Informe 4
Informe 4
Informe 4
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA I
CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL
TRANSISTOR BJT
PRACTICA N°4
SEMESTRE I / 2022
GRUPO: 2B
FECHA: 13 / 06 / 22
Cochabamba - Bolivia
OBJETIVO.
Determinar experimentalmente las curvas características de los transistores
BJT
OBJETIVOS ESPECÍFICOS.
Determinar la familia de curvas características de entrada, en emisor común.
Determinar la familia de curvas características de salida, en emisor común.
Determinar las zonas de operación del transistor.
Determinar la ganancia de corriente.
FUNDAMENTO TEÓRICO.
• Transistor BJT NPN, en emisor común, La configuración de transistor que más
frecuentemente se encuentra aparece en la figura 1, para el transistor NPN. Se
llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve de
referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para
las terminales base y colector). La corriente de base IB y la de colector IC, entran
al transistor; ambas corrientes salen por el emisor, conocida como corriente de
emisor IE para la ley de Kirchhoff de corrientes: El transistor es visto como un
nodo.
Para el principio de la causalidad (causa efecto), El que tenga que existir una corriente
de colector (efecto), es a causa de existir previamente, la corriente de base; la causa es
la corriente de base y el efecto es la corriente de colector. La IB por lo general es una
corriente muy pequeña, en el orden de los micro amperios (uA), cuando la corriente
de colector IC es mucho mayor, en el orden de los miliamperios (mA) o amperios. La
ley de Kirchhoff de corrientes, permite definir la corriente de emisor:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 (Ec:3.1)
• Curvas características del transistor, se requiere dos conjuntos de
características para describir plenamente el comportamiento de la
configuración en emisor común: Uno, para el circuito de entrada o de base-
emisor y otro para el circuito de salida o de colector-emisor.
• Relaciones entre las corrientes del transistor en la región activa en modo DC,
esta es la región más importante del transistor, cuando se quiere amplificar
una señal; el paso previo a la amplificación es la polarización, que amerita
elegir un punto de operación (punto Q); en este punto se debe definir las
relaciones de corrientes, entre las cuales, se tiene:
𝐼𝐶
𝛼𝐷𝐶 = (Ec:3.2)
𝐼𝐸
𝐼𝐶
𝛽𝐷𝐶 = (Ec:3.3)
𝐼𝐵
• Relaciones entre las corrientes del transistor en la región activa en modo AC,
cuando ya se tiene definido el punto de operación Q, la señal a amplificar,
provoca que este punto se desplace, en su alrededor, entendiendo que va a
existir variaciones de corriente, por tanto, se tiene las siguientes definiciones El
coeficiente beta, en ca: se define como la relación
∆𝐼𝐶
𝛽𝐴𝐶 = | (Ec:3.4)
∆𝐼𝐵 𝑉
𝐶𝐸 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
Voltímetro: Vx Amperímetro: Ax
Vbe Ib
[mV] [𝜇𝐴]
1 0.2 0
2 0,4 0
3 0,5 0
4 0,55 2
5 0,6 20
6 0,65 75
7 0,7 250
8 0,75 410
Circuito para determinar la característica de salida: Para llenar cada columna de la
tabla, primero va ser ajustada la corriente de base a un valor constante (amperímetro
Ix), luego va ser ajustado el voltaje Vce a los valores predefinidos de la tabla
(voltímetro Vy); para cada Vce, se tomará la lectura de la corriente de colector Ic
(amperímetro Iy).
La corriente de base, va ser definida en 6 niveles diferentes, cada valor de Ib permitirá
obtener una curva de la característica de salida.
Voltímetro: Vy Para Ib= 50 uA Para Ib= 100 uA Para Ib= 150 uA Para Ib= 200 uA Para Ib= 250 uA Para Ib= 300 uA
Vce Ic Ic Ic Ic Ic Ic
1 0 0 0 0 0 0 0
3 4 16 33.6 52 75 95 110
4 6 17.5 38 58.5 82 98 119
5 8 18 40 62 85 102 121
PROCESAMIENTO DE LA INFORMACIÓN.
1. A partir de las tablas 1a, 1b y 1c, realice las gráficas de las curvas
características de entrada, identifique cada curva con el parámetro de Vce que
le corresponde; utilice un color diferente para cada curva.
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
-50
mV
para 1.5V para 3V para 4.5V
120
100
80
60
40
20
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
2 2 12.5 250 27.2 272 46.1 307.33 66 330 85 340 101 336.6
3 4 16 320 33.6 336 52 346.66 75 375 95 380 110 366.6
4. Examine las ganancias de corriente DC, de la tabla 3 y pinte con color verde, las
celdas donde la ganancia es prácticamente constante.
Tabla 3: Datos experimentales de la ganancia de corriente DC
Voltímetro: Vy Para Ib= 50 uA Para Ib= 100 uA Para Ib= 150 uA Para Ib= 200 uA Para Ib= 250 uA Para Ib= 300 uA
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
2 2 12.5 250 27.2 272 46.1 307.33 66 330 85 340 101 336.6
3 4 16 320 33.6 336 52 346.66 75 375 95 380 110 366.6
120
100
80
60
40
20
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 9
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
2 2 12.5 250 27.2 272 46.1 307.33 66 330 85 340 101 336.6
3 4 16 320 33.6 336 52 346.66 75 375 95 380 110 366.6
120
100
80
60
40
20
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
V
Ib=50 Ib=100 Ib=150 Ib=200 Ib=250 Ib=300
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
2 2 12.5 250 27.2 272 46.1 307.33 66 330 85 340 101 336.6
3 4 16 320 33.6 336 52 346.66 75 375 95 380 110 366.6
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
2 2 12.5 250 27.2 272 46.1 307.33 66 330 85 340 101 336.6
120
100
80
60
40
20
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
2 2 12.5 250 27.2 272 46.1 307.33 66 330 85 340 101 336.6
CUESTIONARIO.
1. Deducir la expresión, que permita determinar alfa, a partir de beta.
𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝛼𝐷𝐶 = (Ec:3.2) 𝛽𝐷𝐶 = (Ec:3.3)
𝐼𝐸 𝐼𝐵
𝐷𝑒𝑠𝑝𝑒𝑗𝑎𝑛𝑑𝑜 𝐼𝐶 : 𝐼𝐵 ∗ 𝛽𝐷𝐶
𝑰𝑩
𝑃𝑜𝑟 𝑡𝑎𝑛𝑡𝑜: 𝜶𝑫𝑪 = ∗ 𝜷𝑫𝑪
𝑰𝑬
𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝛽𝐷𝐶 = (Ec:3.3) 𝛼𝐷𝐶 = (Ec:3.2)
𝐼𝐵 𝐼𝐸
𝐷𝑒𝑠𝑝𝑒𝑗𝑎𝑛𝑑𝑜 𝐼𝐶 : 𝐼𝐸 ∗ 𝛼𝐷𝐶
𝑰𝑬
𝑃𝑜𝑟 𝑡𝑎𝑛𝑡𝑜: 𝜷𝑫𝑪 = ∗ 𝜶𝑫𝑪
𝑰𝑩
3. Elegir el punto central (aproximado) de la zona verde de la característica de
salida; para luego definir pequeñas variaciones de corriente de colector y de
base, que le permita calcular la ganancia de corriente en alterna (beta en AC).
𝐷𝑎𝑡𝑜𝑠: 38 − 17,5
𝛽𝐴𝐶 =
𝐼𝐶1 = 17,5 𝑚𝐴 ; 𝐼𝐶2 = 38 𝑚𝐴 100 − 50
𝜷𝑨𝑪 = 𝟒𝟏𝟎
𝐼𝐵1 = 50 𝜇𝐴 ; 𝐼𝐵2 = 100 𝜇𝐴
Para determinar beta en DC, solo es necesario leer las corrientes de colector y de
base, correspondiente al punto Q.
𝐼𝐶
𝛽𝐷𝐶 =
𝐼𝐵
𝐷𝑎𝑡𝑜𝑠:
𝐼𝐶2 −𝐼𝐶1 38−17,5
27,75
𝐼𝐶 = + 𝐼𝐶1 = + 17,5 = 27,75 [𝑚𝐴] 𝛽𝐷𝐶 =
2 2 75
𝐼𝐵2 − 𝐼𝐵1 100 − 50 𝜷𝑫𝑪 = 𝟑𝟕𝟎
𝐼𝐵 = + 𝐼𝐵1 = + 50 = 75 [𝜇𝐴]
2 2
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 (𝑠𝑎𝑡) = ⟹ 𝑅𝐶 =
𝑅𝐶 𝐼𝐶 (𝑠𝑎𝑡)
𝐷𝑎𝑡𝑜𝑠: 10
𝑅𝐶 =
27,75
𝑉𝐶𝐶 = 10 [𝑉]
𝑅𝐶 = 𝟑𝟔𝟎 [𝛀]
𝐼𝐶 (𝑠𝑎𝑡) = 27,75 [𝑚𝐴]
120
100
80
60
40
20
Q
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Punto Q : I𝑏 = 50µA
I𝐶 = 17.5 [µA]
V𝐶𝐸 =4.4 [V]
CONCLUSIONES.
Al ser 𝛽 variable, sobre todo con la temperatura, es necesario dotar al
transistor de circuitos de polarización capaces de compensar dichas
variaciones.
Con los circuitos vistos anteriormente, se consiguen las polarizaciones
necesarias del transistor a partir de dos fuentes de alimentación.
Se debe tener en cuenta las aproximaciones realizadas en los cálculos para que
las desviaciones de las condiciones de trabajo sean mínimas.