Labo1 Final Diodos

“AÑO DE LA UNIVERSALIZACIÓN DE LA
SALUD”
UNIVERSIDAD NACIONAL DE
SAN AGUSTIN
FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y
SERVICIOS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRICA
CURSO: ELECTRONICA DE POTENCIA 1
TEMA: “LABORATORIO 01”
CARACTERISTICAS DINAMICAS DEL DIODO
DOCENTE: IVAR MIGUEL ORDOÑEZ CARPIO
INTEGRANTE: ANTONIO OCHOA SOTEC
GRUPO DE LABORATORIO : F
AREQUIPA – PERU
2021
DESARROLLO DEL LABORATORIO 1
CARACTERISTICAS DINAMICAS DEL DIODO
1. INTRODUCCION
El diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente en forma unidireccional
a través de sus terminales. Las terminales son denominadas ánodo y cátodo, como se observa en la
fig. 1, la corriente circula desde ánodo hasta cátodo siempre y cuando se haya superado el valor del
voltaje umbral del diodo.
2. MARCO TEORICO
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA.-
A partir de un cierto valor de voltaje, el diodo entra en polarización directa. Este valor de voltaje
depende de cada diodo, en el caso del diodo rectificador este valor es aproximadamente VF =
0.7V (voltaje umbral del diodo). A partir de aquel momento circulara la corriente a través del
dispositivo porque el diodo se comporta como un interruptor cerrado. En la práctica, el valor del
voltaje umbral dependerá mucho del valor de la corriente que circule a través del diodo.
Cuando el diodo es polarizado en inversa, su modelo equivalente es el de un interruptor abierto,
por lo que no circulara corriente a través de él. Sin embargo, a un determinado valor de voltaje
indicado por el fabricante, el diodo ingresa a la región de ruptura donde hay circulación de
corriente desde cátodo a ánodo. La disipación de potencia incrementa, y el diodo llega a
destruirse si se supera el voltaje indicado por el fabricante.
CARACTERÍSTICA DINÁMICA.-
Cuando el diodo se encuentra funcionando en el instante de cambio de polarización directa a

inversa, la transición no se realiza de forma inmediata. Una vez que se ha establecido el cambio
de polarización en el diodo, existen una cantidad de portadores que no pueden regresar de forma
inmediata a la región desértica pese a que la corriente de carga disminuyo a un valor de cero. Esto
genera una circulación de corriente a través del diodo por un corto instante de tiempo en sentido
inverso
A. DESARROLLO DE LA PRIIMERA PARTE A
Característica dinámica del diodo de silicio.

Para la primera parte de análisis definimos todas las variables y constantes físicas del diodo
de Silicio, luego calculamos todos los valores y propiedades para las temperaturas de 𝑇 =
300𝐾, 𝑇 = 350𝐾 y 𝑇 = 400𝐾 respectivamente, luego completamos la ecuación de
Shockley para cada temperatura. Para la parte de resultados graficamos la ecuación de
Shockley obtenida para cada temperatura con ayuda del MATLAB.
B. DESARROLLO DE LA SEGUNDA PARTE B
Característica dinámica del diodo de carburo de silicio.

En esta segunda parte de análisis definimos todas las variables y constantes físicas del diodo
de SiC, luego calculamos todos los valores para la siguientes temperaturas 𝑇 = 300𝐾, 𝑇 =
350𝐾 y 𝑇 = 400𝐾 respectivamente, además, completamos la ecuación de Shockley para
cada temperatura.
Para la parte de resultados graficamos la ecuación de Shockley obtenida para cada
temperatura con ayuda del MATLAB.
C. DESARROLLO DE LA TERCERA PARTE C

Determinación de la característica 𝐼/𝑉 del diodo de potencia.
Para la parte de análisis seleccionamos dos diodos, uno de Si y otro de SiC, de los fabricantes
Infineon, Semikron o Cree, para luego descargar sus hojas de datos, luego calculamos todos
los parámetros más importantes, luego creamos un circuito simple en ORCAD compuesto de
una fuente de tensión de 1𝑉, un diodo de potencia respectivamente y una resistencia de 10Ω,
además tendremos que reemplazar los parámetros del diodo en SPICE.
Para la parte de resultados haremos un DC Sweep y visualizaremos la corriente en función
del tiempo, también visualizaremos la tensión en función del tiempo y determinaremos el
valor de tensión umbral y ruptura por avalancha del diodo a 𝑇 = 25ºC, 𝑇 = 75ºC y 𝑇 =
120ºC. Se nos proporcionara algunos datos conocidos para esta parte.
SE EMPLEARA LAS SIGUIENTES ECUACIONES:
❖
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ∗ (𝑒𝑛∗𝑉𝑇 − 1)
❖
𝑘∗𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞
❖
𝜇 =𝜇 300 2.4
𝑛0 𝑛(300𝐾) ∗( )
𝑇
❖
300 2.2
𝜇𝑝0 = 𝜇𝑝(300𝐾) ∗ ( )
𝑇
❖
𝐷𝑛 = 𝜇𝑛0 ∗ 𝑉𝑇
❖
𝐷𝑝 = 𝜇𝑝0 ∗ 𝑉𝑇
❖
𝐿𝑛 = √𝐷𝑛 ∗ 𝑟𝑛
❖
𝐿𝑝 = √𝐷𝑝 ∗ 𝑟𝑝
3⁄
2 ∗ π ∗ me ∗ k ∗ T 2 3⁄ −
EG
4
ni = 2 ∗ ( ) ∗ (ke ∗ kh) ∗e 2∗k∗T
h2
❖
𝑛𝑖 2
𝑛𝑝0 =
𝑁𝐴
❖
𝑛𝑖 2
𝑝𝑛0 =
𝑁𝐷
𝐷𝑝 𝐷𝑛
𝐼𝑆 = 𝐴𝐽 ∗ 𝑞 ∗ ( ∗ 𝑝𝑛0 + ∗ 𝑛𝑝0)
𝐿𝑝 𝐿𝑛
❖
𝑖𝐹
IS = 𝑣𝐹
𝑒𝑛∗𝑣𝑇 − 1
•
𝑄𝑅𝑅
TT =
𝐼𝐹𝑀
𝐴𝐽
BV
CJO
𝐷𝑛
𝐷𝑝
𝐸𝐺
IBV
𝐼𝐷
𝑖𝐹
𝐼𝐹𝑀
𝐼𝑆, 𝐼𝑆
𝑘𝑒
𝑘ℎ
𝐿𝑛
𝐿𝑝
𝑛
𝑁𝐴
𝑁𝐷
𝑛𝑖
𝑛𝑝0
𝑝𝑛0
𝑄𝑅𝑅
𝑇
𝑟𝑛
𝑟𝑝
TT
𝜇𝑛0
𝜇𝑛(300𝐾) 𝐾
𝜇𝑝0
𝜇𝑝(300𝐾) 𝐾
𝑞 = 1.6021 ∗ 10−19𝐶 Carga del electrón.
𝑘 = 1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾

Constante de Boltzmann.
𝑚𝑒 = 9.31 ∗ 10−31𝑘𝑔 Masa del electrón.
ℎ = 6.6261 ∗ 10−34𝐽 ∗ 𝑠 Constante de Planck.
3. DESARROLLAMOS EL ANALISIS
3.1. DESARROLLO PÁRA LA PARTE A: Característica dinámica del diodo de Si.

3.1.1. Definimos todas las variables y constantes físicas
➢ 𝐴𝐽 = 1𝑐𝑚2
➢ 𝑁𝐴 = 1016𝑐𝑚−3
➢ 𝑁𝐷 = 1014𝑐𝑚−3
➢ 𝑟𝑛 = 10𝜇𝑠
𝑟𝑛 𝑁𝐴 𝑁𝐷 1014𝑐𝑚−3
= → 𝑟𝑝 = ∗ 𝑟𝑛 = 16 −3 ∗ 10𝜇𝑠 → 𝑟𝑝 = 0.1𝜇𝑠
𝑟𝑝 𝑁𝐷 𝑁𝐴 10 𝑐𝑚
➢ 𝑛=1
𝑐𝑚2⁄
➢ 𝜇𝑛(300𝐾) = 1360 𝑉∗𝑠
= 480 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠
2
➢ 𝜇𝑝(300𝐾)
➢ 𝑘𝑒 = 0.26
➢ 𝑘ℎ = 0.39
➢ 𝐸𝐺 = 1.793 ∗ 10−19𝐽
➢ 𝑞 = 1.60218 ∗ 10−19𝐶
➢ 𝑘 = 1.3806488 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾

➢ 𝑚𝑒 = 9.31 ∗ 10−31𝑘𝑔
➢ ℎ = 6.62617 ∗ 10−34𝐽 ∗ 𝑠
3.1.2. Para calcular la ecuación del diodo en función de la tensión el diodo 𝑉𝐷 para 𝑇 =
300𝐾, 𝑇 = 350𝐾 y 𝑇 = 400𝐾 necesitaremos de otros valores, por lo tanto, calcularemos
todos los valores del diodo para completar la ecuación para diferentes temperaturas.
a) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟑𝟎𝟎𝑲
En la siguiente fórmula se calcula 𝑉𝑇.
(1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (300𝐾)

𝑉𝑇 =
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
𝑽𝑻 = 𝟐𝟓. 𝟖𝟓5𝒎𝑽
Se procede a determinar 𝐷𝑛.
2
𝐷𝑛 = (1360 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (25.852𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒏 = 𝟑𝟓. 𝟏6 𝒄𝒎 ⁄𝒔
Reemplazando en la ecuación se determina 𝐷𝑝.
2
𝐷𝑝 = (480 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (25.852𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒑 = 𝟏𝟐. 𝟒2 𝒄𝒎 ⁄𝒔
Se realiza el calculo para hallar 𝜇𝑛0.
𝑐𝑚2 300 2.4

𝜇𝑛0 = (1360 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (300)
𝒄𝒎 𝟐
𝝁𝒏𝟎 = 𝟏𝟑𝟔𝟎 ⁄𝑽 ∗ 𝒔
Reemplazando la ecuación se determina 𝐿𝑛.
2
𝐿𝑛 = √(35.159 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (10𝜇𝑠)
𝑳𝒏 = 𝟎. 𝟎𝟏𝟖𝒄𝒎
Reemplazando la ecuación se determina 𝐿𝑝.
2
𝐿𝑝 = √(12.409 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (0.1𝜇𝑠)
𝑳𝒑 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟏𝒄𝒎
Ahora hallamos la siguiente expresión 𝜇𝑝0.
𝑐𝑚2 300 2.2

𝜇𝑝0 = (480 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ ( )
300
𝒄𝒎𝟐⁄
𝝁𝒑𝟎 = 𝟒𝟖𝟎 𝑽∗𝒔
Reemplazando la ecuación se determina 𝑛𝑖.
3⁄
2𝜋(9.31 ∗ 10−31)(1.38064 ∗ 10−23)(300) 2
𝑛𝑖 = 2 ( )
(6.62617 ∗ 10−34)2
1.793∗10−19
3⁄ −
∗ (0.26 ∗ 0.39) 4 ∗ 𝑒 2(1.3806488∗10−23)(300)
𝒏𝒊 = 𝟏. 𝟖𝟓𝟓 ∗ 𝟏𝟎𝟗𝒄𝒎−𝟑
Reemplazando la ecuación se determina 𝑛𝑝0.
(1.854 ∗ 109𝑐𝑚−3)2
𝑛𝑝0 =
1016𝑐𝑚−3
𝒏𝒑𝟎 = 𝟑𝟒𝟑. 𝟗𝟏𝟎𝒄𝒎−𝟑
Reemplazando la ecuación se determina 𝑝𝑛0.
(1.854 ∗ 109𝑐𝑚−3)2
𝑝𝑛0 =
1014𝑐𝑚−3
𝒑𝒏𝟎 = 𝟑𝟒𝟑𝟗𝟏. 𝟎𝟏𝟒𝒄𝒎−𝟑
Usamos la ecuación de corriente inversa de saturacion para determinar 𝐼𝑆.
12.409 35.159
𝐼𝑆 = (1)(1.60218 ∗ 10−19) ( ∗ 34373.16 + ∗ 343.732)
0.1114 0.0188
𝑰𝑺 = 𝟔𝟏. 𝟒𝟖𝟑𝒑𝐀
Ahora reemplazamos los valores obtenidos en la ecuación de Shockley del diodo.
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = (61.483𝑝A) ∗ (𝑒1∗(25.852𝑚𝑉) − 1)
b) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟑𝟓𝟎𝑲.
Ahora hallamos la siguiente expresión 𝑉𝑇.
(1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (350𝐾)

𝑉𝑇 =
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
𝑽𝑻 = 𝟑𝟎. 𝟏𝟔2𝒎𝑽
Ahora hallamos la siguiente expresión 𝜇𝑛0.

𝑐𝑚2 300 2.4
𝜇𝑛0 = (1360 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (350)
𝒄𝒎𝟐⁄
𝝁𝒏𝟎 = 𝟗𝟑𝟗. 𝟒𝟑𝟓 𝑽∗𝒔
Ahora hallamos la siguiente expresión 𝜇𝑝0.
𝑐𝑚2 300 2.2

𝜇𝑝0 = (480 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ ( )
𝒄𝒎𝟐 350
𝝁𝒑𝟎 = 𝟑𝟒𝟏. 𝟗𝟒𝟕 ⁄𝑽 ∗ 𝒔
Ahora hallamos la siguiente expresión 𝐷𝑛.
2
𝐷𝑛 = (939.435 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (30.161𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒏 = 𝟐𝟖. 𝟑𝟑𝟒 𝒄𝒎 ⁄𝒔
Reemplazando la ecuación se determina 𝐷𝑝.
2
𝐷𝑝 = (341.947 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (30.161𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒑 = 𝟏𝟎. 𝟑𝟏𝟑 𝒄𝒎 ⁄𝒔
Reemplazando la ecuación se determina 𝐿𝑛.
2
𝐿𝑛 = √(28.334 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (10𝜇𝑠)
𝑳𝒏 = 𝟎. 𝟎𝟏𝟕𝒄𝒎
Reemplazando la ecuación se determina 𝐿𝑝.
2
𝐿𝑝 = √(10.313 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (0.1𝜇𝑠)
𝑳𝒑 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟏𝒄𝒎
Reemplazando la ecuación se determina 𝑛𝑖.
3⁄
2𝜋(9.31 ∗ 10−31)(1.3806488 ∗ 10−23)(350) 2
𝑛𝑖 = 2 ( )
(6.62617 ∗ 10−34)2
1.793∗10−19
3 −
∗ (0.26 ∗ 0.39) ⁄4 ∗ 𝑒 2(1.3806488∗10−23)(350)
𝒏𝒊 = 𝟓. 𝟏𝟒𝟔 ∗ 𝟏𝟎𝟏𝟎𝒄𝒎−𝟑
Reemplazando la ecuación se determina 𝑛𝑝0.
(5.146 ∗ 1010𝑐𝑚−3)2
𝑛𝑝0 =
1016𝑐𝑚−3
𝒏𝒑𝟎 = 𝟐𝟔𝟒𝟖𝟓𝟖. 𝟑𝟕𝟖𝒄𝒎−𝟑
Reemplazando la ecuación se determina 𝑝𝑛0.
(5.146 ∗ 1010𝑐𝑚−3)2
𝑝𝑛0 =
1014𝑐𝑚−3
𝒑𝒏𝟎 = 𝟐𝟔𝟒𝟖𝟓𝟖𝟑𝟕. 𝟖𝟏𝒄𝒎−𝟑
Reemplazando la ecuación se determina 𝐼𝑆.
= (1)(1.60218 ∗ 10−19) 10.313 ∗ 26481316 + 28.334 ∗ 264813.16)

(
0.001 0.017
𝑰𝑺 = 𝟒𝟑. 𝟏𝟔𝟔𝐧𝐀
Ahora reemplazamos los valores obtenidos en la ecuación de Shockley del diodo
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = (43.166nA) ∗ (𝑒1∗(30.161𝑚𝑉) − 1)
c) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟒𝟎𝟎𝑲.
Se realiza el calculo para hallar 𝑉𝑇.
(1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (400𝐾)

𝑉𝑇 =
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
𝑽𝑻 = 𝟑𝟒. 𝟒𝟔𝟗𝒎𝑽
𝑐𝑚2 300 2.4

𝜇𝑛0 = (1360 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (400)
𝒄𝒎𝟐⁄
𝝁𝒏𝟎 = 𝟔𝟖𝟏. 𝟖𝟒𝟓 𝑽∗𝒔
Se realiza el calculo para hallar 𝜇𝑝0.
𝑐𝑚2 300 2.2

𝜇𝑝0 = 480 ⁄𝑉 ∗ 𝑠 ∗ ( )
𝒄𝒎 𝟐 400
𝝁𝒑𝟎 = 𝟐𝟓𝟒. 𝟗𝟎𝟒 ⁄𝑽 ∗ 𝒔
Se realiza el calculo para hallar 𝐷𝑛.
2
𝐷𝑛 = (681.845 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (34.469𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒏 = 𝟐𝟑. 𝟓𝟎𝟑 𝒄𝒎 ⁄𝒔
Se realiza el calculo para hallar 𝐷𝑝.

2
𝐷𝑝 = (254.904 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (34.469𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒑 = 𝟖. 𝟕𝟖𝟔 𝒄𝒎 ⁄𝒔
Se realiza el calculo para hallar 𝐿𝑛.
2
𝐿𝑛 = √(23.502 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (10𝜇𝑠)
𝑳𝒏 = 𝟎. 𝟎𝟏𝟓𝒄𝒎
Se realiza el calculo para hallar 𝐿𝑝.
2
𝐿𝑝 = √(8.786 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (0.1𝜇𝑠)
𝑳𝒑 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟏𝒄𝒎
Se realiza el calculo para hallar 𝑛𝑖.
2𝜋(9.31 ∗ 10−31)(1.38064 ∗ 10−23)(400) 3⁄

2
3⁄
𝑛𝑖 = 2 ( ) ∗ (0.26 ∗ 0.39) 4
(6.62617 ∗ 10−34)2
1.793∗10−19
−
∗𝑒 2(1.3806488∗10−23)(400)
𝒏𝒊 = 𝟔. 𝟑𝟗𝟐 ∗ 𝟏𝟎𝟏𝟏𝒄𝒎−𝟑
Se realiza el calculo para hallar 𝑛𝑝0.
(6.392 ∗ 1011𝑐𝑚−3)2
𝑛𝑝0 =
1016𝑐𝑚−3
𝒏𝒑𝟎 = 𝟒𝟎𝟖𝟓𝟖𝟖𝟐𝟏. 𝟏𝟏𝒄𝒎−𝟑
Se realiza el calculo para hallar 𝑝𝑛0.
(6.392 ∗ 1011𝑐𝑚−3)2
𝑝𝑛0 =
1014𝑐𝑚−3
𝒑𝒏𝟎 = 𝟒𝟎𝟖𝟓𝟖𝟖𝟐𝟏𝟏𝟏𝒄𝒎−𝟑
Reemplazando la ecuación se determina 𝐼𝑆.
8.786 23.502
𝐼𝑆 = (1)(1.60218 ∗ 10−19) ( ∗ 4085766400 + ∗ 40857664)
0.001 0.015
𝑰𝑺 = 𝟔. 𝟏𝟒𝟔𝝁𝑨
Ahora reemplazamos los valores obtenidos en Shockley del diodo

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = (6.146𝜇𝐴) ∗ (𝑒1∗(34.469𝑚𝑉) − 1)
3.2.DESARROLLO PÁRA LA PARTE B: Característica dinámica del diodo de Silicio de

Carburo.
o Definimos todas las variables y constantes físicas.
➢ 𝐴𝐽 = 1𝑐𝑚2
➢ 𝑁𝐴 = 1016𝑐𝑚−3
➢ 𝑁𝐷 = 1014𝑐𝑚−3
➢ 𝑟𝑛 = 10𝜇𝑠
𝑟𝑛 𝑁𝐴 𝑁𝐷 1014𝑐𝑚−3
= → 𝑟𝑝 = ∗ 𝑟𝑛 = 16 −3 ∗ 10𝜇𝑠 → 𝑟𝑝 = 0.1𝜇𝑠
𝑟𝑝 𝑁𝐷 𝑁𝐴 10 𝑐𝑚
𝑛=2
𝑐𝑚2⁄
➢ 𝜇𝑛(300𝐾) = 900 𝑉∗𝑠
𝑐𝑚 ⁄
2
➢ 𝜇𝑝(300𝐾) = 120 𝑉∗𝑠
➢ 𝑘𝑒 = 0.36
➢ 𝑘ℎ = 1
➢ 𝐸𝐺 = 5.216 ∗ 10−19𝐽
➢ 𝑞 = 1.60218 ∗ 10−19𝐶
➢ 𝑘 = 1.3806488 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾

➢ 𝑚𝑒 = 9.31 ∗ 10−31𝑘𝑔
➢ ℎ = 6.62617 ∗ 10−34𝐽 ∗ 𝑠
o Para calcular la ecuación del diodo en la ecuación Shockley en función de la tensión
el diodo 𝑉𝐷 para 𝑇 = 300𝐾, 𝑇 = 423𝐾 y 𝑇 = 573𝐾 necesitaremos de otros valores,
por lo tanto, calcularemos todos los valores del diodo para completar la ecuación
Shockley para diferentes temperaturas.
a) Se realiza los respectivos cálculos para T= 𝟑𝟎𝟎𝑲.
(1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (300𝐾)

𝑉𝑇 =
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
𝑽𝑻 = 𝟐𝟓. 𝟖𝟓𝟐𝒎𝑽
𝑐𝑚2 300 2.4

𝜇𝑛0 = (900 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (300)
𝒄𝒎 𝟐
𝝁𝒏𝟎 = 𝟗𝟎𝟎 ⁄𝑽 ∗ 𝒔
𝑐𝑚2 300 2.2

𝜇𝑝0 = (120 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ ( )
300
𝒄𝒎 𝟐
𝝁𝒑𝟎 = 𝟏𝟐𝟎 ⁄𝑽 ∗ 𝒔

𝑐𝑚2
𝐷𝑛 = (900 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (25.852𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒏 = 𝟐𝟑. 𝟐𝟔𝟕 𝒄𝒎 ⁄𝒔
2
𝐷𝑝 = (120 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (25.852𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒑 = 𝟑. 𝟏𝟎𝟐 𝒄𝒎 ⁄𝒔
2
𝐿𝑛 = √(23.267 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (10𝜇𝑠)
𝑳𝒏 = 𝟎. 𝟎𝟏𝟓𝒄𝒎
2
𝐿𝑝 = √(3.102 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (0.1𝜇𝑠)
𝐋𝐩 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟏𝐜𝐦

3⁄
2
2𝜋(9.31 ∗ 10−31)(1.38064 ∗ 10−23)(300) 3⁄
𝑛𝑖 = 2 ( ) ∗ (0.36 ∗ 1) 4
(6.62617 ∗ 10−34)2
5.216∗10−19
− −23)(300)
∗ 𝑒 2(1.3806488∗10
𝒏𝒊 = 𝟓. 𝟒𝟑𝟕 ∗ 𝟏𝟎−𝟗𝒄𝒎−𝟑
(5.437 ∗ 10−9𝑐𝑚−3)2
𝑛𝑝0 =
1016𝑐𝑚−3
𝒏𝒑𝟎 = 𝟐. 𝟗𝟓𝟔 ∗ 𝟏𝟎−𝟑𝟑𝒄𝒎−𝟑
(5.437 ∗ 10−9𝑐𝑚−3)2
𝑝𝑛0 =
1014𝑐𝑚−3
𝑝𝑛0 = 2.956 ∗ 10−31𝑐𝑚−3
Se realiza el calculo para hallar 𝐼𝑆.
3.102 23.267
𝐼𝑆 = (1)(1.60218 ∗ 10−19) ( ∗ 2.956 ∗ 10−31 + ∗ 2.956
0.001 0.015
∗ 10−33)
𝐼𝑆 = 2.645 ∗ 10−46𝐴
Ahora reemplazamos los valores obtenidos en la ecuación de Shockley.
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = (2.645 ∗ 10 −46 𝐴) ∗ (𝑒2∗25.852𝑚𝑉 − 1)
b) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟒𝟐𝟑𝑲.

Usamos la ecuación (2) para determinar 𝑉𝑇.
𝐽
(1.38064 ∗ 10−23 ⁄𝐾) ∗ (423𝐾)
𝑉𝑇 =
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
𝑽𝑻 = 𝟑𝟔. 𝟒𝟓𝟏𝒎𝑽
𝑐𝑚2 300 2.4

𝜇𝑛0 = (900 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (423)
𝒄𝒎𝟐⁄
𝝁𝒏𝟎 = 𝟑𝟗𝟒. 𝟓𝟔𝟑 𝑽∗𝒔

𝑐𝑚2 300 2.2
𝜇𝑝0 = (120 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ ( )
423
𝒄𝒎𝟐⁄
𝝁𝒑𝟎 = 𝟓𝟔. 𝟑𝟓𝟏 𝑽∗𝒔
2
𝐷𝑛 = (394.563 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (36.451𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒏 = 𝟏𝟒. 𝟑𝟖𝟐 𝒄𝒎 ⁄𝒔
2
𝐷𝑝 = (56.351 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (36.451𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒑 = 𝟐. 𝟎𝟓𝟒 𝒄𝒎 ⁄𝒔
2
𝐿𝑛 = √(14.382 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (10𝜇𝑠)
𝑳𝒏 = 𝟎. 𝟎𝟏𝟐𝒄𝒎
2
𝐿𝑝 = √(2.054 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (0.1𝜇𝑠)
𝑳𝒑 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟓𝒄𝒎
2𝜋(9.31 ∗ 10−31)(1.38064 ∗ 10−23)(423𝐾) 3⁄

2
3⁄
𝑛𝑖 = 2 ( ) ∗ (0.36 ∗ 1) 4
(6.62617 ∗ 10−34)2
5.216∗10−19
−
∗ 𝑒 2(1.3806488∗10 −23)(423)
= 0.814𝑐𝑚−3
(0.814𝑐𝑚−3)2
𝑛𝑝0 =
1016𝑐𝑚−3
𝒏𝒑𝟎 = 𝟔. 𝟔𝟑 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟕𝒄𝒎−𝟑
(0.814𝑐𝑚−3)2
𝑝𝑛0 =
1014𝑐𝑚−3
𝒑𝒏𝟎 = 𝟔. 𝟔𝟑 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟓𝒄𝒎−𝟑
2.054 14.382
𝐼 = (1)(1.60218 ∗ 10−19) ∗ 6.63 ∗ 10−15 + ∗ 6.63
(
𝑆 0.0005 0.012
∗ 10−17) = 4.827 ∗
10−30𝐴

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = (4.827 ∗ 10 −30 𝐴) ∗ (𝑒2∗36.451𝑚𝑉 − 1)
c) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟓𝟕𝟑𝑲.
(1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (573𝐾)

𝑉𝑇 =
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
𝑽𝑻 = 𝟒𝟗. 𝟑𝟕𝟕𝒎𝑽
𝑐𝑚2 300 2.4

𝜇𝑛0 = (900 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (573)
𝒄𝒎𝟐⁄
𝝁𝒏𝟎 = 𝟏𝟗𝟎. 𝟒𝟒𝟐 𝑽∗𝒔
Se realiza el cálculo para hallar 𝜇𝑝0.
𝑐𝑚2 300 2.2

𝜇𝑝0 = (120 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ ( )
573
𝒄𝒎𝟐⁄
𝝁𝒑𝟎 = 𝟐𝟖. 𝟗𝟎𝟏 𝑽∗𝒔
2
𝐷𝑛 = (190.442 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (49.377𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒏 = 𝟗. 𝟒𝟎𝟑 𝒄𝒎 ⁄𝒔
2
𝐷𝑝 = (28.901 𝑐𝑚 ⁄𝑉 ∗ 𝑠) ∗ (49.377𝑚𝑉)
𝟐
𝑫𝒑 = 𝟏. 𝟒𝟐𝟕 𝒄𝒎 ⁄𝒔
2
𝐿𝑛 = √(9.403 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (10𝜇𝑠)
𝑳𝒏 = 𝟎. 𝟎𝟏𝟎𝒄𝒎
2
𝐿𝑝 = √(1.427 𝑐𝑚 ⁄𝑠) ∗ (0.1𝜇𝑠)
𝑳𝒑 = 𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟒𝒄𝒎
2𝜋(9.31 ∗ 10−31)(1.3806488 ∗ 10−23)(573𝐾) 3⁄

2
3⁄
𝑛𝑖 = 2 ( ) ∗ (0.36 ∗ 1) 4
(6.62617 ∗ 10−34)2
5.216∗10−19
−
∗𝑒 2(1.3806488∗10−23)(573)
𝒏𝒊 = 𝟏𝟓𝟑𝟐𝟔𝟖. 𝟔𝟐𝟓𝒄𝒎−𝟑
(153268.625𝑐𝑚−3)2
𝑛𝑝0 =
1016𝑐𝑚−3
𝒏𝒑𝟎 = 𝟐. 𝟑𝟒𝟗 ∗ 𝟏𝟎−𝟔𝒄𝒎−𝟑
(153268.625𝑐𝑚−3)2
𝑝𝑛0 =
1014𝑐𝑚−3
𝒑𝒏𝟎 = 𝟐𝟑𝟒. 𝟗𝟏𝟑 ∗ 𝟏𝟎−𝟔𝒄𝒎−𝟑

1.427 9.403
𝐼 = (1)(1.60218 ∗ 10−19) ∗ 234.913 ∗ 10−6 + ∗ 2.349
𝑆 (
0.0004 0.010
∗ 10−6)
𝑰𝑺 = 𝟏. 𝟒𝟐𝟓 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟗𝑨
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = (1.425 ∗ 10 −19 𝐴) ∗ (𝑒2∗49.377𝑚𝑉 − 1)
3.3. DESARROLLO PÁRA LA PARTE C
Determinación de la característica 𝐼/𝑉 del diodo de potencia.
➢ Características del diodo de Silicio

Procedemos a seleccionar un diodo de Si del fabricante Infineon y descargamos su hoja
de datos, luego obtenemos los parámetros principales, y otros datos adicionales del
Datasheet.
(Datos obtenidos del Datasheet del diodo D2601N ).
✓ BV = 9000𝑉
✓ IBV = 100𝑚𝐴
✓ CJO = 2𝑝𝐹
✓ 𝑣𝐹 = 2.37𝑉
✓ 𝑖𝐹 = 4000𝐴
✓ 𝑄𝑅𝑅 = 12.5𝑚𝐴 ∗ 𝑠
✓ 𝐼𝐹𝑀 = 1000𝐴
✓ 𝑛=1
Usamos la ecuación de tiempo transitorio para determinar TT.
12.5𝑚𝐴 ∗ 𝑠
𝑇𝑇 =
1000𝐴
𝑇𝑇 = 12.5𝜇𝑠
Para calcular la corriente de saturación 𝐼𝑆 en la ecuación para 𝑇 = 25ºC, 𝑇 = 75º𝐶 y 𝑇 =

120ºC necesitaremos 𝑉𝑇 para cada temperatura, por lo tanto, calcularemos 𝑉𝑇 para cada
temperatura.
a) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟐𝟓º𝐂 = 𝟐𝟗𝟖. 𝟏𝟓𝑲:
Usamos la ecuación Voltaje térmico para determinar 𝑉𝑇.
(1.3806488 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (298.15𝐾)
𝑉𝑇 =
= 25.693𝑚𝑉
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
Usamos la ecuación (13) para determinar IS.
4000𝐴
IS = 2.37𝑉 = 3.473 ∗ 10−37𝐴
𝑒1∗25.693𝑚𝑉 − 1
Sus parámetros serán entonces:
IS = 3.473 ∗ 10−37𝐴BV
= 9000𝑉
IBV = 100𝑚𝐴
TT=12.5𝜇𝑠
CJO = 2𝑝𝐹
b) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟕𝟓º𝐂 = 𝟑𝟒𝟖. 𝟏𝟓𝑲:

(1.3806488 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (348.15𝐾)
𝑉𝑇 =
= 30.001𝑚𝑉
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
4000𝐴
IS = 2.37𝑉 = 1.969 ∗ 10−31𝐴
𝑒1∗30.001𝑚𝑉 − 1
IS = 1.969 ∗ 10−31𝐴BV
= 9000𝑉
IBV = 100𝑚𝐴
TT=12.5𝜇𝑠
CJO = 2𝑝𝐹
c) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟏𝟐𝟎º𝐂 = 𝟑𝟗𝟑. 𝟏𝟓𝑲:
(1.3806488 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (393.15𝐾)
𝑉𝑇 =
= 33.879𝑚𝑉
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
4000𝐴
IS = 2.37𝑉 = 1.664 ∗ 10−27𝐴
𝑒1∗33.879𝑚𝑉 − 1
IS = 1.664 ∗ 10−27𝐴BV
= 9000𝑉
IBV = 100𝑚𝐴
TT=12.5𝜇𝑠
CJO = 2𝑝𝐹
➢ Características del diodo de Silicio de Carburo.

▪ Seleccionamos un diodo de silicio del fabricante CREE y descargamos su hoja
de datos, luego obtenemos los parámetros principales, y otros datos
adicionales.
(Hoja de datos en el apéndice).
Parámetros principales:
BV = 600𝑉
IBV = 20𝜇𝐴
CJO = 2𝑝𝐹
𝑣𝐹 = 1.6𝑉
𝑖𝐹 = 1𝐴
𝑄𝑅𝑅 = 3.3nC
𝐼𝐹𝑀 = 1𝐴
𝑛=2
Usamos la ecuación (14) para determinar TT.
3.3nC
TT = = 3.3𝑛𝑠
1𝐴
▪ Para calcular 𝐼𝑆 en la ecuación corriente de saturación para 𝑇 = 25ºC, 𝑇 =
75º𝐶 y 𝑇 = 120ºC necesitaremos 𝑉𝑇 para cada temperatura, por lo tanto,
calcularemos 𝑉𝑇 para cada temperatura.
d) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟐𝟓º𝐂 = 𝟐𝟗𝟖. 𝟏𝟓𝑲:
Usamos la ecuación de voltaje térmico para determinar 𝑉𝑇.
(1.3806488 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (298.15𝐾)
𝑉𝑇 =
= 25.693𝑚𝑉
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
1𝐴
IS = 1.6𝑉 = 3.000 ∗ 10−14𝐴
𝑒2∗25.693𝑚𝑉 − 1
IS = 3.000 ∗ 10−14𝐴BV
= 600𝑉
IBV = 20𝜇𝐴
TT =3.3𝑛𝑠
CJO =2𝑝𝐹
Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟕𝟓º𝐂 = 𝟑𝟒𝟖. 𝟏𝟓𝑲:
Usamos la ecuación voltaje térmico para determinar 𝑉𝑇.

(1.3806488 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (348.15𝐾)
𝑉𝑇 =
= 30.001𝑚𝑉
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
Usamos la ecuación Corriente de saturación para determinar IS.
1𝐴
IS = 1.6𝑉 = 2.626 ∗ 10−12𝐴
𝑒2∗30.001𝑚𝑉 − 1
IS = 2.626 ∗ 10−12𝐴BV
= 600𝑉
IBV = 20𝜇𝐴
TT =3.3𝑛𝑠
CJO =2𝑝𝐹
a) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟏𝟐𝟎º𝐂 = 𝟑𝟗𝟑. 𝟏𝟓𝑲:
Usamos la ecuación voltaje termico para determinar 𝑉𝑇.
(1.3806488 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (393.15𝐾)
𝑉𝑇 =
= 33.879𝑚𝑉
(1.60218 ∗ 10−19𝐶)
1𝐴
IS = 1.6𝑉 = 5.556 ∗ 10−11𝐴
𝑒2∗33.879𝑚𝑉 − 1
IS = 5.556 ∗ 10−11𝐴BV
= 600𝑉
IBV = 20𝜇𝐴
TT =3.3𝑛𝑠
CJO =2𝑝𝐹
▪ Luego graficamos el circuito y modificamos sus parámetros en el PSPICE.
4. RESULTADOS
• DESARROLLO PARA LA PERIMERA PARTE : Graficamos la característica dinámica
del diodo de Si 𝐼𝐷 en función de 𝑉𝐷.
Código MATLAB en el apéndice A.

• DESARRROLLO PARA LA SEGUNDA PARTE : Graficamos la característica dinámica
del diodo de SiC 𝐼𝐷 en función de 𝑉𝐷.
Código MATLAB en el apéndice B.
• DESARRROLLO DE LA TERCERA PARTE : Graficamos la característica dinámica del
diodo de Si y Sic 𝐼𝐷 en función de 𝑉𝐷.
o Para el diodo de Si 𝐼𝐷 en función de 𝑉𝐷.
Código de Matlab en el apéndice C-1
o Para el diodo de SiC 𝐼𝐷 en función de 𝑉𝐷.

Código de Matlab en el apéndice C-2
5. CONCLUSIONES
• Durante el tiempo de recuperación inversa el diodo se comportó como cortocircuito y no fue
capaz de bloquear el voltaje en sentido inverso.
• En este laboratorio se observó tres tipos de diodo de potencia .
• Se concluyo que el programa “Orcad” es una buena herramienta para ver las características del
diodo.
• Se recomendaría diseñar aparte un disipador para este diodo para que tenga un buen
funcionamiento y evitar un sobrecalentamiento.
• Se obtuvo los parámetros más importantes de la hoja de datros y se pudo modificar en el SPICE
para obtener una curva característica lo más cercano a una curva característica real.
6. DATOS IMPORTANTES A CONSIDERAR

• Característica dinámica del diodo de silicio.
o Las tensiones umbrales para cada temperatura son:
𝑉𝑡ℎ ≈ 0.425𝑉 𝑇 = 300𝐾.
𝑉𝑡ℎ ≈ 0.28𝑉 𝑇 = 350𝐾.
𝑉𝑡ℎ ≈ 0.18𝑉 𝑇 = 400𝐾.

Mientras la temperatura vaya subiendo, la tensión umbral ira tendiendo a ser 0, esto
significa que cada vez tiende a ser un diodo ideal.
o La corriente de dispersión es la pequeña corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco y es dependiente de
la temperatura, de hecho, se duplica por cada incremento de 10°C en la temperatura
aproximadamente.
• Característica dinámica del diodo de carburo de silicio.

𝑉𝑡ℎ ≈ 5.000V 𝑇 = 300𝐾.
𝑉𝑡ℎ ≈ 4.375V 𝑇 = 423𝐾.
𝑉𝑡ℎ ≈ 3.625𝑉 𝑇 = 573𝐾.

Mientras la temperatura vaya subiendo, la tensión umbral ira tendiendo a ser 0, esto
significa que cada vez tiende a ser un diodo ideal. o El carburo de silicio es preparado
altas temperaturas, además el carbono le otorga la dureza y resistencia térmica comparado
al silicio puro.
o La propiedad de resistencia térmica del diodo del carburo de silicio hace que se
requiera mucho mas calor para que su tensión umbral llegue a ser ideal en
comparación al diodo de silicio.
• Determinación de la característica 𝐼/𝑉 del diodo de potencia.
Para el diodo de Si.
𝑉𝑡ℎ ≈ 0.650V 𝑇 = 25ºC.
𝑉𝑡ℎ ≈ 0.575V 𝑇 = 75ºC.
𝑉𝑡ℎ ≈ 0.475V 𝑇 = 120ºC.
Para el diodo de SiC.
𝑉𝑡ℎ ≈ 0.575V 𝑇 = 25ºC.
𝑉𝑡ℎ ≈ 0.475V 𝑇 = 75ºC.
𝑉𝑡ℎ ≈ 0.375𝑉 𝑇 = 120ºC.
o Hoja de datos:
Para el diodo de Si.
 https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-D2601N-DS-
v9_1en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43181865462 Para
el diodo de SiC.
 https://www.wolfspeed.com/downloads/dl/file/id/29/product/0/cpwr_0
600_s 001b.pdf
7. REFERENCIAS
• Libros:
o Laboratory_Manual_for_Pulse_Width_Modulated_DCDC_Power_Converters-
Kazimierczuk_and_Ayachit
o PSpice_Reference_Guide_OrCAD
o SPICE_for_Power_Electronics_and_Electric_Power-Muhammad_H.Rashid
o Fundamentos de electrónica - Robert L. Boylestad

o Circuitos electrónicos - Donald L. Schilling
• Hoja de datos:
o https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-D2601N-DS-v9_1-
en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43181865462
o https://www.wolfspeed.com/downloads/dl/file/id/29/product/0/cpwr_0600_s001b.pd
f
• Programas:
o https://es.mathworks.com/products/matlab.html
o https://www.orcad.com/
8. APENDICE
• APENDICE A:
• APENDICE B:
• APENDICE C-1:
• APENDICE C-2:

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“AÑO DE LA UNIVERSALIZACIÓN DE LA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRICA

CURSO: ELECTRONICA DE POTENCIA 1

TEMA: “LABORATORIO 01”

CARACTERISTICAS DINAMICAS DEL DIODO

DOCENTE: IVAR MIGUEL ORDOÑEZ CARPIO

INTEGRANTE: ANTONIO OCHOA SOTEC

Cuando el diodo se encuentra funcionando en el instante de cambio de polarización directa a

Característica dinámica del diodo de silicio.

B. DESARROLLO DE LA SEGUNDA PARTE B

Característica dinámica del diodo de carburo de silicio.

C. DESARROLLO DE LA TERCERA PARTE C

SE EMPLEARA LAS SIGUIENTES ECUACIONES:

𝑞 = 1.6021 ∗ 10−19𝐶 Carga del electrón.

𝑘 = 1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾

𝑚𝑒 = 9.31 ∗ 10−31𝑘𝑔 Masa del electrón.

ℎ = 6.6261 ∗ 10−34𝐽 ∗ 𝑠 Constante de Planck.

3.1. DESARROLLO PÁRA LA PARTE A: Característica dinámica del diodo de Si.

➢ 𝑘 = 1.3806488 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾

En la siguiente fórmula se calcula 𝑉𝑇.

(1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (300𝐾)

Se procede a determinar 𝐷𝑛.

Reemplazando en la ecuación se determina 𝐷𝑝.

Se realiza el calculo para hallar 𝜇𝑛0.

𝑐𝑚2 300 2.4

Reemplazando la ecuación se determina 𝐿𝑛.

Reemplazando la ecuación se determina 𝐿𝑝.

Ahora hallamos la siguiente expresión 𝜇𝑝0.

𝑐𝑚2 300 2.2

Reemplazando la ecuación se determina 𝑛𝑖.

Reemplazando la ecuación se determina 𝑛𝑝0.

Reemplazando la ecuación se determina 𝑝𝑛0.

Usamos la ecuación de corriente inversa de saturacion para determinar 𝐼𝑆.

Ahora reemplazamos los valores obtenidos en la ecuación de Shockley del diodo.

b) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟑𝟓𝟎𝑲.

Ahora hallamos la siguiente expresión 𝑉𝑇.

(1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (350𝐾)

Ahora hallamos la siguiente expresión 𝜇𝑛0.

Ahora hallamos la siguiente expresión 𝜇𝑝0.

𝑐𝑚2 300 2.2

Ahora hallamos la siguiente expresión 𝐷𝑛.

Reemplazando la ecuación se determina 𝐷𝑝.

Reemplazando la ecuación se determina 𝐿𝑛.

Reemplazando la ecuación se determina 𝐿𝑝.

Reemplazando la ecuación se determina 𝑛𝑖.

Reemplazando la ecuación se determina 𝑛𝑝0.

Reemplazando la ecuación se determina 𝑝𝑛0.

Reemplazando la ecuación se determina 𝐼𝑆.

= (1)(1.60218 ∗ 10−19) 10.313 ∗ 26481316 + 28.334 ∗ 264813.16)

Ahora reemplazamos los valores obtenidos en la ecuación de Shockley del diodo

c) Se realiza los respectivos cálculos para 𝑻 = 𝟒𝟎𝟎𝑲.

Se realiza el calculo para hallar 𝑉𝑇.

(1.38064 ∗ 10−23 𝐽⁄𝐾) ∗ (400𝐾)

Se realiza el calculo para hallar 𝜇𝑛0.

𝑐𝑚2 300 2.4

Se realiza el calculo para hallar 𝜇𝑝0.

𝑐𝑚2 300 2.2

Se realiza el calculo para hallar 𝐷𝑛.

Se realiza el calculo para hallar 𝐷𝑝.