TRANSISTORES DE EFECTO DE

CAMPO.
(FET)
 Los transistores de efecto de campo o transistores
FET (field effect transistor), se diferencian
principalmente de los transistores bipolares, en
que la corriente que conducen depende de la
tensión, es decir, son controlados por tensión.

 Dentro de los transistores FET, hay dos tipos, los

llamados transistores FET de unión (JFET),
también llamados simplemente FET, y los
transistores FET de puerta aislada, también
llamados MOSFET.

2
 Con los transistores bipolares observábamos
como una pequeña corriente en la base de los
mismos se controlaba una corriente de colector
mayor. Los Transistores de Efecto de Campo
son dispositivos en los que la corriente se
controla mediante tensión. Cuando funcionan
como amplificador suministran una corriente
de salida que es proporcional a la tensión
aplicada a la entrada.
 La Figura a muestra un fragmento de un semiconductor
de tipo n. El extremo inferior es la fuente y el extremo
superior se denomina drenador. La fuente de alimentación
VDD fuerza a que los electrones libres fluyan desde la
fuente hacia el drenador. Para fabricar un JFET, el
fabricante difunde dos áreas de semiconductor de tipo p en
el semiconductor de tipo n, como se muestra en la Figura b.
Estas regiones p están conectadas internamente para
conseguir un sólo terminal externo de puerta.
 POLARIZACIÓN INVERSA DE PUERTA
 En la Figura siguiente la puerta de tipo p y la fuente de
tipo n forman el diodo puerta-fuente. En un JFET, el
diodo puerta-fuente siempre se polariza en inversa. Debido
a la polarización inversa, la corriente de puerta IG es
aproximadamente cero, lo que equivale a decir que el
JFET presenta una resistencia de entrada casi infinita.
Un JFET típico tiene una resistencia de entrada de cientos
de megaohmios. Esta es la gran ventaja que un JFET
tiene sobre un transistor bipolar y es por lo que constituye
una excelente solución para las aplicaciones en las que se
requiere una alta impedancia de entrada.
 En la Figura siguiente, los electrones que fluyen desde
la fuente al drenador tienen que atravesar el estrecho
canal que hay entre las zonas de deplexión. Cuando la
tensión de puerta se hace más negativa, las zonas de
deplexión se expanden y el canal de conducción se hace
más estrecho. Cuanto más negativa sea la tensión de
puerta, menor será la corriente entre la fuente y el
drenador.

Figura.- Polarización normal del JFET.

 El JFET es un dispositivo controlado por tensión porque
una tensión de entrada controla una corriente de salida.
En un JFET, la tensión puerta-fuente VGS determina la
cantidad de corriente que fluye entre la fuente y el
drenador. Si VGS es cero, la corriente máxima de
drenador circula a través del JFET. Por esto, se dice que
el JFET es un dispositivo normalmente en conducción.
Por el contrario, si VGS es lo suficiente negativa, las
zonas de deplexión se tocarán y la corriente de drenador
se cortará.
 El JFET de la Figura anterior es un JFET de canal n
porque el canal entre la fuente y el drenador es un
semiconductor de tipo n. La Figura (a) muestra el símbolo
esquemático de un JFET de canal n.
 La Figura b muestra un símbolo alternativo para un
JFET de canal n. Muchos ingenieros y técnicos prefieren
este símbolo con la puerta desplazada, la cual apunta a la
fuente del dispositivo, para poder diferenciar mas
fácilmente la ubicación de la fuente.
 También existe un JFET de canal p. El símbolo
esquemático de un JFET de canal p, mostrado en la
Figura c, es similar al del JFET de canal n, excepto en
que la flecha de la puerta apunta en la dirección
contraria. El funcionamiento de un JFET de canal p
es complementario: es decir, todas las tensiones y
corrientes están invertidas. Para polarizar en inversa
un JFET de canal p, la puerta tiene tanto, VGS se hace
positiva.
 JFET de canal N JFET de canal P

Drenador
(D) Drenador
(D)

ID

IG
Puerta Puerta
N P N VSD
(G) (G)
VGS
IS

Surtidor
Surtidor (S)
(S)

Los tres terminales de un transistor FET son la puerta (gate

en inglés), el drenador y la fuente o surtidor.
 Anotaciones Importantes:

• Fuente = S urtidor
• Drenaje = Drenador
• Compuerta = Gate

12
 JFET
El JFET esta constituido por una barra de silicio tipo N o canal N,

G G

S p D S n D
n p
p n

13
 VDS

El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debe sobrepasar

el voltaje de ruptura (típicamente 50V) porque destruiría el dispositivo.

VALORES COMERCIALES PARA EL JFET

Voltaje VDS (V) 25,30,40,50

Potencia (W) 0.15,0.3,1.8,30

Transistores
BJT FET

Terminales Emisor (E) Fuente (S)

Colector (C) Drenador (D)
Base (B) Puerta (G)

Símbolo

Puerto de entrada Base-emisor Puerta-fuente

Puerto de salida Colector-emisor Drenador-fuente
Funciona como Controlada por Controlada por
fuente de corriente corriente tensión
Zonas de Corte Corte
funcionamiento Saturación Triodo
activa saturación
16
EJEMPLO
 Un JFET 2N5486 tiene una corriente de puerta de 1
nA cuando la tensión inversa de puerta es 20 V. ¿Cuál
es la resistencia de entrada de este JFET?

 SOLUCIÓN Utilizando la ley de Ohm, obtenemos:

 LA CURVA CARACTERÍSTICA DEL FET.
 Este gráfico muestra que al aumentar el voltaje Vds
(voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de
compuerta) fijo, la corriente aumenta rápidamente (se
comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto
A (voltaje de estricción), desde donde la corriente se
mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra
en la región de disrupción o ruptura), desde donde la
corriente aumenta rápidamente hasta que el transistor
se destruye.
 Si ahora se repite este gráfico para más de un
voltaje de puerta a fuente (Vgs), se obtiene un
conjunto de gráficos. Ver que Vgs es "0" voltios o
es una tensión de valor negativo.
 Zona activa. Se observa en cada curva una zona en que,
por más que aumente la tensión drenador – surtidor, no
aumenta la intensidad.

 Zona óhmica. En los tramos iniciales de cada curva, se

observa que hasta poco antes de llegar a la zona activa,
la curva es una línea recta. Esta zona lineal, se llama
zona óhmica, precisamente por esta relación lineal entre
la tensión y la intensidad.
 Región de disrupción o ruptura, desde donde la corriente
aumenta rápidamente hasta que el transistor se
destruye.

20
 CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
 La curva de transconductancia de un JFET es la gráfica
de ID en función de VGS. A partir de los valores de ID y
VGS de cada una de las curvas de drenador. Observe que
la curva no es lineal porque la corriente aumenta
rápidamente cuando VGS se aproxima a cero.
 Cualquier JFET tiene una curva de transconductancia
como la mostrada en la Figura. Los puntos extremos de
la curva son VGS(off) e IDSS. La ecuación de esta gráfica es:
POLARIZACIÓN EN LA REGIÓN ÓHMICA
 El JFET puede polarizarse en la región óhmica o en la
región activa. Cuando está polarizado en la región
óhmica, el JFET es equivalente a una resistencia.
Cuando está polarizado en la región activa, el JFET se
comporta como una fuente de corriente.
 Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la
corriente ID (regula el ancho del canal), se puede
comparar este comportamiento como un resistor cuyo
valor depende del voltaje VDS. Esto es sólo válido para
VDS menor que el voltaje de estricción (ver punto A en
el gráfico).
 Entonces si se tiene la curva característica de un FET,
se puede encontrar La resistencia RDS con la siguiente
fórmula: RDS = VDS / ID
 El transistor JFET en la zona óhmica

•En esta región el canal conductor

•La zona óhmica o lineal se sitúa cerca entre drenador y fuente se comporta
del origen, para VDS<<VDS sat como una resistencia RDS

•La RDS va aumentando a medida que se

estrecha el canal, a consecuencia de la
polarización inversa producida por VGS
 El transistor JFET en la zona óhmica

•Llegará un momento en que

la zona de transición invada
toda la región N, impidiéndose
totalmente la conducción.
(Corte del canal)

•La tensión VGS que corta el el

canal se llama tensión de corte
VP=Vt

1
•La ley que rige la resistencia del canal en la RDS  RDS ( ON )
zona óhmica es la que sigue: VGS
1
VP
 CUIDADOS
Si se aplica polarización directa a la compuerta, circulará una
alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no
esta limitada por una resistencia en serie con la compuerta.

El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no

debe sobrepasar el voltaje de ruptura (típicamente 50V)
porque destruiría el dispositivo.

27
HOJAS DE CARACTERÍSTICAS DE LOS
FET

 En las hojas de características de los fabricantes

de FETs se encuentra los siguientes parámetros :
VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas
soportables por la unión PN.
IG.- corriente máxima que puede circular por la
unión puerta - surtidor cuando se polariza
directamente.
PD.- potencia total disipable por el componente.
IDSS.- Corriente de saturación en la zona activa
cuando VGS=0.
IGSS.- Corriente que circula por el circuito de
puerta cuando la unión puerta - surtidor se
encuentra polarizado en sentido inverso.
Teoría Previa
Teoría Previa
Polarización Fija
 Análisis

32
Analisis
Analisis
Autopolarización
 Autopolarización

36
Analisis
 Polarización por
divisor de voltaje

38
Convirtiendo a su Circuito
Thevenin Equivalente
Polarización por
divisor de voltaje
 Polarización por
divisor de voltaje

41
Analisis
 PARÁMETROS

Curvas de drenador
• VP = | VGS(apag)|
• VGS(apag) = -2IDSS/gm0
• gm = dID/Dvgs
• gm = gm0(1-VGS/VP)
• I S = ID POLARIZACION
• IG = 0 CENTRADA:
• ID = IDSS/2
• VD = VDD – ID(RD)
•VGS = VGS(apag) /4
• VG = IG(RG) • RS = 1/gmo
• VS = ID(RS)
• VDS = VDD – ID(RD+RS)
• VGS = -ID(RS)
•
 JFET
PRUEBA
Se comprueba con un ohmímetro en la escala de Rx1 ó Rx10.

Alta resistencia en un
sentido y baja en el inverso. Entre Drenador y
surtidor, el valor óhmico
exclusivamente del
material del canal.
Alta resistencia en un sentido
Entre 2K y 10K, siendo el
y baja en el inverso.
mismo en ambos sentidos.

44
 PROBLEMA 1
Calcular, para el circuito de autopolarización de la figura, la tensión VGS
y el valor de la corriente de drenador

45
RESUMEN
En FET
•Se analiza la malla de entrada (puerta-fuente), con la
aproximación ig=0 obteniéndose vgs para ver si está en corte o
en conducción

•Si está en conducción se supone zona de corriente constante

y se halla la corriente de drenador. Con la malla de salida se
calcula el voltaje de salida (vds) y se comprueba que cumple la
condición de estar en zona de corriente constante.

•Si está en zona de triodo se resuelve el sistema de dos

ecuaciones:
•Malla de salida
•Ecuación que liga id con vgs y vds
 Conclusiones
El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como
lo es el transistor BJT.
El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la
aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la
compuerta y el surtidor (VGS)

Formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a

través de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado
a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Source a
Drenador disminuye.

El transistor JFET tiene una alta resistencia de entrada (en

Megaohm). Lo que hace que la corriente atraves del FET sea mas
constante.

.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
(MOSFET)
 Transistores MOSFET.

 En estos transistores, la puerta no se conecta

directamente al semiconductor, sino a través de
una fina capa de aislante (SiO2), de ahí que se
llamen transistores FET de puerta aislada.

 Las siglas MOS también están referidas al tipo de

contacto de la puerta, ya que significan Metal (el
propio terminal de puerta), Óxido (la capa aislante)
Semiconductor.

 El hecho de que la puerta se encuentre aislada,

hace que la intensidad que circula por ella sea
prácticamente nula, menor incluso que en los
transistores JFET.
51
 Existen los MOSFET de acumulación o
enriquecimiento, y los MOSFET de deplexión o
empobrecimiento, cada uno de los cuales puede
ser de canal N o de canal P.

 Tienen un nuevo terminal llamado sustrato (B),

que debe ser conectado a la tensión más negativa
en los MOSFET de canal N, y a la más positiva
en los MOSFET de canal P. Como en ambos casos
suele ser el surtidor, muchas veces se fabrican
con el sustrato directamente unido al surtidor.

52
 BJT VS MOSFET
 MOSFET

 Controlado por voltaje

 Dispositivo de portadores mayoritarios
 Compuerta eléctricamente aislada, por lo que
presenta una alta impedancia de entrada
Transistores MOSFET.

Canal N Canal P
D D

B B
Enriquecimiento G G

S S
D D

B B
Empobrecimiento G G

S S

54
1.- MOSFET de enriquecimiento.
S G D S G D

N N P P

P N

Sustrato (B) Sustrato (B)

MOSFET de enriquecimiento MOSFET de enriquecimiento
de canal N de canal P
Se observa que a diferencia de lo que ocurre en los transistores JFET, no
existe canal de conducción entre el drenador y el surtidor, en ausencia de
señales eléctricas externas.

55
 S G D

N N
1.- MOSFET de enriquecimiento. P

Analizamos el caso de canal N.

Sustrato (B)
 Si se fija una tensión positiva desde la puerta al
surtidor, no hay prácticamente conducción de
electricidad, pero los electrones libres de la zona P
(pocos, porque en esta zona lo abundante son los
huecos), se ven atraídos hacia la capa aislante
próxima a la puerta.
 Esto es equivalente a agrandar la zona N.
 Si se agranda lo suficiente, se crea un cierto canal
de conducción que une las zonas N del drenador y
del surtidor.
 La tensión mínima para la formación del canal, se
llama tensión umbral o tensión threshold, en
nomenclatura inglesa, cuyas siglas son VT.
56
1.- MOSFET de enriquecimiento.
ID

VGS

Curvas de un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal N.

57
 De la gráfica de los transistores MOSFET se
observa que tienen las mismas zonas de
funcionamiento que los transistores JFET.

 Ecuación aproximada: I D  K·(VGS  VT ) 2

 K: constante referida a parámetros constructivos.

 VT: tensión umbral (threshold).

58
 Transistor MOSFET de Acumulación o Enriquecimiento

Puerta de Óxido Drenador

metal

Fuente

Sustrato

Figura 5.1. MOSFET de acumulación de canal n, donde vemos la longitud de canal L y la

anchura de canal W.
Figura 5.2. Símbolo esquemático de un MOSFET de acumulación de canal n.
•Aplicando una VGS positiva se induce un canal de conducción, por la inversión
del semiconductor P a N
•A la tensión mínima necesaria para establecer el canal se la llama “Tensión de
umbral” ( Vt , VGS th )
•Al aplicar ahora una tensión VDS de pequeño valor, se establecerá un a intensidad
Drenador-Fuente
•En estas condiciones el canal creado se comporta como una resistencia R DS
A medida que VGS aumenta, el canal se enriquece de electrones, aumentando su
conductividad, y disminuyendo la resistencia entre Drenador y Fuente R DS
•Al ir aumentando la tensión VDS se
establece un gradiente de potencial en
el interior del canal

•El canal se deforma progresivamente,

causado la no constancia de la RDS

•Finalmente, para una tensión

VDS=VDS sat, el canal se estrangula por
el lado del drenador, saturándose, y
manteniendo constante la ID

•VDS sat = VGS - Vt

IDSS= K (VGS-Vt)2

•Con el circuito especificado podemos construir la familia

de curvas características de salida

•Situándonos en la zona de saturación, trazando una línea

de carga hipotética, obtendremos la Característica de
transferencia del transistor

 VGS  Vt 
2
•Las intensidades de saturación
para cada VGS se llaman IDSS, y IDSS  ID ( on ) 
responden a la siguiente ley:  VGS ( on )  Vt 
Parámetros más significativos del MOSFET Acumulación


ID(on)
Valores que el fabricante suministra en un
VGS(on)
punto de funcionamiento, llamado ON,
que normalmente el de máxima
VDS(on)
conducción del transistor, cuando trabaja
como interruptor
RDS(on)

Vt=VGS th Tensión de umbral, mínima necesaria

para la conducción del canal
2.- MOSFET de empobrecimiento.
S G D S G D

N N P P

P N

Sustrato (B) Sustrato (B)

MOSFET de MOSFET de
empobrecimiento de canal N empobrecimiento de canal P

 Se observa que a diferencia de lo que ocurre en

los MOSFET de acumulación, existe un
(pequeño) canal de conducción entre drenador y
surtirdor. 67
 S G D

N N

2.- MOSFET de empobrecimiento. P

 Para VGS = 0 V, el transistor puede conducir Sustrato (B)

pequeñas corrientes de drenador a surtidor.

 Con tensiones VGS negativas en MOSFET de
canal N (o positivas en MOSFET de canal P), se
estrangula el canal hasta su eliminación, igual
que en los JFET.
 Con tensiones VGS positivas en MOSFET de
canal N (o negativas en MOSFET de canal P), se
puede agrandar el canal, consiguiendo mayor
conducción de drenador a surtidor, igual que en
los MOSFET de enriquecimiento.

68
 Transistor MOSFET de Empobrecimiento o Deplexión

En este transistor ya existe, de

principio un canal de
conducción de tipo N
Metal Óxido
Contacto no
rectificador

Canal
Sustrato tipo p

(b) Símbolo de circuito

(a) Estructura física
•Admite tensiones VGS tanto positivas como negativas

•Si VGS fuera positiva el canal se enriquece de electrones

y aumentará la conducción. (Actúa como el transistor de
enriquecimiento)

•Si VGS fuera negativa el canal se vacía de electrones

disminuyendo la intensidad de drenador (Actúa como un
JFET de canal N)
 Parámetros más significativos del MOSFET empobrecimiento

IDSS=IDSo Corriente de saturación para VGS=0

Tensión VDS necesaria para entrar en saturación para VGS=0

VDSsat
Tensión de umbral, VGS que corta el canal o la mínima
Vt=VGS th necesaria para la conducción del canal

Resistencia del canal para la máxima conducción del

RDS(on)
transistor

Las ecuaciones de funcionamiento en la zona de saturación

son las mismas que las del transistor JFET:
2
 VGS 
VDS sat = VGS - Vt IDSsat  IDSo1  
 Vt 
 (a) JFET (b) MOSFET de deplexión (c) MOSFET de acumulación

(a) JFET (b) MOSFET de deplexión (c) MOSFET de acumulación

Figura 5.47. Corriente de drenador en función de vGS en la región de saturación

para dispositivos de canal n.
 En general, todo lo que se puede hacer con
transistores BJT, se puede hacer también con
transistores FET.
 Ventajas fundamentales:
 Alta impedancia de entrada, que permite un
control con poca potencia.
 Gran velocidad de conmutación.
 Poco sensibles a la temperatura.
 Ampliamente utilizados en circuitos integrados, tanto
analógicos como digitales.

73
PROBLEMAS GRUPO