Electonica Act 3

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE NUEVO LEÓN
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA.
ELECTRONICA 1
ACTIVIDAD 3
NOMBRE MATRICULA CARRERA

VICTOR MORENO HERRERA 2035743 IEA
CARLOS MAXIMILIANO DUARTE BARRON 1913333 IEA
ALAN ALBERTO MILAN ZAVALA 1912313 IMTC
GILBERTO JAIR ALVAREZ CASTILLO 1903970 IMTC
MAESTRO: OVIDIO ALBERTO OCHOA OCHOA.

SEMESTRE: AGOSTO-DICIEMBRE 2021
Marco teórico
Un amplificador de un circuito es capaz de aumentar la amplitud de la señal de entrada.
Para que un amplificador sea óptimo, este debe ser lineal, en el sentido de que debe
amplificar todas las formas de onda presentes en la entrada de la misma manera, es
decir, se multiplica la amplitud de cada uno por un número constante, igual a la ganancia,
para todas las frecuencias. Un amplificador puede diseñarse para amplificar tensión y
también para amplificar corriente.
Existen actualmente diversos tipos de amplificadores electrónicos que se usan de
manera constante en muchos de los aparatos electrónicos que usamos día con día. En
este caso, hablaremos acerca de los amplificadores de baja frecuencia, los cuales se
especializan en, como su nombre lo sugiere, frecuencias de un nivel que va desde 16 Hz
a 16.000 Hz. Ya si la frecuencia sobrepasa los 16kHz estaríamos hablando de
amplificadores de alta frecuencia.
Se deben de usar y diseñar distintos tipos de amplificadores debido al hecho de que un
amplificador, por sus limitaciones técnicas, es selectiva en el hecho de que amplifica una
gama estrecha de frecuencias. En consecuencia, para cada rango de frecuencias de
trabajo se construye un amplificador adecuado.
Representación gráfica de los JFET Y MOSFET
Existe una variedad grande de FET en la actualidad, si bien, todos tienen una función en
particular, estos no dejan de ser transistores y solo se diferencian por el tipo de dopaje
que se les administren a estos.
Los JFET y MOSFET son los FET más comunes y utilizados, podemos distinguirlos por
la siguiente simbología:
Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET)

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor
más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S), drenador (D),
puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S).

A veces se incluye un cuarto terminal
de Sustrato (B).
Transistor de efecto campo de unión (JFET)

Este es un tipo de componente electrónico de tres terminales que puede ser usado como
interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje.
Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y
fuente (S). el JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita
de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor
(de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente.
Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S).

Tres configuraciones básicas de amplificadores JFET en CA
Amplificador de fuente común
El circuito amplificador consta de un JFET de canal N, pero el dispositivo también podría
ser un MOSFET de modo de agotamiento de canal N equivalente, ya que el diagrama
del circuito sería el mismo, solo un cambio en el FET, conectado en una fuente común
configuración. El voltaje de la puerta JFET Vg está polarizado a través de la red de
divisores de potencial configurada por las resistencias R1 y R2 y está polarizado para
operar dentro de su región de saturación, que es equivalente a la región activa del
transistor de unión bipolar.
A diferencia de un circuito de transistor bipolar, la unión FET prácticamente no toma

corriente de puerta de entrada, lo que permite que la puerta se trate como un circuito
abierto. Entonces no se requieren curvas de características de entrada. Podemos
comparar el JFET con el transistor de unión bipolar (BJT) en la siguiente tabla:
Unión de FET Transistor bipolar
Puerta, (G) Base, (B)
Drenaje, (D) Colector, (C)
Fuente, (S) Emisor, (E)
Suministro de puerta, (VG ) Suministro de base, (VB )
Suministro de drenaje, (VDD ) Suministro del colector, (VCC )
Corriente de drenaje, (ID ) Corriente del colector, (IC )

Amplificador drenador común
Este tipo de amplificador tiene una baja impedancia de salida, por lo que es utilizado
principalmente como adaptador de impedancias. La salida se obtiene del resistor
(resistencia) RS y la ganancia es aproximadamente igual a 1.
Esta ganancia no es 1 debido a que existe una pequeña diferencia de tensión entre la
entrada (patilla compuerta G) y la salida (patilla fuente S): VGS. La ganancia de este
amplificador se obtiene con la ayuda de la fórmula: AV = gm x Rs/ [1 + (gm x Rs)].
De la fórmula se deduce que la señal de salida está en fase con la señal de entrada pues
no existe el signo menos que indica inversión de fase. La impedancia de salida se obtiene
con la siguiente fórmula: Ro = Rs / [1 + (gm x Rs)].
Amplificador surtidor común

La figura tiene dos condensadores de bloqueo. Uno para separar el amplificador de la
fuente de señal que lo alimenta (C1) y otro (C2) que aísla el amplificador de la próxima
etapa (la etapa que recibe la señal amplificada).
También hay un condensador de derivación Cs (en paralelo con la resistencia Rs). Estos
condensadores se escogen para que, en el rango de frecuencias a que va a trabajar este
amplificador, se comporten como cortos circuitos.
En el análisis de pequeña señal (señal alterna), la fuente de tensión de corriente continua
(VDD) se cortocircuita.
La ganancia de tensión se obtiene con la fórmula: AV = – Vout/Vin, donde:
• AV = Ganancia de tensión
• Vout = Tensión de salida
• Vin = Tensión de entrada
El signo negativo significa que la salida sale invertida con respecto a la entrada.
Otra forma de obtener la ganancia es con la siguiente fórmula: AV = – gm x RL. En esta
fórmula aparece el valor de la transconductancia (gm): gm = ID / VGS. Este cociente está
definido como la razón de un pequeño cambio en la corriente de drenaje entre un
pequeño cambio en la tensión compuerta – surtidor, cuando VDS es constante.
La transconductancia da información acerca de la capacidad del FET de suministrar
cambios de corriente de drenaje (ID) cuando se cambia la tensión de compuerta surtidor
(VGS).
Cálculos y Simulación
Conclusión
En esta actividad, pudimos poner a prueba lo visto en clase y comprendimos mucho
mejor este tema. Fue interesante poder observar el comportamiento de los valores de
entrada al pasar por el amplificador y ver que si fueron modificados gracias a la
configuración del circuito. Sin dudas, el transistor JFET que se implementó al circuito
ayudó a poder amplificar dichos valores de entrada para poder obtener los valores de
salida deseados.
En conclusión, nuestro equipo comprendió mucho más este tema y nos pareció muy
interesante de igual manera.

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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET)

Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S).

Transistor de efecto campo de unión (JFET)

Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S).

A diferencia de un circuito de transistor bipolar, la unión FET prácticamente no toma

Unión de FET Transistor bipolar

Puerta, (G) Base, (B)

Drenaje, (D) Colector, (C)

Fuente, (S) Emisor, (E)

Suministro de puerta, (VG ) Suministro de base, (VB )

Suministro de drenaje, (VDD ) Suministro del colector, (VCC )

Corriente de drenaje, (ID ) Corriente del colector, (IC )

Amplificador surtidor común

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