TFG Alberto Jimenez de La Pena

DISEÑO DE CONVERTIDOR DC/DC
Alberto Jiménez de la Peña

CON CONTROL REMOTO PARA
SMARTGRIDS
JUNIO 2019
TRABAJO FIN DE GRADO PARA Alberto Jiménez de la Peña

LA OBTENCIÓN DEL TÍTULO DE
GRADUADO EN INGENIERÍA EN DIRECTOR DEL TRABAJO FIN DE GRADO:
TECNOLOGÍAS INDUSTRIALES Airán Francés Roger

Rafael Asensi Orosa
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID
Escuela Técnica Superior de Ingenieros Industriales
Grado en Ingeniería en Tecnologías Industriales

(Automática y Electrónica)
Trabajo Fin de Grado
Diseño de convertidor DC/DC con control remoto para

SmartGrids
Autor: Alberto Jiménez de la Peña
Director: Airán Francés Roger

Rafael Asensi Orosa
2019
“El presente es de ellos, pero el futuro,
por el cual trabajé tanto, es mío”
Nikola Tesla
Agradecimientos
A mis padres, gracias a quienes he conseguido llegar hasta aquí y hacia los que sólo
puedo expresar mi más sincero agradecimiento por su apoyo y sus enormes esfuerzos y
sacrificios realizados durante todos estos años.
En memoria de mi abuelo Lorenzo, quien no ha podido verme llegar hasta aquí. Espero
que estés donde estés te sientas orgulloso de mi.
No puedo olvidarme de mi hermano Javier, fuente de mi motivación y sentimiento de

lucha y superación constante.
También me gustaría agradecer a mi tutor Airán por toda la ayuda prestada, sin la
cual no habría podido acabar este trabajo, por su valiosa dirección y apoyo, por poner
todos sus conocimientos a mi servicio y por su total disponibilidad para responder mis
numerosas preguntas y dudas.
A todos mis amigos, por su fuerte respaldo y amistad, por aguantarme y siempre estar
ahí en los momentos más difíciles. Y por supuesto, mis compañeros de universidad, con los
que ha sido un placer compartir esta etapa de mi vida y siempre quedarán en mi memoria
las amplias horas de duro trabajo y los buenos momentos pasados a su lado.
Finalmente, a todas aquellas personas que se me han cruzado a lo largo de la carrera

y que me han aportado algo valioso.
Gracias.
v
Resumen
El presente Trabajo Fin de Grado consiste en el estudio, diseño, construcción y en-

sayo de un convertidor reductor síncrono con la capacidad de ser controlado a través de
un equipo de simulación en tiempo real. De esta forma, diferentes controles podrán ser
llevados a cabo de manera muy simple e incluso proporcionar de cierta inteligencia al
convertidor.
Para ello, se ha procedido a analizar teóricamente su funcionamiento, obteniendo sus

principales ecuaciones y respuesta dinámica, dando lugar al diseño de todos sus compo-
nentes, desde los que forman la etapa de potencia hasta los que constituyen la etapa de
control de los interruptores. Además, se ha elaborado una PCB, sobre la cual se montarán
todos los componentes, permitiendo su conexionado y la consecución del convertidor.
Finalmente, se comprobará su correcto diseño y funcionamiento a través de ensayos

tanto en lazo abierto como cerrado, verificando las simulaciones realizadas durante el di-
seño y las especificaciones establecidas al principio del proyecto.
Palabras clave: electrónica de potencia, convertidor reductor síncrono, simulación

en tiempo real, PCB
Códigos UNESCO: 330000, 330700, 330703
vii
Abstract
The present dissertation consists of the study, design, manufacture and test of a syn-
chronous Buck converter with the ability to be controlled through a modular real-time
system. In this way, different controls can be implemented in a very simple way and even
endow the converter with certain intelligence.
To do so, it has been proceeded to analyze theoretically its operation by obtaining its
main equations and dynamic response, giving rise to the design of its whole components,
from those that form the power stage to those that constitute the control of the switches.
Moreover, a PCB has been made, on which all the components will be assembled, enabling
its connection and the attainment of the converter.
Finally, its proper design and operation will be checked by means of tests in both
open-loop and closed-loop, verifying the simulations made during the design phase and
the specifications established at the beginning of the project.
Keywords: power electronics, synchronous Buck converter, modular real-time sys-

tem, PCB
UNESCO Nomenclature: 330000, 330700, 330703
ix
Índice
Índice de Figuras xix
Índice de Tablas xxi
Lista de Símbolos xxvi
Lista de Acrónimos xxviii
1. Introducción 1
1.1. Antecedentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. Proyección . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3. Alcance y objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4. Medios empleados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5. Desarrollo y estructura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2. Estado del arte 7

2.1. Modelo ideal del convertidor Buck . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2. Modos de operación de un convertidor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2.1. Modo de Conducción Continua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2.2. Modo Conducción Discontinua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3. Control del convertidor 19

3.1. Tipo de control propuesto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2. Modelado del convertidor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.2.1. Circuito equivalente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.2.2. Lazo interno de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.2.3. Lazo externo de tensión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.3. Punto de trabajo para el diseño del convertidor . . . . . . . . . . . . . . . 30
xi
xii ABSTRACT
4. Diseño teórico del convertidor 35

4.1. Inductancia de la bobina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.2. Capacidad del condensador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.3. Simulación del modelo ideal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5. Diseño real del convertidor 43

5.1. Diseño de la etapa de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.1.1. Inductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.1.2. Condensador de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.1.3. MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
5.1.4. Condensador de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5.1.5. Resistencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5.2. Etapa de sensado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.2.1. Transductor de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.2.2. Divisor de tensión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.3. Etapa de control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.3.1. Lazo de control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.3.2. Configuración del dSPACE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
5.3.3. Circuito de acondicionamiento PWM - MOSFET . . . . . . . . . . 63
5.3.4. Control sobre la carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
5.4. Etapa de alimentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
5.5. Pérdidas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
5.6. Simulación y análisis del modelo real . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
6. Diseño de la PCB 87
7. Resultados experimentales 93
7.1. Ensayo de inductancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
7.2. Ensayo del convertidor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
7.3. Ensayo de eficiencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.4. Ensayo de disipadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
8. Conclusiones y lineas futuras 111
9. Planificación temporal y presupuesto 113

9.1. Planificación temporal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
9.2. Presupuesto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
9.2.1. Presupuestos generales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
9.2.2. Presupuesto total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
Referencias 120
ÍNDICE xiii
Anexos 125
A. Cálculos de la bobina 127
B. Estudio y cálculo de los disipadores 135
C. Cálculos del circuito de acondicionamiento PWM - MOSFET 141

C.1. Filtro paso bajo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
C.2. Driver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
C.3. Resistencias de puerta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
D. Estudio y cálculo de pérdidas 147

D.1. Corrientes eficaces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
D.2. Pérdidas en los MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
D.3. Pérdidas en la bobina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
D.4. Pérdidas en los condensadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
Índice de Figuras
1.1. Esquema básico de una fuente de alimentación regulada. Fuente: [1]. . . . . 2

1.2. Esquema básico de un convertidor Buck. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1. Estados de funcionamiento del convertidor Buck. . . . . . . . . . . . . . . 7

2.2. Estados de funcionamiento de los dispositivos semiconductores. . . . . . . 8
2.3. Características estáticas de los diferentes semiconductores. . . . . . . . . . 8
2.4. Dominios de corriente, voltaje y frecuencia de conmutación de los princi-
pales interruptores de la electrónica de potencia. Fuente: [4]. . . . . . . . . 9
2.5. Convertidor Buck síncrono. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.6. Formas de onda de la tensión y corriente en el inductor. . . . . . . . . . . 11
2.7. Rizado de corriente y de tensión del convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.8. Formas de onda de tensión y corriente en el condensador. . . . . . . . . . . 14
2.9. Formas de onda de tensión y corriente de los MOSFET. . . . . . . . . . . . 16
2.10. Forma de onda de la tensión y corriente por el inductor del convertidor
Buck y del Buck síncrono. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.1. Diagrama de bloques de un lazo cerrado de control. . . . . . . . . . . . . . 20

3.2. Ejemplo del funcionamiento de un PWM. Fuente: [8]. . . . . . . . . . . . . 21
3.3. Esquema del control del convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.4. Diagrama de bloques del control del convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.5. Planta convertidor Buck síncrono. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.6. Relación entre terminales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.7. Circuitos equivalentes en CC y pequeña señal de los elementos no lineales
del convertidor Buck. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.8. Circuito equivalente del convertidor Buck síncrono en pequeña señal. . . . 24
3.9. Diagrama de bloques del lazo interno de corriente. . . . . . . . . . . . . . . 25
3.10. Modelo linealizado y perturbado del convertidor Buck síncrono. . . . . . . 26
3.11. Diagrama de bloques del lazo externo de tensión. . . . . . . . . . . . . . . 28
xv
xvi ÍNDICE GENERAL
3.12. Diagrama de bode de un sistema de segundo orden para distintos factores

de amortiguamiento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.13. Bode de la misma función de transferencia con ganancias distintas. . . . . 32
3.14. Bode de la misma función de transferencia con factores de amortiguamiento
distinto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.15. Valores de fase para dos frecuencias distintas. . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.1. Simulación del modelo ideal de convertidor Buck síncrono en Simulink. . . 37

4.2. Señal de control de los MOSFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.3. Forma de onda de la tensión en el inductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.4. Forma de onda de la corriente del inductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
4.5. Forma de onda de la corriente de los MOSFET. . . . . . . . . . . . . . . . 40
4.6. Corriente por el MOSFET M1 en un periodo de conmutación. . . . . . . . 41
4.7. Corriente por el MOSFET M2 en un periodo de conmutación. . . . . . . . 41
4.8. Tensión y corriente del condensador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
5.1. Esquemático de la etapa de potencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

5.2. Distintos tipos de núcleos magnéticos. Fuente: [12]. . . . . . . . . . . . . . 45
5.3. Características de los distintos Powder Cores. Fuente: [13]. . . . . . . . . . 46
5.4. C058438A2. Fuente: [13]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.5. Esquema de un condensador real. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.6. Representación de la impedancia de un condensador real respecto a la
frecuencia. Fuente: [14]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
5.7. EGXE500ETD471MK2. Fuente: [15]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
5.8. STP130N8F7 (TO220). Fuente: [16]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.9. SK400-37,5SA. Fuente: [18]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.10. Esquema básico del funcionamiento de un condensador de desacoplo. . . . 50
5.11. Condensador entrada. Fuente: [19]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5.12. RH02520R00FE02. Fuente: [20]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.13. Esquemático de la etapa de sensado. En rojo los elementos que la conforman. 51
5.14. Relación de transformación corriente-voltaje. Fuente: [22]. . . . . . . . . . 52
5.15. Relaciones de transformación. Fuente: [22]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.16. Esquema de un divisor de tensión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.17. Esquema de un seguidor de tensión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.18. Esquemático del amplificador operacional de la etapa de sensado. . . . . . 54
5.19. Diagrama de bode de Gid (s) para distintas R. . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.20. Diagrama de bode de Gid (s). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
5.21. Diagrama de bode de Gvc (s). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
5.22. Modelado del control y del PWM en Simulink. . . . . . . . . . . . . . . . . 60
5.23. Configuración de las E/S en ConfigurationDesk. . . . . . . . . . . . . . . . 61
ÍNDICE GENERAL xvii
5.24. Distintos parámetros que pueden ser modificados. . . . . . . . . . . . . . . 61

5.25. Layout del control del convertidor a través del ConfigurationDesk. . . . . . 62
5.26. Esquemático del filtro RC de las señales procedentes del PWM. . . . . . . 63
5.27. Patillaje del driver. Fuente: [23]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
5.28. Funcionamiento lógico de activación del driver L6498LD. Fuente: [23]. . . . 64
5.29. Ratios máximos absolutos del driver. Fuente: [23]. . . . . . . . . . . . . . . 65
5.30. Corriente de drenador frente tensión drenador-fuente. Fuente: [16]. . . . . . 65
5.31. Driver sin circuito Bootstrap. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
5.32. Driver con circuito Bootstrap. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.33. VOU T durante el apagado. Fuente: [24]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.34. Formas de onda en caso de latch up. Fuente: [24]. . . . . . . . . . . . . . . 68
5.35. Esquema del driver con el circuito Bootstrap. . . . . . . . . . . . . . . . . 69
5.36. Capacidades parásitas de un MOSFET. Fuente: [25]. . . . . . . . . . . . . 69
5.37. Esquemático de las resistencias de puerta de cada MOSFET. . . . . . . . . 70
5.38. Esquemático del comparador que controla uno de los MOSFET. . . . . . . 71
5.39. Patillaje TL3016ID. Fuente: [27]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
5.40. Curvas de tensión de salida del TL3016ID. Fuente: [27]. . . . . . . . . . . . 72
5.41. Diagrama de cómo esta distribuida la alimentación del circuito de control. 73
5.42. Suma vectorial de potencias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
5.43. Bloques del convertidor en lazo abierto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
5.44. Comportamiento en lazo abierto ante cambios de carga. . . . . . . . . . . . 76
5.45. Cambios de carga en lazo abierto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
5.46. Transitorio en lazo abierto para distintas cargas. . . . . . . . . . . . . . . . 78
5.47. Rizado de corriente y de tensión en lazo abierto. . . . . . . . . . . . . . . . 79
5.48. Comportamiento en lazo abierto ante variación del ciclo de trabajo. . . . . 79
5.49. Bloques del convertidor en lazo cerrado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
5.50. Comportamiento en lazo cerrado ante cambios de carga. . . . . . . . . . . 80
5.51. Cambios de carga en lazo cerrado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
5.52. Transitorio en lazo cerrado para distintas cargas. . . . . . . . . . . . . . . 82
5.53. Cambio de carga en lazo cerrado de 20 Ω a 0,72 Ω. . . . . . . . . . . . . . 83
5.54. Rizado de corriente y tensión en lazo cerrado. . . . . . . . . . . . . . . . . 83
5.55. Respuesta ante cambio de la tensión de referencia en lazo cerrado. . . . . . 84
5.56. Simulación del convertidor frente a su modelo teórico. . . . . . . . . . . . . 85
5.57. Respuesta del convertidor frente modelo teórico. . . . . . . . . . . . . . . . 85
6.1. Disposición y huellas de cada componente del convertidor sobre la PCB. . 87

6.2. Esquema de conexiones del convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
6.3. Fotolitos de la PCB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
6.4. PCB del convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
xviii ÍNDICE GENERAL
7.1. Inductor del convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93

7.2. Analizador de impedancias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
7.3. Esquema equivalente de la bobina. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
7.4. Curva de impedancia de un inductor. Fuente: [3]. . . . . . . . . . . . . . . 94
7.5. Respuesta en frecuencia de la impedancia de la bobina. . . . . . . . . . . . 95
7.6. Respuesta en frecuencia de la bobina frente al circuito equivalente teórico. 95
7.7. Disposición de los equipos del laboratorio durante el esnsayo del convertidor. 96
7.8. Formas de onda del PWM y la tensiones de puerta de los MOSFET. . . . 97
7.9. Tensión de salida del convertidor en lazo abierto para D igual a 0,25. . . . 97
7.10. Cambio del ciclo de trabajo de 0,25 a 0,5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
7.11. Cambio del ciclo de trabajo de 0,5 a 0,125. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
7.12. Transitorio del convertidor en lazo abierto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
7.13. Tensión de salida del convertidor en lazo cerrado. . . . . . . . . . . . . . . 100
7.14. Cambio de la tensión de referencia a 24 V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
7.15. Cambios de carga en el convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
7.16. Respuesta ante cambio de Io de 1 A a 16 A con Ki del regulador de tensión
igual a 0,3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
igual a 220,603. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
7.18. Respuesta ante cambio de Io de 1 A a 16 A con Kp del lazo de corriente
igual a 0,003. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
igual a 800. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
7.20. Respuesta ante cambio de Io de 1 A a 16 A para distintos reguladores. . . 104
7.21. Rizado de la corriente del inductor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
7.22. Rizado de la tensión de salida. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
7.23. Transitoria del convertidor en lazo cerrado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
7.24. Carga electrónica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.25. Ensayo de eficiencia para Io igual a 0,5 A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.26. Eficiencia del convertidor según la corriente de salida (Io ). . . . . . . . . . 107
7.27. Temperaturas de los MOSFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
7.28. Temperatura de la bobina. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
9.1. EDT del proyecto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

9.2. Diagrama de Gantt del proyecto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
A.1. Selector de núcleos. Fuente: [13]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128

A.2. Permeabilidad frente intensidad de campo magnético. Fuente: [13]. . . . . . 129
A.3. Permeabilidad frente intensidad de campo magnético. Fuente: [13]. . . . . . 130
A.4. Sofftware de Magnetics para cálculo de núcleos toroidales. . . . . . . . . . 131
ÍNDICE DE FIGURAS xix
A.5. Tabla de AWG. Fuente: [13] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132

A.6. Características al cambiar el tamaño del hilo de cobre. . . . . . . . . . . . 133
B.1. Circuito térmico sin disipador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136

B.2. Circuito térmico con disipador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
B.3. Esquema del montaje del disipador. Fuente: [33]. . . . . . . . . . . . . . . . 137
B.4. Aislante térmico de Sil-Pad para TO-220. Fuente: [34]. . . . . . . . . . . . 137
B.5. Circuito térmico de dos MOSFET sobre un disipador. . . . . . . . . . . . . 138
B.6. Circuito térmico equivalente de dos MOSFET sobre un disipador. . . . . . 138
C.1. Filtro paso bajo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141

C.2. Circuito Bootstrap. Fuente: [24]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
C.3. Circuito equivalente de controlador de puerta. Fuente: [24]. . . . . . . . . . 144
C.4. Rutas de corriente: interruptor de lado bajo desactivado, interruptor de
lado alto encendido. Fuente: [24]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
C.5. Gráfica de las tensiones umbrales del diodo Schooky STPS2L30. Fuente: [35].146
D.1. Circuito del convertidor Buck sincrono. Fuente: [36]. . . . . . . . . . . . . . 147

D.2. Formas de onda de la corriente de cada componente. Fuente: [36]. . . . . . 148
D.3. Forma de onda de la corriente del inductor. Fuente: [36]. . . . . . . . . . . 149
D.4. Valores eficaces de las ondas triangular y constante. . . . . . . . . . . . . . 149
D.5. Forma de onda de la corriente de los MOSFET. Fuente: [36]. . . . . . . . . 150
D.6. Forma de onda de la corriente del condensador de salida. Fuente: [36]. . . . 151
D.7. Forma de onda de la corriente del condensador de entrada. Fuente: [36]. . . 151
D.8. Forma de onda de los MOSFET y pérdidas. Fuente: [38]. . . . . . . . . . . 152
D.9. Curva de magnetización CA. Fuente: [13]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
D.10.Curva de densidad de pérdida del núcleo. Fuente: [13]. . . . . . . . . . . . 155
D.11.El devanado debe estar en el área de la ventana central. Fuente: [2] . . . . 156
Índice de Tablas
2.1. Relación entre los rizados y los distintos parámetros del convertidor. . . . . 15
4.1. Especificaciones de diseño del convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
5.1. Tabla con las frecuencias de corte de los lazos de control. . . . . . . . . . . 55

5.2. Tabla con la alimentación necesaria de cada componente. . . . . . . . . . . 73
7.1. Resultados del ensayo de eficiencia para diferentes Io . . . . . . . . . . . . . 107
9.1. Lista de actividades del proyecto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
B.1. Equivalencia de un circuito eléctrico con la propagación térmica. . . . . . . 135
C.1. Parámetros necesarios para calcular las resistencias de puerta. . . . . . . . 144
xxi
Lista de Símbolos
∆iL Rizado de corriente del inductor del convertidor [A]
∆VC Rizado de tensión del condensador del convertidor [V ]
Cgd Capacitancia puerta-drenador del MOSFET [pF ]
fR Frecuencia de resonancia [kHz]
iC Corriente del condensador [A]
Irms Corriente eficaz [A]
L Inductancia de la bobina del convertidor [µH]
Qgd Carga puerta-drenador del MOSFET [nC]
Qgs Carga puerta-fuente del MOSFET [nC]
RDRV (OF F ) Resistencia equivalente de salida del driver [Ω]
RDRV (ON ) Resistencia equivalente de entrada del driver [Ω]
RDS(on) Resistencia drenador-fuente MOSFET [mΩ]
Rg(of f ) Resistencia de puerta de apagado [Ω]
Rg(on) Resistencia de puerta de encendido [Ω]
tf Tiempo de bajada del MOSFET [ns]
tr Tiempo de subida del MOSFET [ns]
tsw Tiempo de encendido del MOSFET [ns]
Ts Periodo de conmutación del convertidor [µs]
xxiii
xxiv ÍNDICE DE TABLAS
VCC Tensión de alimentación del driver [V ]
VGS(th) Tensión umbral o thereshold del MOSFET [V ]
ZC Impedancia del condensador [mΩ]
ZL Impedancia de la bobina [mΩ]
η Eficiencia del convertidor
⟨iC ⟩ Corriente media del condensador del convertidor [A]
⟨Io ⟩ Corriente media de salida del convertidor [A]
⟨VL ⟩ Tensión media en la bobina del convertidor [V ]

[ ]
nH
AL Factor de inductancia
T2
ωc Frecuencia de corte [Hz]
ωn Frecuencia natural no amortiguada de un sistema de segundo orden [Hz]
ρcopper Resistividad del cobre [Ω · mm]
τ Tiempo de carga del condensador [µs]
ξ Factor de amortiguamiento de un sistema de segundo orden
Ae Sección del núcleo magnético [mm2 ]
Aw Sección del hilo [mm2 ]
B Densidad de flujo magnético [T ]
Bpk Densidad de flujo magnético de pico [T ]
C Capacidad del condensador del convertidor [µF ]
CBOOT Capacitancia del condensador del circuito Bootstrap [µF ]
D Ciclo de trabajo del convertidor
DBOOT Diodo de recuperación rápida del circuito Bootstrap
EC Energía del condensador del convertidor [J]
EL Energía de la bobina del convertidor [J]
fs Frecuencia de conmutación del convertidor [kHz]

ÍNDICE DE TABLAS xxv
[ ]
A
H Intensidad de campo magnético
m
iCO ,rms Corriente eficaz por el condensador de salida del convertidor [A]
iCin,rms Corriente eficaz por el condensador de entrada del convertidor [A]
iC Corriente del condensador del convertidor [A]
iL,rms Corriente eficaz por la bobina del convertidor [A]
iL Corriente en la bobina del convertidor [A]
iM 1,rms Corriente eficaz por el MOSFET de lado alto del convertidor [A]
iM 2,rms Corriente eficaz por el MOSFET de lado bajo del convertidor [A]
ipk Corriente de pico de la bobina del convertidor [A]
Kd Ganancia derivativa del regulador
Ke Ganancia estática de un sistema de segundo orden
Ki Ganancia integral del regulador
Kp Ganancia proporcional del regulador
lb Longitud del hilo [mm]
Le Longitud efectiva de la trayectoria magnética [cm]
N Número de vueltas de hilo sobre el núcleo magnético
PBuck Pérdidas en el convertidor [W ]
Pcond Pérdidas conducción MOSFET [W ]
Pcopper Pérdidas del cobre [W ]
Pcore Pérdidas en el núcleo magnético [W ]
PC Pérdidas de los condensadores [W ]
PD Pérdidas tiempo muerto MOSFET [W ]
Pg Potencia de entrada del convertidor [W ]
PM OSF ET Pérdidas totales MOSFET [W ]
Po Potencia de salida del convertidor [W ]

xxvi LISTA DE SÍMBOLOS
PSW Pérdidas de conmutación MOSFET [W ]
R Impedancia de la carga del convertidor [Ω]
RBOOT Resistencia del circuito Bootstrap [Ω]

[◦ ]
C
Rcd Resistencia térmica cápsula-disipador
W
[◦ ]
C
Rda Resistencia térmica disipador-ambiente
W
[◦ ]
C
Rja Resistencia térmica unión-ambiente
W
[◦ ]
C
Rjc Resistencia térmica unión-cápsula
W
RL Resistencia de la bobina del convertidor [mΩ]
Ta Temperatura ambiente [◦ C]
tD Tiempo muerto MOSFET [µs]
Tj Temperatura de la unión [◦ C]
Tn Tiempo de acción integral [s]
Tv Tiempo de acción derivativo [s]
VC Tensión del condensador del convertidor [V ]
VDS Tensión drenador-fuente del MOSFET [V ]
VD Tensión de polarización directa del diodo interno del MOSFET [V ]
VGS Tensión puerta-fuente del MOSFET [V ]
Vg Tensión de entrada del convertidor [V ]
VL Tensión en la bobina del convertidor [V ]
Vm Tensión de pico de la señal triangular a comparar en el PWM [V ]
Vo Tensión de salida del convertidor [V ]
W Calor disipado por el efecto Joule [W ]
∆Q Variación de carga del condensador del convertidor [C]
Io Corriente de salida del convertidor [A]

Lista de Acrónimos
AWG American Wire Gauge. 131
BI Beneficio Industrial. 113
BJT Bipolar Junction Transistor. 8
CA Corriente Alterna. 1
CC Corriente Continua. 1, 3, 24, 50, 73, 128
E/S Entradas/Salidas. 21, 89
EDT Estructura de Descomposición del Trabajo. 6, 113
ESL Equivalent Series inductance. 46
ESR Equivalent Series Resistant. 46–48, 112, 157
FPGA Field Programmable Gate Array. 21, 54, 59, 63
GG Gastos Generales. 113
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor. 8
IVA Impuesto sobre el Valor Añadido. 113
LED Light-Emitting Diode. 3
MCC Modo Conducción Continua. 10, 15, 17
MCD Modo Conducción Discontinua. 10, 15
MF Margen de Fase. 27, 28, 56
xxvii
xxviii LISTA DE ACRÓNIMOS
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor. 8, 9, 15, 17, 19, 21, 22,
40, 41, 43, 44, 48, 49, 54, 63–72, 75, 87, 89, 96, 108, 135–137, 139, 141, 142, 144,
145, 147, 150–154
PCB Print Circuit Board. vii, 4, 6, 21, 22, 43, 50, 87, 88, 90, 111
PEC Presupuesto de Ejecución por Contrata. 113, 117
PEM Presupuesto de Ejecución Material. 113, 117
PG Presupuesto General. 113, 117
PWM Pulse Width Modulation. 2, 21, 25, 59, 63, 89, 96, 141
TFG Trabajo Fin de Grado. vii, 4, 6, 17, 111
UNE Una Norma Española. 89

capítulo 1
Introducción
1.1. Antecedentes
Muchos de los equipos electrónicos actuales están alimentados por una tensión conti-
nua. Sin embargo, la red eléctrica es de carácter alterna debido a la facilidad de modificar
su tensión mediante transformadores, garantizando una distribución de energía más efi-
ciente.
Las principales pérdidas asociadas a la transmisión de energía eléctrica se deben a

causa del efecto Joule, las corrientes de Foucault y la histéresis. Dichas pérdidas están
asociadas al paso de corriente, de ahí que se utilicen altas tensiones y pequeñas corrien-
tes para transportar la misma energía. Además, el uso de pequeñas corrientes permiten
conductores con una menor sección, lo que supone un coste inferior.
La corriente continua es producida por pilas, baterías o dinamos, entre otros. Tienen
la ventaja de ser portátiles, pero su coste es alto y su duración limitada. Su uso se ex-
tiende a equipos de bajo consumo como smartphones, relojes de pulsera o calculadoras,
necesitando el empleo de otros dispositivos capaces de aportar un suministro constante
de energía; las fuentes de alimentación reguladas.
Las fuentes de alimentación reguladas transforman la CA (Corriente Alterna) en CC

(Corriente Continua). Generalmente están constituidos por un transformador, un rectifi-
cador, un filtro y un regulador de tensión, tal y como muestra la Figura 1.1.
1
2 INTRODUCCIÓN
Regulador
220V(rms) Filtro de Carga
tensión
Red
eléctrica Transformador Rectificador
Figura 1.1 Esquema básico de una fuente de alimentación regulada. Fuente: [1].
El transformador recibe la señal de alta tensión proveniente de la red eléctrica a fin de

reducirla y adaptarla a niveles de tensión más adecuados. Asimismo, aporta aislamiento
galvánico al no existir una conexión eléctrica entre el primario y el secundario del transfor-
mador. A continuación, se rectifica y se filtra la señal, obteniéndose una tensión continua
no regulada con un pequeño rizado. Finalmente, el regulador de tensión es el encargado de
conseguir una salida estable para alimentar otros dispositivos o circuitos. Los reguladores
de tensión pueden ser lineales o conmutados.
El regulador lineal «es un dispositivo que controla la tensión de salida ajustando con-
tinuamente la caída de tensión en un transistor de potencia conectado en serie entre la
entrada no regulada y la carga» [1]. Sus principales ventajas son bajo coste, simplicidad,
capacidad de reducción del rizado muy alta y no generan interferencias electromagnéticas.
Por el contrario, poseen una baja eficiencia (30 - 50 %) dado que parte de la energía se
transforma en calor por efecto Joule en el transistor. Otro inconveniente es que no per-
miten aumentar la tensión, sólo reducirla.
Los reguladores conmutados y convertidores CC/CC tratan de mejorar las prestacio-

nes ofrecidas por los reguladores lineales. Poseen una eficiencia mayor (70 - 95 %) debido
a que el transistor está constantemente conmutando entre corte y saturación. En estas
regiones, el transistor disipa muy poca potencia. Además, tienen un tamaño reducido,
mayor tolerancia ante las variaciones de tensión y funcionan a menor temperatura debido
a su mayor eficiencia. Mientras que el regulador lineal no puede aumentar la tensión,
estos si que pueden generar tensiones de salida mayores que la entrada e incluso tensiones
de salida de polaridad opuesta a la entrada. No obstante, tienen grandes interferencias
electromagnéticas, alto nivel de rizado, ruido y aportan una mayor complejidad al circuito
en comparación con los reguladores lineales, ya que el control es necesariamente requerido
para controlar el voltaje de salida mediante su actuación en los transistores por medio
de una señal de control modulada PWM (Pulse Width Modulation). Dicha señal gober-
nará el encendido y apagado de los transistores para conseguir la tensión de salida deseada.
PROYECCIÓN 3
Los convertidores CC/CC se encuentran en una amplio abanico de dispositivos, desde

fuentes de alimentación de ordenadores, equipos de telecomunicaciones, electrodomésti-
cos, etc., hasta en los alternadores de los automóviles, fuentes de alimentación de LED
(Light-Emitting Diode) de alta eficiencia y en las plantas generadoras fotovoltaicas y eó-
licas.
Las topologías más comunes de convertidores conmutados pueden ser divididas en dos,
atendiendo si tienen o no aislamiento galvánico entre la entrada y la salida.
A. Reguladores conmutados sin aislamiento
A.1) Regulador reductor “Buck”
A.2) Regulador elevador “Boost”
A.3) Regulador reductor-elevador “Buck - Boost”
B. Convertidores con aislamiento
B.1) Convertidor Flyback
B.2) Convertidor Forward
B.3) Convertidor Push - Pull (medio puente)
B.4) Convertidor puente completo
1.2. Proyección
De las numerosas topologías de convertidores conmutados vistos anteriormente, a par-

tir de ahora nos centraremos exclusivamente en el convertidor Buck, ya que su diseño e
implementación es el objetivo principal de este proyecto.
El convertidor Buck o reductor es un convertidor CC/CC sin aislamiento galvánico,

como se dijo anteriormente, capaz de producir una tensión continua de salida regulada
menor o igual que la tensión continua de entrada [2]. Dicho convertidor está constituido
por dos dispositivos semiconductores (S1 y S2), un inductor (L) y un condensador (C),
tal y como se muestra en la Figura 1.2.
4 INTRODUCCIÓN
L i L (t)
S1 Io
Vg S2 C Vo
Carga
Figura 1.2 Esquema básico de un convertidor Buck.
1.3. Alcance y objetivos

Los objetivos para este TFG (Trabajo Fin de Grado) son:
1. Realización de un estudio completo sobre el convertidor Buck, obteniendo las ecua-

ciones matemáticas que rigen su comportamiento.
2. Cálculo de los parámetros necesarios del convertidor para su correcto funcionamiento

acorde con las especificaciones demandadas.
3. Cálculo y elección de los diferentes componentes que integran el convertidor para

su funcionamiento.
4. Diseño de la PCB (Print Circuit Board), donde se montarán y conectarán los dife-
rentes componentes del convertidor, permitiendo su correcta conexión con el equipo
de simulación en tiempo real.
5. Diseño de un controlador que nos garantice un error de posición cero a la salida

de nuestro convertidor y unas características dinámicas rápidas en nuestro siste-
ma, proporcionándonos una tensión regulada y constante frente a variaciones en la
entrada y/o carga.
6. Ensayo del convertidor Buck para avalar el correcto funcionamiento del circuito y,
en su defecto, percibir y subsanar posibles errores cometidos.
Por otra parte, las especificaciones de diseño requeridas en el convertidor serán:
• Tensión de entrada del convertidor (Vg ) de 48 V.
• Tensión de salida del convertidor (Vo ) de 12 V.
• Frecuencia de conmutación del convertidor (fs ) de 10 kHz.
• Rizado de tensión (∆VC ) menor del 2 %.
• Rizado de corriente (∆iL ) no superior al 20 %.

MEDIOS EMPLEADOS 5
1.4. Medios empleados

Los medios con los que se ha contado para realizar el proyecto han sido los siguientes:
− Hardware: ordenador de sobremesa (Windows 8)
− Software: Matlab R2017a, Altium Designer 13.2, Magnetics Inductor Design Soft-
ware 2018, Microsoft Project 2007, Texstudio 1.3.2, ConfigurationDesk, Excel 2013
− Equipo de laboratorio: osciloscopio, medidor de impedancias, equipo de simu-

lación en tiempo real (dSPACE SCALEXIO), estación de soldadura, fuentes de
alimentación, generador de pulsos, multímetros digitales, carga electrónica, cámara
térmica
1.5. Desarrollo y estructura

A continuación, se muestra y se realiza una breve explicación de los nueve capítulos
que conforman la memoria:
Capítulo 1: Introducción
Se realiza una pequeña introducción a las fuentes conmutadas y se fijan de una forma
clara, concisa y ordenada los objetivos que se persiguen en la realización del proyecto.
Además, se incluyen unos breves resúmenes de cada capítulo.
Capítulo 2: Estado del arte

Se describen los fundamentos teóricos del convertidor Buck ideal con el objeto de obtener
las ecuaciones que rigen su comportamiento y que permitirán calcular sus parámetros de
diseño.
Capítulo 3: Control del convertidor

Se detalla el modo de control sugerido para el convertidor reductor. Se presentarán los
cálculos y funciones de transferencia de la planta del convertidor así como del regulador
propuesto para su control. Además, se estudia el punto de trabajo más desfavorable desde
el punto de vista del control para garantizar la estabilidad del sistema en todo el rango
de funcionamiento.
Capítulo 4: Diseño teórico del convertidor

Se llevará a cabo el diseño ideal del convertidor por medio de las ecuaciones halladas en
el Capítulo 2 y se realizará su simulación, obteniendo tensiones y corrientes máximas y
medias de los componentes que forman la etapa de potencia.
6 INTRODUCCIÓN
Capítulo 5: Diseño real del convertidor

A partir de los datos obtenidos anteriormente, se procederá al diseño real del convertidor,
efectuando la selección y diseño de todos los componentes que constituyen dicho converti-
dor, así como la parte de control. Adicionalmente, se calcularán las pérdidas teóricas que
se producen en el convertidor y su eficiencia. Por último, se simulará el comportamiento
real tanto para lazo abierto como lazo cerrado.
Capítulo 6: Diseño de la PCB

Se exponen las condiciones a tener en cuenta a la hora de la colocación de los elementos
que conforman el convertidor y del trazado de las pistas. También, se realiza una des-
cripción de las pautas seguidas a la hora del diseño de la placa de circuito impreso y se
aportan los planos de conexiones y los fotolitos de la placa.
Capítulo 7: Resultados experimentales

Se presentan los resultados obtenidos de todos los ensayos realizados sobre el convertidor.
Se ensayará la inductancia de la bobina, el comportamiento del convertidor respecto a las
simulaciones realizas previamente, su eficiencia frente a diversas cargas y la disipación de
calor.
Capítulo 8: Conclusiones y lineas futuras

Se comentan las principales conclusiones extraídas a lo largo del desarrollo del proyecto
y se plantean algunas posibles líneas de trabajo futuras que complementen, completen o
continúen el trabajo realizado en este TFG.
Capítulo 9: Planificación temporal y presupuesto

Se muestra la planificación del proyecto, aportando su EDT (Estructura de Descomposi-
ción del Trabajo) y su diagrama de Gantt. Finalmente, se proporciona el coste presupues-
tario del proyecto.
capítulo 2
Estado del arte
2.1. Modelo ideal del convertidor Buck

El funcionamiento del convertidor Buck consta de dos estados que se alternarán su-
cesivamente. En el primero, Figura 2.1a, el dispositivo semiconductor S1 se encuentra
conduciendo y S2 abierto, permitiendo la conexión del inductor con la fuente de alimen-
tación. En el segundo, Figura 2.1b, el funcionamiento es totalmente el opuesto (S1 no
conduce mientras que S2 sí), de modo que la conexión del inductor se produce, esta vez,
con la carga.
i s1 L i L (t)
S1 VL Ic Io
Vg Vs2 S2 Vc C Vo
Carga
(a)
Vs1 L i L (t)
S1 VL Ic Io
Vg S2 Vc C Vo
i s2
Carga
(b)
Figura 2.1 Estados de funcionamiento del convertidor Buck.
La Figura 2.2a y la Figura 2.2b indican los puntos de operación de dichos dispositivos
semiconductores S1 y S2, respectivamente.
7
8 ESTADO DEL ARTE
i i
Interruptor
S1 on iL Interruptor
S2 on iL
vg v -vg v
Interruptor Interruptor
S1 off S2 off
(a) S1 (b) S2
Figura 2.2 Estados de funcionamiento de los dispositivos semiconductores.
Pueden encontrarse una gran variedad de dispositivos semiconductores. Los más ca-
racterísticos y fundamentales son los diodos, BJT (Bipolar Junction Transistor), IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor) y MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor).
i i i
S D
Diodo
v v v
i i
interno
i on on
on
v
v off v
off off on
(conducción inversa)
(a) Diodo ideal. (b) BJT e IGBT ideal. (c) MOSFET ideal.
Figura 2.3 Características estáticas de los diferentes semiconductores.
Mediante el uso de unos u otros o incluso combinándolos entre sí, se pueden obtener
diferentes zonas de operación. Por ejemplo, combinándose en serie correctamente un dio-
do con un transistor BJT se tendrá la capacidad de bloquear cualquier tensión, positiva o
negativa, y conducir corriente positiva. Si por el contrario, se unen en paralelo de la for-
ma adecuada, se tendrá la capacidad de bloquear tensiones positivas y permitir conducir
tanto corrientes positivas como negativas [2].
Viendo los puntos de operación del interruptor S1, se observa que tanto los transis-
tores BJT, IGBT y MOSFET pueden ser usados, ya que el dispositivo S1 debe bloquear
tensión positiva y permitir la conducción de corriente positiva. Asimismo, el dispositivo
S2 debe bloquear tensión negativa y permitir la conducción de corriente positiva, por lo
MODELO IDEAL DEL CONVERTIDOR BUCK 9
que puede ser implementado usando un diodo.
Por tanto, los dispositivos semiconductores básicos para la elaboración de un conver-

tidor Buck son un diodo y un transistor. En función de la frecuencia y la potencia del
convertidor, son más típicos el uso de unos transistores frente a otros. Los transistores
MOSFET suelen tener mayor uso a la hora de la realización de fuentes conmutadas de
alta frecuencia y baja potencia, Figura 2.4, puesto que ofrece una serie de ventajas con
respecto a los transistores bipolares [3]:
• Velocidad de conmutación mayor.
• Controlado por voltaje.
• Mayor impedancia de entrada.
• Menor coste, tamaño y ruido.
Figura 2.4 Dominios de corriente, voltaje y frecuencia de conmutación de los principales

interruptores de la electrónica de potencia. Fuente: [4].
Sin embargo, para este proyecto se usará una versión derivada del anterior, el convertidor
Buck síncrono, donde se cambia el diodo por otro transistor que vuelve a funcionar a modo
de interruptor, funcionado ambos de forma opuesta. Este segundo transistor se consigue
10 ESTADO DEL ARTE
colocando otro MOSFET con sus terminales invertidos con respecto a la Figura 2.3c, de
modo que bloquee tensión negativa y permita conducir la corriente.
i M1 M1 L i L (t)
Io
Vg c M2 C Vo
c
i M2
Carga
Figura 2.5 Convertidor Buck síncrono.
2.2. Modos de operación de un convertidor

Dependiendo de si circula o no corriente por la bobina, podemos diferenciar dos modos
de funcionamiento:
MCC (Modo Conducción Continua): la corriente que circula por la bobina no

llega nunca a anularse.
MCD (Modo Conducción Discontinua): este modo se produce cuando la bo-

bina tiene suficiente tiempo como para descargarse totalmente, es decir, para que
la corriente que la atraviesa se anule.
2.2.1. Modo de Conducción Continua

Como se ha dicho anteriormente, este modo de funcionamiento se produce cuando la
corriente que circula por la bobina del convertidor nunca llega a anularse durante el ciclo
de conmutación.
De acuerdo con la Figura 2.5, cuando M1 conduzca y M2 no, se produce la conexión

del inductor con la entrada del convertidor y su tensión (VL ) es constante y positiva,
VL = Vg − Vo . La variación de la corriente del inductor (iL ) viene dada por la Ecuación
(2.1), por lo que la corriente aumenta linealmente
diL (t)
VL = L (2.1)
dt
Sin embargo, cuando M1 no conduce y M2 sí, el inductor se encuentra conectado con la

salida del convertidor y su tensión también es constante, pero en este caso es negativa,
VL = −Vo , y la corriente disminuye.
MODOS DE OPERACIÓN DE UN CONVERTIDOR 11
El inductor almacena energía según la siguiente expresión
1
EL = L · i2L donde
2
EL ≡ energía de la bobina [J].
L ≡ inductancia de la bobina [H].
iL ≡ corriente que circula por la bobina [A]. (2.2)
Debido al incremento de corriente durante la primera configuración y al descenso durante

la segunda, la energía almacenada en la bobina también se incrementará y se reducirá,
provocando el paso de energía desde la entrada hasta la salida [2].
iM1(t) M1 L i L (t)
VL (t) i C (t) Io
Vg c M2 VC (t) C Vo
c
iM2(t)
Carga
c(t) on
DTS D'TS
off
0
DTS TS t
VL (t) Vg - V o
0
t
iL (t) ipk -Vo

Vg - V o - Vo
�iL
L L Io
ton toff
0
t
Figura 2.6 Formas de onda de la tensión y corriente en el inductor.
Fijándose en la Figura 2.6, el aumento de corriente en la bobina queda
diL (t) VL (t) Vg − Vo

= = (2.3)
dt L L
12 ESTADO DEL ARTE
y análogamente el descenso de corriente es
diL (t) VL (t) −Vo

= = (2.4)
dt L L
Como toda la energía que se almacena en la bobina durante el primer estado se transfiere
durante el segundo, la energía del inductor al final del periodo de conmutación (Ts ) deberá
ser igual a la que había al principio. Esto significa que la corriente iL es igual en t = 0 y
en t = Ts de modo que lo que se incrementa la corriente durante el primer estado será lo
que se reduzca en el segundo. Por ello, la tensión media en la bobina (⟨VL ⟩) en régimen
permanente es nula, es decir, existe una igualdad de áreas como muestra la Figura 2.6.
∫
1
⟨VL ⟩ = VL dt = 0 =⇒ A+ = A− (2.5)
Ts Ts
La Ecuación (2.5) se conoce por el nombre de “Balance de voltios segundos” [2].

Aplicando la ecuación anterior se obtiene:
(Vg − Vo ) · DTs − Vo · (Ts − DTs ) = 0 (2.6)
donde D es un número adimensional, entre 0 y 1, que se denomina ciclo de trabajo [2].

Atendiendo a la Ecuación 2.6, se observa como la tensión de salida del convertidor varía
linealmente con el ciclo de trabajo, según la tensión de entrada [2]. Si el ciclo de trabajo
no puede ser mayor de 1, se cumple Vo ≤ Vg , por tanto sólo se podrá reducir la tensión.
Por ello se llaman a esta clase de convertidores reductores.
Vo = D · Vg (2.7)
Análogamente, también se almacenará energía en el condensador durante el primer estado

y se transferirá durante el segundo.
La energía almacenada en el condensador es
1
EC = C · VC2 donde
2
EC ≡ energía del condensador [J].
C ≡ capacidad del condensador [F].
VC ≡ tensión del condensador [V]. (2.8)
La variación de la corriente del condensador (iC ) viene dada por la Ecuación (2.9)
dVC
iC = C (2.9)
dt
Así pues, la tension VC es igual en t = 0 y en t = Ts , de tal forma que lo que se reduce

la tensión durante el primer estado será lo que se incremente en el segundo. Por ello, la
corriente media en el condensador (⟨iC ⟩) en régimen permanente es nula, es decir, existe
una igualdad de áreas como muestra la Figura 2.7.
∫
1
⟨iC ⟩ = iC dt = 0 =⇒ A+ = A− (2.10)
Ts Ts
La Ecuación (2.10) se conoce por el nombre de “Balance de carga” [2].
iL (t) ipk
Vg - V o - Vo �iL
L L Io
ton toff
0
t
iC (t) ipk
0
t
VC (t)
Vo �vc
0
t
Figura 2.7 Rizado de corriente y de tensión del convertidor.
Entonces, si la corriente media del condensador es cero, la corriente media de la bobina

será igual a la corriente media de salida (⟨Io ⟩), que es igual a la corriente de salida (Io ),
14 ESTADO DEL ARTE
por ser esta constante
0
⟨iL ⟩ = >

⟨ic
⟩ + ⟨Io ⟩ =⇒ ⟨iL ⟩ = ⟨Io ⟩ = Io (2.11)
Así, la corriente por la bobina está compuesta por la componente continua de la corriente
de salida más una fluctuación o rizado (∆iL ). A partir de la Figura 2.7, dicho rizado se
puede calcular de la siguiente forma
( )
Vg − Vo Vg − Vo
(2 ∆iL ) = ∆iLon = (D Ts ) =⇒ ∆iL = D Ts (2.12)
L 2L
De la Ecuación (2.12) se puede conseguir el valor de la inductancia de la bobina en

función del rizado de corriente que se quiera tener, ya que los demás parámetros son de
sobra conocidos, al ser especificaciones de diseño y al obtener D de la Ecuación (2.7) [2].
Vg − Vo
L= DTs (2.13)
2 ∆iL
Por otra parte, como el condensador esta en paralelo con la carga, ambas tensiones serán
las mismas. Viendo la Figura 2.7, la tensión de salida será prácticamente continua, pero
nuevamente con una pequeña componente alterna denominada rizado (∆VC ).
El rizado de tensión se puede calcular a través de la Ecuación (2.9).
dV dq ∆Q
C =i= =⇒ ∆Q = C · ∆V =⇒ ∆V = (2.14)
dt dt C
iC (t) ipk
�Q �iL
0
TS /2 t
VC (t)
Vo �vc
�·�vc
0
t
Figura 2.8 Formas de onda de tensión y corriente en el condensador.
El incremento de carga del condensador (∆Q) provoca dos veces el rizado de tensión
tal y como muestra la Figura 2.8.
∆Q
2 · ∆VC = (2.15)
C
Además, el incremento de carga es la integral de la corriente del condensador, o visto de

otro modo, el area que en la Figura 2.8 aparece coloreado de rojo, por lo que la Ecuación
(2.15) queda ( )
1 1 Ts ∆iL · Ts
∆VC = · ∆iL · = (2.16)
2·C 2 2 8·C
De la Ecuación (2.16) se obtiene la capacitancia del condensador, siendo función tanto
del rizado de corriente como del rizado de tensión, parámetros de diseño [2].
∆iL · Ts
C= (2.17)
8 · ∆VC
A la hora de diseñar se fijará un rizado de tensión muy pequeño para que la ten-
sión de salida del convertidor sea prácticamente continua y esta se pueda prácticamente
despreciar. Típicamente se suele diseñar por debajo del 2 % del valor de la tensión de
salida.
∥ Vrizado (t) ∥≪ Vo (2.18)
Fijándose en las Ecuaciones (2.13) y 2.16), cuanto más pequeño se desee tanto el rizado
de tensión como el de corriente, mayor capacidad e inductancia tendrán el condensador
y la bobina respectivamente, incrementando el coste y tamaño del convertidor. Ambos
también se pueden reducir aumentando la frecuencia de conmutación de los MOSFET.
El rizado de corriente no debe ser fijado demasiado grande puesto que incrementa el
rizado de tensión, influye en las pérdidas del núcleo magnético e incluso podría cambiar
el estado de funcionamiento del convertidor de MCC a MCD [5]. Por ello, se debe encon-
trar un compromiso entre el coste y la calidad en función de la aplicación y la necesidad
requerida.
Ts fs C L ∆iL
↓ ∆iL ↓ ↑ ↑
↓ ∆VC ↓ ↑ ↑ ↓
Tabla 2.1 Relación entre los rizados y los distintos parámetros del convertidor.
16 ESTADO DEL ARTE
Por otra parte, la corriente que circulará a través de los transistores puede verse en la
Figura 2.9. Estos cuando conducen dejan pasar la corriente que circula por la bobina.
Figura 2.9 Formas de onda de tensión y corriente de los MOSFET.
La potencia en cada dispositivo es nula, ya que cuando circula corriente su tensión es

cero y cuando bloquean tensión no permiten el paso de corriente. Por esta razón, en un
convertidor Buck ideal en régimen permanente la potencia de entrada (Pg ) será igual a la
de salida (Po ).
Pg = Po (2.19)
Se verá posteriormente que esto no es así, pues se tendrán ciertas pérdidas de potencia
debido a elementos parásitos. Aún así, el modelo ideal del convertidor Buck es una buena
aproximación del comportamiento real, pudiendo utilizar las ecuaciones obtenidas ante-
riormente para su diseño.
2.2.2. Modo Conducción Discontinua

Este modo de funcionamiento se produce cuando la bobina tiene suficiente tiempo
como para descargarse totalmente, es decir, que la corriente que la atraviesa cae a cero
durante una parte del periodo de conmutación, Figura 2.10a.
Vg - V0 Vg - V0
VL VL
0 0 t
t
- V0 - V0
IL IL
ΔI ΔI
I0 I0
0 0
t t
(a) Buck. (b) Buck Síncrono.
Figura 2.10 Forma de onda de la tensión y corriente por el inductor del convertidor Buck
y del Buck síncrono.
Este modo de funcionamiento aparece en convertidores con diodo, pero en el conver-

tidor Buck síncrono, al no tener diodo y sustituirlo por un MOSFET, la corriente por
la bobina puede ser negativa, debido a lo cual, dicho modo de funcionamiento no apare-
ce y opera siempre en MCC, Figura 2.10b. En consecuencia, en el presente TFG no se
profundizará en dicho modo de funcionamiento ni en sus expresiones características.
capítulo 3
Control del convertidor
En el anterior capítulo se expuso la estructura de un convertidor reductor síncrono.

Sin embargo, no se menciono nada sobre cómo se gobiernan los dos MOSFET para que
conmuten adecuadamente consiguiendo que las tensiones y corrientes evolucionen de la
forma deseada.
El control es quién rige el comportamiento del convertidor y constituye una parte

fundamental y elemental del mismo. Interesa tanto el punto de operación alcanzado como
la forma de hacerlo. Como se ha podido observar previamente, el convertidor ajusta su
punto de operación a través del encendido y apagado de sus transistores por medio del
ciclo de trabajo. La secuencia de conmutación de los transistores no puede ser establecida
de antemano ya que se estudia el sistema bajo un modelo ideal que no corresponde al
comportamiento real (es una simplificación de este) y, además, pueden existir fluctuaciones
tanto de la potencia de entrada del convertidor como de la de salida [6].
3.1. Tipo de control propuesto
Un lazo de control se puede diseñar de varias formas: analógicamente con circuitos

electrónicos, digitalmente programando un micro o a través de un equipo de simulación
en tiempo real, como es el caso. El sistema de control que se quiere implementar es de
lazo cerrado, es decir, aquel en que, a diferencia del lazo abierto, la salida tiene una
consecuencia directa sobre la acción de control. La señal de error actuante es la diferencia
entre la señal de entrada y la señal de realimentación. En la Figura 3.1 puede verse el
esquema básico de estos tipos de lazos.
19
20 CONTROL DEL CONVERTIDOR
Planta
Entrada Controlador o Salida
Proceso
Elemento de medición
(sensor)
Figura 3.1 Diagrama de bloques de un lazo cerrado de control.
Dentro de estos tipos de lazos se encuentran los lazos en cascada. Para realizar el con-
trol sobre una variable del sistema no es necesario la realización de un solo lazo cerrado.
Una de las posibles alternativas son los lazos en cascada. Un lazo en cascada es una meto-
dología avanzada de control que consiste en la realización de dos lazos cerrados en la que
la salida de uno es el punto de ajuste para el otro lazo, es decir, un lazo está dentro del otro.
El primer lazo se denomina primario o «maestro» mientras que el segundo es el secun-

dario o «esclavo». El lazo maestro es el encargado del control de la variable del sistema
y fija el punto de ajuste o set-point del esclavo. Por otro lado, el esclavo controla la per-
turbación sobre dicha variable del sistema, controlada por el maestro, antes de que actúe
sobre ella [7].
Las ventajas que otorga el lazo en cascada son:
− Mayor estabilidad y menor sensibilidad a errores.
− Las perturbaciones son corregidas por el regulador esclavo antes de que actúen sobre
la variable del sistema.
− Las constantes de tiempo son reducidas debido a el lazo esclavo.
En contrapartida, este tipo de metodología sólo puede ser llevado a cabo en sistemas
que garanticen una series de condiciones:
− Posibilidad de medición de una variable adicional que nos proporcione información

respecto alguna perturbación y que tenga alguna relación con la variable del sistema.
− La dinámica de la variable adicional tiene que ser más rápida que la variable del
sistema.
Aplicado a nuestro convertidor, el lazo en cascada va a realizar el control tanto de la

corriente que circula por la bobina como de la tensión de salida. Se realizará primero el
lazo de corriente, que está internamente dentro del lazo de tensión, y posteriormente el
TIPO DE CONTROL PROPUESTO 21
propio lazo de tensión. El lazo en cascada será implementado a través del programa Simu-
link de Matlab, el cual se conectará con las E/S (Entradas/Salidas) del sistema a través
del equipo de simulación en tiempo real (dSPACE SCALEXIO) que será el encargado de
realizar el PWM que gobernará el comportamiento de los MOSFET.
Para ello, se tomará medidas tanto de la tensión de salida como de la corriente del
inductor por medio de dos sensores, conformando la realimentación. Dichas medidas serán
recogidas por medio de una entrada analógica de una FPGA (Field Programmable Gate
Array) integradas al dSPACE y serán enviadas a Simulink, donde esta implementado el
lazo en cascada. La salida del lazo entra en un PWM, el cual, también será realizado en
Simulink. Un PWM es una técnica utilizada para controlar el encendido y apagado de los
MOSFET en los convertidores de potencia.
Figura 3.2 Ejemplo del funcionamiento de un PWM. Fuente: [8].
Dicha técnica consiste en comparar una señal triangular o de dientes de sierra (onda
roja en la Figura 3.2) con una señal de control (onda azul), proveniente del lazo de cascada,
encargándose de generar las señales que rigen el comportamiento de los MOSFET (señal
verde). Dichas señales se llevan de vuelta hasta la FPGA que se encarga de enviarlas hasta
la PCB. Los datos entre la FPGA y Simulink son transmitidos a través de registros.
Figura 3.3 Esquema del control del convertidor.

De la comparación se consigue a la salida una señal de tipo digital. Con esta señal
se determinan los disparos de los transistores. Las señales de apagado y encendido se
transmitirán desde el dSPACE hasta un driver ensamblado en la PCB, donde las señales
serán acondicionadas, de modo que puedan lograr el encendido o el apagado del MOSFET
correspondiente.
Convertidor
M1 L i L (t)
Io
Vg M2 C Vo
Carga
Sensor
de
Sensor de tensión
Driver - -
corriente
K Ganancia K Ganancia
PWM Ri(s) Rv(s) Vref

Regulador-de- Regulador-de
corriente tensión
dSPACE (Simulink)
Figura 3.4 Diagrama de bloques del control del convertidor.
3.2. Modelado del convertidor

Debido a la presencia de elementos no lineales como los MOSFET, el convertidor
presenta dos estados de funcionamiento y el sistema no es lineal, por lo que se tendrá que
hallar un modelo lineal invariante de la etapa de potencia. Para ello, los elementos no
lineales serán reemplazados por un circuito equivalente lineal. De esta forma, se obtiene
un circuito lineal y se puede llevar a cabo la obtención de las funciones de transferencia
del sistema. Para conseguir las ecuaciones del sistema se hará un análisis en pequeña y
gran señal [9].
3.2.1. Circuito equivalente

Se necesita obtener el circuito equivalente de los elementos no lineales, es decir, el
circuito equivalente entre los puntos A, B y C de la Figura 3.5.
MODELADO DEL CONVERTIDOR 23
M1 L i L (t)
A B
Io
Vg c M2 C Ro Vo
c
C
Figura 3.5 Planta convertidor Buck síncrono.
Como el circuito tiene dos estados, se hallará los valores promedio del circuito. Las
corriente e intensidades entre los puntos se reflejan en la Figura 3.6.
ia(t) ib(t)
A d B
1-d
vac(t) vbc(t)
C
Figura 3.6 Relación entre terminales.
{
i˜b (t) si 0 < t < dT
iã (t) = (3.1)
0 si dT < t < T
ia (t) = d · ib (t) (3.2)
{
vãc (t) si 0 < t < dT
v˜bc (t) = (3.3)
0 si dT < t < T
vbc (t) = d · vac (t) (3.4)
Seguidamente se debe de fijar los puntos de trabajo del sistema, representados con letras
mayúsculas. Aparte, se tendrán en cuenta las posibles perturbaciones originadas en el
sistema en torno a los puntos de trabajo (pequeña señal) [9]. Dichas perturbaciones se
representarán con minúsculas y un gorro:
d = D + dˆ (3.5)
ia = Ia + iâ (3.6)
ib = Ib + iˆb (3.7)
vbc = Vbc + vˆbc (3.8)
vac = Vac + vâc (3.9)

Sustituyendo en las ecuaciones anteriores y despreciando los productos entre términos de

pequeña señal, los valores promedio de las señales son:
ˆ · (Ib + iˆb ) ≈ D · Ib + D · iˆb + dˆ · Ib

ia = Ia + iâ = (D + d) (3.10)
ˆ · (Vac + vâc ) ≈ D · Vac + D · vâc + dˆ · Vac

vbc = Vbc + vˆbc = (D + d) (3.11)
Finalmente, se comparan e igualan términos, obteniéndose así las ecuaciones para el cir-
cuito equivalente en CC y pequeña señal:
Ia = D · Ib
iâ = D · iˆb + dˆ · Ib (3.12)
Vbc = D · Vac
vˆbc = D · vâc + dˆ · Vac (3.13)
Los circuitos equivalentes en CC y pequeña señal pueden observarse en la Figura 3.7.
d·Vac
Ia Ib Ia Ib
A B A B
Vac 1:D Vbc Vac d·Ib 1:D Vbc
C C
(a) CC. (b) Pequeña señal.
Figura 3.7 Circuitos equivalentes en CC y pequeña señal de los elementos no lineales del
convertidor Buck.
Por último, el modelo en pequeña señal del convertidor queda como muestra la Figura
3.8.
d·Vg
ig iL L
A B
vg d·IL 1:D vC R
vg vC vo
C
Figura 3.8 Circuito equivalente del convertidor Buck síncrono en pequeña señal.
3.2.2. Lazo interno de corriente
Anteriormente se mencionó que la dinámica del lazo esclavo debe ser más rápida que la
del lazo maestro con el objeto de que el control en cascada pueda funcionar correctamente.
Como norma general se establece que el lazo esclavo debe ser tres o cinco veces más rápido
que el maestro. Extrapolándolo a nuestro convertidor, la frecuencia del lazo de corriente
debe ser al menos tres veces más grande que la frecuencia del lazo de tensión.
error d iL
Ri(s) Fm Gid(s)
iL
K
1
Figura 3.9 Diagrama de bloques del lazo interno de corriente.
La realimentación del lazo está formada por el sensor de corriente, que forma parte del
convertidor, y una ganancia, que se implementa en Simulink. El sensor de corriente nos
dará a la salida un valor de tensión directamente proporcional a la corriente que circule
por la bobina, denominándose a dicha relación ganancia del sensor. Como la ganancia del
sensor será igual a la inversa de la ganancia K implementada, a efectos del regulador, la
realimentación es como si fuera unitaria, Figura 3.9.
El modulador PWM (Fm ) compara la señal de control, proveniente del regulador de
corriente, y una señal triangular o de dientes de sierra. Su ganancia se calcula según la
Ecuación (3.14)
1
Fm = (3.14)
Vm
donde Vm es la tensión de pico de la señal triangular a comparar. Como se ha mencionado
anteriormente, el PWM se implementará en Simulink, teniendo ganancia uno.
De esta forma, el lazo de corriente se compone de dos bloques: el regulador y la función

de transferencia del control de la corriente de la bobina a través del ciclo de trabajo Gid (s).
a) Gid (s)
Se parte del modelo linealizado y perturbado del convertidor.
L iL iO
iC
d·Vg vC R vo
C
Figura 3.10 Modelo linealizado y perturbado del convertidor Buck síncrono.
iˆL
Gid (s) = (3.15)
dˆ
La función de trasferencia se halla buscando la relación entre la corriente de la bobina y
el ciclo de trabajo mediante los datos conocidos de nuestro sistema (Vg , L, C y R)
( ) ( ) ( )
1 1
iˆL = iˆc + iô = Cs + vˆc = Cs + · Vg dˆ − vˆL =
R R
( ) ( )
1
= Cs + · Vg dˆ − Ls iˆL (3.16)
R
Operando y agrupando términos se llega a

( )
L Vg ˆ
ˆ 2
iL CL s + s + 1 = d · (CRs + 1) (3.17)
R R
Finalmente, la función de transferencia es
iˆL Vg CRs + 1
Gid (s) = = (3.18)
dˆ R L
CL s2 + s + 1
R
b) Regulador
Es el dispositivo que determina el comportamiento del lazo. Ante un error de la variable
controlada respecto del valor prefijado, el regulador actuará sobre la planta para conducir
al sistema al estado deseado. El regulador está compuesto por una acción proporcional,
integral y derivativa [10].
∫
dϵ(t)
u(t) = Kp · ϵ(t) + Ki · ϵ(t) · dt + Kd · (3.19)
dt
ϵ(t) ≡ error a la entrada del regulador.
u(t) ≡ variable de control a la salida.
• Acción proporcional:
La ganancia proporcional (Kp ) elimina el error instantáneo produciendo una señal
de control proporcional a la señal de error, pero no elimina el error de régimen
permanente. El aumento de su valor aumenta la rapidez del sistema, pero reduce
la estabilidad, provocando que el sistema se haga cada vez más oscilante o incluso
inestable.
• Acción integral:
La ganancia integral (Ki ) permite eliminar los errores estacionarios o de régimen
permanente al proporcionar una corrección para compensar las perturbaciones. Al
igual que ocurre con la ganancia proporcional, el aumento de su valor hace que
aumente la velocidad del sistema a costa de disminuir la estabilidad. La ganancia
integral es la inversa del tiempo de acción integral (Tn ) por la ganancia proporcional.
• Acción derivativa:
La ganancia derivativa (Kd ) permite estabilizar más rápidamente la variable contro-
lada después de cualquier perturbación. El aumento de su valor aumenta la velocidad
del sistema y, además, incrementa la estabilidad del sistema ya que el cero aporta
90 grados de fase, alejando al sistema de -180 grados cerca de la frecuencia de corte.
Sin embargo, presenta el defecto de ser muy sensible al ruido, pudiendo desencade-
nar cambios grandes y bruscos en la variable controlada. La ganancia derivativa es
producto del tiempo de acción derivativo (Tv ) por la ganancia proporcional.
El regulador más usado es el PID que engloba todas las acciones. Sin embargo, como se
desea el control de un convertidor que conmuta a altas frecuencias, lo cual provoca la
aparición de ruido, la acción derivativa no será implementada, ya que como se dijo ante-
riormente es muy sensible a ello. Entonces, el regulador que se implementará finalmente
será un PI. La función de transferencia de un regulador PI en el dominio de Laplace es la
siguiente ( )
Tn s + 1 1 Ki
R(s) = Kp = Kp · 1 + = Kp + (3.20)
Tn s Tn s s
Los parámetros del regulador se calculan a partir de la función de transferencia en lazo
abierto del lazo de corriente a través del MF (Margen de Fase) y la frecuencia de corte
(ωc ), ajustando tanto la estabilidad y resonancia del sistema como su propia velocidad de
respuesta, respectivamente.
Tn(i) s + 1 CRs + 1
GiLA (s) = Ri (s) · Gid (s) = Kp(i) · Vg (3.21)
Tn(i) s L
CL s2 + s + 1
R
El primer paso a realizar es definir la frecuencia de corte y el MF deseados. La frecuencia

de corte está directamente relacionada con la velocidad de respuesta del lazo. Es un pa-
rámetro que se impondrá a las funciones de transferencia para garantizar que el sistema
es capaz de seguir las variaciones. En general, para conseguir el margen suficiente de fase
1
y la atenuación del ruido en la placa, se selecciona una frecuencia de corte inferior a 10 -
1
6
de la frecuencia de conmutación. Cuanto mayor sea el MF, más estable es el sistema.
El valor ideal está entre 60◦ -70◦ , pero nunca inferior a 40◦ , ya que MF más pequeños no
garantizan la estabilidad, y MF mayores producirían una respuesta muy lenta.
Una vez se establecen ambos parámetros de diseño, las variables del regulador se
obtienen a partir del MF. El MF es el ángulo (en grados) que habría que restarle a la
fase de la función de transferencia en lazo abierto para volver inestable a la función de
transferencia en lazo cerrado [10]. Sobre el diagrama de bode, es el ángulo que le falta a
la fase para llegar a -180◦ cuando la ganancia es 1 (0 dB). A partir de la Ecuación (3.22),
se hallará el tiempo de acción integral del regulador
M F = 180◦ + ∠GiLA (jwci ) (3.22)
y la ganancia integral a partir de la Ecuación (3.23)
|GiLA (j ωci )| = 1 (3.23)
3.2.3. Lazo externo de tensión

El lazo de tensión se compone de dos bloques: el regulador y la ganancia de tensión
de la etapa de potencia.
Gvc(s)
error Vo
Rv(s) GiLC (s) Gvi(s)
Vo
K Sensor
1
Figura 3.11 Diagrama de bloques del lazo externo de tensión.
Al igual que en el lazo de corriente, la realimentación está formada por un sensor, en

este caso de tensión, y una ganancia, implementada en Simulink, de valor inverso a la
ganancia del sensor, consiguiendo una realimentación unitaria.
a) Gvc (s)
Se compone del lazo interno de corriente GiLC (s) y la función de transferencia de control
del lazo de tensión del sistema Gvi (s).
vô
Gvc (s) = = GiLC · Gvi (s) (3.24)
vˆc
La función de transferencia del lazo interno de corriente es
Ri (s) · Gid (s)

GiLC = (3.25)
1 + Ri (s) · Gid (s)
La función de transferencia de control del lazo de tensión del sistema se puede hallar a
partir de la función de transferencia de la corriente que circula por el inductor Gid (s) y
la función de transferencia del control de la tensión de salida a través del ciclo de trabajo
Gvd (s)
vô vô iˆL

Gvi (s) = Gvd (s) = Gid (s) =
iˆL dˆ dˆ
vô
Gvd (s) ˆ vô
Gvi = = d = (3.26)
Gid (s) iˆL iˆL
dˆ
Gid (s) se calculó en el lazo de corriente, por lo que debemos hallar Gvd (s) a partir del
modelo linealizado y perturbado, Figura 3.10
( )
ˆ 1
d · Vg = vˆL + vˆc = L s · iL + vˆc = vˆc
ˆ + C s Ls =
R
( )
2 L
= vˆc CL s + s + 1 (3.27)
R
Como vˆc = vô se tiene ( )

ˆ L
d · Vg = vô CL s + s + 1
2
(3.28)
R
Finalmente despejando
vô 1
Gvd (s) = = Vg (3.29)
dˆ L
CL s2 + s+1
R
Ahora si se divide Gvd (s) entre Gid (s)
1
Vg

2 L
CL s
+ s + 1
R R
Gvi (s) = = (3.30)
Vg CRs + 1 CRs + 1
L
R CL s2
+ s + 1
R
b) Regulador
Mismo regulador que en el lazo de corriente, es decir, un PI.
Tn(v) s + 1
Rv (s) = Kp(v) (3.31)
Tn(v)
La función de transferencia en lazo abierto del lazo de tensión es la siguiente
GvLA (s) = Gvc (s) · Rv (s) = GiLC (s) · Gvi (s) · Rv (s) (3.32)
Como el lazo de tensión es el lazo maestro, la frecuencia de corte debe ser más lenta que
el lazo de corriente, entre 5-10 veces menor. Del mismo modo, se obtiene la Tn(v) y Kp(v) ,
Ecuaciones (3.33) y (3.34) respectivamente.
M F = 180◦ + ∠GvLA (jwcv ) (3.33)
|GvLA (j ωcv )| = 1 (3.34)
3.3. Punto de trabajo para el diseño del convertidor

Las funciones de transferencia obtenidas anteriormente dependen de varios paráme-
tros como Vg , C, L y R. Tanto L y C son fijados a la hora de diseñar el rizado tanto de
corriente como de tensión y son valores fijos del convertidor. Sin embargo, la tensión de
entrada y la carga del convertidor (Vg y R) pueden variar, teniéndose que diseñar el con-
trol en el peor punto de trabajo posible para garantizar la estabilidad del lazo en cascada
para cualquier punto de funcionamiento, así como una buena dinámica.
Se escogerá el punto de trabajo a partir del lazo interno de corriente debido a que se
trata del lazo que controla la perturbación sobre la variable controlada del sistema. La
función de trasferencia del lazo de corriente es Gid (s)
Vg CRs + 1
Gid (s) = (3.35)
R L
CL s2 + s + 1
R
PUNTO DE TRABAJO PARA EL DISEÑO DEL CONVERTIDOR 31
Se puede observar que es un sistema de segundo orden debido a los términos de 2◦ grado
en el denominador. Los sistemas de segundo orden poseen tres parámetros: la ganancia
estática (Ke ), el factor de amortiguamiento (ξ) y la frecuencia natural no amortiguada
(ωn ). Estos sistemas se suelen modelar según la siguiente función de transferencia [10]:
Ke ωn2 Ke
G(s) = = 2 (3.36)
s2 + 2ξ ωn s + ωn2 s 2ξ s
2
+ +1
ωn ωn
Relacionando términos se obtiene:
Vg
Ke = (3.37)
R
1
ωn = √ (3.38)
C ·L
√
1 L
ξ= · 0<ξ<1 (3.39)
2R C
Figura 3.12 Diagrama de bode de un sistema de segundo orden para distintos factores
de amortiguamiento.
A continuación se variará tanto la potencia de salida (carga) como la tensión de en-

trada, analizando únicamente los casos extremos para analizar el comportamiento del
sistema en términos de la estabilidad [11].
• Comparativa entre (Vmax , P ) y (Vmin , P ):

En este caso la potencia de salida es igual, por lo que la R no cambia y, por tanto,
el factor de amortiguamiento se mantiene igual. No obstante, la tensión de entrada
Vg varía, provocando que la función de transferencia para Vmax tenga una mayor
ganancia estática. En un diagrama de bode la magnitud es
dB = 20 · log10 (Ke ) (3.40)
por lo que a mayor ganancia estática, mayor magnitud presentará el bode.
La Figura 3.13 muestra como una función de transferencia con una ganancia mayor
tarda más tiempo en cortar la línea de 0 dB, teniendo un margen de fase menor y,
por consiguiente, una peor estabilidad.
}
M F (Ke = 100) = 11,5◦
M F (Ke = 10) > M F (Ke = 100) (3.41)
M F (Ke = 10) = 36,9◦
Así, de los dos casos, el que tiene peor estabilidad es cuando se trabaja a Vmax .
Figura 3.13 Bode de la misma función de transferencia con ganancias distintas.
• Comparativa entre (Vmax , Pmin ) y (Vmax , Pmax ):

Una vez conocido que el peor caso es Vmax , vamos a fijar cual es la situación más
desfavorable cuando se trabaje a dicha tensión. Como tenemos misma tensión, la
PUNTO DE TRABAJO PARA EL DISEÑO DEL CONVERTIDOR 33
ganancia será igual en ambos casos y el punto de corte a 0 dB será idéntico. Sin
embargo, la potencia varía y el factor de amortiguamiento también.
Figura 3.14 Bode de la misma función de transferencia con factores de amortiguamiento

distinto.
Como la potencia es igual a

Vo2
Po = (3.42)
R
la R para la potencia máxima va a ser menor que la R para la potencia mínima,
debido a lo cual, el factor de amortiguamiento para potencia máxima será mayor
que el de potencia mínima.
Como se puede ver en la Figura 3.14, la función que tiene mayor ξ siempre va a
tener mayor margen de fase, por lo que es el caso más estable.
Figura 3.15 Valores de fase para dos frecuencias distintas.

}
M F (ξ = 0,01) = 0,115◦
M F (ξ = 0,01) < M F (ξ = 1) (3.43)
M F (ξ = 1) = 11,5◦
Entonces, el caso más desfavorable es cuando ξ es pequeño, produciéndose a potencia
mínima.
En definitiva, para garantizar la estabilidad del convertidor en todo el rango de funcio-

namiento, los reguladores de corriente y tensión deberán ser diseñados para una tensión
de entrada máxima y una potencia de salida mínima, puesto que se trata del punto de
trabajo más desfavorable del sistema desde el punto de vista de la estabilidad.
capítulo 4
Diseño teórico del convertidor
Se recuerdan que las especificaciones del convertidor deberán ser:
Parámetro Símbolo Valor

Tensión de entrada Vg 48 V
Tensión de salida Vo 12 V
Frecuencia de conmutación fs 10 kHz
Rizado de corriente ∆iL ≤ 20 %
Rizado de tensión ∆VC < 2%
Potencia P 200 W
Tabla 4.1 Especificaciones de diseño del convertidor.
Del Capítulo 2 se dedujeron las expresiones para el cálculo de los parámetros del
convertidor.
4.1. Inductancia de la bobina

Para conocer la inductancia mínima que nos garantice el rizado de corriente especifi-
cado se utiliza la Ecuación (2.13) deducida del Capítulo 2.
Vg − Vo
L= DTs (4.1)
2 ∆iL
Los datos que se conocen son los de la Tabla 4.1. Son desconocidos el ciclo de trabajo (D),
el periodo de conmutación (Ts ) y el rizado de la corriente de la bobina (∆iL ).
35
36 DISEÑO TEÓRICO DEL CONVERTIDOR
El ciclo de trabajo se obtiene a través del “Balance de voltios segundos”, de forma que
Vo 12
Vo = D · Vg =⇒ D = = = 0,25 (4.2)
Vg 48
El periodo es la inversa de la frecuencia
1
Ts = fs−1 = = 10−4 s = 0,0001 s (4.3)
104
Por último, el rizado de la corriente de la bobina es
∆iL
≤ 20 % = 0,2 =⇒ ∆iL ≤ 0,2 · Io (4.4)
Io
La corriente a la salida puede conocerse a partir de la potencia del convertidor, ya que:
Po 200
Po = Io · Vo =⇒ Io = = = 16, 67 A (4.5)
Vo 12
Sustituyendo en la Ecuación (4.4), finalmente se obtiene el valor del rizado
∆iL ≤ 0,2 · 16, 67 = 3, 334 A (4.6)
Una vez que ya son conocidos todos los parámetros de la Ecuación (4.1), la inductancia
de la bobina es
(48 − 12)
L= · 0,25 · 0,0001 = 1,35 · 10−4 H = 135 µH (4.7)
2 · 3,334
Si la inductancia sube (L ↑), entonces el rizado baja (∆iL ↓), de modo que
L ≥ 135 µH (4.8)
4.2. Capacidad del condensador

Del capítulo 2 también se obtuvo la fórmula que permitía dimensionar la capacidad
del condensador de salida, Ecuación (2.17)
∆iL · Ts
C= (4.9)
8 · ∆VC
Todos los parámetros son conocidos exceptuando el rizado de tensión, que se obtiene a
través de la tensión de salida
∆Vc
< 2 % = 0,02 =⇒ ∆Vc < 0,02 · Vo = 0,02 · 12 = 0,24 V (4.10)
Vo
SIMULACIÓN DEL MODELO IDEAL 37
Sustituyendo todos los valores en la Ecuación (4.9)
3,334 · 0,0001
C= = 1,74 · 10−4 F = 174 µF (4.11)
8 · 0,24
Si aumenta la capacidad (C ↑), entonces disminuye el rizado (∆VC ↓), por consiguiente
C > 174 µF (4.12)
4.3. Simulación del modelo ideal
Se ha llevado a cabo una simulación con los datos obtenidos en el diseño teórico a
través de la herramienta de Simulink de Matlab. En ella podemos observar como las
formas de onda de la tensión y de la corriente en los distintos elementos del convertidor
siguen el comportamiento ideal del Capítulo 2. Además se podrán calcular los valores
medios y máximos, los cuales, serán útiles a la hora de escoger los diferentes elementos
que conforman el convertidor Buck síncrono.
Figura 4.1 Simulación del modelo ideal de convertidor Buck síncrono en Simulink.
El modelo ideal consta de un fuente ideal de tensión de 48 V y dos interruptores ideales,

controlados por una señal de impulsos con ciclo de trabajo igual a 0,25 y su opuesta, tal
y como muestra la Figura 4.2.
1,0
M1
M2
0,8
DTs
0,6
0,4
0,2
0,0
Ts t (s)
0,000025 0,000050 0,000075 0,000100 0,000125
1,0
0,8
(1 - D)Ts
0,6
0,4
0,2
Ts t (s)
0,0
0,000025 0,000050 0,000075 0,000100 0,000125
Figura 4.2 Señal de control de los MOSFET.
Además se tiene una bobina de valor 135 µH , un condensador de 174 µF y una carga
de 0,72 Ω , para que el convertidor trabaje a máxima potencia
(Vo )2 122
Po = = = 200 W (4.13)
R 0,72
Si nos fijamos en la gráfica de la tensión en la bobina, observamos que se cumple el balance

de voltios segundos:
Figura 4.3 Forma de onda de la tensión en el inductor.

La forma de onda de la corriente por la bobina se puede ver en la Figura 4.4.
20 19,9
19
18
17
iL (A)
16,6
16
15
14
13,3
13
0,0050 0,0051 0,0052 0,0053 0,0054 0,0055

t (s)
Figura 4.4 Forma de onda de la corriente del inductor.
Se observa como la forma de onda de la corriente corresponde con las formas de onda
mostradas en el Capítulo 2.
Por otro lado, si se aumenta o disminuye la inductancia bajará el rizado de corriente,

pero el valor medio se mantendrá constante. Para el valor mínimo de inductancia (135 µH)
el valor de la corriente de pico (ipk ) es de 19,9 A. Estos valores serán necesarios a la hora
del diseño del inductor.
ipk = ⟨iL ⟩ + ∆iL = 16, 66 + 3, 33 = 19, 9 A (4.14)
La corriente media por la bobina es igual a la corriente de salida, Ecuación (2.11).
⟨iL ⟩ = Io = 16, 66 A (4.15)

20
iM1
iM2
15
(A)
10
5
4,15
t (s)
0
0,0050 0,0051 0,0052 0,0053 0,0054 0,0055
20
15
12,45
(A)
10
t (s)
0
0,0050 0,0051 0,0052 0,0053 0,0054 0,0055
Figura 4.5 Forma de onda de la corriente de los MOSFET.
La corriente que circula por los interruptores cuando conducen es la corriente que
circula por el inductor, por lo que la corriente de pico es igual a 19,9 A. Por otra parte,
deberán bloquear una tensión de 48 V cuando no conduzcan. Estos valores se utiliarán
cuando se elijan los MOSFET del circuito.
En cuanto a los valores medios de corriente, son diferentes dependiendo del interruptor
debido a que el tiempo que permanecen encendidos es distinto. La corriente media por los
MOSFET pueden ser calculados por la fórmula del valor medio de una onda periódica
∫
1
⟨x⟩ = x(t) dt (4.16)
T T
Considerando que la integral de la onda de corriente durante el periodo es el área que

encierra dicha onda durante dicho periodo, Figura 4.6, el valor medio de la corriente del
MOSFET de lado alto sería
∫
1 1 1 1
⟨iM 1 ⟩ = iM 1 (t) dt = [A1 + A2] = [A] = [⟨iL ⟩ · D · T ] =
T T T T T
= D · ⟨iL ⟩ = 0, 25 · 16, 6 = 4, 15 A (4.17)
20 19,9
<iL>
15
A2
13,3
(A)
10 A
D·Ts D·Ts
5 A1
0
0,0050 0,0051 0,0052 0,0053 0,0054
Figura 4.6 Corriente por el MOSFET M1 en un periodo de conmutación.
Del mismo modo, la corriente media del MOSFET de lado bajo es

∫
1 1 1 1
⟨iM 2 ⟩ = iM 2 (t) dt = [A1 + A2] = [A] = [⟨iL ⟩ · (1 − D) · T ] =
T T T T T
= (1 − D) · ⟨iL ⟩ = 0, 75 · 16, 6 = 12, 45 A (4.18)
20
<iL>
15
A2
13,3
12,
(A)
A
10
A1
5 (1-D)·Ts (1-D)·Ts
0
0,0050 0,0051 0,0052 0,0053 0,0054 0,0055
Figura 4.7 Corriente por el MOSFET M2 en un periodo de conmutación.

La corriente por el condensador cumple el balance de carga y la tensión de salida es

prácticamente constante, con un rizado inferior al 2 %, Figura 4.8a.
12,241
7
11,738
(a) Tensión del condensador.

4
3,3
3
t (s)
iC (A)
0
0,0050 0,0051 0,0052 0,0053 0,0054 0,0055
-1
-2
-3
-3,3
-4
(b) Corriente del condensador.
Figura 4.8 Tensión y corriente del condensador.
La corriente del condensador es justamente el rizado de la bobina, y en consecuencia,

su valor medio es nulo, Ecuación (2.10). Todo ello se puede comprobar en la Figura 4.8b
⟨iC ⟩ = 0 A (4.19)
capítulo 5
Diseño real del convertidor
El modelo ideal del convertidor no es posible implementarlo físicamente. El Buck ne-

cesitará un circuito de control para manejar los disparos de los MOSFET adecuadamente,
además de sensores para controlar las variables características del convertidor con el fin
de mantener la estabilidad y que siempre se cumplan las especificaciones requeridas.
Por otro lado, el convertidor ideal no tenía pérdidas. Sin embargo, esto no sucede en
la realidad, por lo que se deberá tener en cuenta a la hora del diseño del convertidor y
sus elementos, de modo que estos presenten las menores pérdidas posibles y garantizar
un buen rendimiento.
En este capítulo se detalla el proceso seguido para el diseño del prototipo del con-
vertidor síncrono y del driver necesario para el control de los MOSFET. Además, se
seleccionarán los componentes que formarán la placa a partir de la información obtenida
previamente del modelo ideal.
5.1. Diseño de la etapa de potencia

En primer lugar, se especificarán todos los componentes necesarios que constituyen
la etapa de potencia del convertidor síncrono reductor. Todos los componentes a elegir
pueden verse en la Figura 5.1, que forma parte del esquemático de conexiones, creado
para la elaboración de la PCB.
El convertidor síncrono consta de una entrada, donde se conectará la fuente o batería

que proporcionará la tensión de entrada de 48 V, y una salida, que proporcionará la
tensión continua de 12 V, por medio de cuatro conectores Banana Socket.
43
44 DISEÑO REAL DEL CONVERTIDOR
CN_B1
STP130N8F7 L1
2 3 OUT
O O
135μH 20A
STP130N8F7 CN_F1
CN_B2
C2 1 C1
O
2
M1 R2 ��Ω
22μF 100V Pa M1 M2 470μF 50V
O
1 2
3
CN_F2
Disipador Mosfet SK 400 40 STP130N8F7 STP130N8F7
2
M4 M3 CN_B3
1
3
3
O O
1 2
Disipador Mosfet SK 400 40
CN_B4 PGND Pa M2
Figura 5.1 Esquemático de la etapa de potencia.
A la entrada se dispone de un condensador de desacoplo con el fin de filtrar la tensión

de entrada y estabilizarla aún más para un mejor funcionamiento del sistema. Como todo
reductor síncrono se tienen dos transistores MOSFET, un inductor y un condensador en
la salida. El convertidor dispone de una carga interna, formada por una resistencia fija
y otra variable en paralelo a través de unos conectores Faston, para poder ser usado en
aplicaciones académicas tales como prácticas de laboratorio. A fin de otorgar flexibilidad al
convertidor síncrono, estas resistencias pueden conectarse o no mediante unos transistores
MOSFET para garantizar que el convertidor sea capaz de suministrar la potencia máxima
a la carga que se conecte a la salida, si se quiere utilizar para otros fines o proyectos. Los
cuatro MOSFET anteriores serán controlados a través de la etapa de control e irán unidos
a dos disipadores de calor.
5.1.1. Inductor
Nuestra bobina debe tener una inductancia mayor o igual a 135 µH para garantizar la
especificación del rizado de corriente. La bobina utilizada en este proyecto será fabricada,
es decir, a partir de un núcleo magnético se bobinará para obtener la inductancia reque-
rida. Se debe asegurar que el núcleo no llegue a saturarse para el caso más desfavorable
del convertidor, que será cuando trabaje a máxima potencia, ya que es el caso en el cual
circulará la máxima corriente por el inductor.
El núcleo ha sido comprado a través del fabricante Magnetics, el cual, dispone de tres
clases de núcleos magnéticos [12]:
a) Ferrite Cores
Los núcleos de ferrita blandos son de un óxido hecho de hierro (Fe), manganeso (Mn) y
zinc (Zn) que se conocen comúnmente como ferritas de zinc y manganeso. Tienen una
baja coercitividad y también se conocen como ferritas magnéticas blandas. Debido a sus
pérdidas comparativamente bajas en altas frecuencias, se usan ampliamente en transfor-
madores e inductores de fuentes de alimentación conmutada y de radiofrecuencia.
DISEÑO DE LA ETAPA DE POTENCIA 45
b) Powder Cores
Los núcleos de polvo son núcleos de aire distribuidos que se utilizan principalmente en
aplicaciones de inductores de potencia, específicamente en filtros de salida de fuentes de
alimentación conmutada. Otras aplicaciones de potencia incluyen inductores diferenciales,
inductores de impulso, inductores de Buck y transformadores de retorno.
c) Tape Wound Cores

Los núcleos Tape Wound son a menudo componentes clave de circuitos electrónicos com-
plicados que se encuentran en aplicaciones de alta fiabilidad que incluyen aplicaciones
militares, aeroespaciales, de comunicaciones, perforación de pozos y reactores nucleares.
Para nuestra aplicación son válidos tanto los núcleos de ferrita como los de polvo.
Los inductores son dispositivos que almacenan y convierten energía. Cuando se introduce
un espacio en el núcleo discretamente, como en una ferrita, o se distribuye, como en un
núcleo de polvo, la capacidad del dispositivo para almacenar energía aumenta mucho. Los
inductores de ferrita tienen la ventaja de bajo costo, bajas pérdidas, geometrías flexibles,
buenas propiedades de blindaje y excelentes capacidades de tolerancia, a menudo en el
rango de ± 3 %. Los núcleos de polvo, que tienen capacidades de ajuste, se pueden ajus-
tar a un factor de inductancia (AL ) exacto cuando esto se requiere para equilibrar un
condensador o para otras aplicaciones precisas [12].
Figura 5.2 Distintos tipos de núcleos magnéticos. Fuente: [12].
En este caso, se ha comprobado que muy pocos núcleos de ferrita son capaces de al-
macenar la energía para máxima potencia del convertidor, y los que pueden son núcleos
de un tamaño demasiado grande. Por ello, para un tamaño de núcleo más pequeño debe
usarse un material de alto flujo, como los Powder Cores, ya que tiene la capacidad de flujo
más alta.
Los núcleos de polvo se dividen a su vez en cuatro grupos, como se puede contemplar
en la Figura 5.3. Se ha escogido los núcleos High Flux por su precio medio, alta densidad
de flujo de saturación y pérdidas moderadas.
Figura 5.3 Características de los distintos Powder Cores. Fuente: [13].
El tipo de núcleo finalmente elegido es el C058438A2. El número óptimo de vueltas

son 30, alcanzando una inductancia mínima de 146 µH. Los cálculos realizados para llegar
a dichos valores se desarrollan en el Apéndice A.
Figura 5.4 C058438A2. Fuente: [13].
5.1.2. Condensador de salida

Un condensador real tiene una ESR (Equivalent Series Resistant) y una ESL (Equi-
valent Series inductance) debido a los conductores que conforman el propio condensador.
-j ZL=jwL
ZC= wC ZR=R
Condensador ESR ESL

ideal
Figura 5.5 Esquema de un condensador real.
La impedancia real del condensador es la suma de las tres impedancias anteriores. A

medida que la frecuencia sube (f ↑), la impedancia del condensador baja (ZC ↓) y aumenta
la de la bobina (ZL ↑). La frecuencia en la cual ambas impedancias se anulan se denomina

frecuencia de resonancia. Dicha frecuencia divide el comportamiento del condensador en
dos regiones: una región capacitiva y otra región inductiva. La evolución de la impedancia
de un condensador real puede observarse en la Figura5.6.
Figura 5.6 Representación de la impedancia de un condensador real respecto a la fre-

cuencia. Fuente: [14].
El efecto de la inductancia parásita suele empezar a ser notable cuando el condensa-

dor trabaja a frecuencias elevadas, aproximadamente varios megahercios. Como nuestro
convertidor opera a 10 kHz se puede despreciar su efecto.
La ESR disminuye con la frecuencia, pero puede tener valores elevados a la frecuencia
de operacion del convertidor. Sin embargo la ESR no puede ser despreciada. Por un lado,
afectará a las pérdidas que se produzcan en el condensador y, por otro lado, proporcionará
una componente en la fluctuación de la tensión de salida del convertidor.
∆Vo(ESR) = ESR · ∆iL (5.1)
Suponiendo que todo el rizado de corriente circula por el condensador y aproximando

ESR a cero, el valor del condensador sería el calculado para el convertidor ideal, es decir,
una capacidad mayor de 174 µF . Por otra parte, considerando que la capacidad es muy
grande, la ESR necesaria para limitar el rizado a 0.24 V sería
∆Vo(ESR) 0,24
ESR = = ≈ 0,072 Ω = 72 mΩ (5.2)
∆iL 3, 33
Como la capacidad no va a ser grande, deberá elegirse mayor a la mínima calculada en el

Capítulo 4 y con una ESR un poco menor al máximo calculado en la Ecuación (5.2).
Se ha comprado un condensador electrolítico de aluminio del fabricante United Chemi-

Con de la serie GXE. Dentro de esta serie tenemos condensadores de varias capacidades
y capaces de soportar tensiones entre 10 - 450 V. Se ha elegido el condensador EG-
XE500ETD471MK2 cuya capacitancia es de 470 µF y tiene una ESR de 59 mΩ, capaz
de soportar hasta 50 V, bastante menos de lo que va a soportar, dejando un margen para
que trabaje de forma relajada [15].
Figura 5.7 EGXE500ETD471MK2. Fuente: [15].
5.1.3. MOSFET
Del apartado 4.3 se infirió que los MOSFET están obligados a bloquear una tensión
de 48 V cuando no conduzcan y soportar la corriente de pico que circula por la bobina
cuando el convertidor opere a carga máxima, en otras palabras, alrededor de unos 20 A.
Se han seleccionado MOSFET de canal N del tipo STP130N8F7 del fabricante ST

Microelectronics. Estos son capaces de bloquear tensiones de hasta 80 V y resistir corrien-
tes de 80 A, de tal modo que el transistor trabaje con un pequeño margen, evitando que
funcione de forma saturada. Una característica fundamental que se debe conocer de los
MOSFET es su tensión umbral o «thereshold», fundamental a la hora de escoger el driver.
La tensión umbral de este modelo es de VGS(th) = 4,5 V [16].
Por otra parte, se necesitarán dos MOSFET más para poder conectar o desconectar
tanto la resistencia fija del circuito como la resistencia variable que se puede añadir a la
carga. Estos dos transistores trabajan en unas condiciones menos exigentes que los dos
anteriores. Ambos deberán bloquear una tensión de 12 V cuando no conduzcan y soportar
una corriente de aproximadamente 17 A, por lo que el modelo STP130N8F7 también es
válido.
Figura 5.8 STP130N8F7 (TO220). Fuente: [16].
Cualquier dispositivo que conduce electricidad va a perder parte de su energía en for-

ma de calor. La corriente eléctrica se produce debido al movimiento de los electrones y en
dicho movimiento se provoca la colisión de esos electrones con otras partículas. El resul-
tado es el desprendimiento de calor, denominándose a dicha consecuencia «efecto Joule».
En los MOSFET, la unión PN es la encargada de conducir la corriente, incrementán-

dose su temperatura por el efecto anterior. Si la temperatura de la unión sobrepasa un
cierto límite se produciría la fusión de la unión y el MOSFET dejaría de funcionar. Cuan-
do se trabaja con bajas potencias, la propia superficie del MOSFET sirve para disipar
el calor generado, pero para potencias más altas se necesita incrementar dicha superficie
para mejorar la transferencia del calor hacia el medio exterior y no sobrepasar las tem-
peraturas máximas admitidas por la unión. A fin de incrementar la superficie se emplea
disipadores e, incluso a veces, el uso de ventiladores [17].
En el Apéndice B, se realiza el estudio y los cálculos pertinentes para conocer si se

necesita el uso o no de un disipador y, en caso afirmativo, la elección del disipador ade-
cuado. Tras ello, se concluye que es necesario el uso de un disipador.
El disipador elegido es el SK400-37,5SA del fabricante Fischer Elektronik. En dicho

disipador, se colocarán dos MOSFET y, al haber cuatro transistores, será necesario dos
disipadores.
Figura 5.9 SK400-37,5SA. Fuente: [18].

5.1.4. Condensador de entrada

La tensión de entrada puede presentar cierto ruido eléctrico, ya sea por la acción de
ciertos componentes pertenecientes a un circuito previo que proporciona la tensión de en-
trada al convertidor o por las propias conexiones realizadas que introducen inductancias
parásitas. Para estabilizar la tensión de entrada y asegurarse de que esta sea constante
en el tiempo, se colocan los denominados condensadores de desacoplo.
En ellos, la componente continua de la corriente no pasa por el condensador dado que

este en CC se comporta como un circuito abierto. No obstante, los ruidos eléctricos de
alta frecuencia si que pasan por el condensador hacia masa, consiguiendo el filtrado de la
señal, como se denota en la Figura 5.10.
CC + Ruido CC
Condensador
de desacoplo
Figura 5.10 Esquema básico del funcionamiento de un condensador de desacoplo.
Se ha elegido un condensador de 22 µF capaz de soportar 100 V, margen que nos garan-

tiza que el condensador trabaje con soltura [19]. El modelo es el 100YXF22MEFC8X11.5
de la serie YXF del fabricante Rubycon.
Figura 5.11 Condensador entrada. Fuente: [19].
5.1.5. Resistencias
Como se ha señalado previamente, el circuito posee una resistencia fija con opción
de añadir otra mediante dos conectores Faston machos para PCB. La resistencia fija
seleccionada es la RH02520R00FE02 del fabricante Vishay.
ETAPA DE SENSADO 51
Figura 5.12 RH02520R00FE02. Fuente: [20].
La resistencia es de 20 Ω, pudiendo soportar hasta 25 W [21]. Se comprueba que la

resistencia escogida aguanta perfectamente, pues disipará hasta 7,2 W.
V2 122
P = = = 7,2 W (5.3)
R 20
5.2. Etapa de sensado

Para cerrar el lazo de control del convertidor, se necesitará el uso de sensores capaces
de medir el valor de las variables que se desean controlar en cada instante de tiempo. Estos
valores serán recogidos por el dSPACE, a través de una entrada analógica comprendida
entre ±10 V , con el fin de obtener el error entre la señal y su referencia para corregirla
adecuadamente. Como se ha expuesto con anterioridad, se quiere controlar la corriente
que circula por el inductor y la tensión en bornes del condensador de salida para la
realización de un lazo de control en cascada. Para ello, se añaden tanto un transductor
de corriente LTS 25-NP, del fabricante LEM, como un divisor de tensión a la etapa de
potencia previamente diseñada.
Figura 5.13 Esquemático de la etapa de sensado. En rojo los elementos que la conforman.
5.2.1. Transductor de corriente

El transductor se encarga de la medición de la corriente que circula por la bobina,
dando a su salida un valor en voltios proporcional a dicha corriente. La relación de trans-
formación se puede obtener de la hoja de características del componente [22]. Siempre se

alcanzarán valores entre 0,5 - 4,5 V, dentro del rango de la entrada analógica del dSPACE.
A partir de la Figura 5.14, se puede obtener la ganacia del sensor
( )
0, 625 · IL
Vout = 2, 5 ± (5.4)
25
Output Voltage - Primary Current

V OUT [V]
4.5
3.125
2.5
1.875
0.5
IP [ At ]
- IPM - IPN 0 IPN IPM
Figura 5.14 Relación de transformación corriente-voltaje. Fuente: [22].
El transductor tiene tres posibles configuraciones en función de como se dispongan

las conexiones. A mayor número de vueltas se tendrá una mayor precisión, pero por el
contrario la corriente que puede soportar el sensor es menor. La corriente eficaz de la
bobina es de unos 17 A, por lo que sólo se podrá utilizar el sensor con una vuelta en el
primario.
Primary nominal Nominal Primary Primary insertion

Number of Recommended
current rms output voltage resistance inductance
primary turns connections
IPN [ A ] VOUT [ V ] RP [ mW] LP [ µH ]
6 5 4 OUT
1 ± 25 2.5 ± 0.625 0.18 0.013
IN 1 2 3
6 5 4 OUT
2 ± 12 2.5 ± 0.600 0.81 0.05
IN 1 2 3
6 5 4 OUT
3 ±8 2.5 ± 0.600 1.62 0.12
IN 1 2 3
Figura 5.15 Relaciones de transformación. Fuente: [22].
5.2.2. Divisor de tensión

La tensión de salida del convertidor será medida por medio de un divisor de tensión.
Un divisor de tensión es un circuito que consta de dos o más resistencias conectadas en
serie de tal manera que reparte la tensión de entrada en dos o más tensiones más pequeñas.
El divisor de tensión implementado consiste en dos resistencias conectadas en serie.
ETAPA DE SENSADO 53
Figura 5.16 Esquema de un divisor de tensión.
La fórmula de un divisor de tensión es
R2
Vout = · Vin (5.5)
R1 + R2
Como la entrada analógica debe estar entre ±10 V , se calcularán dos resistencias capaces
de transformar la tensión de salida en un valor de tensión comprendido entre dicho rango.
Como 48 V es el máximo valor que puede medir el sensor, se le asignará a 10 V. Reali-
zando una regla de tres se calcula que para 12 V de salida se considerará que el divisor
adopte un valor de 2,5 V en dichas condiciones. Una posible solución son dos resistencias
de R1 = 15 Ω y R2 = 4 Ω .
Al estar conectado el divisor a la carga se quiere que este consuma la menor cantidad
de energía posible, es decir, de corriente. Hay que tener en cuenta que a mayor impedancia
de entrada tenga un circuito, mayor oposición tendrá este al paso de la corriente y, por
tanto, menor corriente circulará por él. De este modo, tanto la corriente como la potencia
consumida es prácticamente despreciable. Si colocamos resistencias de 15 kΩ y 4 kΩ
reduciremos la cantidad de corriente que circula por el divisor, ya que la impedancia es
mucho mayor, conservando la misma relación de transformación. Como 4 kΩ no es una
resistencia de valor comercial, se utilizará otra comercial lo más cercana posible a dicho
valor, que en este caso es 3,9 kΩ.
Tanto las salidas del sensor de corriente como del sensor de tensión se introducirán en
un amplificador operacional que actuará a modo de seguidor de tensión.
Figura 5.17 Esquema de un seguidor de tensión.

Un seguidor de tensión consiste en realimentar negativamente la salida de un amplifi-

cador operacional, consiguiendo la misma tensión de salida que de entrada, Figura 5.17.
La ventaja de este circuito es su alta impedancia de entrada y su baja impedancia de sali-
da, lo que provoca que apenas consuma intensidad del circuito que esta enviando la señal
de entrada y ofrece una cantidad adecuada de corriente al circuito que recibe dicha señal.
Además, otorga aislamiento entre los dos circuitos conectados a través del amplificador.
Figura 5.18 Esquemático del amplificador operacional de la etapa de sensado.
Se escogerá el amplificador operacional AD8602ARZ de Analog Devices. Desde la

salida del amplificador se llevarán las señales hacia la FPGA a través de un conector de
clema recto.
5.3. Etapa de control

En el Capítulo 3 se mostró el tipo de control que se quiere diseñar. Para ello, se
tendrán que obtener los parámetros que forman parte del lazo de control, configurar la
FPGA del dSpace para su correcto funcionamiento y elegir un driver junto con una serie
de resistencias y condensadores que acondicionen la señal que llega a las puertas de los
MOSFET.
5.3.1. Lazo de control

Previamente se obtuvieron las funciones de transferencia en lazo abierto tanto del la-
zo interno de corriente como del lazo externo de tensión. A partir de ellas se calcularán
los parámetros que componen el controlador. Además, se mencionó cómo debían ser las
frecuencias de corte de cada lazo.
1
Para el lazo de corriente se debe escoger una frecuencia de corte entre 10 - 16 de la
frecuencia de conmutación. Por ello, como la frecuencia de conmutación es de 10000 Hz,
la frecuencia de corte escogida es de 1000 Hz. Por otra parte, la frecuencia de corte del
ETAPA DE CONTROL 55
lazo de tensión debe ser más lenta, entre 5 - 10 veces menor. Así, la frecuencia de corte
elegida es de 100 Hz.
Elemento de control Frecuencia de corte ωc

Lazo de corriente 1000 Hz 2000π s ≈ 6, 28 · 103
rad rad
s
Lazo de tensión 100 Hz 200π rad
s
≈ 628 rad
s
Tabla 5.1 Tabla con las frecuencias de corte de los lazos de control.
a) Regulador de corriente
La función de transferencia de la corriente que circula por el inductor era
Vg CRs + 1
Gid (s) = (5.6)
R L
(CL s2 + s + 1)
R
Para garantizar la estabilidad en todo el rango de funcionamiento, el regulador debe

ser diseñado en una tensión de entrada máxima y una potencia mínima. Dicha potencia
mínima se ha escogido de unos 0,5 W, dando una resistencia de salida R ≈ 300 Ω.
Figura 5.19 Diagrama de bode de Gid (s) para distintas R.

La Figura 5.19 muestra que para valores mayores de R a la frecuencia de corte, ambos
diagramas de bode son prácticamente idénticos, por lo que se tomará finalmente una
resistencia de 300 Ω. Los demás valores son conocidos (L = 158 µH, C = 470 µF y
Vg = 48 V ). La función de transferencia finalmente entonces queda
0,02256 s + 0,16
Gid (s) = (5.7)
7, 426 · 10−8 s2 + 5, 267 · 10−7 s + 1
Su diagrama de bode, obtenido por medio de Matlab, puede verse en la Figura 5.20.
Figura 5.20 Diagrama de bode de Gid (s).
Tanto su ganancia como su fase son
dB = 20 · log(|Gid (j ωci )|) =⇒ |Gid (j ωci )| = 10dB/20 = 1037,4/20 = 74, 13 (5.8)

∠GiLA (jwci ) = −90◦ (5.9)
Los parámetros del regulador se obtienen a partir de la función de transferencia del lazo
de corriente en lazo abierto mediante el MF
Tni s + 1
GiLA (s) = Ri (s) · Gid (s) = Kpi · Gid (s) (5.10)
Tni s
ETAPA DE CONTROL 57
• Cálculo Tni :
M F = 180◦ + ∠GiLA (jwci ) = 70◦

70◦ = 180◦ + (∠Ri (jwci ) + ∠Gid (jwci ))
70◦ = 180◦ + arctg(Tni · 2000π) − 90◦ − 90◦
tg(70◦ )
Tni = = 0,00044 (5.11)
2000π
• Cálculo Kpi :
1 = |GiLA (j wci )|
√ 1
1 = Kpi · (Tni · 2000π)2 + 12 · √ · |Gid (j ωci )|
(Tni · 2000π)2
√ 1
1 = Kpi · (0,00044 · 2000π)2 + 1 · · 74, 13
0,00044 · 2000π
Kpi = 0, 0127 (5.12)
La función de transferencia del regulador de corriente queda

( )
1 Kp Ki 28, 864
Ri (s) = Kp 1 + = Kp + = Kp + = 0, 0127 + (5.13)
Tn · s Tn · s s s
b) Regulador de tensión
La ganancia de tensión de la etapa de potencia es
Gvc (s) = GiLC (s) · Gvi (s) (5.14)
Por un lado, la función de transferencia del lazo de corriente en lazo cerrado es igual a
Ri (s) · Gid (s) 0, 0002865 s2 + 0, 6532 s + 4, 618

GiLC (s) = = (5.15)
1 + Ri (s) · Gid (s) 7, 426 · 10−8 s3 + 0, 000287 s2 + 1, 653 s + 4, 618
Por otro lado, la función de transferencia del lazo de tensión del sistema es
R 300
Gvi (s) = = (5.16)
CRs + 1 0, 141 s + 1
Sustituyendo, la ganancia de tensión de la etapa de potencia sale
0, 08595 s2 + 196 s + 1385

Gvc (s) = (5.17)
1, 047 · 10−8 s4 + 4, 055 · 10−5 s3 + 0, 2334 s2 + 2, 304 s + 4, 618
Su diagrama de bode, obtenido por medio de Matlab, puede verse en la Figura 5.21.
Figura 5.21 Diagrama de bode de Gvc (s).
Tanto su ganancia como su fase son
dB = 20 · log(|Gvc (j ωcv )|) =⇒ |Gvc (j ωcv )| = 10dB/20 = 102,93/20 = 1, 4 (5.18)

∠GiLA (jwci ) = −80, 6◦ (5.19)
Los parámetros del regulador se obtienen a partir de la función de transferencia del lazo
de tensión en lazo abierto mediante los criterios de estabilidad y rapidez
Tnv s + 1
GvLA (s) = Rv (s) · Gvc (s) = Kpv · Gvc (s) (5.20)
Tnv
• Cálculo Tnv :
M F = 180◦ + ∠GvLA (jwcv ) = 70◦

70◦ = 180◦ + (∠Rv (jwcv ) + ∠Gvc (jwcv ))
70◦ = 180◦ + arctg(Tnv · 200π) − 90◦ − 80, 6◦
tg(60,6◦ )
Tnv = = 0,00282 (5.21)
200π
ETAPA DE CONTROL 59
• Cálculo Kpv :
1 = |GvLA (j ωcv )|
√ 1
1 = Kpv · (Tnv · 200π)2 + 12 · √ · |Gvc (j ωcv )|
(Tnv · 200π)2
√ 1
1 = Kpv · (0,00282 · 200π)2 + 1 · · 1, 4
0,00282 · 200π
Kpi = 0, 6221 (5.22)
La función de transferencia del regulador de tensión queda

( )
1 Kp Ki 220, 603
Rv (s) = Kp 1 + = Kp + = Kp + = 0, 6221 + (5.23)
Tn · s Tn · s s s
5.3.2. Configuración del dSPACE
Para la configuración del dSPACE se utilizará el software ConfigurationDesk. Confi-

gurationDesk es una herramienta de implementación y configuración gráfica e intuitiva
para hardware SCALEXIO. Con este software, se puede conectar modelos de compor-
tamiento de Simulink (Matlab) a las funciones de E/S de nuestro sistema, por ejemplo,
configurar el hardware SCALEXIO y controlar todo el proceso para generar el código
en tiempo real. Con ConfigurationDesk, se puede implementar fácilmente el código del
modelo de comportamiento y el código de función de E/S de ConfigurationDesk en el
hardware dSPACE SCALEXIO. Se puede ejecutar una aplicación en tiempo real para
ejecuciones de prueba, incluso si partes del hardware de E/S configurado y necesario no
están físicamente disponibles.
La idea es realizar a través de Simulink el modelo de todo el lazo de control y un

PWM, de forma que las señales que vienen tanto del sensor de corriente como del sensor
de tensión pasen al software, donde se realizará el control y la generación de la señal
PWM, que pasarán de nuevo al circuito a través del driver. El software, a partir del
modelo en Simulink, generará tanto el lazo de control como el PWM mediante las FPGA
del dSPACE. Los datos entre las FPGA y el software se configura por medio de registros
de datos. Se destaca que a la entrada de la realimentación se han colocado las ganancias
inversas de cada sensor, de forma que cada lazo reciba el valor real de corriente o tensión
del convertidor. Adicionalmente, si se desea la colocación de botones, gracias a los cuales
podemos modificar parámetros tanto del control como del PWM, deberán ser conectados
entre el software y las FPGA mediante registros.
Figura 5.22 Modelado del control y del PWM en Simulink.

ETAPA DE CONTROL 61
También se deben configurar las entradas y salida del sistema y las conexiones entre
distintos modelos del mismo, como se observa en la Figura 5.23.
Figura 5.23 Configuración de las E/S en ConfigurationDesk.
Una vez compilado todo, se nos genera un layout donde podremos ver distintas gráficas
de las variables computerizadas y el array de variables donde podremos cambiar el tipo de
control (lazo cerrado o abierto), el ciclo de trabajo deseado en lazo abierto, la referencia de
tensión, el tiempo muerto, la frecuencia de conmutación, los parámetros de los reguladores,
el reset de los reguladores o la activación de las resistencias fija y variable.
Figura 5.24 Distintos parámetros que pueden ser modificados.

Figura 5.25 Layout del control del convertidor a través del ConfigurationDesk.
ETAPA DE CONTROL 63
5.3.3. Circuito de acondicionamiento PWM - MOSFET

Se denomina circuito de acondicionamiento al conjunto de elementos que acondicionan
la señal proveniente del PWM hasta las puertas de los MOSFET. Dicho circuito se divide
en tres partes fundamentales:
1. Filtro paso - bajo.
2. Driver.
3. Resistencias de puerta de los MOSFET.
1. Filtro paso bajo

Las señales provenientes del PWM, tanto de lado bajo como alto, serán filtradas para
eliminar el posible ruido debido a la conmutación de los MOSFET y corrientes parásitas.
Una vez filtradas entran en el driver donde se amplifican.
Figura 5.26 Esquemático del filtro RC de las señales procedentes del PWM.
Un filtro paso bajo es un circuito que permite el paso de las frecuencias menores de la
frecuencia de corte del filtro y, por el contrario, filtra o atenúa las frecuencias más altas
de la frecuencia de corte. El filtro será de tipo RC, teniendo una frecuencia de corte una
década por encima de la frecuencia de conmutación del convertidor, es decir, de 100 kHz.
Los cálculos realizados se exponen en el Apéndice C, obteniendo un filtro RC con una
resistencia de 1 kΩ y un condensador de 1,8 nF .
2. Driver
Para controlar los interruptores se necesita un driver, que será el encargado de ajustar las
señales de control, provenientes de la FPGA del dSPACE, hasta los niveles adecuados de
tensión que requiera la puerta de cada uno de los transistores.
El driver seleccionado es un L6498LD de STMicroelectronics. Se ha elegido dicho driver

por su correcto funcionamiento a la frecuencia de conmutación del convertidor, el rango
de tensiones que nos proporciona es adecuado para los valores a los que se le va a hacer
trabajar y nos otorga, por otra parte, aislamiento entre la parte de control y la parte de
potencia.
Figura 5.27 Patillaje del driver. Fuente: [23].
Además, para que el driver trabaje seguro y no se puedan activar ambos MOSFET
al mismo tiempo, cuenta con protección interna, siguiendo una lógica de trabajo, de tal
manera que esto no pueda suceder y pueda llegar a provocar algún cortocircuito indeseable.
La Figura 5.28 muestra la tabla de verdad de la lógica de activación de salidas.
Input Output
LIN HIN LVG HVG
L L L L
L H L H
H L H L
(1)
H H L L(1)
1. Interlocking function.
Figura 5.28 Funcionamiento lógico de activación del driver L6498LD. Fuente: [23].
El MOSFET de lado alto se conectará a los pines HVG y OUT del driver, mientras
que el de lado bajo a los pines LVG, OUT y PGND (masa), según la Figura 5.27.
Si alimentamos el driver a VCC se destaca que para el MOSFET de lado bajo no se

tiene ningún problema, ya que la fuente está conectada a masa y el pin LVG del driver
dará una señal de VCC en la puerta, desencadenando su conducción, según la Figura 5.29.
ETAPA DE CONTROL 65
Figura 5.29 Ratios máximos absolutos del driver. Fuente: [23].
La Figura 5.30 muestra como para la corriente máxima de 20 A que soportarán los
MOSFET, la tensión puerta-fuente (VGS ) debe ser mayor de 5,5 V aproximadamente. Se
trabajará en la zona resistiva, donde la tensión drenador-fuente (VDS ) es más baja, debido
a que la potencia consumida por el transistor depende proporcionalmente a VDS .
Figura 5.30 Corriente de drenador frente tensión drenador-fuente. Fuente: [16].

El MOSFET escogido anteriormente soporta tensiones VGS entre ±20 V. Cuanto ma-
yor sea VGS menor será la tensión VDS y, por consigiente, menor la resistencia drenador-
fuente (RDS ). Como la tensión VGS está fijada por la tensión de alimentación del driver
y esta debe estar comprendida entre 0-21 V, Figura 5.29, se podría establecer cualquier
valor comprendido entre la tensión VGS(th) del MOSFET y los 20 V máximos soportados.
Finalmente, se ha escogido una tensión de alimentación de 12 V debido a que se uti-

lizará también para alimentar otros elementos del circuito que más adelante se detallarán.
Por el contrario, el problema aparece con el MOSFET de lado alto, cuyo terminal de
fuente esta conectado al pin OUT. Cuando el circuito de control mande conducir a dicho
transistor, el de lado bajo se abre, provocando que la tensión de fuente del MOSFET de
lado alto sea VOU T = 48 V , Figura 5.31. Para que el transistor conduzca, VGS debe ser
igual a 12 V, por lo que la tensión en la puerta debe ser 12 veces mayor a la tensión que hay
en el terminal fuente, es decir, la tensión en el terminal de puerta tiene que ser VOU T +12 V .
La puerta del transistor está conectada al pin HVG que dará una señal entre VOU T y
VBOOT como indica la Figura 5.29. Si conectamos el pin BOOT a la alimentación del driver,
el MOSFET estará polarizado inversamente y no conducirá, puesto que VOU T = 48 V
y VBOOT = 12 V . En cambio, si lo conectamos al pin OUT la tensión VGS será cero,
consiguiendo el mismo resultado.
Figura 5.31 Driver sin circuito Bootstrap.
Una técnica empleada para atacar transistores que no tengan el terminal fuente co-
nectado a masa es la técnica Bootstrap. Esta técnica dota al integrado de una circuitería
exterior denominada Bootstrap compuesta por:
• Condensador (CBOOT ): se conectará entre la puerta y la fuente del MOSFET de

lado alto para alimentarlo. Este se recarga durante el tiempo que este conduciendo
el MOSFET de lado bajo.
ETAPA DE CONTROL 67
• Diodo (DBOOT ): se trata de un diodo de recuperación rápida de alto voltaje que

es un elemento de protección del driver en caso de producirse un retorno.
Figura 5.32 Driver con circuito Bootstrap.
De esta forma, cuando el MOSFET de lado bajo conduce, OUT está a la tensión de masa
y, por ello, DBOOT conduce y CBOOT se carga a través de la alimentación del driver hasta
12 V. Cuando el MOSFET de lado bajo se abre y conduce el de lado alto, en su termi-
nal fuente se tiene una tensión de VOU T = 48 V . La tensión de puerta del transistor de
lado alto es VBOOT que ahora tiene una tensión de VOU T + 12 V debido al condensador.
Esto provoca que DBOOT no conduzca y que gracias a CBOOT se obtenga una fuente de
tensión flotante de 12 V, permitiendo el disparo del transistor de lado alto adecuadamente.
El circuito Bootstrap tiene la ventaja de ser simple y de bajo coste, pero tiene algunas
limitaciones. El ciclo de trabajo y el tiempo de encendido está limitado por la necesidad
de recargar el condensador CBOOT . El mayor problema de este circuito es que la tensión
negativa presente en la fuente del MOSFET durante el tiempo en el que se encuentra
apagado, causa una corriente de carga que fluye por el diodo interno del MOSFET de
lado bajo debida a las inductancias parásitas [24].
Figura 5.33 VOU T durante el apagado. Fuente: [24].

Este voltaje negativo puede ser un problema para el driver porque afecta directamente
el pin OUT y además cabe la posibilidad de desarrollar una sobretensión en CBOOT . Si esta
tensión negativa supera los valores máximos especificados en la hoja de datos, la puerta
del MOSFET de lado bajo sufre daños o la salida del lado de alta se queda temporalmente
sin respuesta ante la transición de entrada (latch up, en inglés), como se muestra en la
Figura 5.34.
Figura 5.34 Formas de onda en caso de latch up. Fuente: [24].
Para solucionarlo se establece una resistencia en serie (RBOOT ) proporcionado un lí-

mite de corriente. Este método puede mitigar el problema, pero desafortunadamente, la
resistencia en serie no proporciona una solución infalible contra una sobretensión y ralen-
tiza el proceso de recarga del condensador de arranque.
El ciclo de trabajo está limitado por la necesidad de volver a cargar el condensador

CBOOT . Valores típicos de RBOOT suelen estar comprendidos entre 5 - 10 Ω. Valores
mayores aumentarían la constante de tiempo de encendido (τ ). El tiempo de encendido
mínimo para cargar CBOOT o para actualizar su carga debe verificarse con esta constante
de tiempo.
RBOOT · CBOOT
τ= (5.24)
D
Finalmente, el esquema del driver junto con el circuito Bootstrap completo se expone en
la Figura 5.35.
ETAPA DE CONTROL 69
Figura 5.35 Esquema del driver con el circuito Bootstrap.
Los cálculos para la obtención de todos los componentes del circuito Bootstrap se
realizan en el Apéndice C, obteniendo un condensador de 0,56 µF y una resistencia de
10 Ω. Además, se escogerá un diodo S1M del fabricante Vishay de recuperación rápida,
para no retrasar la carga del condensador CBOOT .
3. Resistencias de puerta de los MOSFET

En la Figura 5.36 se puede observar las diferentes capacidades parásitas que existen en el
MOSFET. Dichas capacidades provocan que las conmutaciones no sean instantáneas, si
no que evolucionen de forma exponencial como la carga de un circuito RC (τ = R · C).
Figura 5.36 Capacidades parásitas de un MOSFET. Fuente: [25].
Como las capacidades parásitas no pueden ser modificadas, se podrán modificar las
velocidades de encendido y apagado a través de las resistencias de puerta del MOSFET.
Además, interesa el uso de las resistencias de puerta debido a que el efecto de las
inductancias parásitas junto con las capacidades parásitas supondría un circuito LC que
puede provocar oscilaciones y producir la activación del MOSFET cuando debería estar
apagado. Con las resistencias de puerta, el circuito pasaría a ser un RLC, que amortigua-
ría dicho efecto o, incluso, que no genere ningún sobreimpulso.
Cuanto menor sea la resistencia de encendido, menores serán los tiempos de con-
mutación y, como consecuencia, menores las pérdidas en conmutación. Sin embargo, no
interesa conmutaciones excesivamente rápidas debido a que pueden causar sobrecorrientes
negativas por causa de las inductancias parásitas. Las sobrecorrientes son inversamente
proporcionales al tiempo de conmutación, de ahí que sea necesario un término medio entre
ambas.
En contrapartida, reduciendo la resistencia de apagado, se puede prevenir un encen-

dido parásito como consecuencia de la corriente generada por las capacidades parásitas
debido a un cambio brusco de la tensión. Además, cuanto menor sea la resistencia de
apagado, menores serán las pérdidas de conmutación, pero provocaría mayores sobreos-
cilaciones como se ha explicado anteriormente [24]. Al igual que antes, será necesario
encontrar una armonía entre estos efectos.
En el Apéndice C se describen las reglas básicas para obtener los valores de las re-
sistencias de puerta de manera que se obtenga una velocidad y tiempos de conmutación
adecuados, minimizando los efectos de las capacidades e inductancias parásitas. El circuito
de las resistencias de puerta puede observarse en la Figura 5.37.
Figura 5.37 Esquemático de las resistencias de puerta de cada MOSFET.

ETAPA DE CONTROL 71
Los valores obtenidos son de 24 Ω para las resistencias de apagado y de 90 Ω para las
de encendido.
Se destaca que las resistencias de apagado llevan un diodo en serie para permitir su
uso cuando el MOSFET se esta apagando y, por el contrario, el uso de las resistencias
de encendido cuando enciende. Estos diodos son diodos Schottky, cuyo funcionamiento
es análogo al de un diodo normal, pero estos tienen la peculariedad de proporcionar con-
mutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1 ns
en dispositivos pequeños) y muy bajas tensiones umbral. El valor de la tensión umbral
a partir de la cual el diodo conduce suele ser entorno a 0,7 V mientras que los diodos
Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V.
Adicionalmente se ha puesto otro filtro RC para filtrar la señal amplificada proveniente

del driver antes de que llegue a la puerta del MOSFET. La frecuencia de corte será la
misma que la del filtro anterior. Se ha formado el filtro a partir de la resistencia de
encendido de modo que ya tenemos fijado su valor. Por consiguiente, la capacidad del
condesador puede conocerse despejándola. De igual modo, los cálculos pueden consultarse
en el Apéndice C, obteniéndose una capacidad de 18 nF .
5.3.4. Control sobre la carga

Anteriormente se explicó que tanto la carga resistiva fija como la variable, que se puede
conectar, podían ser controladas o no mediante dos MOSFET, funcionando a modo de
interruptor para otorgar al convertidor flexibilidad. Dichos MOSFET serán controlados a
partir de una señal analógica proveniente del dSPACE. Se muestra el circuito de control
de uno de los transistores:
Figura 5.38 Esquemático del comparador que controla uno de los MOSFET.
El comparador tiene un divisor de tensión que le otorga la tensión de referencia, siendo

de valor
3, 9
V =5· = 1, 23 V (5.25)
3, 9 + 12
La tensión de referencia tiene un condensador en paralelo para estabilizarla y evitar que

fluctúe por causa de ruidos. Entonces, cuando la señal analógica de control proveniente
del dSPACE (Vg2) alcance la tensión de referencia de 1,23 V, el comparador activará la
puerta de su MOSFET correspondiente a través de la señal Vgs2. Si la señal analógica
es inferior al valor de referencia, el comparador no dará ninguna tensión en la puerta del
MOSFET y no conducirá.
Figura 5.39 Patillaje TL3016ID. Fuente: [27].
El comparador elegido es el modelo TL3016ID de Texas Instruments. La tensión que

ofrece a la salida es suficiente para encender el MOSFET, Figura 5.40, por lo que no se
necesita ningún otro elemento adicional para conseguirlo.
Figura 5.40 Curvas de tensión de salida del TL3016ID. Fuente: [27].
5.4. Etapa de alimentación

Se han utilizado muchos componentes electrónicos tanto en la etapa de sensado como
en la de control para que el convertidor pueda funcionar de manera correcta. Todos estos
ETAPA DE ALIMENTACIÓN 73
dispositivos necesitan ser alimentados externamente para que pueden operar correcta-
mente. La tensión de alimentación necesaria para cada dispositivo puede consultarse en
sus hojas de características. Los componentes que necesitan ser alimentados aparecen en
la siguiente tabla.
Componente Nº Vcc Icc

Amplificador Operacional 1 5V 1,3 mA
Comparador 2 5V 12,5 mA · 2 = 25 mA
Sensor de corriente 1 5V 49,5 mA
Driver 1 12 V 1 mA
Total = 76,8 mA
Tabla 5.2 Tabla con la alimentación necesaria de cada componente.
Todos estos componentes serán alimentados mediante una fuente de tensión continua
por medio de un conector de clema recto 4x1 a través de un convertidor CC/CC de 12 V a
12 V. La finalidad del convertidor es aislar la alimentación externa del circuito de control
para evitar posibles daños en caso de cortocircuito y también la de filtrar la propia señal
de alimentación. El convertidor es un TRA3-1212 de TracoPower, capaz de dar 250 mA
a la salida [28], más que suficientes para alimentar a los cinco componentes que necesitan
alimentación externa.
Driver
Amplificador
Comparador
Transductor de corriente
Figura 5.41 Diagrama de cómo esta distribuida la alimentación del circuito de control.
Con los 12 V se alimentará el driver. A la entrada de su pin de alimentación se han

colocado tres condensadores de desacoplo con la finalidad de filtrar lo máximo posible la
señal del posible ruido eléctrico. Así, se asegurará una señal de alimentación estable y
constante, evitando la aparición de picos de tensión que provocarían que el componente
se encendiera y apagara continuamente. Se han colocado dos condensadores de 220 nF
para filtrar el ruido de alta frecuencia y un condensador de 10 µF para el ruido de baja
frecuencia.
Para los componentes que necesitan una alimentación de 5 V se ha elegido un regulador

de tensión, que a partir de los 12 V, nos da en su salida 5 V. El regulador de tensión
elegido es el LM7805CT de Texas Instruments y alimentará al amplificador operacional,
los dos comparadores y al transductor de corriente. Dicho regulador otorga hasta 1 A a
la salida [29], garantizando la alimentación de los cuatro componentes. Todos ellos llevan
dos condensadores de desacoplo a la entrada del pin de alimentación para filtrar la señal.
Los valores de los condensadores son de 100 nF para filtrar las frecuencias más altas y de
1 µF para las frecuencias más bajas.
5.5. Pérdidas
La potencia eléctrica es la cantidad de energía eléctrica transferida por unidad de

tiempo
dE dE dq
P = = · =V ·I (5.26)
dt dq dt
Distinguimos entre tres tipos de potencia:
• Potencia activa:
Es la potencia útil, es decir, la que realmente consume energía eléctrica para producir
un trabajo.
• Potencia reactiva:
Esta potencia no se puede consumir ya que produce un trabajo neto nulo. Es uti-
lizada por las bobinas y condensadores cuando generan sus campos magnéticos y
eléctricos respectivamente, devolviéndola otra vez cuando estos se acaban.
• Potencia aparente:
Es la potencia total de un circuito y se obtiene sumando vectorialmente la potencia
activa y reactiva.
SIMULACIÓN Y ANÁLISIS DEL MODELO REAL 75
Potencia aparente
(VA) Potencia reactiva
φ (VAR)
Potencia activa
(W)
Figura 5.42 Suma vectorial de potencias.
Como consecuencia, en el convertidor sólo se van a producir pérdidas de potencia activa.
En el modelo ideal la potencia de entrada del convertidor es igual a la de salida, es

decir, tiene una eficiencia del 100 % y no se tienen pérdidas. Sin embargo, el modelo real
contiene elementos que no son ideales y, por ello, se consumirá parte de la potencia de
entrada del circuito transformándola, por efecto Joule, en calor. Como consecuencia, la
potencia de salida será menor que la de entrada. Estas pérdidas de potencia, en forma de
disipación de calor, se simbolizan con el símbolo de una resistencia en serie del elemento
al que representa.
En el convertidor, las pérdidas de potencia más notables se producen en los MOSFET,

la bobina y en el condensador de entrada y salida, despreciándose las pérdidas del resto de
componentes. Los cálculos realizados para cada dispositivo se encuentran detalladamente
efectuados en el Apéndice D.
Finalmente, las pérdidas del convertidor son de 39,96W teniendo una eficiencia del
83 %.
5.6. Simulación y análisis del modelo real

Una vez conocidos todos los componentes que integran el convertidor y el tipo de
control, se realizará una simulación del modelo lo más cercana posible a la realidad. Para
ello, se han tenido en cuenta tanto las pérdidas de los MOSFET, la bobina y de los
condensadores.
Lazo abierto:
Figura 5.43 Bloques del convertidor en lazo abierto.
Por un lado se han realizado una serie de simulaciones para el modelo real en lazo
abierto, es decir, sin control. Primero, se ha simulado el comportamiento del sistema ante
pequeñas variaciones de carga, Figura 5.44.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
Figura 5.44 Comportamiento en lazo abierto ante cambios de carga.
En la Figura 5.45 se puede ver mejor cómo es el paso de una carga a otra. Para
cambios de carga a altas impedancias la respuesta es muy oscilatoria y lenta, mientras
que a medida que la impedancia disminuye la oscilación se reduce y la rapidez aumenta.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(a) Carga de 2,6 Ω a 20 Ω.

IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(b) Carga de 1 Ω a 0,72 Ω.
Figura 5.45 Cambios de carga en lazo abierto.
La respuesta del transitorio del convertidor en lazo abierto, Figura 5.46, corresponde
con un sistema subamortiguado. A medida que la impedancia de la carga tiende a infinito
más oscilatorio se volverá, hasta llegar a ser un sistema oscilatorio por completo cuando
el convertidor este en vacío. Por el contrario, si baja la impedancia, la dinámica tiende a

ser menos oscilatoria y mucho más rápida (pasamos de un tiempo de establecimiento de
unos 60 ms a 4 ms).
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(a) Carga de 20 Ω.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(b) Carga de 0,72 Ω.
Figura 5.46 Transitorio en lazo abierto para distintas cargas.
Con lazo abierto no se llega a los 12 V, por lo que existe un error de posición (entre
el 4 % y 2 %). Esto puede verse mejor en la Figura 5.47.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
Figura 5.47 Rizado de corriente y de tensión en lazo abierto.
Por otra parte, cuando se produce un cambio en el ciclo de trabajo el convertidor se

comporta según la Figura 5.48
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
Figura 5.48 Comportamiento en lazo abierto ante variación del ciclo de trabajo.
Lazo cerrado:
Figura 5.49 Bloques del convertidor en lazo cerrado.
En lazo cerrado, el convertidor presenta mejor respuesta frente a variaciones en la

carga.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
Figura 5.50 Comportamiento en lazo cerrado ante cambios de carga.
El comportamiento es sobreamortiguado, sin oscilaciones pero con un mayor tiempo

de establecimiento, a parte de conseguir un error de posición cero. Como se puede observar
en la Figura 5.51, a menor impedancia en la carga mayor tiempo de establecimineto a

costa de una menor sobretensión.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(a) Cambio de 20 Ω a 2,6 Ω.

IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(b) Cambio de 1 Ω a 0,72 Ω.
Figura 5.51 Cambios de carga en lazo cerrado.
Por otra parte, el transitorio presenta también una mejor respuesta dinámica y además
un error de posición cero. El regulador se diseñó para otorgar una excelente respuesta a la
máxima potencia del convertidor, siendo peor al disminuir la potencia, pero en cualquier
caso, mejor que en lazo abierto como se muestra a continuación.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(a) Carga de 20 Ω.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(b) Carga de 0,72 Ω.
Figura 5.52 Transitorio en lazo cerrado para distintas cargas.
En la Figura 5.52a se observa como frente a impedancias altas la respuesta es menos

oscilatoria con respecto a la respuesta en lazo abierto (sobreoscilación baja del 108,3 % al
16,7 %) y más rápida (tiempo de establecimiento de 60 ms a 20 ms). Conforme se reduce
la impedancia, se minimiza la sobreoscilación, pero aumenta el tiempo de establecimiento,
hasta que se pasa de un sistema subamortiguado a uno sobreamortiguado, Figura 5.52b.

Frente a la respuesta en lazo cerrado para máxima potencia, se observa como desaparece
la sobreocilación a costa de una mayor lentitud (4 ms a 40 ms).
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
Figura 5.53 Cambio de carga en lazo cerrado de 20 Ω a 0,72 Ω.
Se comprueba que para cambios bruscos en la carga el sistema se comporta de forma

satisfactoria, Figura 5.53. A continuación, la Figura 5.54, muestra como el lazo cerrado
garantiza siempre una tensión de salida de 12 V y unos rizados de corriente y de tensión
por debajo de los inicialmente diseñados.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
Figura 5.54 Rizado de corriente y tensión en lazo cerrado.

Ante cambios en la tensión de referencia el sistema cambia rápidamente y sin so-

breoscilaciones como un sistema de primer orden, como se puede apreciar en la Figura
5.55.
IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(a) Tensión de referencia de 12 V a 6 V.

IL (A)
t (ms)
VO (V)
t (ms)
(b) Tensión de referencia de 12 V a 36 V.
Figura 5.55 Respuesta ante cambio de la tensión de referencia en lazo cerrado.

Finalmente, se quiere comprobar la diferencia entre el modelo teórico calculado y el

modelo real. Para ello, se va a comparar ambas respuestas tal y como aparece en la Figura
5.56.
Figura 5.56 Simulación del convertidor frente a su modelo teórico.
La Figura 5.57 corroboran el modelo obtenido en el capítulo 2, puesto que las respues-
tas son muy similares entre sí.
VO (V)
t (ms)
Figura 5.57 Respuesta del convertidor frente modelo teórico.

capítulo 6
Diseño de la PCB
Para el diseño del convertidor sobre una PCB, se ha utilizado el programa Altium
Designer, un paquete de software de automatización de diseño de PCB y electrónica.
Para realizar la PCB se ha tenido que acudir a las hojas de características de cada
componente para conocer tanto sus dimensiones como distancias y tamaños de los pines
con el objeto de obtener la huella de cada elemento sobre la placa. Una vez realizado
este trabajo, se ha buscado la mejor disposición posible de los distintos componentes. De
esta forma, los conectores de E/S se colocan a los bordes de la placa para facilitar el
conexionado, así como los MOSFET para obtener una mejor evacuación del calor y evitar
que los componentes de alrededor puedan aumentar su temperatura de funcionamiento
debido a su influencia. Los demás componentes se han situado de manera que las pistas
sean lo más cortas posibles, minimizando así efectos parásitos resistivos y inductivos.
Figura 6.1 Disposición y huellas de cada componente del convertidor sobre la PCB.
87
88
1 2 3 4
+5V
+5V
V+
100nF 25V 1uF 35V
U2 C3 C4 100nF 25V 1uF 35V
Vout_adc OUT_A V+
C5 C6
A- OUT_B U1 LTS 25-NP
A A
SGND 3 4
AD8602A
VL_adc 3 4
Vout A+ B-
PCB, Figura 6.2.
2 5 CN_B1
PGND 2 5
V- B+
VL L1
DISEÑO DE LA PCB
2 3 OUT 1 6
O 1 6 O
AD8602ARZ
C058438A2 Toroidal
SGND
V+
GND
Vout
CN_B2 CN_F1
1
M1 R1 15k
7
8
9
O
2
C2 GH STP130N8F7 C1
M2 STP130N8F7 V+ VL Vout
GL 1
22uF 100V 470uF 50V R2
O
R3
3.9k
3
CN_F2
Figura 6.2
1
Vgs2
M3
2 STP130N8F7
3
1 Pa M2
Vgs1
M4
1
2
B 1 CN_B3 B
Disipador Mosfet SK 400 40 STP130N8F7
Pa M1
2
3
O O
Disipador Mosfet SK 400 40
CN_B4 PGND
+5V COMP2 +5V
M6 Vcc _Q Vgs2 CN1
+5V COMP1 +5V
VL_adc
3 +5V Vcc _Q Vgs1 2
3 R5 12k Vg2 IN+ Q 100nF 25V 1uF 35V Vout_adc
1
2 R4 12k Vg1 IN+ Q 100nF 25V 1uF 35V TL3016 C9 C10 Vg2
2 IN- GND 3
Vg1
TL3016 C7 C8 100nF 25V 4
1 VCC IN- GND
1 R7 4k Vcc- LEN CN 4x1 HRTH
SGND 100nF 25V C12
SGND
LM7805CT R6 4k C11 Vcc- LEN Comparador
SGND
SGND
Comparador
SGND SGND
C SGND C
PWM_H R11 Hin
1k
CN2 TP1
C13
600nF 50V
VCC D1
PWM_H 1.8nF 25V R8
2 STPS2L30A TP2 STPS2L30A TP4
PWM_L C18
1 10R S1M R9 GH R12 GL
VCCin
3 24R 24R
220nF 50V 220nF 50V 10uF 50V
4 SGND
D2
CN 4x1 HRTH C14 C15 C16 D3
HVG LVG
SGND PWM_L R14 Lin
1k R10 R13
PGND SGND SGND
1.8nF 25V 90R 90R
18nF 35V 18nF 35V
Esquema de conexiones del convertidor.

7
C20 L6498LD U3 C17 C19
Hin 1 13 OUT
Vcc
Hin Boot
SGND 12 HVG TP3 PGND
VCC HVG
M5 Lin 2 11 OUT
VCCin 1 6 Lin OUT Title
D +Vin +Vout TP5 6 LVG D
LVG
R15 3 5
SGND PGND
2 4 0R Size Number Revision
-Vin -Vout
NC
NC
NC
NC
NC
TMA1212S SGND PGND A4
4
8
9
SGND PGND
10
14
PGND Date: 19/07/2018 Sheet of

SGND
File: G:\PCB_BUCK_CONVERTER\Sheet1.SchDoc
Drawn By:
1 2 3 4
A partir del esquemático de conexiones se ha procedido al diseño de las pistas de la
89
Debido a las numerosas conexiones entre distintos elementos del circuito y a sus re-
ducidas dimensiones, se ha necesitado realizar un circuito de doble cara. En general, las
pistas deberán ir por la cara superior de la placa, conduciendo por la cara inferior aquellas
imposibles de trazar por la primera debido a la complejidad del diseño. Si dos pistas se
cruzan, una de ellas pasará a la cara inferior mediante el uso de vías, continuando su
recorrido.
Adicionalmente, se han tomado muchas precauciones a la hora de diseñar las pistas

con señales de alta frecuencia, de alimentación y pistas de E/S, con el fin de evitar la
introducción de ruidos y acoplamientos al convertidor. Para minimizar estos efectos, se
ha tratado de diseñar el trazado las pistas lo más corta posible y siempre rodeadas de
pistas de masa. Además, se ha dividido en la parte inicial del diseño, la tierra de la etapa
de control y la tierra de la etapa de potencia, SGND y PGND respectivamente. La unión
de ambas se ha de realizar en un único punto para evitar las recirculaciones de corriente.
Las pistas de la etapa de potencia han de ser anchas y cortas para que su resistencia
sea pequeña. La ecuación de la resistencia en el cobre es
L
Rcopper = ρcopper · (6.1)
S
donde ρcopper es la resistividad del cobre, L su longitud y S su sección.

La resistencia del cobre aumenta proporcionalmente a la longitud del cable e inversamen-
te proporcional a su ancho. Por tanto, para que puedan soportar corrientes máximas de
unos 20 A, evitando que se calienten en exceso y su posible fusión, estas deben ser anchas
y cortas. Atendiendo a normas y recomendaciones UNE (Una Norma Española), como
la UNE 20621-3:1984, se ha elegido un ancho de pista de unos 9 mm capaz de soportar
hasta 22 A [30].
En cambio, la etapa de control va a manejar una potencia mucho menor que la ante-
rior, por lo que en este caso, las pistas pueden ser estrechas y alargadas. En este caso, el
ancho de la pista es de 0,5 mm, capaz de trabajar con hasta 2 A [30].
Se ha tenido también especialmente cuidado con las pistas que llevan las señales del
PWM desde la entrada de la placa hasta los MOSFET pasando por el driver, ya que
cualquier ruido o alteración podría implicar un mal funcionamiento en la conmutación de
los MOSFET y, por consiguiente, un deficiente funcionamiento del convertidor. Por este
motivo, dichas pistas se han diseñado de forma que queden lo más paralelas y diferenciales
posibles para tratar de compensar cualquier ruido que se introduzca.
90 DISEÑO DE LA PCB
Por otro lado, la separación mínima entre pistas dependen de la tensión que soporten.
De nuevo se ha acudido a normas y especificaciones de diseño de PCB para determinar
este parámetro. Como tenemos diferencias de potenciales menores a 50 V, la distancia
entre pistas será de 0,5 mm. La distancia mínima entre pistas y los bordes de la placa será
de dos décimas de pulgada, aproximadamente unos 5 mm, y no se pasarán pistas entre
dos terminales de componentes activos (transistores, tiristores, etc.). Sin embargo, si se
puede hacer entre terminales de componentes pasivos [30].
(a) Capa superior. (b) Capa inferior.
Figura 6.3 Fotolitos de la PCB.
Por otra parte, se ha rehuido el trazado de angulos de 90º en las pistas, siempre tra-
tándose de realizar trazas a 45º porque las curvas de 90º producen puntas que pueden
generar o emitir interferencias para señales de alta frecuencia. Además, el vértice a 90º
puede producir el llamado «efecto de puntas», el cual genera arcos entre pistas contiguas
debido a su pequeña separación.
Finalmente, una vez seguidas las pautas anteriores, la placa fabricada se puede observar
en la Figura 6.4.
91
Figura 6.4 PCB del convertidor.

capítulo 7
Resultados experimentales
En este capítulo se analizará la respuesta de los diferentes componentes diseñados e

implementados en el convertidor y los ensayos a los que han sido sometidos.
7.1. Ensayo de inductancia

Teóricamente, se llegó a la conclusión de que la inductancia de la bobina tenía que
ser mayor que 135 µH. A partir de los cálculos realizados en el apéndice A, se concluyó
que utilizando un núcleo CO58438A2 con un bobinado de 30 vueltas se lograba cumplir el
parámetro anterior. Además, el software del fabricante nos especificaba una inductancia
entre 146 µH y 253 µH.
Figura 7.1 Inductor del convertidor.
93
94 RESULTADOS EXPERIMENTALES
Para comprobar que la bobina una vez implementada cumple con los requisitos se
medirá su inductancia a través de un analizador de impedancias.
Figura 7.2 Analizador de impedancias.
El circuito equivalente de una bobina se presenta en la Figura 7.3. Debido al conductor

existe una resistencia, como se explicó en capítulos anteriores, y una capacidad entre cada
espira de la bobina. Dicha capacidad es despreciable a frecuencias bajas, pero a medida
que se incrementa la frecuencia, la impedancia debida a la capacitancia C va aumentando
mientras que la debida a la inductancia L va reduciéndose.
R L
Figura 7.3 Esquema equivalente de la bobina.
La frecuencia en la que ambos valores se cruzan se denomina frecuencia de resonancia

fR . A partir de dicha frecuencia, la impedancia de la capacitancia es mayor comportándose
el inductor como un condensador.
Figura 7.4 Curva de impedancia de un inductor. Fuente: [3].
Los resultados obtenidos a través del medidor de impedancias se muestran en la Figura

7.5. Se puede observar como su impedancia se mantiene prácticamente estable entre 1 kHz
ENSAYO DE INDUCTANCIA 95
y 50 kHz, descendiendo ligeramente su valor para posteriormente incrementarse hasta

llegar a la frecuencia de resonancia. Su inductancia y resistencia para una frecuencia
de 10 kHz es de 157,2 µH y 9,05 mΩ respectivamente. Los valores cumplen con las
especificaciones impuestas y además tienen una gran relación con los valores calculados
teóricamente.
Figura 7.5 Respuesta en frecuencia de la impedancia de la bobina.
Además, el medidor de impedancias nos ofrece el valor de la resistencia, inductor y con-

densador del circuito equivalente de la bobina que más se asemeja con el comportamiento
real del inductor, tal y como se puede ver en la Figura 7.6
Figura 7.6 Respuesta en frecuencia de la bobina frente al circuito equivalente teórico.

La frecuencia de resonancia se calcula según la fórmula
1 1
fR = √ = √ = 3, 3 M Hz (7.1)
2π LC 2π 156, 857 · 10−6 · 14, 8953 · 10−12
A partir de los 3,3 MHz ya no se comportará como una inductancia sino como una
capacidad, no pudiendo ser utilizada para dicha y mayores frecuencias.
7.2. Ensayo del convertidor
El ensayo del convertidor se realizará mediante el uso del equipo de simulación en

tiempo real (dSPACE), además de otros equipos como fuentes de alimentación y oscilos-
copios.
Figura 7.7 Disposición de los equipos del laboratorio durante el esnsayo del convertidor.
Se analizará el comportamiento del convertidor en tanto lazo abierto como en lazo

cerrado.
Lazo abierto:
Para el ensayo en lazo abierto, se fijará una señal PWM con un ciclo de trabajo igual a
0,25 y una frecuencia de 10 kHz. Además, se establece un tiempo muerto de 1µs para
evitar cortocircuitos. En la Figura 7.8a puede verse las señales PWM generadas por el
dSPACE que entran al driver mientras que las tensiones recibidas en el MOSFET de lado
alto y el de lado bajo quedan manifestadas en la Figura 7.8b.
ENSAYO DEL CONVERTIDOR 97
(a) Señal PWM. (b) Tensiones de puerta de los MOSFET.
Figura 7.8 Formas de onda del PWM y la tensiones de puerta de los MOSFET.
La tensión de salida en lazo abierto no llega a los 12 V sino que se queda un poco por
debajo, es decir, existe un error de posición del 1,785 %, como se puede ver en la Figura
7.9, tal y como se observó en la simulación.
(a) dSPACE.
(b) Osciloscopio.
Figura 7.9 Tensión de salida del convertidor en lazo abierto para D igual a 0,25.
Si ahora variamos el ciclo de trabajo de 0,25 a 0,5, se produce una respuesta rápida y
oscilatoria hasta estabilizarse por debajo de los 24 V.
(a) Transitorio de la tensión de salida.
(b) Tensión de salida en régimen permanente.
Figura 7.10 Cambio del ciclo de trabajo de 0,25 a 0,5.
Si cambiamos el ciclo de 0,5 a 0,125 se observa lo que muestra la Figura 7.11.

Figura 7.11 Cambio del ciclo de trabajo de 0,5 a 0,125.
El transitorio del convertidor cuando arranca con una carga de 20 Ω se puede ver en
la Figura 7.12, muy parecido al visto en las simulaciones.
Figura 7.12 Transitorio del convertidor en lazo abierto.

Lazo cerrado:
A continuación, se va a ensayar el convertidor en lazo cerrado, por lo que se introducirán
los parámetros del regulador en el dSPACE. En lazo cerrado, el error de posición es
prácticamente nulo, alcanzándose los 12 V.
(a) dSPACE
(b) Osciloscopio
Figura 7.13 Tensión de salida del convertidor en lazo cerrado.
Esta vez, cuando se produce un cambio en la tensión de referencia de 12 V a 24 V,

se consigue llegar con error de posición nulo y además con una dinámica un poco más
lenta pero más suave (sobreoscilaciones). Se observa como el sistema evoluciona como un
sistema de primer orden.
(a) Transitorio de la tensión de salida.
(b) Tensión de salida en régimen permanente.
Figura 7.14 Cambio de la tensión de referencia a 24 V.
Si perturbamos el sistema con cambios de carga, el comportamiento es muy parecido

al obtenido durante las simulaciones.
(a) Carga de 60 W. (b) Carga de 192 W.
Figura 7.15 Cambios de carga en el convertidor.
Una parte útil del dSPACE es poder variar los parámetros de los reguladores inicial-
mente calculados para observar cómo varía la dinámica del convertidor y también poder
mejorar mediante la experimentación dicho regulador. Se van a mostrar cómo afectan una
serie de cambios a la respuesta del convertidor, aunque el estudio para lograr un regulador
con mejor respuesta que el teórico esta fuera del alcance de este proyecto, dejándose para
futuros trabajos.
La figura 7.16 muestra más detalladamente la respuesta frente al cambio en la corriente

de salida de 1 A a 16 A, cuando la Ki del regulador de tensión se reduce a 0,3.
Figura 7.16 Respuesta ante cambio de Io de 1 A a 16 A con Ki del regulador de tensión

igual a 0,3.
Ahora si producimos el mismo cambio, pero se aumenta la ganancia de 0.3 a los 220,603
obtenidos teóricamente, se manifiesta una respuesta más rápida, es decir, con un tiempo
de establecimiento menor.

igual a 220,603.
Por otro lado, variando la Kp del regulador de corriente de 0.0127 a 0.003, se consigue
un tiempo de establecimiento más pequeño en detrimento de una sobreoscilación mayor.
Figura 7.18 Respuesta ante cambio de Io de 1 A a 16 A con Kp del lazo de corriente

igual a 0,003.
Si se vuelve a cambiar la Ki del regulador de tensión de 220,603 a 800, la sobreoscilación

disminuye.

igual a 800.
La Figura 7.20 expresa cómo los cambios realizados al regulador teóricamente calcu-
lado han variado la respuesta ante el mismo cambio en la carga.
(a) K igual a 0,3 y Kp igual a 0,008 (b) K igual a 800 y Kp igual a 0,003
Figura 7.20 Respuesta ante cambio de Io de 1 A a 16 A para distintos reguladores.
En cuanto a los rizados, se ha usado un osciloscopio más sensible para que puedan ser
apreciados. La Figura 7.21 se puede ver como la corriente por la bobina se parece a la
vista en la simulación a pesar del ruido del laboratorio.
Figura 7.21 Rizado de la corriente del inductor.
El rizado de tensión apenas puede observarse en la Figura 7.22, siendo inferior a los
100mV y cumpliendo las especificaciones de rizado.
Figura 7.22 Rizado de la tensión de salida.
Finalmente, el transitorio del convertidor en lazo cerrado se muestra en la Figura 7.23,

muy simular al transitorio de las simulaciones anteriores.
Figura 7.23 Transitoria del convertidor en lazo cerrado.

7.3. Ensayo de eficiencia

Con el fin de obtener la eficiencia del convertidor, se utilizará la carga electrónica,
Figura 7.24, mediante la cual podemos fijar la corriente de salida, de tal modo que podemos
calcular la eficiencia comparando la potencia de salida con la de entrada.
Figura 7.24 Carga electrónica.
A modo de ejemplo, se presenta la Figura 7.25. Si se fija la corriente de salida a 0,5

A, la potencia de salida es, tal y como muestra la carga electrónica, de 6.377 W.
Figura 7.25 Ensayo de eficiencia para Io igual a 0,5 A.
La potencia de entrada se calcula multiplicando la corriente y tensión de entrada de

acuerdo con la fuente de alimentación. Para el caso que muestra la Figura 7.25, la eficiencia
ENSAYO DE EFICIENCIA 107
cuando la corriente de salida es de 0.5 A es
Po 6, 377
η= · 100 = · 100 = 33, 14 % (7.2)
Pe 48, 1 · 0, 4
Realizando varios ensayos con corrientes de salida diferentes, se puede obtener la evolución
de la eficiencia del convertidor en función de la corriente de salida. La eficiencia para las
diferentes corrientes de salida propuestas se pueden ver en la siguiente tabla.
Corriente de salida Io (A) Eficiencia ( %)

0,5 33,14
1 50,28
2 62,66
3 75,02
5 77,98
8 83,39
10 83,31
12 83,23
15 83,18
Tabla 7.1 Resultados del ensayo de eficiencia para diferentes Io .
Figura 7.26 Eficiencia del convertidor según la corriente de salida (Io ).
Representando los datos anteriores en una gráfica se consigue la evolución de la efi-

ciencia respecto la corriente de salida. Se destaca como la eficiencia es muy baja antes
corrientes de salida pequeñas o lo que es lo mismo ante cargas con impedancias muy altas.
A medida que la corriente de salida aumenta, la eficiencia se incrementa hasta llegar en
torno al 83 % donde se mantiene estable y corrobora la eficiencia obtenida teóricamente
en el apéndice D.
7.4. Ensayo de disipadores

Con el objetivo de garantizar que los MOSFET no alcanzan temperaturas superiores
a las permitidas y que los disipadores actúan correctamente, se ha utilizado una cámara
térmica para medir la temperatura que alcanzan en funcionamiento a plena potencia.
(a) MOSFET lado alto. (b) MOSFET lado bajo.
Figura 7.27 Temperaturas de los MOSFET.
Durante el estudio de los disipadores en el apéndice B, se llegó a la conclusión de

su necesidad debido a que el MOSFET de lado alto superaba la temperatura máxima de
funcionamiento. La Figura 7.27 presenta las temperaturas tanto del MOSFET de lado alto
como del MOSFET de lado bajo, siendo de 69,8 ºC y de 53.6 ºC respectivamente. Ambas
temperaturas están por debajo de la temperatura máxima que pueden soportar de manera
que los disipadores funcionan correctamente. Cabe señalar que se diseñaron para que los
MOSFET no superaran los 50 ºC. Sin embargo, ambos sobrepasan dicha temperatura.
Esto puede ser debido a su posición próxima a la bobina, la cual alcanza una temperatura
de 100.8 ºC, Figura 7.28, y a la falta de convección entre ambos, provocando que la
temperatura de los MOSFET se incremente por encima de la temperatura diseñada.
Figura 7.28 Temperatura de la bobina.

capítulo 8
Conclusiones y lineas futuras
El propósito general del TFG era el estudio, diseño, construcción y ensayo de un con-
vertidor reductor síncrono. Todos los objetivos han sido alcanzados satisfactoriamente al
conseguir el correcto funcionamiento del convertidor tanto en lazo abierto como en lazo
cerrado. Se ha logrado la obtención de un modelo matemático del convertidor Buck que
reproduce con exactitud su comportamiento real, gracias al cual, ha sido posible el cálculo
de un regulador PI. Durante el proceso de su obtención, se han tenido ciertas dificultades
al realizar un lazo en cascada, es decir, un control de tensión junto con un control interno
de la corriente del inductor, debido a la mayor complejidad que un simple control de
tensión y al ser la primera vez que se intenta llevar a cabo. A pesar de las dificultades en-
contradas, el regulador logrado resultó trabajar adecuadamente con un error de posición
nulo y buena respuesta dinámica, ofreciendo un sistema estable para el rango de operación
del convertidor construido.
Por otro lado, también se han encontrado adversidades a la hora del diseño de la PCB,
no en la elección de los diversos componentes, si no en su correcta disposición y coloca-
ción sobre la placa y cómo realizar el apropiado interconexionado de las pistas, aportando
aspectos enriquecedores desde el punto de vista académico.
Los diferentes ensayos y pruebas realizadas en el convertidor y la bobina han resultado

notablemente favorables. A causa de un buen estudio del convertidor, se han conseguido
alcanzar las especificaciones iniciales del proyecto y un comportamiento prácticamente
similar en comparación con las simulaciones realizadas. El trabajo con el equipo de simu-
lación en tiempo real ha sido muy beneficioso y provechoso al permitir el uso, por primera
vez, de esta clase de equipos y aprender tanto sobre su configuración como sobre su ma-
nejo y empleo, pese a la dificultad encontrada para conseguir su correcta programación.
109
110 CONCLUSIONES Y LINEAS FUTURAS
Cabe destacar una eficiencia del convertidor en torno al 83 %. Aunque no se impuso

ninguna especificación con respecto a la eficiencia, sería conveniente fijar como objetivo
futuro su posible mejora realizando un cambio en el condensador de entrada por otro
cuya ESR sea de menor valor. Ello reduciría las pérdidas notoriamente, puesto que es la
principal fuente de pérdidas en el convertidor, consiguiendo así una mayor eficiencia en
el convertidor Buck síncrono.
De igual forma, se propone como fin futuro un estudio particular sobre el perfeccio-
namiento del regulador obtenido con la finalidad de mejorar la respuesta dinámica del
convertidor. Asimismo, se propone su implementación física, una vez visto previamente
su adecuado funcionamiento a través de su puesta en práctica en el entorno de Matlab
mediante el equipo de simulación en tiempo real.
capítulo 9
Planificación temporal y presupuesto
Por un lado, la planificación temporal muestra la lista de actividades que forman tanto
la EDT como el diagrama de Gantt. La EDT subdivide el trabajo en tareas más sencillas
de una forma jerárquica, en la que cada subnivel supone un enfoque más especificado del
trabajo del proyecto. Dichas tareas deberán ser llevadas a cabo para alcanzar las metas o
propósitos del proyecto y conseguir sus entregables. En cambio, el diagrama de Gantt es
una representación gráfica en la que cada tarea productiva, de un determinado proyecto, le
corresponde una barra horizontal, la cual es directamente proporcional a su duración [31].
Por otro lado, el presupuesto se obtiene de modo escalonado a tres niveles sucesivos
[31]:
− El PEM (Presupuesto de Ejecución Material) es la suma total de los distintos pre-

supuestos parciales, expresados por medio de capítulos, como por ejemplo, el presu-
puesto de materiales, mano de obra, equipos, material fungible, etc. Dichos presu-
puestos parciales se obtienen multiplicando los volúmenes de cada unidad de obra
por sus respectivos precios unitarios.
− El PEC (Presupuesto de Ejecución por Contrata) es la cantidad resultante de añadir

al PEM dos partidas más: los Gastos Generales (GG) y el Beneficio Industrial (BI).
Los GG cubren todos los gastos del contratista, mientras que el BI representa su
propio beneficio. El Real Decreto 1098/2001 establece un rango entre el 13 - 17 %
para fijar los GG. En cambio, el BI se suele fijar en un 6 %.
Una vez sumado todo, debe ir gravado con el IVA (Impuesto sobre el Valor Añadido)
que actualmente es del 21 % en España.
− El PG (Presupuesto General) es el importe total del proyecto. Se obtiene sumando

el PEC más los honorarios del proyectista y del director facultativo de la obra, con
sus respectivos IVA devengados. Al contrario de lo que ocurre con los GG y el BI,
111
112 PLANIFICACIÓN TEMPORAL Y PRESUPUESTO
no existen porcentajes estipulados, teniendo que ser pactados por ambas partes. En
nuestro caso, habrá que añadir los honorarios de un Ingeniero Técnico Industrial
que intervendrá como “Proyectista” y “Director de Obra”.
9.1. Planificación temporal
CONVERTIDOR BUCK
Número EDT Nombre de tarea Duración Predecesoras
1 1 Búsqueda y recopilación de información 20 días
2 2 Cálculos de parámetros del convertidor 2 días
3 2.1 Especificaciones del convertidor 1 día 1
4 2.2 Inductancia de la bobina 1 día 1
5 2.3 Capacitancia del condensador de salida 1 día 4
6 3 Diseño del convertidor 48 días
7 3.1 Diseño del circuito de potencia 5 días 4
8 3.2 Diseño del circuito de sensado 4 días 7
9 3.3 Diseño del circuito de acondicionamiento 13 días 8
10 3.4 Diseño del circuito de alimentación 4 días 9
11 3.5 Diseño del circuito de control 7 días 10
12 3.6 Diseño de la PCB 14 días 11
13 4 Selección de los componentes 45 días
14 4.1 Núcleo magnético 5 días 7
15 4.2 MOSFET y disipadores 3 días 14
16 4.3 Driver 3 días 10
17 4.4 Sensores, amplificadores y comparadores 2 días 16
18 4.5 Resto de componentes 3 días 17
19 4.6 Pedido de los componentes 1 día 18
20 4.7 Pedido de la PCB 2 días 12
21 5 Simulaciones 37 días
22 5.1 Simulación del modelo teórico en simulink 2 días 5
23 5.2 Simulación del modelo real en simulink 4 días 11
24 6 Construcción y montaje 23 días
25 6.1 Construcción de la bobina 3 días 19FC+14 días
26 6.2 Soldar los componentes a la PCB 3 días 20FC+20 días
27 7 Ensayos y mediciones 28 días
28 7.1 Inductancia de la bobina 1 día 25
29 7.2 Pruebas de conexionado 1 día 26
30 7.3 Ensayos al convertidor 7 días 29
31 8 Elaboración de la documentación 70 días 2FC+40 días
Tabla 9.1 Lista de actividades del proyecto.

PLANIFICACIÓN TEMPORAL 113
Figura 9.1 EDT del proyecto.

Figura 9.2 Diagrama de Gantt del proyecto.

PRESUPUESTO 115
9.2. Presupuesto
A continuación se presentan los diferentes presupuestos parciales que conforman el
PEM. Estos constan de cuatro partes o capítulos:
• Materiales.
• Mano de obra.
• Equipos.
• Material fungible.
Posteriormente, se exponen el PG mediante el cálculo del PEM y PEC, anteriormente

explicados.
9.2.1. Presupuestos generales
Presupuesto parcial nº1 Materiales

Num. Ud Descripción Precio Importe
1.1 4 Conector de banana 1,59 6,36
1.2 2 Disipador SK400-37,5SA 2,01 4,02
1.3 4 MOSFET STP130N8F7 1,49 5,96
1.4 5 Punto de prueba para PCB 0,31 1,55
1.5 1 Resistencia 20Ω, 20W 2,67 2,67
1.6 2 Conector Faston PCB 0,23 0,46
1.7 2 Comparador TL3016ID 2,79 5,58
1.8 1 Amplificador operacional AD8602ARZ 1,96 1,96
1.9 1 Driver L6498LD 1,59 1,59
1.10 1 Sensor de corriente, Efecto Hall, LTS 25NP 12,18 12,18
1.11 2 Conecto clema 4x1 2,28 4,56
1.12 1 Convertidor DC/DC PCB TMA 1212S 3,87 3,87
1.13 1 Regulador de tensión lineal LM7805CT 0,68 0,68
1.14 2 Rectificador Schottky STPS2L30AF 0,38 0,76
1.15 1 Diodo US1M-13-F 0,38 0,38
1.16 1 Condensador electrolítico 100µF, 100V 0,41 0,41
1.17 1 Condensador electrolítico 470µF, 50V 1,48 1,48
1.18 1 Núcleo magnético C058438A2 17,40 17,40
1.19 6 Condensador cerámico SMD 1206 100nF, 50V 0,60 3,60
1.20 4 Condensador cerámico SMD 1206 1µF, 50V 0,31 1,24
1.21 1 Condensador cerámico SMD 1206 2.2µF, 50V 0,73 0,73
1.23 1 Condensador cerámico SMD 1206 10µF, 50V 0,87 0,87
1.25 2 Condensador cerámico SMD 0603 1.8nF, 50V 0,16 0,32
1.26 3 Resistencia SMD 1206 3.9kΩ 0,13 0,26

1.27 2 Resistencia SMD 1206 12kΩ 0,29 0,58
1.28 1 Resistencia SMD 1206 10Ω 0,17 0,17
1.30 2 Resistencia SMD 1206 88.7Ω 0,12 0,24
1.35 1 PCB 1.6mm 160mm x 90mm 45,71 45,71
Total presupuesto parcial nº 1 Materiales 128,19
Presupuesto parcial nº2 Mano de obra

Num. Descripción Horas Precio/hora Importe
2.1 Fabricación de la bobina 4 12,00 48,00
2.2 Montaje del convertidor 3 12,00 36,00
2.3 Programación 24 12,00 288,00
2.4 Mediciones, simulaciones y ensayos 56 12,00 672,00
Total presupuesto parcial nº 2 Mano de obra 1.044,00
Presupuesto parcial nº3 Equipos

Num. Descripción Precio Uso en días Amortz. en años Importe
3.1 Ordenador 750,00 145 5 (1825 días) 59,59
3.2 Analizador de impe- 33.178,01 2 5 (1825 días) 36,36
dancias
3.3 Simulador en tiempo 40.000,00 5 5 (1825 días) 109,59
real dSPACE
3.4 Estación de soldadura 453,00 4 5 (1825 días) 0,99
3.5 Cámara térmica 131,24 1 5 (1825 días) 0,07
3.6 Osciloscopio 513,00 6 5 (1825 días) 1,69
3.7 Multímetro 34,00 8 5 (1825 días) 0,15

3.8 Fuente de alimenta- 969,33 5 5 (1825 días) 2,66
ción 0-50A
3.9 Fuente de alimenta- 364,50 5 5 (1825 días) 1,00
ción 0-3A
3.10 Carga electrónica 6.639,22 2 5 (1825 días) 7,28
5.2kW
Total presupuesto parcial nº 3 Equipos 219,38
PRESUPUESTO 117
Presupuesto parcial nº4 Material fungible

Num. Ud Descripción Precio Importe
4.1 1 Impresión 25,80 25,80
4.2 1 Encuadernación 5,00 5,00
Total presupuesto parcial nº 4 Material fungible 30,80
9.2.2. Presupuesto total
Capítulo Importe
Capítulo 1 Materiales 128,19
Capítulo 2 Mano de obra 1.044,00
Capítulo 3 Equipos 219,38
Capítulo 4 Material fungible 30,80
Presupuesto de Ejecución Material 1.422,37
13 % de Gastos Generales 184,91
6 % de Beneficio Industrial 85,34
Suma 1.692,62
21 % IVA 355,45
Presupuesto de Ejecución por Contrata 2.048,07
Asciende el presupuesto de ejecución por contrata a la expresada cantidad de DOS

MIL CUARENTA Y OCHO EUROS CON SIETE CÉNTIMOS.
Honorarios de Ingeniero Técnico Industrial

Proyecto.................................80 % sobre PEM 1.137,90
IVA........................................21 % sobre honorarios de Proyecto 238,96
..............................................Total honorarios de Proyecto 1376,86
Dirección de obra...................55 % sobre PEM 782,30
IVA........................................21 % sobre honorarios de Dirección de obra 164,28
..............................................Total honorarios de Dirección de obra 946,58
..............................................Total honorarios de Ingeniero Industrial 2.323,44
..............................................Total Presupuesto General 4.371,51
Asciende el Presupuesto General a la expresada cantidad de CUATRO MIL TRES-

CIENTOS SETENTA Y UN EUROS CON CINCUENTA Y UN CÉNTIMOS.
Madrid, a .... de ............ de 2019

Referencias
[1] Gustavo A. Ruiz Robredo, Electrónica básica para ingenieros. 1ª ed. Santander,
Cantabria, España: Servicio de Reprografía Facultad de Ciencias Universidad de
Cantabria, Junio 2001
[2] R. W. Erickson y D. Maksimovic, Fundamentals of Power Electronics. 2ª ed.

Secaucus, NJ, USA: Kluwer Academic Publishers, 2000
[3] R. K. Garg, A. Dixit y P.Yadav, Basic Electronics. 1ª ed. Daryaganj, New

Delhi, India: Laxmi Publications, 2008
[4] Z. Sütő y I. Nagy, “Nonlinear dynamics and three-phase volta-

ge source converters”, ResearchGate, 1ª ed. Daryaganj, New Delhi, In-
dia: Laxmi Publications, 2008. Documento en formato png accesible
por internet en la dirección: https://www.researchgate.net/figure/
Summary-of-power-semiconductor-device-capabilities_fig2_257303656
[Accedido Marzo, 2018]
[5] R. C. Ibáñez, “Convertidor DC/DC reductor (Buck) con control de corriente y

tensión”, Proyecto Fin de Master, Universidad Pública de Navarra (España), Sep-
tiembre, 2013
[6] T. E. Sola, “Diseño, dimensionado y simulación de un convertidor DC/DC elevador

para pilas de combustible”, Proyecto Fin de Carrera, Universidad Pública de Navarra
(España), Junio, 2015
[7] J. L. España, “Control en cascada de la temperatura de un reactor continuo de tan-

que agitado encamisado”, Trabajo Fin de Grado, Universitat Politècnica de València
(España), Febrero, 2018
119
120 REFERENCIAS
[8] “MSD 101: Pulse-width modulation”, MachineDesign, Octubre, 2000. Documento

en formato pdf accesible por internet en la dirección: http://fab.cba.mit.edu/
classes/961.04/topics/pwm.pdf [Accedido Marzo, 2018]
[9] D. R. Marco, “Diseño y simulación de un convertidor DC/DC para alimentación

de un sistema de iluminación mediante LED”, Proyecto Fin de Grado, Universitat
Politècnica de València (España), Septiembre, 2017
[10] F. Matía, A. Jiménez, R. Arancil y E. Pinto, Teoría de Sistemas. 4ª ed. Ma-

drid, España: Sección de Publicaciones de la Escuela Técnica Superior de Ingenieros
Industriales, 2003
[11] N. N. Cueto, “Diseño del lazo de control en modo tensión de un convertidor CC-
CC comercial”, Proyecto Fin de Carrera, Universidad Carlos III de Madrid (España),
Julio, 2011
[12] Magnetics, “Products: Powder Cores, Ferrite Cores & Tape Wound Cores”. Do-
cumento en formato HTML accesible por internet en la dirección: https://www.
mag-inc.com/Products [Accedido Febrero, 2018]
[13] Magnetics, ‘Powder Cores Catalog”, 2017, URL: https://www.mag-inc.

com/Media/Magnetics/File-Library/Product%20Literature/Powder%20Core%
20Literature/2017-Magnetics-Powder-Core-Catalog.pdf [Accedido Febrero,
2018]
[14] “What are impedance/ ESR frequency characteristics in capacitors?”, mu-

Rata, Febrero, 2013. Documento en formato pdf accesible por internet en
la dirección: https://www.murata.com/en-us/products/emiconfun/capacitor/
2013/02/14/en-20130214-p1 [Accedido Marzo, 2018]
[15] United Chemi-Con, ‘Miniature Aluminium Electrolytic Capacitors”, URL:

https://www.mouser.es/datasheet/2/420/United-Chemi-Con-772867.pdf [Ac-
cedido Febrero, 2018]
[16] STMicroelectronics, ‘STP130N8F7”, March, 2017 URL: https://www.st.com/

resource/en/datasheet/stp130n8f7.pdf [Accedido Febrero, 2018]
[17] A. Méndez, “Disipadores térmicos para dispositivos electrónicos”, Laboratori

d’Instrumentació i Bioenginyeria, Departament d’Enginyeria Electrònica, Universitat
Politècnica de Barcelona (España) Enero, 2016
[18] RS, “Disipador Fischer Elektronik SK400-37,5SA, 37.5 x 33 x 10mm”, Febrero, 2018,
Documento en formato HTML accesible por internet en la dirección: https://es.
rs-online.com/web/p/disipadores/6744709/ [Accedido Febrero, 2018]
REFERENCIAS 121
[19] Rubycon, ‘Radia Lead Aluminium Electrolytic Capacitors”, URL: http://

www.rubycon.co.jp/en/catalog/e_pdfs/aluminum/e_yxf.pdf [Accedido Febrero,
2018]
[20] RS, “Resistor de bobinado de alta potencia, Vishay, 20Ω, ±1 %, 25W,

Axial, Serie RH”, Febrero, 2018, Documento en formato HTML acce-
sible por internet en la dirección: https://es.rs-online.com/web/p/
resistencias-fijas-de-orificio-pasante/8459769/ [Accedido Febrero, 2018]
[21] Vishay, ‘Wirewound Resistors, Industrial Power, Aluminum Housed, Chassis

Mount”, November, 2017, URL: http://www.vishay.com/docs/30201/rhnh.pdf
[Accedido Febrero, 2018]
[22] LEM, ‘Current Transducer LTS 25-NP”, URL: http://www.farnell.com/

datasheets/1683366.pdf [Accedido Febrero, 2018]
[23] STMicroelectronics, ‘L6498”, September, 2017 URL: https://www.mouser.es/

datasheet/2/389/l6498-1310107.pdf [Accedido Febrero, 2018]
[24] On Semiconductor, ‘AN-6076 Design and Application Guide of Bootstrap Circuit

for High-Voltage Gate-Drive IC”, Literature Distribution Center for ON Semiconduc-
tor, Pkwy, Aurora, Colorado (USA), January, 2018
[25] Department of Engineering, University of Cambridge, “D7 - Circuit Ex-

traction”, Febrero, 2018, Documento en formato HTML accesible por internet en la
dirección: http://www2.eng.cam.ac.uk/~dmh/4b7/resource/section7.htm
[26] Vishay, ‘S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1M”, July, 2017, URL: http://www.
vishay.com/docs/88711/s1.pdf
[27] Texas Instruments, ‘TL3016, TL3016Y Ultra-Fast Low-Power Precision Compa-

rators”, March, 1998, URL: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tl3016.pdf
[28] Traco Power, ‘DC/DC Converters TRA Series, 3 Watt”, September, 2013, URL:
https://www.tracopower.com/products/tra3.pdf
[29] On Semiconductor, ‘LM78XX / LM78XXA 3-Terminal 1A Positive Voltage

Regulator”, September, 2014, URL: https://www.mouser.es/datasheet/2/308/
LM7805-1301244.pdf
[30] M. J. Bellido, “Normas Básicas y Recomendaciones en el Diseño de PCBs”, De-

partamento de Tecnología Informática, Universidad de Sevilla (España), Octubre,
2015
122 REFERENCIAS
[31] A. González, F. Alba y J. Ordieres, Ingeniería de proyectos. Madrid, España:

Dextra Editorial, 2014
[32] Magnetics, ‘C058438A2”, Diciembre, 2018, URL: https://www.mag-inc.com/

Media/Magnetics/Datasheets/C058438A2.pdf
[33] Inventable, “Montaje de disipadores con semiconductores de encapsulado TO-

220”, Febrero, 2018, Documento en formato HTML accesible por internet en la di-
rección: https://www.inventable.eu/montaje-de-disipadores/
[34] Farnell, “2015-54 - SIL-PAD 2000, .015”, TO-220”, Febrero, 2018, Documento en
formato HTML accesible por internet en la dirección: https://es.farnell.com/
bergquist/2015-54/sil-pad-2000-015-to-220/dp/681118
[35] STMicroelectronics, ‘30 V power Schottky rectifier”, November, 2018, URL:

https://www.st.com/resource/en/datasheet/stps2l30.pdf
[36] Rohm Semiconductor, ‘Capacitor Calculation for Buck converter IC”, No.
61AN104E Rev.004, November, 2018
[37] Richtek, ‘AN-6076 Design and Application Guide of Bootstrap Circuit for High-
Voltage Gate-Drive IC”, AN041, Hsinchu, Taiwan (R.O.C), December, 2015
[38] Rohm Semiconductor, ‘Calculation of Power Loss (Synchronous)”, No.AEK59-

D1-0065-2, October, 2016
[39] Rohm Semiconductor, ‘Calculation of Power Loss (Synchronous)”, No.AEK59-

D1-0364-0, December, 2016
ANEXOS
apéndice A
Cálculos de la bobina
Partiendo del tipo de núcleo elegido en el apartado 5.1.1 del Capítulo 4 (High Flux -
Powder Core), se desarrollará en este apéndice los cálculos necesarios para elegir el núcleo,
el número de vueltas necesario, la inductancia obtenida y el tamaño del cable preciso para
nuestro convertidor.
Se seguirá la guía dada por Magnetics para el diseño de los inductores de núcleo de
polvo [13]:
1. Calcular el producto L · (iL )2 donde,

L ≡ inductancia requerida con polarización DC (mH)
iL ≡ corriente continua por el inductor (A)
Entonces, si se necesita una inductancia mayor o igual a 135 µH se tiene
0,135 mH · (16, 6Û A)2 = 37,5 mJ
2. Ubicar el valor del producto L · (iL )2 en el gráfico de Selector de Núcleos. Seguir

la coordenada anterior hasta la intersección con el primer tamaño de núcleo que se
encuentra por encima de la línea de permeabilidad diagonal. Este es el tamaño de
núcleo más pequeño que se puede usar.
Si se aprecia la Figura A.1, el núcleo necesitado es el C058438A2.
125
126 CÁLCULOS DE LA BOBINA
125 perm
60
50
40
25
26
14
147
173
160
200
250
300
500
550
37,5 mJ
Figura A.1 Selector de núcleos. Fuente: [13].
3. La línea de permeabilidad se secciona en permeabilidades centrales disponibles es-

tándar. La selección de la permeabilidad indicada tenderá a ser el mejor equilibrio
entre AL y la polarización CC.
4. La inductancia, el tamaño del núcleo y la permeabilidad se conocen ahora. Calcular

el número de vueltas utilizando el siguiente procedimiento:
4.1 El factor de inductancia (AL en nH / T2 ) para el núcleo se obtiene de la hoja

de datos del núcleo. Determinar el AL mínimo utilizando la tolerancia negativa
del peor caso (generalmente -8 %). Con esta información, calcular el número
de vueltas necesarias para obtener la inductancia requerida sin carga a través
de √
L · 103
N= donde se requiere L en µH (A.1)
AL
De la hoja de datos del núcleo [32], se tiene que AL = 281 nH/T 2 .

La inductancia mínima y el número de vueltas necesarias serán:
AL · (1 − 0,08) = 281 · 0,92 = 258,52 nH/T 2

√
135 · 103
N= = 22,85 −→ N = 23 vueltas (A.2)
258,52
127
4.2 Calcular la intensidad de campo en A · T / cm según
N · iL
H= (A.3)
Le
Le ≡ Longitud efectiva de la trayectoria magnética (cm) [32]
Sustituyendo y operando en la Ecuación (A.3)
23 · 16, 6Û A·T
H= = 35,83
10,7 cm
4.3 Para calcular el número de vueltas requerido a plena carga determine la reduc-
ción por unidad de permeabilidad inicial para el nivel de polarización calculado
previamente partir de las curvas de permeabilidad frente a polarización de CC.
El número de vueltas ajustado es:
82%
35,83
Figura A.2 Permeabilidad frente intensidad de campo magnético. Fuente: [13].
23
= 28,05 −→ N = 29 vueltas
0,82
4.4 Volver a calcular el nivel de polarización de CC con el número de vueltas ajus-

tado, determinando la reducción por unidad de permeabilidad inicial para el
nivel de polarización calculado previamente partir de las curvas de permeabi-
lidad frente a polarización de CC.
29 · 16, 6Û A·T
H= = 45,17
10,7 cm
73%
45,17
Figura A.3 Permeabilidad frente intensidad de campo magnético. Fuente: [13].
4.5 Multiplicar el mínimo AL por el nivel de polarización de CC obtenido ante-

riormente para conseguir el AL efectiva.
AL = 258, 52 · 0,73 = 188,72 nH/T 2
4.6 Comprobar el valor de inductancia mínimo que se logra con el AL efectiva y

en nuevo número de vueltas a partir de
N 2 · AL
L= (A.4)
103
Iterar los pasos previos si es necesario para ajustar la inductancia polarizada

hacia arriba o hacia abajo hasta que esté satisfactoriamente cerca del objetivo.
292 · 188, 72
L= = 158, 71 µH (A.5)
103
129
Del resultado hallado en la Ecuación (A.5), se obtiene que la inductancia mínima pa-
ra el núcleo CO58438A2 con 29 vueltas es de 158,71 µH. El requisito de inductancia
(L ≥ 135 µH) es cumplido satisfactoriamente.
Asimismo, Magnetics proporciona un software por medio del cual, al introducir los
parámetros de diseño, te devuelve todos los datos necesarios para la fabricación de la
bobina (número de vueltas, diámetro del hilo de cobre, etc.).
Figura A.4 Sofftware de Magnetics para cálculo de núcleos toroidales.
El software nos ofrece datos muy interesantes como que las pérdidas que se tienen en
la bobinas son de unos 2,89 W o que el incremento de temperatura a plena carga es de
unos 22,5 ◦ C. La inductancia siempre es mayor a 135 µH (a plena carga es de 146 µH y
sin carga de 253 µH).
Otro dato característico es el tamaño del hilo de cobre. Para tener dichas características
necesitamos dar 30 vueltas con un hilo de 11 AWG (American Wire Gauge), siendo las
normas americanas de cableado que asignan un valor numérico al diámetro de un cable
eléctrico o un alambre.
Figura A.5 Tabla de AWG. Fuente: [13]
El hilo de 11 AWG tiene de diámetro 2,38 mm. A la hora de fabricar manualmente

la bobina resultará muy dificil trabajar con tal tamaño de hilo, por lo que se optará por
dar 6 capas de 30 vueltas con hilo de AWG 18 que es más fácil de manejar. Esto equivale,
según la Figura A.5, a una sección de 5,65 mm2 que es mayor que la sección del hilo de 11
AWG, por lo que se conseguirán reducir las pérdidas de la bobinas al reducir las pérdidas
en el cobre.
En la Figura A.6 se observa como la inductancia no varía, pero hemos conseguido

reducir 2◦ C el incremento de temperatura y reducir las pérdidas en el cobre. Cabe señalar
que es posible dar 6 capas de 30 vueltas con un hilo de 18 AWG, ya que el factor de
llenado de la bobina es del 39,7 %.
131
Figura A.6 Características al cambiar el tamaño del hilo de cobre.

apéndice B
Estudio y cálculo de los disipadores
Este apéndice esta dedicado a determinar la necesidad de utilizar o no disipadores en

los MOSFET y, en caso afirmativo, su correspondiente cálculo.
Las formas de transmisión de calor son: radiación, convección y conducción. A la ho-

ra de llevar a cabo los cálculos de la disipación de calor, se tendrán en cuenta tanto la
convección como la conducción. La radiación no será considerada debido a que es una
magnitud despreciable.
Se puede establecer una correspondencia entre la Ley de Ohm y la propagación tér-

mica mediante la siguiente tabla de equivalencias:
Analogía térmica con la ley de Ohm

Intensidad (I) Calor (W)
Tensión (V) Temperatura (T)
Resistencia eléctrica (R) Resistencia térmica (R)
V=I·R T=W·R
Tabla B.1 Equivalencia de un circuito eléctrico con la propagación térmica.
Las unidades son W (watios), T (◦ C) y R (◦ C/W ). La resistencia térmica es «la capaci-

dad que tiene un material de oponerse al paso de un flujo calorífico» [17]. En la actualidad,
la medida de la resistencia térmica se da en K/W , pero como son medidas diferenciales,
a todos los efectos 1 ◦ C/W = 1 K/W .
Para el caso de no tener disipador, el circuito térmico sería el siguiente [17]
133
134 ESTUDIO Y CÁLCULO DE LOS DISIPADORES
Rja
Tj Ta
Figura B.1 Circuito térmico sin disipador.
T = Tj − Ta = W · Rja donde
W ≡ Calor disipado por el efecto Joule [W ]
Tj ≡ Temperatura de la unión [◦ C]
Rja ≡ Resistencia térmica unión-ambiente [◦ C/W ]
Ta ≡ Temperatura ambiente [◦ C] (B.1)
A través de la expresión anterior, se obtendrá la temperatura que alcanzará la unión

sabiendo la potencia que disipa, la temperatura ambiente y la resistencia térmica unión-
ambiente (se puede conseguir de la hoja de características del fabricante). Dicha tempe-
ratura deberá ser menor que la temperatura máxima que soporta el dispositivo semicon-
ductor, indicada por fabricante. De lo contrario, será necesario el uso de un disipador.
Por el contrario, si tenemos un disipador, el circuito térmico es [17]
Rjc Rcd Rda

Tj Ta
W
Figura B.2 Circuito térmico con disipador.
T = Tj − Ta = W · (Rjc + Rcd + Rda ) donde

W ≡ Calor disipado por el efecto Joule [W ]
Tj ≡ Temperatura de la unión [◦ C]
Rjc ≡ Resist. térmica unión-cápsula [◦ C/W ]
Rcd ≡ Resist. térmica cápsula-disipador [◦ C/W ]
Rda ≡ Resist. térmica disipador-ambiente [◦ C/W ]
Ta ≡ Temperatura ambiente [◦ C] (B.2)
Se quiere conocer la necesidad de colocar o no un disipador para los dispositivos semi-

conductores del circuito. Se considerarán los MOSFET debido a que son los únicos con
unas pérdidas lo suficientemente considerables para que sus temperaturas se eleven nota-
135
blemente
Los MOSFET tienen un encapsulado TO-220. Siguiendo la Ecuación (B.1), la tempe-

ratura de la unión depende de la potencia disipada por el dispositivo y de la Rthj−amb ,
que puede ser consultada en la hoja de características del MOSFET. Para el MOSFET
STP130N8F7, la Rthj−amb es de 62.5 ºC/W [16]. Se supone una temperatura ambiente de
unos 25 ºC. La temperatura de la unión de los dos MOSFET queda
Tj(HS) = W · Rja + Ta = 2, 54 · 62,5 + 25 = 183, 75 ◦ C

Tj(LS) = W · Rja + Ta = 0, 81 · 62,5 + 25 = 75, 63 ◦ C (B.3)
El MOSFET que alcanza más temperatura es el de lado alto. Consultado la hoja de

características del transistor, el rango de temperaturas de operación de la unión es de
-55 ºC a 175 ºC [16], siendo necesario el uso de un disipador.
Figura B.3 Esquema del montaje del disipador. Fuente: [33].
La Figura B.3 ilustra la unión y montaje MOSFET-disipador. Se debe colocar un

aislante eléctrico entre el transistor y el disipador para evitar cortocircuitos, pero que a
su vez, sea conductor del calor. Existen muchos materiales, optándose esta vez por un
compuesto de goma de silicona y fibra de vidrio, conocido como Sil-Pad, con un mejor
rendimiento que la mica. Su resistencia térmica (Rcd ) es de 0,57 ºC/W [34]. Por otra
parte, la Rjc del MOSFET es de 0,73 ºC/W [16].
Figura B.4 Aislante térmico de Sil-Pad para TO-220. Fuente: [34].
Se pretende un disipador para los dos MOSFET, de forma que el circuito térmico
queda de la siguiente manera:
136 ESTUDIO Y CÁLCULO DE LOS DISIPADORES
Tj Tj
Rjc Rjc
W W
Rcd Rcd
Rda
Ta
Figura B.5 Circuito térmico de dos MOSFET sobre un disipador.
Supondremos que la situación es simétrica para facilitar los cálculos considerando el

caso más desfavorable, es decir, ambos transistores alcanzan sin disipador los 183,75 ºC.
En este caso, el circuito equivalente es:
Tj
Rjc + Rcd
2
Rda
Ta
Figura B.6 Circuito térmico equivalente de dos MOSFET sobre un disipador.
Se desea que la temperatura no supere los 50 ºC. Entonces la resistencia térmica del
disipador
[ ]
Rjc + Rcd
Tj = W · + Rda + Ta ≤ 50 ◦ C
2
50 − Ta Rjc + Rcd
Rda ≤ −
W 2
50 − 25 0, 73 + 0, 57
Rda ≤ − = 9, 19 ◦ C/W (B.4)
2, 54 2
El disipador Fischer Elektronik SK400-37,5SA tiene una Rda de 8 ºC/W y cumple las
137
especificaciones.
Con respecto a los MOSFET que controlan la carga fija y variable, el que más disipa es
el segundo, debido que el primero solo puede recibir 0,6 A por la resistencia fija de 20 Ω. Sin
embargo, el otro podría soportar hasta la corriente de salida máxima (16,67 A), disipando
así hasta un máximo de 1,61 W. Sustituyendo con esta potencia en la Ecuación (B.1), se
obtiene una temperatura de unión de 125,73 ºC. Por esta razón, no se necesita la utilización
de un disipador. No obtante, por motivos de seguridad, se introducirá un disipador para
bajar la temperatura de la unión y minimizar los posibles riesgos de quemaduras a las
personas que manipulen el convertidor, siendo nuevamente válido el disipador anterior.
apéndice C
Cálculos del circuito de

acondicionamiento PWM - MOSFET
En el presente apéndice se desglosarán las diferentes operaciones para implementar

todos los elementos que conforman el circuito de acondicionamiento de las señales PWM
hasta los MOSFET. Como se menciona anteriormente en el Capítulo 4, el circuito de acon-
dicionamiento se divide en tres partes, dentro de las cuales, se desarrollarán los cálculos
necesarios.
C.1. Filtro paso bajo

Para diseñar el filtro paso bajo necesitamos saber su frecuencia de corte. Se tomará
como frecuencia de corte una década por encima de la frecuencia de conmutación del
convertidor, por lo que la frecuencia de corte será de 100 kHZ.
La frecuencia de corte en un filtro paso bajo es igual a:
Figura C.1 Filtro paso bajo.
1
fc = (C.1)
2π · R · C
139
140 CÁLCULOS DEL CIRCUITO DE ACONDICIONAMIENTO PWM - MOSFET
El valor de la resistencia suele estar entorno a los kΩ. Se ha elegido una resistencia de
1 kΩ para el filtro, por lo que el valor del condensador se obtiene a partir de la Ecuación
(C.1). Despejando se halla la capacidad del condensador
1 1
C= = = 1,59 · 10−9 F = 1,59 nF (C.2)
2π · fc · R 2π · 10 · 10
5 3
Puesto que 1.59 nF no es un valor comercial, se escogerá el valor comercial más cercano,
que es 1.8 nF.
C.2. Driver
Del driver se necesita calcular el circuito de arranque Bootstrap. Este circuito esta
compuesto por un condensador CBOOT , un diodo de recuperación rápido DBOOT y una
resistencia RBOOT . Se seguirá el procedimiento de diseño dado en el datasheet del driver
y de una guía para el diseño de circuitos Bootstrap [23] [24].
Figura C.2 Circuito Bootstrap. Fuente: [24].
Para elegir el valor correcto de CBOOT , el MOSFET externo se puede ver como un
condensador equivalente. Este condensador CEXT está relacionado con la carga de puerta
total de MOSFET según la siguiente expresión
Qgate
CEXT = (C.3)
Vgate
Consultando la hoja de datos del MOSFET, se tiene que Qgate son 60 nC y que Vgate es igual a 10 V
[16].
60 · 10−9
CEXT = = 6 nF (C.4)
10
La relación entre los condensadores CEXT y CBOOT es proporcional a la pérdida de voltaje
RESISTENCIAS DE PUERTA 141
cíclica y tiene que cumplir

CBOOT >>> CEXT (C.5)
Por consiguiente, se ha tomado un CBOOT = 600 nF . Como no es un valor comercial,

finalmente será de 0,56 µF .
La resistencia RBOOT suele estar entre 5 − 10 Ω, ya que una mayor resistencia haría
que el condensador CBOOT tenga un mayor tiempo de carga, ocasionando funcionamientos
no deseados. Se ha optado por una resistencia de 10 Ω, debiéndose verificar la constante
de tiempo
RBOOT · CBOOT 10 · 0, 56 · 10−6
τ= = = 22, 4 µs (C.6)
D 0, 25
El tiempo del ciclo de trabajo durante el cual se cargará CBOOT es
(1 − D) · Ts = 0, 75 · 10−4 = 75 µs (C.7)
En consecuencia, el condensador tiene tiempo suficiente para cargarse y 10 Ω es un valor

aceptable. Si queremos hallar el rango de ciclos de trabajo para los cuales sirve dicha
RBOOT , se debe resolver la siguiente ecuación
RBOOT · CBOOT
τ= < (1 − D) · Ts
D
RBOOT · CBOOT
D2 − D + <0 (C.8)
Ts
Sustituyendo y resolviendo, se obtiene que con una RBOOT de 10 Ω el rango de D para

los cuales el CBOOT tiene tiempo para cargarse son 0, 064 < D < 0, 936. Dicha resistencia
es válida para la gran mayoría de los ciclos de trabajo, por lo que finalmente se escoge.
El diodo DBOOT para el driver será un S1M del fabricante Vishay. Tiene la capacidad
de aguatar hasta 1 A, bloquear 1 kV y un rápido tiempo de recuperación (1, 8 µs) [26].
C.3. Resistencias de puerta
La velocidad de conmutación de los transistores se pueden controlar mediante los

valores de resistencias de puerta de encendido y apagado. En esta sección se describen
las reglas básicas para que los valores de las resistencias de puerta obtengan el tiempo y
la velocidad de conmutación deseados. Para ello, se utilizará la resistencia equivalente de
entrada y de salida del driver, RDRV (ON ) y RDRV (OF F ) respectivamente.
Figura C.3 Circuito equivalente de controlador de puerta. Fuente: [24].
1. Dimensionamiento de la resistencia de puerta de encendido (Rg(on) )

Parámetros que se necesitan conocer de las hojas de características del driver y de los
MOSFET se muestran en la siguiente tabla [16] [23]
MOSFET Driver
Qgs = 25 nC
Qgd = 15 nC VCC = 12 V
Cgd ≡ Crss = 110 pF ISOU RCE = 2 A
VGS(th)M AX = 4, 5 V ISIN K = 2, 5 A
VGS(th)M IN = 2, 5 V
Tabla C.1 Parámetros necesarios para calcular las resistencias de puerta.
El tiempo de encendido mínimo del MOSFET, según su hoja de datos, es de 350 ns [16].
Un valor típico es coger como tiempo de encendido alrededor del 1 % del periodo de con-
mutación del convertidor [24]. Si esta es de 0.0001 s entonces el tiempo de encendido del
MOSFET sería 1000 ns. Como se puede coger este tiempo aún más rápido, se optará final-
mente por 500 ns. Sustituyendo los datos anteriores y siguiendo las sucesivas ecuaciones
se obtiene el valor de la resistencia de encendido:
Qgs + Qgd 25 · 10−9 + 15 · 10−9

Ig(avr) = = = 0,08 A = 80 mA (C.9)
tsw 500 · 10−9
VCC − VGS(th) 12 − 4,5

RT otal = = = 93,75 Ω (C.10)
Ig(avr) 0,08
RESISTENCIAS DE PUERTA 143
VCC 12
RDRV (ON ) = = =6Ω (C.11)
ISOU RCE 2
Rg(on) = RT otal − RDRV (ON ) = 93,75 − 6 = 87,75 Ω (C.12)
La resistencia de puerta de encendido debe estar entorno a 87,75 Ω. Como no es un valor

comercial, se cogerá la más cercana que es la de 88, 7 Ω.
Aunque no es necesario, en el convertidor se colocará un filtro RC entre la resistencia

de puerta de encendido y el pin OUT del driver (en el caso del MOSFET de lado alto)
o masa (en el caso del MOSFET de lado bajo). La frecuencia de corte del filtro será una
década por encima de la frecuencia de conmutación del convertidor. Al tener fijada la
resistencia del filtro RC el valor del condensador se obtiene fácilmente sustituyendo:
1 1 1
fc = =⇒ C = = ≈ 17,68 nF (C.13)
2π · R · C 2π · R · fc 2π · 91 · 105
El valor del condensador comercial más cercano es de 18 nF .
2. Dimensionado de la resistencia de puerta de apagado (Rg(off ) )

El peor caso para dimensionar la resistencia de apagado es cuando el drenador del MOS-
FET, en estado de apagado, es forzado a conmutar por eventos externos. En este caso,
una diferencia de tensión en el nodo de salida induce una corriente parásita a través de
Cgd que fluye en RG(OF F ) y RDRV (OF F ) como se muestra en la Figura C.4. La siguiente
ecuación relaciona la tensión umbral puerta-fuente del MOSFET con esa diferencia de
voltaje (dv/dt) [24].
[ ] [ ]
dVout
Vgs(th) ≥ (Rg(of f )+RDRV (OF F ) ) · Cgd · = (Rg(of f )+RDRV (OF F ) ) · Ig(avr) (C.14)
dt
Despejando Rg(of f ) :
Vgs(th)
Rg(of f ) ≤ − RDRV (OF F ) (C.15)
Ig(avr)
La resistencia equivalente de salida del driver en desconexión es:
VCC 12
RDRV (OF F ) = = = 4,8 Ω (C.16)
ISIN K 2,5
Sustituyendo la Ecuación (C.16) en la Ecuación (C.15), obtenemos la resistencia de puerta

de apagado
2,5
Rg(of f ) ≤ − 4,8 = 26,45 Ω (C.17)
0,08
El valor comercial más bajo de 26,45 Ω es 24 Ω.
Figura C.4 Rutas de corriente: interruptor de lado bajo desactivado, interruptor de lado
alto encendido. Fuente: [24].
3. Diodo Schottky
Se ha elegido el diodo Schottky STPS2L30 de STMicroelectronics, ya que tiene tensiones
umbral muy bajas y un tiempo de conmutación muy rápido. Además, es capaz de conducir
hasta 2 A y soportar una tensión de 30 V, válidos para la aplicación deseada.
iM1
iM2
Figura C.5 Gráfica de las tensiones umbrales del diodo Schooky STPS2L30. Fuente: [35].
apéndice D
Estudio y cálculo de pérdidas
En este apéndice se va a llevar a cabo un estudio sobre las pérdidas acontecidas en

el convertidor. Dicho estudio engloba las pérdidas más notables, producidas en la etapa
de potencia, despreciando las posibles pérdidas de la etapa de control y sensado por
ser ínfimas frete a las anteriores. Por tanto, se calcularán las pérdidas generadas en los
MOSFET, la bobina y los condensadores, tanto de entrada y salida. Muchas de estas
pérdidas de potencia, en forma de disipación de calor, se simbolizan con el símbolo de una
resistencia en serie del elemento al que representa. Por consiguiente, pueden ser calculadas
como
2
P = Irms · R [W ] (D.1)
Será necesario obtener las corrientes eficaces de cada uno de los dispositivos.
D.1. Corrientes eficaces
IIN IQ1
ICIN Q1
ON IL L IO
OFF
C
VIN CIN
IQ2
ICO
Q2 CO RL VOUT
C
Current which flows at tON Current which flows at tOFF
Figura D.1 Circuito del convertidor Buck sincrono. Fuente: [36].
145
146 ESTUDIO Y CÁLCULO DE PÉRDIDAS
A continuación, se recuerda el flujo de corriente por el convertidor reductor síncrono,

Figura D.1 y las formas de corriente de cada uno de sus elementos, Figura D.2.
tON tON tON

C
tOFF tOFF tOFF
t
IO
IQ1
IIN
t
IO
IQ2
t
IO ΔIL
IL
t
ICO t
IO IIN
ICIN t
IIN
Figura D.2 Formas de onda de la corriente de cada componente. Fuente: [36].
CORRIENTES EFICACES 147
a) Bobina
En la Figura D.3 se puede apreciar como la forma de onda de la corriente del inductor es
una onda periódica que contiene una componente de continua.
IO ΔIL
IL
t
Figura D.3 Forma de onda de la corriente del inductor. Fuente: [36].
En ese caso, el valor eficaz es

√
iL,rms = i2L,rmsCC + i2L,rmsCA (D.2)
Su forma de onda esta compuesta por una onda triangular periódica y una componente
de continua, cuyos valores eficaces son conocidos.
Figura D.4 Valores eficaces de las ondas triangular y constante.
Entonces, sustituyendo cada valor eficaz en la Ecuación (D.2) y sabiendo que ⟨iL ⟩ = Io ,
la corriente eficaz de la bobina queda
√( )2 √ √
∆iL ∆i2L 3, 332
iL,rms = √ + ⟨iL ⟩2 = + Io2 = + 16, 672 = 16, 78 A (D.3)
3 3 3
b) MOSFET
Las corrientes eficaces de los dos MOSFET se puede obtener de manera muy parecida.
IO ΔIL
IL
t
IO
IQ1
IIN
t
IO
IQ2
t
Figura D.5 Forma de onda de la corriente de los MOSFET. Fuente: [36].
Ambas corrientes se componen nuevamente de una onda triangular periódica y una

componente continua. Sin embargo, para el MOSFET de lado alto el periodo es D · T del
periodo de la corriente por el inductor mientras que para el MOSFET de lado bajo es
(1 − D) · T . En consecuencia, sus corrientes eficaces son respectivamente
v [( ] √
u )2 [ 2 ]
u ∆i ∆i
= tD ·
L
iM 1,rms √ + ⟨iL ⟩2 = D · L
+ Io2 =
3 3
√ [ ]
3, 332
= 0, 25 + 16, 672 = 8, 39 A (D.4)
3
v [( ] √
u )2 [ 2 ]
u ∆i ∆iL
iM 2,rms t
= (1 − D) · √ L
+ ⟨iL ⟩ = (1 − D) ·
2 2
+ Io =
3 3
√ [ ]
3, 332
= (1 − 0, 25) 2
+ 16, 67 = 14, 53 A (D.5)
3
CORRIENTES EFICACES 149
c) Condensadores La corriente eficaz del condensador de salida se calcula fácilmente

debido a que su forma de onda es triangular.
ICO t ΔIL
Figura D.6 Forma de onda de la corriente del condensador de salida. Fuente: [36].
∆iL 3, 33
iCO ,rms = √ = √ = 1, 93 A (D.6)
3 3
En cuanto a la corriente eficaz del condensador de entrada, está compuesta por una
componente continua de valor −Iin y la forma de onda periódica del MOSFET de lado
alto, que a su vez esta compuesto de una componente continua y una onda periódica
triangular.
ΔIL IO IIN
ICIN t
IIN
Figura D.7 Forma de onda de la corriente del condensador de entrada. Fuente: [36].
Sabiendo que la relación entre la corriente de entrada y salida en un convertidor Buck

es Iin = D · Io , la corriente eficaz se puede expresar
v [( ] √
u )2 [ 2 ]
u ∆i ∆i
= tD ·
L
iCin,rms √ + ⟨iL ⟩2 − Iin
2
= D· L
+ Io2 − D2 Io2 =
3 3
√ [ ]
3, 332
= 0, 25 · + 16, 672 − 0, 252 · 16, 672 = 7, 28 A (D.7)
3
D.2. Pérdidas en los MOSFET

Son muchas las pérdidas acaecidas en los MOSFET, pero solo se han tomado en cuen-
ta las pérdidas más influyentes como las de conducción, conmutación y tiempo muerto.
Otras como las pérdidas de recuperación inversa del diodo, las de carga de la puerta o la
de capacitancia de salida han sido despreciadas por ser menos significativas en compara-
ción con las anteriores. La Figura D.8 muestra las distintas pérdidas consideradas en los
MOSFET.
Ⓑ
Ⓒ Ⓐ Ⓓ tOFF
tr tON tf
VIN
VSW
tDf tDr
Ⓔ Ⓕ
IL
t
Pérdidas de conducción
Pérdidas de conmutación
Pérdidas de tiempo muerto
Figura D.8 Forma de onda de los MOSFET y pérdidas. Fuente: [38].
a) Pérdidas de conducción:
Las pérdidas de conducción se calcula entre la sección A y la sección B de la forma de
onda en la Figura D.8. Cada MOSFET tiene un elemento resistivo, por lo que disipa la
energía a medida que la corriente fluye a través del dispositivo. El parámetro resistivo se
describe como RDS(on) y puede ser hallado en la hoja de características del dispositivo,
siendo en nuestro caso de 5,8 mΩ [16]. Se pueden hallar según la expresión
Pcond = (Irms )2 · RDS(on) (D.8)

PÉRDIDAS EN LOS MOSFET 151
donde IRM S es la corriente eficaz que atraviesa cada MOSFET. Sustituyendo, las pérdidas
por conducción en los MOSFET son de
2
Pcond = Pcond(HS) + Pcond(LS) = (IHS,rms 2
+ ILS,rms ) · RDS(on) = 1, 63 W (D.9)
b) Pérdidas de conmutación:
Por otra parte, los MOSFET tienen un tiempo de conmutación finito, por lo tanto, las
pérdidas de conmutación provienen de los voltajes dinámicos y las corrientes que deben
manejar los MOSFET durante el tiempo que les lleva encender o apagar. Corresponde
con las secciones C y D o las secciones E y F de la Figura D.8. Dado que la ecuación
para calcular el área de los dos triángulos es similar a la ecuación para calcular las pér-
didas de potencia durante las transiciones ascendente y descendente, este cálculo puede
aproximarse utilizando una ecuación geométrica simple. Las pérdidas de conmutación del
MOSFET de lado alto pueden ser calculadas con la siguiente ecuación [39]
1
PSW −H = · Vg · Io · (tr + tf ) · fs (D.10)
2
donde tr y tf son el tiempo de subida y bajada del MOSFET, siendo de 210 ns y 120 ns
respectivamente [16].
1
PSW −H = · 48 · 16, 67 · (210 · 10−9 + 120 · 10−9 ) · 104 = 1, 32 W (D.11)
2
El MOSFET del lado bajo se activa a la tensión de la puerta mientras su diodo interno
está encendido. Luego, al apagarse a la tensión de puerta, la corriente de carga continúa
circulando en la misma dirección a través del diodo interno. Se enciende y apaga con su
voltaje drenador-fuente igual al voltaje del diodo interno. Por ello, la tensión de drenaje
se mantiene baja. En consecuencia, la pérdida de conmutación, se convierte en mínima y
prácticamente se puede despreciar. De todas formas, se calcular de acuerdo a la siguiente
expresión [38]
1
PSW −L = · VD · Io · (tr + tf ) · fs (D.12)
2
donde VD es la tensión de polarización directa del diodo interno, siendo de 1,2 V [16].
1
PSW −L = · 1, 2 · 16, 67 · (210 · 10−9 + 120 · 10−9 ) · 104 = 0, 03 W (D.13)
2
c) Pérdidas de tiempo muerto:

Cuando tanto el MOSFET del lado alto como el MOSFET del lado bajo se activan simul-
táneamente, se produce un cortocircuito entre la tensión de entrada y masa, generándose
un pico de corriente muy grande. Para evitar esto, el tiempo muerto está configurado para
apagar ambos MOSFET, aunque la corriente del inductor fluya continuamente. Durante
el tiempo muerto, esta corriente del inductor fluye hacia el diodo interno del MOSFET
de lado bajo. La pérdida de tiempo muerto se calcula entre la sección E y la sección F de
la forma de onda en la Figura D.8, utilizando la siguiente fórmula [39]
PD = VD · Io · (tDr + tDf ) · fs (D.14)
El tiempo muerto se ha fijado en 1 µs, resultando
PD = 1, 2 · 16, 67 · (1 · 10−6 + 1 · 10−6 ) · 104 = 0, 4 W (D.15)
Las pérdidas totales en los MOSFET son
PM OSF ET = Pcond + PSW −H + PSW −L + PD = 3, 38 W (D.16)
D.3. Pérdidas en la bobina

Se producen dos pérdidas fundamentalmente en el inductor, las pérdidas del cobre y
las pérdidas del núcleo.
a) Pérdidas del núcleo:

Las pérdidas del núcleo se generan al cambiar el flujo del campo magnético dentro de un
material, ya que ningún material magnético exhibe una respuesta magnética perfectamen-
te eficiente. Pueden aproximarse a partir de los gráficos de pérdidas del núcleo mediante
la densidad de flujo magnético de pico (Bpk ). La densidad de flujo (B) es una función no
lineal del campo de magnetización (H), que a su vez es función del número de vueltas
(N ), la corriente (I) y la longitud efectiva de la trayectoria magnética (Le ) y su sección
(Ae ), de 10,7 cm y 1,99 cm2 respectivamente para el núcleo C058438A2 [32]. El valor
de Bpk normalmente se puede determinar calculando primero H en cada extremo de la
corriente:
[ ( )]
N ∆iL A·T
HCAmax = Io + ≈ 56, 1
l 2 cm
[ e ( )]
N ∆iL A·T
HCAmin = Io − ≈ 37, 4 (D.17)
le 2 cm
A partir de HCAmax , HCAmin y la curva de magnetización de CC del núcleo, se pueden

determinar BCAmax , BCAmin y, por lo tanto, Bpk .
PÉRDIDAS EN LA BOBINA 153
0,7 T
0,52 T
Figura D.9 Curva de magnetización CA. Fuente: [13].
BCAmax ≈ 0, 7 T, BCAmin ≈ 0, 52 T
∆B 0, 7 − 0, 52
Bpk = = = 0, 09 T (D.18)
2 2
Se determina la densidad de pérdida del núcleo a partir de la tabla.
34 mW/cm3
Figura D.10 Curva de densidad de pérdida del núcleo. Fuente: [13].

Conociendo las dimensiones del núcleo
Pcore = P L · Le · Ae = 34 · 10−3 · 10, 7 · 1, 99 = 0, 72 W (D.19)
b) Pérdidas del cobre

Las pérdidas del cobre es el término que se suele dar al calor producido por las corrientes
eléctricas en los conductores de los devanados de la bobina. Las pérdidas del cobre resultan
del calentamiento Joule y, por lo tanto, también se las denota con una resistencia RL , que
se expresa
lb
RL = ρcopper (D.20)
Aw
siendo ρcopper la resistividad del cobre, lb la longitud del cable y Aw la sección del cable,
notase en la Figura D.11
core
wire bare area
AW
core window
area WA
Figura D.11 El devanado debe estar en el área de la ventana central. Fuente: [2]
En el Apéndice A se encuentran todos los cálculos realizados para la obtención tanto

del núcleo como del número de vueltas y el tipo de cable necesario (AAW G18 = 0, 82 mm2 ,
N = 30, lb = 2303, 3 mm). Así, RL resulta
Aw = 0, 82 · 6 = 4, 92 mm2
lb = 2303, 3 mm
Ω · mm
ρcopper = 0, 0171
mm2
RL = 8 mΩ (D.21)
Por tanto, las pérdidas del cobre son
Pcopper = RL · (IL,rms )2 = 0, 008 · 16, 782 = 2,25 W (D.22)
Las pérdidas en la bobina quedan como la suma de Pcopper y Pcore , dando un total de
2,97 W.
PÉRDIDAS EN LOS CONDENSADORES 155
D.4. Pérdidas en los condensadores

Las pérdidas en los condensadores se deben a su ESR
PC = PCin + PCo = (ICin,rms )2 · ESR(Cin) + (ICo,rms )2 · ESR(Co) (D.23)
Como la resistencia serie del condensador de entrada es 0,63 Ω y el de salida es 0,059 Ω

[19] [15], sustituyendo se obtiene
PC = PCin + PCo = 7, 282 · 0, 63 + 1, 932 · 0, 059 = 33, 39 + 0, 22 = 33, 61 W (D.24)
Así pues, las pérdidas totales en el convertidor son
PBuck = PM OSF ET + PL + PC = 39, 96 W (D.25)
Una vez conocidas las pérdidas totales, la eficiencia se puede calcular con la siguiente
ecuación [39]
Po 200
η= · 100 = · 100 = 83, 35 % (D.26)
Po + PBuck 200 + 39, 96

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DISEÑO DE CONVERTIDOR DC/DC

Alberto Jiménez de la Peña

TRABAJO FIN DE GRADO PARA Alberto Jiménez de la Peña

TECNOLOGÍAS INDUSTRIALES Airán Francés Roger

Escuela Técnica Superior de Ingenieros Industriales

Grado en Ingeniería en Tecnologías Industriales

Trabajo Fin de Grado

Diseño de convertidor DC/DC con control remoto para

Autor: Alberto Jiménez de la Peña

Director: Airán Francés Roger

No puedo olvidarme de mi hermano Javier, fuente de mi motivación y sentimiento de

Finalmente, a todas aquellas personas que se me han cruzado a lo largo de la carrera

El presente Trabajo Fin de Grado consiste en el estudio, diseño, construcción y en-

Para ello, se ha procedido a analizar teóricamente su funcionamiento, obteniendo sus

Finalmente, se comprobará su correcto diseño y funcionamiento a través de ensayos

Palabras clave: electrónica de potencia, convertidor reductor síncrono, simulación

Códigos UNESCO: 330000, 330700, 330703

Keywords: power electronics, synchronous Buck converter, modular real-time sys-

UNESCO Nomenclature: 330000, 330700, 330703

Índice de Figuras xix

Índice de Tablas xxi

Lista de Símbolos xxvi

Lista de Acrónimos xxviii

2. Estado del arte 7

3. Control del convertidor 19

4. Diseño teórico del convertidor 35

5. Diseño real del convertidor 43

8. Conclusiones y lineas futuras 111

9. Planificación temporal y presupuesto 113

A. Cálculos de la bobina 127

B. Estudio y cálculo de los disipadores 135

C. Cálculos del circuito de acondicionamiento PWM - MOSFET 141

D. Estudio y cálculo de pérdidas 147

1.1. Esquema básico de una fuente de alimentación regulada. Fuente: [1]. . . . . 2

2.1. Estados de funcionamiento del convertidor Buck. . . . . . . . . . . . . . . 7

3.1. Diagrama de bloques de un lazo cerrado de control. . . . . . . . . . . . . . 20

3.12. Diagrama de bode de un sistema de segundo orden para distintos factores

4.1. Simulación del modelo ideal de convertidor Buck síncrono en Simulink. . . 37

5.1. Esquemático de la etapa de potencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

5.24. Distintos parámetros que pueden ser modificados. . . . . . . . . . . . . . . 61

6.1. Disposición y huellas de cada componente del convertidor sobre la PCB. . 87

7.1. Inductor del convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93

9.1. EDT del proyecto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

A.1. Selector de núcleos. Fuente: [13]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128

A.5. Tabla de AWG. Fuente: [13] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132

B.1. Circuito térmico sin disipador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136

C.1. Filtro paso bajo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141

D.1. Circuito del convertidor Buck sincrono. Fuente: [36]. . . . . . . . . . . . . . 147

4.1. Especificaciones de diseño del convertidor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

5.1. Tabla con las frecuencias de corte de los lazos de control. . . . . . . . . . . 55

7.1. Resultados del ensayo de eficiencia para diferentes Io . . . . . . . . . . . . . 107

9.1. Lista de actividades del proyecto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114

B.1. Equivalencia de un circuito eléctrico con la propagación térmica. . . . . . . 135

C.1. Parámetros necesarios para calcular las resistencias de puerta. . . . . . . . 144

∆iL Rizado de corriente del inductor del convertidor [A]

∆VC Rizado de tensión del condensador del convertidor [V ]

Cgd Capacitancia puerta-drenador del MOSFET [pF ]

fR Frecuencia de resonancia [kHz]

iC Corriente del condensador [A]