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Melissa - Gomez

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Tarea 2. Fundamentos de circuitos semiconductores y señal AC.

Karol Melissa Gómez Diaz

1.098.777.006

Alex Enrique Florido

100414_61

Física Electrónica

100414_315

Universidad Nacional Abierta y a Distancia (UNAD)

Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería (ECBTI)

Ingeniería Industrial (80017)

Octubre 2022
2

DESARROLLO DE EJERCICIO #3

ESTUDIANTE 1
El siguiente circuito muestra la estructura de un transistor configurado como interruptor.

Teniendo en cuenta los valores proporcionados, calcular la corriente de colector cuando está
saturado IC (saturación), el voltaje colector emisor en estado de corte Vce (corte) y la corriente de
base IB. VBE=0.7 v

Realizamos la interpretación de la primera malla Base – Emisor.

Procedemos a hallar la corriente de base IB.

∑ v=0
Vcc−IB∗RB−VBE=0
Vcc−VBE
IB=
RB
10 V −0.7 V
IB=
60 K Ω
IB=155 μA
3

Figura 1. Comprobación de IB

Procedemos a encontrar la corriente del colector en estado de saturación.

Vcc
ICsat=
RC
20 V
ICsat=
−11 K Ω
ICsat=−1.818 mA

Figura 2. Comprobación de ICsat


4

Hallamos voltaje emisor en estado de corte VCE teniendo en cuenta el valor de resistencia con el
transistor saturado

VCE + IC∗RC −VCC=0


VCE=VCC−IC∗RC
VCE=20 V −(1.818 mA∗11 K Ω)
VCE=20 V −19.91 V
VCE=0.002 V ≈ 20 mV
Determinamos que hay una variación entre los valores resultantes de VCE solucionado de forma
manual y por medio del Circuit Maker, sin embargo, son producto de milésimas, lo que si podemos
determinar es que el paso de voltaje por el emisor en estado de corte es Nulo.

Realizamos la comprobación en CircuitMaker


Figura 3. Comprobación en CircuitMaker

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