
    𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 + )
    𝑉𝑃

    Polarización por medio de divisor de voltaje


    El divisor de tensión genera una tensión de puerta que es una fracción de la tensión de
    alimentación, restando la tensión puerta-fuente obtenemos la tensión en la resistencia de fuente
    𝑉𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆
    𝑅2
    𝑉𝐺 = 𝑉
    𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷
    De Malvino

    𝐼𝐺 = 0 𝐴
    𝑅2 𝑉𝐷𝐷
    𝑉𝐺 =
    𝑅1 + 𝑅2
    Para análisis de CD

    𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑠
    Configuración de Compuerta común

    I. Referencias

    Hernández, A. (11 de Noviembre de 2019). Taller Electrónica. Obtenido de


    https://tallerelectronica.com/transistor-jfet/
    MrElberni. (30 de Noviembre de 2015). http://mrelbernitutoriales.com/. Obtenido de
    http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-jfet/
    BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS, Electrónica: teoría de circuitos y
    dispositivos electrónicos, 8ª.ed, Ed. PEARSON EDUCACIÓN, México, 2003
    Malvino, A; Bates, Principios de Electrónica, 7ª Edición, McGraw – Hill 2006. 621.3
    MAL pri

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