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    Tarea 2 - Ana Gabriela Gomez

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    Yeiner Alfredo Liñan Costa
    La ingeniería industrial es una profesión de ingeniería que se ocupa de la optimización de procesos, sistemas u organizaciones complejos mediante el desarrollo, la mejora y la implementación de sistemas integrados de personas, riqueza, conocimiento, información y equipamiento, energía, materiales y

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    Tarea 2_Ana Gabriela Gomez

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    TAREA 2. FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS SEMICONDUCTORES Y SEÑAL AC

    Ana Gabriela Gomez


    e-mail: aggomezn@unadvirtual.edu.co

    V D 1=0.7 V
    RESUMEN: En el laboratorio se trabajó
    un circuito con diodos en serie al igual que un

    PALABRAS CLAVE: Diodo, Transistor,


    Tierra, Voltaje, Corriente.
    V D 2=0.7 V
    1 LINK VIDEO SUSTENTACIÓN

    https://youtu.be/2Dk20jWSpRI
    Solo existe una corriente que será la misma
    del diodo 1 y del diodo 2 entonces
    2 DESARROLLO DEL EJERCICIO 2

    2.1 MONTAJE 1/ EJERCICIO 2 220 I D 1=5−0.7−0.7


    220 I D 1=3.6
    I D 1 =16.363mA

    Y según lo mencionado anteriormente

    I D 2 =16.363 mA

    I =16.363 mA

    Y por ley de ohm


    Figura 1. Diodos semiconductores.
    V R 1=I ∙ R1
    Se espera que ambos diodos conduzcan V R 1=16.363∗10−3 ∙ 220
    debido a que están en configuración ánodo al V R 1=3.599 V
    cátodo en igual dirección es decir polarización
    directa. Entonces se comportan como corto
    circuito Comprobando con el simulador (CircuitMaker):

    Como el diodo 1N4007 tiene una caída de


    tensión de 0.7V

    1
    .

    Y como la ganancia también involucra IC con


    IB

    I C =100 ∙ I B
    I C =2.91∗10−3 A

    Por leyes de Kirchhoff

    I E =I C + I B
    I E =2.91∗10−3+ 29.1∗10−6
    I E =2.93∗10−3 A

    Recordando
    Figura 2. Comportamiento de la corriente y
    tensiones en el simulador.

    DESARROLLO DEL EJERCICIO 3


    IC
    2.2 MONTAJE 1/ EJERCICIO 3
    +¿
    V CE
    IB −¿
    IE

    Y por ley de ohm

    V E=I E ∙ ℜ
    V E=2.93∗10−3 ∙1.5∗10−3
    V E=4.39V
    Figura 3. Transistor BJT tipo NPN.
    Para la tensión en el colector y en la base
    Diodo base-emisor directamente polarizado, lo
    que indica que entre la base y el emisor VRB=I B ∙ RB
    existirá una tensión de 0.7 V ya se asume que VRB=14.781 V
    el diodo es de silicio. Con la malla externa que
    involucra IB VRC=I C ∙ RC
    VRC=6.994 V
    510∗103 ∙ I B +1.5 k∗I E=20−0.7
    Restándole a VCC esas caídas de tensiones
    Pero se conoce el valor de la ganancia que es
    100 y también que la ganancia involucra a IE V B =20−14.781
    con IB V B =5.219 V
    510∗103 ∙ I B +1.5 k∗101∙ I B=20−0.7 V C =20−6.994
    I B=29.1∗10−6 A V C =13.006 V

    2
    .

    Para la tensión en el colector y emisor, se


    restan ambas tensiones
    V CE =13.006−4.39
    V CE =8.616 V

    Figura 4. Comportamiento de las corrientes y


    tensiones en el simulador.

    3 CONCLUSIONES

    Cuando la polarización del diodo es


    directa se da el flujo de cargas por
    consiguiente se obtiene una corriente y una
    tensión en la resistencia.

    Las leyes de Kirchhoff son elementales


    en el momento de desarrollar un circuito con
    transistor.

    4 REFERENCIAS

    [1] Rito Mijarez Castro, Electrónica.

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