Materia:

Dispositivos
Profesora:
Arévalo Gonzales Elizabeth
Alumnos:
Rojas Montiel Ángel Joshua
PRACTICA 9: 2019301706
“CARACTERIZAC
Vega Andrade Demián
IÓN DEL JFET, 2019302038
MOSFET &Grupo:
BUZ”
5CV4
OBJETIVO:
El alumno Identificará las terminales del JFET, del MOSFET y del BUZ, con la
ayuda del manual del fabricante. El alumno obtendrá las curvas características de
entrada del JFET, del MOSFET y del BUZ; empleando el osciloscopio en modo de
graficador XY, y reportará los valores medidos de corriente ID y voltaje VGS. El
alumno obtendrá las curvas características de salida del JFET, del MOSFET y del
BUZ; empleando el osciloscopio en modo de graficador XY, y reportará los valores
medidos de corriente ID y voltaje VDS. El alumno observará y reportará como
afecta la temperatura en el JFET, del MOSFET y del BUZ.
MATERIALES E INSTRUMENTOS UTILAZADOS EN LA PRÁCTICA:
1.CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DE FUNCIONAMIENTO DE LOS
TRANSISTORES JFET, MOSFET Y BUZ.
JFET
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de
material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p
situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el
símbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de un JFET de canal P

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La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente
polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la
unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican
en la figura 1.11.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las

curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador
a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión
drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de
operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una
descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

MOSFET

 Máxima tensión drenador-fuente:

Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a
la fuente) y el drenador. Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se
especifica a qué pequeña circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25
mA). Ayuda a clasificar los MOSFETS en:

 Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 V, 55 V, 60 V, 80 V
 Media tensión: 100 V, 150 V, 200 V, 400 V
 Alta tensión: 500 V, 600 V, 800 V, 1000 V
La máxima tensión drenador-fuente de representa como V DSS o como V(BR)DSS

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  Máxima corriente de drenador
El fabricante suministra dos valores (al menos):

 Corriente continua máxima ID

 Corriente máxima pulsada IDM
La corriente continua máxima ID depende de la temperatura de la cápsula Por
ejemplo: a 100ºC, ID=23·0,7=16,1A

 Resistencia en conducción
Es uno de los parámetro más importante en un MOSFET. Cuanto menor sea,
mejor es el dispositivo.
Se representa por las letras RDS(on).
Para un dispositivo particular, crece con la temperatura Para un dispositivo
particular, decrece con la tensión de puerta. Este decrecimiento tiene un límite.
Comparando distintos dispositivos de valores de I D semejantes, RDS(on) crece con el
valor de VDSS.
En los últimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores de R DS(on) en
dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V).

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  Tensiones umbral y máximas de puerta
La tensión puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que comience a
haber conducción entre drenador y fuente. Los fabricantes definen la tensión
umbral VGS(TO) como la tensión puerta-fuente a la que la corriente de drenador es
0,25 mA, o 1 mA Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V.
La tensión umbral cambia con la temperatura.
La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es típicamente de ± 20V.

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  Velocidad de conmutación
Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros dispositivos usados en
electrónica de potencia (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.).
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conducción unipolar. En ellos, los
niveles de corriente conducida no están asociados al aumento de la concentración
de portadores minoritarios, que luego son difíciles de eliminar para que el
dispositivo deje de conducir.
La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las capacidades parásitas
del dispositivo. Se pueden distinguir esencialmente tres:

 Capacidad de lineal, CGS

 Capacidad de transición, CDS
 Capacidad Miller, no lineal, CDG (muy importante)
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran información de tres
capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:

 Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 (aproximadamente capacidad de entrada)

 Crss = Cdg (capacidad Miller)
 Coss = Cds + Cdg (aproximadamente capacidad de salida)
La carga y la descarga de estas capacidades parásitas generan pérdidas que
condicionan las máximas frecuencias de conmutación de los MOSFET de
potencia.
Además, en general estas capacidades parásitas retrasan las variaciones de
tensión, ocasionando en muchos circuitos convivencia entre tensión y corriente, lo
que implica pérdidas en el proceso de conmutación.

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 BUZ
 Polaridad del transistor: Canal-N
 Voltaje máximo VDSS: 50 V
 Voltaje máximo VGSS: ± 20 V
 Corriente máxima ID: 33 A
 Corriente pulso máxima IDP: 134 A
 Disipación máxima PD (TC=25°C): 90 W
 Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on):  0.04 Ω
 Temperatura de operación máxima: 175°C
 Encapsulado: TO-220
 3 pines
 Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
 Tiempo de elevación (tr): 40 nS
 Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
 Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm
 Empaquetado / Estuche: TO-204AE

2. INVESTIGAR Y REPORTAR QUE ES LA TRANSCONDUCTANCIA Y QUE

REPRESENTA PARA LOS TRANSISTORES JFET.
TRANSCONDUCTANCIA
Admitancia de transferencia o relación entre el fasor de la tensión de salida y el fasor de la corriente de
entrada.

La transconductancia (por conductancia de transferencia), también llamada a

veces conductancia mutua, es la característica eléctrica que relaciona la corriente de salida de
un dispositivo con la tensión en la entrada del mismo. La conductancia es el recíproco de la
Resistencia.

La transconductancia es la relación entre la corriente de drenador y la tensión

en la puerta y fuente del JFET. La formula que define esta relación, como no
podría ser de otra forma es la siguiente:

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Cuanta mas transconductancia tenga un transistor, mas corriente de
drenador habrá para una tensión dada en la entrada del mismo (puerta-
fuente). Esto se traducirá en una mayor ganancia de tensión como veremos
mas adelante.

Veámoslo con un ejemplo. Si tenemos una corriente de drenador de 0.5 mA

pico a pico y una tensión en la puerta-fuente de 0.1 Vpp, ¿cual sera la gm?

Además de los mho (unidad inversa al ohmio), se suele usar también como
unidad de transconductancia los siemens (S).

Si recordamos la curva de la transconductancia (ver figura siguiente).

El valor de gm, es el valor de pendiente de la recta tangente a la

transconductancia. Cuanto mas arriba estemos en la curva, mas pendiente
habrá y por lo tanto mas gm.

Veamos ahora la relación que guardan la tensión puerta-fuente y la gm.

Fijémonos en la siguiente gráfica:

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Se aprecia que al decrementar VGS, la gm disminuye de forma lineal.

Por último, vamos a ver una fórmula que relaciona gm con cualquier valor
de VGS.

Estructura de un amplificador con un JFET

Fijémonos en el siguiente esquema de un amplificador en fuente común:

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Para poder obtener la ganancia de alterna de este amplificador, debemos
recurrir al circuito equivalente de alterna:

Si calculamos la resistencia de drenador en alterna:

Calculemos ahora la ganancia:

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3. INVESTIGAR Y REPORTAR LA IMPORTANCIA DE LAS CURVAS
CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA Y DE SALIDA DE LOS TRANSISTORES
JFET, MOSFET Y BUZ. ASÍ COMO LA INFORMACIÓN QUE ESTAS
PROPORCIONAN.
JFET
Para un determinado valor de voltaje de la puerta,
la corriente es casi constante en un amplio rango
de voltajes Fuente-Drenador. El elemento de
control del JFET, viene del drenaje de los
portadores de carga del canal n. Cuando la puerta
se hace más negativa, drena los portadores
mayoritarios de la gran área de drenaje alrededor
de la puerta. Esto reduce el flujo de corriente para
un determinado valor de voltaje Fuente-Drenador.
Modulando el voltaje de la puerta, se modula el
flujo de corriente a través del dispositivo.

La curva de transferencia del JTET es útil para

visualizar la ganancia del dispositivo e identificar
la región de linealidad. La ganancia es
proporcional a la pendiente de la curva de
transferencia. El valor de corriente IDSS representa
el valor cuando la puerta se pone a tierra, la
máxima corriente del dispositivo. Este valor
formará parte de los datos suministrados por el
fabricante. El voltaje de la puerta al que la
corriente alcanza cero, se llama "voltaje pinch",
VP. Nótese que la línea discontinua representando
la ganancia en la región de funcionamiento lineal
toca la línea de corriente cero alrededor de la mitad
del "voltaje pinch".

MOSFET

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12
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión
entre el Drenador y el Surtidor (V DS) supera un valor fijo denominado tensión de
saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas
características proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET
mantiene constante su corriente de Drenador (I D), independientemente del valor de
tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor (V DS). Por lo tanto, el transistor
equivale a un generador de corriente continua de valor I D.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).
O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:
VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de
conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del
Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe,
es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.
De la ecuación en la zona de saturación puede realizarse la gráfica de la corriente
iD vs. el voltaje vGS en el límite entre las regiones. En la región de saturación el
MOSFET se comporta como una fuente de corriente cuyo valor está controlado
por vGS.

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El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor,
en esta región, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on) viene
dado por la expresión:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de R DS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0’1 A; entonces,
Rds(on)=    1V     = 10 Ohms
100mA
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS –
Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y
Surtidor. El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la
tensión entre la Puerta y el Surtidor (VGS).
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. La palabra
ruptura hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del
terminal del drenador.
Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes eléctricas:
–En tensión: no se puede superar el valor máximo de
tensión entre la puerta y el surtidor. Este valor se
denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor
máximo de tensión entre el drenador y el surtidor
denominado BVds.
–En corriente: no se puede superar un valor de corriente
por el drenador, conocido como Idmax.
–En potencia: este límite viene marcado por Pdmax, y es
la máxima potencia que puede disipar el componente.

4. ANALIZAR LOS CIRCUITOS DE LA PRÁCTICA E INDICAR Y REPORTAR

LA INFORMACIÓN QUE PROPORCIONA CADA CIRCUITO.
5. CONSULTAR LAS HOJAS DE DATOS DEL FABRICANTE, Y REALIZAR
UNA TABLA CON LA INFORMACIÓN MÁS RELEVANTE QUE PROPORCIONA
EL MANUAL.

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 BIBLIOGRAFIA
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/MOSFET/Par
%C3%A1metros_Caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento
https://unicrom.com/fet-mosfet-ventajas-desventajas-
caracteristicas/#:~:text=%2D%20Caracter%C3%ADsticas%20el
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https://www.carrod.mx/products/transistor-buz11-mosfet-to220-ch-n-50-v-33-
a
http://diccionario.raing.es/es/lema/transconductancia
https://trescientosbaudios.blog/2020/01/08/el-transistor-jfet-quinto-y-ultimo-
articulo/
Principios de Electrónica, séptima edición. Albert Malvino, David J.
Bates
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Electronic/fet.html#:~:text=Las
%20curvas%20caracter%C3%ADsticas%20del%20JFET,rango%20de
%20voltajes%20Fuente%2DDrenador.&text=voltaje%20Fuente
%2DDrenador.-,Modulando%20el%20voltaje%20de%20la%20puerta%2C
%20se%20modula%20el%20flujo,corriente%20a%20trav%C3%A9s%20del
%20dispositivo.
http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1113/Contenido/clase18.pdf
https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet#:~:text=La
%20curva%20m%C3%A1s%20baja%20es,la%20corriente%20ID%3D0.

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