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Seminario de Telecomunicaciones
Prof.: Belén Torres
PROBLEMAS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

Bibliografía:
1. Rashid M. H. “Circuitos Microelectrónicos. Análisis y diseño”, pag. 186-188 y 192-196.

Objetivos:
 Ejercitar el cálculo del punto de operación y la potencia disipada empleando diferentes métodos
de solución, y la obtención de la línea de carga estática del BJT.
 Profundizar en el principio de operación del regulador de voltaje serie y realizar los cálculos de
sus principales variables.
Ejercicio 1:
1. En el circuito mostrado en la figura 1, calcule:
a) El punto de operación del transistor. Represente el
punto de operación y la línea de carga estática en la
característica de salida.
b) La potencia que se disipa en el colector del transistor
en reposo y la potencia que entrega la batería VCC.
c) El valor máximo de RC con el cual el transistor
permanece trabajando en la región activa.

Datos:  F = hFE = 150; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V;

VCE sat = 0,1 V e ICO = 0. Fig. 1: Problema 1.
Solución:
a) El punto de operación del transistor bipolar se caracteriza por la IBQ, ICQ y el VCEQ. Este es un circuito
autopolarizado. Para calcular el punto de operación se abre el circuito como se muestra y se sustituye por
una fuente referida a tierra en serie con una resistencia equivalente aplicando el Teorema de Thevenin.

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 2

50
V V R2  12   3, 53 V

TH CC R1  R2 120  50

R  R  R R  R1  R2  120  50  35, 29 k

TH B 1 2 R1  R2 120  50

EL VOLTAJE DE THEVENIN SIEMPRE ESTÁ REFERIDO A TIERRA

El transistor bipolar puede trabajar en activa, saturación o corte. Se supondrá que el transistor está
operando en la zona de activa:

Aplicando LKV (Ley de Kirchhoff de Voltaje) en I (malla en

a base del transistor):
VTH  IB  RB  VBE  IE  RE  0 1
0
pero IE  IB  IC e IC  βF  IB  βF 1   ICO

luego IE  1 βF   IB (2)

Sustituyendo (2) en (1) nos queda que:

VTH  IB  RB  VBE  1 βF  IB  RE  0

Despejando la corriente de IB:

VTH  VBE 3,53  0,7
IB  
R B  1 βF   RE 35,29  11501,5

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 3

De donde: IBQ  0, 010 mA  10 μA3

ICQ  βF  IBQ  150  0, 01  1, 5 mA

Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el valor de V CEQ:

VCC  ICQ  RC  VCEQ  IEQ  RE  0

Como βF  150  1  IE  IC de donde:


VCC  VCEQ  ICQ  RC  RE  0
VCEQ  VCC  ICQ   R C  R E   12 1, 5   5 1, 5  2, 25 V  VCE sat  0,1 V  Activa

(Se verifica la condición)

R:


Para representar el punto de operación y la línea de carga estática en la característica de salida del
BJT, a partir de la LKV obtenida en la malla II, despejamos la IC en función del VCE:
VCC  IC  RC  VCE  IE  RE  0

Como βF  150  1  IE  IC , de donde: 

VCC  VCE  IC  RC  RE   0 entonces despejamos
Ic
VCE
VCC
y al despejar I nos queda que: ic   

R C  RE  RE
RC

Para dibujar tengo que hacer tengo en cuenta dos condiciones:

VCC
Si V  0  I 

CE C RC  RE

Si IC  0  VCE  VCC

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 4

b) Potencia que se disipa en el colector del transistor bipolar:

R: PC max  ICQ  VCEQ  1,5  2, 25  3, 375 mW

Potencia que entrega la batería: PCC  VCC  ICC  VCC  ICQ  I1    ya que ICC  ICQ  I1 



Aplicando una LKV como se muestra en la figura de la

izquierda se podrá calcular el valor de I1 :
VCC  I1 R1  VBE  IE  RE  0

pero al ser βF  150  1  IE  IC

VCC  I1 R1  VBE  IC  RE  0

y al despejar I1 nos queda que:
V  VBE  IC  RE 12  0,7 1,51,5
I  CC   75 μA
1 R1 120

Luego: R:

c) A partir de la línea de carga estática representada en la característica de salida, se puede observar que
si se aumenta el resistor RC disminuye el VCE corriéndose el punto de operación hacia la zona de
saturación sin variar el valor de ICQ. El valor máximo de RC (RCmax) se calcula cuando el transistor
alcanza el límite de la región de saturación, al hacerse VCE = VCEsat.

De la malla de salida nos queda que: 

VCC  IC  RC max  VCE sat  ICQ  RE  0 Al ser βF  150  1  IEQ  ICQ 
y al despejar nos queda que:

VCC  VCE sat  ICQ  R E 12  0,2 1,51,6 

RC max  
  6, 36 k
ICQ 1,5

R / R C max  6, 36 k

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 5

RESOLVER EL EJERCICIO 2

2. En un circuito igual al mostrado en la figura 1, calcule:

a) El punto de operación del transistor. Represente el
punto de operación y la línea de carga estática en la
característica de salida.
b) La potencia que se disipa en el colector del transistor
en reposo y la potencia que entrega la batería VCC.
c) El valor máximo de RC con el cual el transistor
permanece trabajando en la región activa.

Datos:  F = hFE = 160; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V;

VCE sat = 0,1 V e ICO = 0, R1=150K,R2=33K,Rc=1K, Re=1k y Vcc=12V

Ejercicio 3
En los circuitos de la figura 6a) y 6b), calcule el punto de operación y la potencia disipada en colector del
transistor en reposo.

Datos:  F = hFE = 260; VBE = 0,6 V; VCE sat = 0,1 V y ICO = 0.

Fig. 3: Problema 3.
Solución del circuito de la figura 3 a):
En alterna los condensadores se tienen en cuenta para el análisis dinámico, cuando se hace el análisis
estático (directa) para calcular el punto de operación, estos se abren. Suponiendo el transistor en activa:

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LA FUENTE DE THEVENIN SIEMPRE ESTÁ REFERIDA A TIERRA

36
 
R2
VTH  VCC  VEE   VEE  14   7   4, 67 V
R1  R2 180  36

Segunda forma de calcular el VTH: (Aplicando superposición)

Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor):

VTH  IB  RB  VBE  IE  RE  VEE  0 (1)

 0
pero IE  IB  IC e IC  βF  IB  β F 1   ICO , luego IE  1 βF   IB (2)

Sustituyendo (2) en (1) nos queda que: VTH  IB RB  VBE  1 βF  IB  RE  VEE  0

Despejando la corriente de IB:

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ICQ  βF  IBQ  260  0, 00387  1 mA

Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el V CEQ:

VCC  IC  RC  VCE  IE  RE  VEE  0

 
pero al ser βF  260  1  IE  IC luego: VCC  VCEQ  ICQ  R C  R E  VEE  0

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
y al despejar VCEQ nos queda que: VCEQ  VCC  VEE  ICQ  RC  RE 
VCEQ  7  7 1 7, 5 1, 6  4, 9 V  VCE sat  0,1 V  Activa


R: Punto de Operación: Q IBQ  3,87 μA; ICQ  1 mA; VCEQ  4, 9 V 
R: PC  ICQ  VECQ  1 4, 9  4, 9
mW
RESOLVER EL EJERCICIO 3.B)

Respuesta del circuito de la figura 3 b):

R: y R: PC  10
mW


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