Parametros ALFA Y BETA Fisca de Semiconductores

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE
MÉRIDA
INGENIERÍA ELECTRÓNICA
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
3EB
UNIDAD 4
Docente:
M.C. Fabiola Zizumbo Chávez
Alumnos:
Pérez Castro Emmanuel (E21081221)
Alfian Quijano Cristofer de Jesús (E21081233)
Carrillo Rodríguez Joel Eduardo (E21081430)
Ojeda Catzin José Yair (E21081219)
Cervera Pérez Christofer Armando (E20080356)
Ku Lopez Angel Alberto (E20080304)

INTRODUCCIÓN
Los transistores de unión o transistores bipolares son unos dispositivos

activos de tres terminales que constituyen el elemento fundamental en multitud de
aplicaciones que van desde la amplificación de señales, al diseño de circuitos
lógicos digitales y memorias.
¿Qué aficionado a la electrónica no ha oído hablar alguna vez de la "Beta"
(β) de un transistor?
hablemos de la “Beta” (β) de un transistor, para algunos quizás el término
"hFE" les será más conocido que el anteriormente mencionado, aunque
básicamente son la misma cosa. Otro parámetro del transistor posiblemente
menos conocido y del que suele hablar se más escasamente, aunque ambos
están íntimamente relacionados como vamos a verán la última sección de este
artículo, es el llamado "Alfa" (α), también denominado “factor de mérito”. En este
trabajo de investigación nos centraremos en definir y calcular ambos parámetros
de corriente en los transistores BJT con la finalidad de tener una exposición
exitosa para la clase de física de semiconductores.
Parámetros de corriente alfa y Beta
La Beta (β) es simplemente la relación entre la corriente de COLECTOR IC

y la corriente de BASE IB, o sea, cuantas veces es mayor la primera que la
segunda. Acudiendo a las matemáticas más elementales podemos expresarlo del
siguiente modo:
Dicho de manera llana, por medio de la Beta (β) sabremos cuantas veces
es mayor la corriente de colector que la corriente de base. Se trata en cierta
manera de evaluar lo "eficaz" que es el transistor haciendo su trabajo. Lo que se
pretende es conseguir que con una corriente muy pequeña en la base se produzca
una corriente mucho mayor en el colector (ganancia), mediante lo cual obtenemos
una determinada "amplificación" de la corriente original de la base.
Algo parecido es el Alfa (α), siendo esta la

relación entre la corriente de COLECTOR IC y la
corriente de EMISOR IE. Lo podemos
representar así:
En este caso, como la corriente de colector es algo menor que la de emisor,

la amplificación o ganancia Alfa, que se obtiene es menor que la unidad. Quizás
esto pueda parecer extraño y un gran inconveniente. Por ahora baste saber que la
"eficiencia" de un transistor será mayor cuanto mayor sea su Alfa (α).
Debemos tener claro que al hablar de corrientes no estamos hablando de
señales, es decir, que en todo lo escrito anteriormente nos estamos refiriendo a
las corrientes continuas de polarización del transistor cuando este no tiene
ninguna señal aplicada. Es por ello por lo que a la Beta (β) se le conoce como
"ganancia del transistor en corriente continua y configuración de emisor común". El
Alfa (α) por su parte es conocida como "ganancia del transistor en corriente
continua y configuración de base común".
Frecuencia: Número de veces que una corriente alterna cambia de
polaridad en 1 segundo. La unidad de medida es el Hertz (Hz) y se la designa con
la letra F. De esta forma si en nuestro hogar tenemos una tensión de 220 V 50 Hz,
significa que dicha tensión habrá de cambiar su polaridad 50 veces por segundo.
Una definición más rigurosa para la frecuencia: Número de ciclos completos de
C.A. que ocurren en la unidad de tiempo.
Fase: Es la fracción de ciclo transcurrido desde el inicio de este, su símbolo
es la letra griega q. Período: Es el tiempo que tarda en producirse un ciclo de C.A.
completo se denomina T. En nuestro ejemplo de una tensión de 220 V 50 Hz su
período es de 20 mseg. La relación entre la frecuencia y el período es F=1/T
Valor instantáneo: Valor que toma la tensión en cada instante de tiempo.
Valor máximo: Valor de la tensión en cada "cresta" o "valle" de la señal.
Valor medio: Media aritmética de todos los valores instantáneos de la señal
en un período dado. Su cálculo matemático se hace con la fórmula:
Valor eficaz: Valor que produce el mismo efecto que la señal C.C.
equivalente. Se calcula mediante:
Valor pico a pico: Valor de tensión que va desde el máximo al mínimo o de
una "cresta" a un "valle”. En las siguientes figuras vemos una señal alterna donde
se han especificado algunos de estos parámetros, la figura a) muestra una onda
alterna donde se ven tanto el valor eficaz, el valor máximo, el valor pico a pico y el
período. En la figura b) vemos dos ondas alternas, de igual frecuencia, pero
desfasadas 90º.
Derivados de la formula
Derivando la fórmula vista anteriormente mediante la que podíamos calcular

la Beta (β), se pueden obtener otras fórmulas interesantes. Por ejemplo, si
conocemos la Beta (β) y la corriente de base de un transistor, es posible calcular
su corriente de colector.
Y si lo que conocemos es la Beta (β) y la corriente de colector, resultará

muy sencillo calcular la corriente de base del transistor mediante la siguiente
fórmula:
Corriente de Fuga
La corriente de fuga es la pérdida involuntaria de corriente eléctrica o

electrones. El término se aplica a menudo a los microprocesadores de
computadora, que son los chips que realizan cálculos y procesan datos. El término
también se aplica a la electrónica.
En electrónica, la corriente de fuga se refiere a la pérdida involuntaria de
energía de un condensador. Un condensador es un componente eléctrico pasivo
que puede crear un campo eléctrico y que puede almacenar energía. El
condensador se descarga lentamente, ya que un poco de corriente eléctrica pasa
a través de los componentes electrónicos del condensador, incluidos los
transistores y los diodos, en todo momento. Incluso cuando el condensador está
apagado, pasa una pequeña cantidad de corriente, lo que causa el problema. La
corriente de fuga en la electrónica también puede referirse a la corriente que fluye
a través de un conductor de tierra.
Las fugas en los transistores hacen que los semiconductores requieran más
energía para funcionar, ya que deben reemplazar la corriente perdida por fugas.
La corriente de fuga también genera calor a medida que se escapa, lo que
conduce a un rendimiento degradado del semiconductor. Cuando el calor de las
fugas se combina con el calor generado por el funcionamiento normal del
semiconductor, puede convertirse en un problema importante. El calor excesivo
puede eventualmente causar fallas en el circuito. Los diseñadores pueden adoptar
varios enfoques diferentes para reducir la cantidad de fugas.
Cuando un diodo tiene polarización inversa, aumenta el ancho de la región
de agotamiento. Generalmente, esta condición es necesaria para restringir la
acumulación de portadora actual cerca de la unión. La mayoría de los portadores
de corriente se niegan principalmente en la región de agotamiento y, por lo tanto,
la región de agotamiento actúa como aislante. Normalmente, los portadores de
corriente no pasan por un aislante.
Se ve que, en un diodo con polarización inversa, algo de corriente fluye a
través de la región de agotamiento, que viene siendo la corriente de fuga, y esta
depende de los portadores de corriente minoritarios. Como sabemos, los
portadores minoritarios son electrones en el material tipo P y huecos en el material
tipo N.
CONCLUSIÓN
En conclusión, vemos que la función Alpha y Beta juega un papel

importante para sacar sus resultados utilizando, no solamente para sacar las
corrientes de los dos, sino también para utilizar ciertos elementos que no se ven
en las matemáticas que todos conocemos debido a que también se está utilizando
las corrientes “colector IC” y “base IB” para la Beta y para el Alpha vemos que se
utilizando también el colector IC, pero en vez de la Base IB se está utilizando el
Emisor IE eso es debido a que los dos parámetros sacan sus valores de diferentes
fuentes de corriente y si hemos aprendido algo de las matemáticas básicas,
podemos realizar las derivadas con los parámetros con sus respectivas unidades.
Bibliografía
Radio electronica.es. (19 de octubre de 2022). El Alfa y la Beta del

transistor BJT. Obtenido de
http://www.radioelectronica.es/component/content/article/1-articulos-teoricos/172-
el-alfa-y-la-beta-del-transistor-bjt
-Dispositivos semiconductores: corriente de fuga. (2020, 10 diciembre).

Stack. Recuperado 18 de octubre de 2022, de
https://isolution.pro/es/t/semiconductor-devices/semiconductor-devices-leakage-
current/dispositivos-semiconductores-corriente-de-fuga
- ¿Qué es una corriente de Fuga? | Grupo ORS. (2020, 27 noviembre).

Grupo Ors. Recuperado 18 de octubre de 2022, de
https://grupoors.com.mx/2019/12/16/corriente-de-fuga/
Diseño electrónico. Circuitos y sistemas
C.J. Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter
Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1ª edición, 1992

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