Practica 8 Avila y Diaz 5CV3

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE
INGENIERIA MECANICA Y
ELECTRICA UNIDAD ZACATENCO
Carrera:
Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica
Número de Practica:
Practica 8 – Caracterización Del JFET, MOSFET y
BUZ
Nombre de la titular
Arévalo González Elizabeth
Nombre de los alumnos:
Ávila Kevin Xaxni
Díaz Terán Saul Emiliano
Grupo:
5CV3
Materia:
Dispositivos
Objetivo:
El alumno Identificará las terminales del JFET, del MOSFET y del
BUZ, con la ayuda del manual del fabricante.
El alumno obtendrá las curvas características de entrada del JFET,

del MOSFET y del BUZ; empleando el osciloscopio en modo de
graficador XY, y reportará los valores medidos de corriente ID y
voltaje VGS.
El alumno obtendrá las curvas características de salida del JFET,

del MOSFET y del BUZ; empleando el osciloscopio en modo de
graficador XY, y reportará los valores medidos de corriente ID y
voltaje VDS.
El alumno observará y reportará como afecta la temperatura en el

JFET, del MOSFET y del BUZ.
Materiales:
➢ JFET
➢ MOSFET
➢ BUZ
➢ Diodo
➢ Resistencias 1
➢ Protoboard
➢ Fuentes de corriente
➢ Capacitor
Tarea Previa:
Características eléctricas de funcionamiento de los
transistores JFET, MOSFET y BUZ.
Características Eléctricas del JFET
Parámetros Principales:
1. Voltaje de umbral (V_GS(off)):
- Es el voltaje de compuerta-surtidor (V_GS) donde la corriente de
drenaje (I_D) se reduce a casi cero.
2. Corriente de drenaje máxima (I_DSS):
- Es la corriente máxima entre el drenador y el surtidor cuando la
compuerta está a 0V (para N-channel) o a voltaje negativo (para P-
channel).
3. Resistencia de entrada (R_in):
- Alta resistencia de entrada, típicamente en el rango de
megaohmios (MΩ), debido a la compuerta de unión PN inversamente
polarizada.
4. Resistencia de saturación (R_DS(on)):
- La resistencia entre el drenador y el surtidor cuando el JFET está
en la región de saturación.
Ejemplo de JFET
(J201):
- V_GS(off): -0.3V a -
1.5V
- I_DSS: 0.2mA a
1mA
- R_in: Muy alta,
típicamente > 100 MΩ
Características Eléctricas del MOSFET
Parámetros Principales:
1. Voltaje de umbral (V_GS(th)):
- Es el voltaje de compuerta-surtidor (V_GS) donde el MOSFET
comienza a conducir entre drenador y surtidor.
2. Corriente de drenaje máxima (I_D):
- Es la corriente máxima que puede fluir entre el drenador y el
surtidor.
3. Resistencia de conducción (R_DS(on)):
- La resistencia entre el drenador y el surtidor cuando el MOSFET
está completamente encendido.
4. Capacitancia de entrada (C_iss):
- La capacitancia entre la compuerta y el surtidor, influye en la
velocidad de conmutación.
Ejemplo de MOSFET (IRF540N):
- V_GS(th)**: 2.0V a 4.0V
- I_D: 33A
- R_DS(on): 0.044Ω
- C_iss: 1400Pf
Características Eléctricas del MOSFET de Potencia (BUZ)
Los transistores BUZ suelen ser MOSFETs de potencia. Ejemplo de
las características típicas de un BUZ11, un MOSFET de potencia
común:
Ejemplo de BUZ11:
1. Voltaje de umbral (V_GS(th)):
- 2.1V a 4.0
2. Corriente de drenaje máxima (I_D):
- 30A
3. Resistencia de conducción (R_DS(on)):
- 0.04Ω
4. Capacitancia de entrada (C_iss):
- 1200pF
5. Voltaje drenador-fuente máximo (V_DS):
- 50V
6. Potencia de disipación (P_D):
- 75W
Investigar y reportar que es la transconductancia y que
representa para los transistores JFET.
La transconductancia (a menudo simbolizada como (gm) es una medida de la
capacidad de un transistor para controlar la corriente a través de su canal
mediante el voltaje aplicado a la compuerta. En términos simples, la
transconductancia es la tasa de cambio de la corriente de drenaje (I_D) con
respecto al cambio en el voltaje de la compuerta-surtidor (V_GS), manteniendo
constante el voltaje drenador-surtidor (V_DS).
Fórmula de la Transconductancia
Importancia de la Transconductancia en JFET
Sensibilidad del Control de Corriente:
• La transconductancia indica cuán eficazmente el JFET puede controlar la

corriente de drenaje mediante pequeños cambios en el voltaje de
compuerta. Un gmg_mgm alto significa que el JFET puede producir
grandes cambios en la corriente de drenaje con pequeños cambios en el
voltaje de compuerta.
Ganancia de Amplificación:
• En aplicaciones de amplificación, la transconductancia es un parámetro

crucial porque está directamente relacionada con la ganancia de voltaje del
amplificador. Un JFET con alta transconductancia puede proporcionar una
mayor amplificación de la señal.
Respuesta en Frecuencia:
• La transconductancia también afecta la respuesta en frecuencia del JFET.

Un gmg_mgm alto puede mejorar el rendimiento del transistor en
aplicaciones de alta frecuencia.
Investigar y reportar la importancia de las curvas
características de entrada y de salida de los transistores
JFET, MOSFET y BUZ.
Así como la información que estas proporcionan.
Curvas Características de Entrada (I_D vs. V_GS)
Estas curvas muestran la relación entre la corriente de drenaje (I_D) y el voltaje de

compuerta-surtidor (V_GS) para un voltaje de drenador-surtidor (V_DS) fijo.
Importancia:
• Control de Corriente: Muestran cómo el voltaje de compuerta controla la

corriente de drenaje.
• Punto de Corte: Indican el voltaje de umbral (V_GS(off)) donde el JFET
deja de conducir.
• Transconductancia (g_m): Se puede derivar la transconductancia, que es
esencial para diseñar amplificadores.
Curvas Características de Salida (I_D vs. V_DS)

drenador-surtidor (V_DS) para diferentes valores de voltaje de compuerta-surtidor
(V_GS).
Importancia:
• Región Activa: Identifican la región en la que el JFET opera como un

amplificador de corriente constante.
• Región de Saturación: Indican el punto donde el JFET comienza a
saturarse y actúa como una resistencia.
• R_DS(on): Proporcionan información sobre la resistencia de drenaje-
surtidor cuando el transistor está encendido.Curvas Características del MOSFET

compuerta-surtidor (V_GS) para un voltaje de drenador-surtidor (V_DS) fijo.
Importancia:
• Voltaje Umbral (V_GS(th)): Determinan el voltaje necesario para que el

MOSFET comience a conducir.
• Control de Corriente: Muestran la sensibilidad del MOSFET al voltaje de
compuerta.
• Transconductancia (g_m): Se deriva de la pendiente de la curva y es
crucial para el diseño de amplificadores.

drenador-surtidor (V_DS) para diferentes valores de voltaje de compuerta-surtidor
(V_GS).
Importancia:
• Región Lineal y Saturación: Identifican las regiones de operación lineal y

de saturación del MOSFET.
• Resistencia de Conducción (R_DS(on)): Indican la resistencia interna del
MOSFET cuando está encendido.
• Potencia de Disipación: Proporcionan datos sobre la disipación de
potencia y el manejo de calor.
Curvas Características del MOSFET de Potencia (BUZ)
Similar a los MOSFET estándar, pero con un enfoque en la operación a altas

corrientes y voltajes.
Importancia:
• Control de Alta Potencia: Muestran cómo el voltaje de compuerta controla

grandes corrientes.
• Seguridad Operativa: Proveen información sobre los límites de operación
segura del dispositivo.
Estas curvas son críticas para evaluar el comportamiento del MOSFET de

potencia bajo altas cargas y voltajes.
Importancia:
• Región de Saturación y Conducción: Ayudan a entender cómo el

dispositivo maneja altas corrientes y voltajes.
• Evaluación Térmica: Proporcionan datos cruciales para el diseño de
sistemas de gestión térmica.
• Eficiencia de Conmutación: Indican la eficiencia y las pérdidas en
aplicaciones de conmutación de alta potencia.
Desarrollo
Armar el circuito como el mostrado en la fig. 1, para obtener la gráfica de entrada
(transconductancia) de un JFET canal N (2N5457).
Reportar la gráfica realizando un dibujo de la gráfica
Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En el circuito emplear la señal sinusoidal del
generador con una frecuencia entre el rango de 60 a 1KHz, seleccionando sólo una frecuencia para
obtener la gráfica de entrada. El VDS (voltaje entre la termina drenador (D) y la terminal fuente
(S)) se mide con un multímetro. Los valores de IDSS (corriente de drenador a fuente en
saturación), VGSoff (Voltaje de compuerta a fuente de apagado), y gmo (transconductancia) se
obtienen de la gráfica.
IDSS VGSOFF VDS gmo
4.20mA 3 7 2.3mS
Armar el circuito como el mostrado en la fig. 2a y 2b, para obtener la gráfica de entrada de un
MOSFET canal N (4007) y de un BUZ canal N (BUZ41/8836).
Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En los circuitos emplear la señal sinusoidal del
generador con una frecuencia entre el rango de 60 a 1KHz, seleccionando sólo una frecuencia para
obtener la gráfica de entrada. El VDS (voltaje entre la termina drenador (D) y la terminal fuente
(S)) se mide con un multímetro. Los valores de IDS (corriente de drenador a fuente), VTh (voltaje
de umbral), e IDSon (corriente de drenador a fuente de encendido) se obtienen de la gráfica.
VTH VDS IDS IDSOM

BUZ41 4mA 3.5 7.80 1.32mS
Obtencion de las curvas caracteristicas

Armar el circuito de la fig. 3 para obtener las gráficas de salida del JFET canal N (2N5457).
Reportar la gráfica realizando un dibujo de la gráfica
Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En los circuitos de la práctica emplear la señal
pulsante de onda completa o diente de sierra con una amplitud de 12Vp. El VGS (voltaje entre la
termina compuerta (G) y la terminal fuente (S)) se mide con un multímetro. Los valores de IDS, VP
(voltaje de pich-off) y VDS se obtienen de la gráfica.
E VGS VP VDS IDS

1.5 .90 5.52 0mA
0V
1.70 1 6 1mA
2V
1.50 2.6 6.32 2mA
4V
2.5 2.5 6.3 6mA
6V
3.5 2.3 6.3 3mA
8V
4.7 3 8.9 3.7mA
10V
6 6 10.14 4mA
12V
7 5.8 10.86 4.7mA
14V
8.3 8.4 12.16 5mA
16V
8.7 8.55 13 5mA
18V
Armar el circuito como el mostrado en la fig. 4a y 4b, para obtener las gráficas de salida de un
MOSFET canal N (4007) y de un BUZ canal N (BUZ41/8836).
Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En los circuitos de la práctica emplear la señal
pulsante de onda completa o diente de sierra con una amplitud de 12Vp. El VGS (voltaje entre la
termina compuerta (G) y la terminal fuente (S)) se mide con un multímetro. Los valores de IDS y
VDS se obtienen de la gráfica.
E VGS VDS IDS

2.3 6 0
0V
2.3 6 5mA
2V
2.4 6 16 mA
4V
2.4 6 18mA
6V
2.4 6 8mA
8V
4.2 6.6 1mA
10V
6.8 8.3 10mA
12V
9.8 10.3 1mA
14V
11.3 11.2 2mA
16V
12 11.3 19mA
18V
Conclusión
A través de la práctica que realizamos, hemos adquirido las
habilidades y conocimientos necesarios para obtener y
analizar las curvas características de entrada y salida de los
transistores JFET, MOSFET y BUZ utilizando un osciloscopio
en modo graficador XY. Esta experiencia práctica me ha
permitido medir y reportar con precisión los valores de
corriente de drenaje (I_D) y voltaje de compuerta-surtidor
(V_GS) en las curvas de entrada, así como los valores de
corriente de drenaje (I_D) y voltaje de drenador-surtidor
(V_DS) en las curvas de salida.

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INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

El alumno obtendrá las curvas características de entrada del JFET,

El alumno obtendrá las curvas características de salida del JFET,

El alumno observará y reportará como afecta la temperatura en el

Importancia de la Transconductancia en JFET

Sensibilidad del Control de Corriente:

• La transconductancia indica cuán eficazmente el JFET puede controlar la

• En aplicaciones de amplificación, la transconductancia es un parámetro

• La transconductancia también afecta la respuesta en frecuencia del JFET.

Estas curvas muestran la relación entre la corriente de drenaje (I_D) y el voltaje de

• Control de Corriente: Muestran cómo el voltaje de compuerta controla la

Curvas Características de Salida (I_D vs. V_DS)

Estas curvas muestran la relación entre la corriente de drenaje (I_D) y el voltaje de

• Región Activa: Identifican la región en la que el JFET opera como un

Estas curvas muestran la relación entre la corriente de drenaje (I_D) y el voltaje de

• Voltaje Umbral (V_GS(th)): Determinan el voltaje necesario para que el

Curvas Características de Salida (I_D vs. V_DS)

Estas curvas muestran la relación entre la corriente de drenaje (I_D) y el voltaje de

• Región Lineal y Saturación: Identifican las regiones de operación lineal y

Curvas Características del MOSFET de Potencia (BUZ)

Curvas Características de Entrada (I_D vs. V_GS)

Similar a los MOSFET estándar, pero con un enfoque en la operación a altas

• Control de Alta Potencia: Muestran cómo el voltaje de compuerta controla

Estas curvas son críticas para evaluar el comportamiento del MOSFET de

• Región de Saturación y Conducción: Ayudan a entender cómo el

IDSS VGSOFF VDS gmo

VTH VDS IDS IDSOM

Obtencion de las curvas caracteristicas

Reportar la gráfica realizando un dibujo de la gráfica

E VGS VP VDS IDS

E VGS VDS IDS

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