TDA8922C

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TDA8922C
Amplificador de potencia clase D de 2 × 75
W Rev. 01 — 7 de septiembre de 2009 Hoja de datos del producto
1. Descripción general
El TDA8922C es un amplificador de potencia de audio Clase D de alta eficiencia. La potencia de salida típica es
de 2 × 75 W con una impedancia de carga de altavoz de 6 ÿ.
El TDA8922C está disponible en paquetes de potencia HSOP24 y DBS23P. El amplificador funciona en un amplio
rango de tensión de alimentación de ±12,5 V a ±32,5 V y presenta un bajo consumo de corriente en reposo.
2. Características
ÿ Pin compatible con TDA8950/20C para paquetes HSOP24 y DBS23P ÿ Rango de voltaje de
suministro operativo simétrico de ±12,5 V a ±32,5 V ÿ Entradas diferenciales completas estéreo, se
pueden usar como carga estéreo de un solo extremo (SE) o puente mono (BTL) ÿ Alta potencia de salida
en aplicaciones típicas: • SE 2 × 75 W, RL = 6 ÿ (VDD = 30 V; VSS = ÿ30 V) • SE 2 × 60 W, RL = 8 ÿ
(VDD = 30 V; VSS = ÿ30 V) • BTL 1 × 155 W, RL = 8 ÿ (VDD = 25 V; VSS = ÿ25 V)
ÿ Bajo nivel de ruido
ÿ Arranque y apagado suaves y sin ruidos pop ÿ Cambio de

tiempo muerto cero ÿ Frecuencia fija ÿ Reloj interno o externo
ÿ Alta eficiencia ÿ Baja

corriente de reposo ÿ Estrategia
de protección avanzada: protección de voltaje y limitación de corriente de salida ÿ Reducción térmica
(TFB) ÿ Ganancia fija de 30 dB en SE y 36 dB en aplicaciones BTL ÿ Totalmente a prueba de
cortocircuito a través de la carga ÿ Modulación BD en Configuración BTL
3. Aplicaciones
ÿ DVD
ÿ Mini y micro receptor
ÿ Sistema Home Theater In A Box (HTIAB) ÿ Sistema

de altavoces de alta potencia
Semiconductores NXP TDA8922C

Amplificador de potencia clase D de 2 × 75 W
4. Datos de referencia rápida
Tabla 1. Datos de referencia rápida
Parámetro de símbolo Condiciones Mín Tipo Máx Unidad

General
VDD tensión de alimentación Modo operativo [1] 12,5 30 32,5 V
VSS tensión de alimentación negativa Modo operativo [2] ÿ12,5 ÿ30 ÿ32,5 V
VDD - VSS - 70 voltios
Vth(ovp) tensión umbral de protección contra sesenta y cinco
sobretensiones
coeficiente intelectual (total) corriente de reposo total Modo operativo; sin carga; sin filtro; no - 40 70mA
hay red de amortiguador RC conectada
Configuración estéreo de un solo extremo

potencia de salida [3] - 75 - EN
Después
Tj = 85 °C; LLC = 22 µH; CLC = 680 nF (ver
figura 10); RL = 6 ÿ; THD + N = 10 %;
VDD = 30V; VSS = ÿ30V
Configuración de carga unida a puente mono
potencia de salida [3] - 155 - W
Después
Tj = 85 °C; LLC = 22 µH; CLC = 680 nF (ver
figura 10); RL = 8 ÿ; THD + N = 10 %;
VDD = 25 V; VSS = ÿ25V
[1] VDD es el voltaje de suministro en los pines VDDP1, VDDP2 y VDDA.
[2] VSS es el voltaje de suministro en los pines VSSP1, VSSP2, VSSA y VSSD.
[3] La potencia de salida se mide indirectamente; basado en la medición de RDSon ; consulte la Sección 13.3.
5. Información de pedido
Tabla 2. Información de pedido

Teclea un número Paquete
Nombre Descripción Versión
TDA8922CJ Paquete de energía DBS23P plástico DIL-bent-SIL; 23 cables (longitud del cable recto 3,2 mm) SOT411-1 HSOP24
TDA8922CTH plástico, paquete de contorno pequeño del disipador de calor; 24 derivaciones; baja altura de separación SOT566-3
TDA8922C_1 © NXP BV 2009. Todos los derechos reservados.
Hoja de datos del producto Rev. 01 — 7 de septiembre de 2009 2 de 40


6. Diagrama de bloques
VDDA Carolina del Norte

PROT ESTABI VDDP2 VDDP1
3 (20) 10 (4) 18 (12) 13 (7) 23 (16) 14 (8)

15 (9)
BOTA1
9 (3)
EN 1M CONDUCTOR
APORTE PWM
ALTO
8 (2) ETAPA MODULADOR CONTROL INTERRUPTOR1
IN1P 16 (10)
Y SALIDA1
APRETÓN DE MANOS
CONDUCTOR
silenciar
11 (5) BAJO
Carolina del Norte
POSTES
VSSP1
7 (1)
OSC
TDA8922CTH
SENSOR DE TEMPERATURA
ADMINISTRADOR DE OSCILADORES
6 (23) PROTECCIÓN ACTUAL (TDA8922CJ) VDDP2
MODO MODO
PROTECCIÓN DE TENSIÓN
22 (15)
BOTA2
2 (19)
SGND
CONDUCTOR
silenciar
ALTO
CONTROL
INTERRUPTOR2
21 (14)
5 (22) Y SALIDA2
IN2P
APORTE PWM APRETÓN DE MANOS
CONDUCTOR
4 (21) ETAPA MODULADOR
IN2M BAJO
1 (18) 12 (6) 24 (17) 19 (-) 17 (11) 20 (13) 010aaa549
VSSA Carolina del Norte VSSD Carolina del Norte VSSP1 VSSP2
Los números de clavija entre paréntesis se refieren al número de tipo TDA8922CJ.
Figura 1. Diagrama de bloques


7. Fijación de información
7.1 Fijación
OSC 1
IN1P 2
EN 1M 3
Carolina del Norte 4
PROT 7
VDDP1 8
BOTA1 9
SALIDA1 10
VSSP1 11
VSSD 24 1 VSSA POSTES 12 TDA8922CJ
VDDP2 23 2 SGND VSSP2 13
BOTA2 22 3 VDDA SALIDA2 14
SALIDA2 21 4 IN2M BOTA2 15
VSSP2 20 5 IN2P VDDP2 dieciséis
Carolina del Norte 19 6 MODO VSSD 17

TDA8922CTH
POSTES 18 7 OSC VSSA 18
VSSP1 17 8 IN1P SGND 19
SALIDA1 dieciséis 9 EN 1M VDDA 20
BOTA1 15 10 Carolina del Norte
IN2M 21
VDDP1 14 11 Carolina del Norte
IN2P 22
PROT 13 12 Carolina del Norte
MODO 23
010aaa546 010aaa547
Fig. 2. Configuración de pines TDA8922CTH Fig. 3. Configuración de pines TDA8922CJ


7.2 Descripción de pines
Tabla 3. Descripción del pin
Símbolo Pin Descripción

TDA8922CTH TDA8922CJ
VSSA 1 18 tensión de alimentación analógica negativa
SEGUNDO 2 19 señal de tierra

VDDA 3 20 tensión de alimentación analógica positiva
IN2M 4 21 entrada de audio negativa del canal 2

IN2P 5 22 Entrada de selección de modo de
MODO 6 23 entrada de audio positivo del canal 2: modo de espera, silencio o

funcionamiento
OSC 7 1 ajuste de frecuencia del oscilador o entrada de seguimiento

IN1P 8 2 entrada de audio positiva del canal 1
EN 1M 9 3 entrada de audio negativa del canal 1
Carolina del Norte 10 4 no conectado
PROT 13 7 Condensador de desacoplamiento para protección (OCP)
VDDP1 14 8 tensión de alimentación positiva del canal 1

BOTA1 15 9 Condensador de arranque del canal 1
SALIDA1 16 10 salida PWM del canal 1
VSSP1 17 11 tensión de alimentación negativa del canal 1
PUESTOS 18 12 desacoplamiento del estabilizador interno para alimentación lógica
Carolina del Norte 19 - no conectado
VSSP2 20 13 tensión de alimentación negativa del canal 2

SALIDA2 21 14 salida PWM del canal 2
BOTA2 22 15 Condensador de arranque del canal 2
VDDP2 23 dieciséis
tensión de alimentación positiva del canal 2
VSSD 24 17 tensión de alimentación digital negativa
8. Descripción funcional
8.1 Generalidades
El TDA8922C es un amplificador de potencia de audio de dos canales que utiliza tecnología Clase D.
Para cada canal, la señal de entrada de audio se convierte en una señal de modulación de ancho de pulso (PWM)
digital utilizando una etapa de entrada analógica y un modulador PWM; consulte la Figura 1. Para impulsar los
transistores de potencia de salida, la señal PWM digital se envía a un bloque de control y reconocimiento ya los
circuitos de activación de lado alto y bajo. Este nivel cambia la señal PWM digital de baja potencia de un nivel lógico
a una señal PWM de alta potencia que cambia entre las líneas de suministro principal.
Un filtro de paso bajo de segundo orden convierte la señal PWM en una señal de audio analógica que se puede
usar para controlar un altavoz.


El amplificador Clase D de un solo chip TDA8922C contiene interruptores de alta potencia, controladores,
temporización y protocolo de enlace entre los interruptores de alimentación, junto con cierta lógica de control. Para
garantizar la máxima solidez del sistema, se ha implementado una estrategia de protección avanzada para
proporcionar protección contra sobretensión, sobretemperatura y sobrecorriente.
Cada uno de los dos canales de audio contiene un modulador PWM, un circuito de retroalimentación analógico y una
etapa de entrada diferencial. El TDA8922C también contiene circuitos comunes a ambos canales, como el oscilador,
todas las fuentes de referencia, la interfaz de modo y un administrador de tiempo digital.
Los dos canales de amplificador independientes cuentan con alta potencia de salida, alta eficiencia, baja distorsión
y bajas corrientes de reposo. Se pueden conectar en las siguientes configuraciones:
• Estéreo Single-Ended (SE) • Mono
Bridge-Tied Load (BTL)
El sistema de amplificación se puede cambiar a uno de los tres modos de funcionamiento usando el pin MODE:
• Modo de espera: presenta una corriente de reposo muy baja • Modo
de silencio: el amplificador está operativo pero la señal de audio en la salida se suprime al deshabilitar
las etapas de entrada del convertidor de voltaje a corriente (VI)
• Modo de funcionamiento: el amplificador está completamente operativo, desactivado y puede entregar una salida
señal
Se debe aplicar un voltaje que aumente lentamente (por ejemplo, a través de una red RC) al pin MODE para garantizar
un arranque sin ruido pop. La configuración de corriente de polarización de las etapas de entrada (convertidor VI)
está relacionada con el voltaje en el pin MODE.
En el modo Mute, la configuración de corriente de polarización de los convertidores VI es cero (los convertidores
VI están desactivados). En el modo de funcionamiento, la corriente de polarización es máxima. La constante de
tiempo requerida para aplicar el voltaje de compensación de salida de CC gradualmente entre los niveles de
modo de funcionamiento y silencio se puede generar utilizando una red RC conectada al pin MODE. En la Figura 4
se muestra un ejemplo de un circuito para controlar el pin MODE, optimizado para un rendimiento óptimo de ruido
pop . Si se omitiera el capacitor, la constante de tiempo de conmutación muy corta podría generar ruidos pop audibles
al arrancar (según en el voltaje de compensación de salida de CC y el altavoz utilizado).
+5 V
5,6 kÿ
470 ÿ
MODO
TDA8922C
5,6 kÿ
10 µF
S1 en espera/ en S2
silenciar/operar funcionamiento
SGND
010aaa583
Fig 4. Ejemplo de circuito de selección de modo


Para garantizar que los capacitores de acoplamiento en las entradas (CIN en la Figura 10) estén completamente
cargados antes de que las salidas comiencen a cambiar, se inserta un retraso durante la transición del modo de silencio
al modo operativo. En la Figura 5 se proporciona una descripción general del tiempo de inicio .
salida de audio
(1)
PWM modulado
MODO V Ciclo de
trabajo del 50 %
operando
> 4,2 V
silenciar
2,1 V < MODO V < 2,9 V
apoyar
0 V (SGND)
100ms > 350ms hora
50ms
salida de audio
(1)
PWM modulado
MODO V Ciclo de
trabajo del 50 %
operando
> 4,2 V
silenciar
2,1 V < MODO V < 2,9 V
apoyar
0 V (SGND)
100ms > 350ms hora
50ms 010aaa584
( 1 ) Primer 1ÿ4pulso hacia abajo.
Diagrama superior: Al cambiar de Standby a Mute, hay un retraso de aproximadamente 100 ms antes de que la salida comience a
cambiar. La señal de audio estará disponible una vez que VMODE alcance el nivel de modo operativo (consulte la Tabla 8), pero no
antes de 150 ms después de cambiar a Silencio. Para iniciar pop sin ruido, se recomienda que la constante de tiempo aplicada al pin
MODE sea de al menos 350 ms para la transición entre los modos de silencio y funcionamiento.
Diagrama inferior: cuando se cambia directamente del modo de espera al modo operativo, hay un retraso de 100 ms antes de
que las salidas comiencen a cambiar. La señal de audio está disponible después de un segundo retraso de 50 ms. Para iniciar
pop sin ruido, se recomienda que la constante de tiempo aplicada al pin MODE sea de al menos 500 ms para la transición entre los
modos de espera y funcionamiento.
Fig. 5. Temporización en el pin de entrada de selección de modo MODE


8.2 Frecuencia de modulación de ancho de pulso

La señal de salida del amplificador es una señal PWM con una frecuencia portadora típica de entre 250 kHz y
450 kHz. Un filtro de demodulación LC de segundo orden en la salida convierte la señal PWM en una señal de
audio analógica. La frecuencia de la portadora está determinada por una resistencia externa, ROSC, conectada
entre los pines OSC y VSSA. La configuración óptima de la frecuencia portadora está entre 250 kHz y 450 kHz.
La frecuencia portadora se establece en 345 kHz conectando una resistencia externa de 30 kÿ entre los pines OSC
y VSSA. Consulte la Tabla 9 para obtener más detalles.
Si se utilizan dos o más amplificadores Clase D en la misma aplicación de audio, se recomienda

utilizar un circuito de reloj externo con todos los dispositivos (consulte la Sección 13.4).
Esto asegurará que funcionen en la misma frecuencia de conmutación, evitando así los tonos de pulsación (si
las frecuencias de conmutación son diferentes, se pueden generar interferencias audibles conocidas como "tonos
de pulsación").
8.3 Protección
Los siguientes circuitos de protección están incorporados en el TDA8922C:
• Protección térmica:
– Repliegue térmico (TFB)
– Protección contra sobrecalentamiento (OTP)
• Protección contra sobrecorriente (OCP)
• Protección de ventana (WP) • Protección
de tensión de alimentación:
– Protección contra subvoltaje (UVP)
– Protección contra sobretensiones (OVP)
– Protección de desequilibrio (UBP)
La forma en que el dispositivo reacciona a las condiciones de falla depende del circuito de protección que se haya
activado.
8.3.1 Protección térmica El TDA8922C
emplea una estrategia de protección térmica avanzada. Una función TFB reduce gradualmente la potencia
de salida dentro de un rango de temperatura definido. Si la temperatura continúa aumentando, OTP se activa para
apagar el dispositivo por completo.
8.3.1.1 Repliegue Térmico (TFB)
Si la temperatura de la unión (Tj ) supera el umbral de activación del repliegue térmico, la ganancia se reduce
gradualmente. Esto reduce la amplitud de la señal de salida y la disipación de potencia, estabilizando eventualmente
la temperatura.


TFB se especifica en la temperatura de activación del repliegue térmico Tact(th_fold) donde la ganancia de
voltaje de bucle cerrado se reduce en 6 dB. El rango TFB es:
Tacto(th_fold) ÿ 5 °C < Tacto(th_fold) < Tacto(th_prot)
El valor de Tact(th_fold) para el TDA8922C es de aproximadamente 153 °C; consulte la Tabla 8 para obtener más
detalles.
8.3.1.2 Protección contra sobretemperatura (OTP)
Si TFB no logra estabilizar la temperatura y la temperatura de la unión continúa aumentando, el amplificador se

apagará tan pronto como la temperatura alcance el umbral de activación de la protección térmica, Tact(th_prot). El
amplificador reanudará la conmutación aproximadamente 100 ms después de que la temperatura caiga por debajo
de Tact(th_prot).
El comportamiento térmico se ilustra en la Figura 6.
Ganancia (dB)
30dB
24dB
0dB
(Tact(th_fold) ÿ 5°C) tacto (th_prot) Tj (°C)
Tacto (th_fold)
12 3
001aah656
(1) Ciclo de trabajo de salida PWM modulado según la señal de entrada de audio.
(2) Ciclo de trabajo de salida PWM reducido debido a TFB.
(3) El amplificador está apagado debido a OTP.
Fig 6. Comportamiento de TFB y OTP
8.3.2 Protección contra sobrecorriente (OCP)

Para garantizar la robustez del TDA8922C, se limita la corriente de salida máxima entregada en las etapas
de salida. OCP está integrado para cada interruptor de potencia de salida.
OCP se activa cuando la corriente en uno de los transistores de potencia supera el umbral de OCP (IORM =
6 A) debido, por ejemplo, a un cortocircuito en una línea de suministro o en la carga.
El amplificador TDA8922C distingue entre condiciones de cortocircuito de bajo valor óhmico y otras condiciones
de sobrecorriente, como una caída de impedancia dinámica en los altavoces. El umbral de impedancia (Zth)
depende de la tensión de alimentación.
La reacción del amplificador ante un cortocircuito depende de la impedancia del cortocircuito:
• Impedancia de cortocircuito > Zth: el amplificador limita la corriente de salida máxima a IORM pero el amplificador
no apaga las salidas PWM. Efectivamente, esto da como resultado una señal de salida recortada en la carga
(comportamiento muy similar al recorte de voltaje).


• Impedancia de cortocircuito < Zth: el amplificador limita la corriente máxima de salida a IORM y al mismo tiempo
descarga el condensador en el pin PROT. Cuando CPROT está completamente descargado, el amplificador
se apaga por completo y se inicia un temporizador interno.
El valor del capacitor de protección (CPROT) conectado al pin PROT puede estar entre 10 pF y 220 pF
(típicamente 47 pF). Mientras OCP está activado, se habilita una fuente de corriente interna que descargará
CPROT.
Cuando se activa OCP, el transistor de potencia activa se apaga y el otro transistor de potencia se enciende
para reducir la corriente (CPROT se descarga parcialmente). El funcionamiento normal se reanuda en el
siguiente ciclo de conmutación (CPROT se recarga). CPROT se descarga parcialmente cada vez que se activa
OCP durante un ciclo de conmutación. Si la condición de falla que provocó la activación de OCP persiste lo
suficiente como para descargar completamente CPROT, el amplificador se apagará por completo y se iniciará una
secuencia de reinicio.
Después de un período fijo de 100 ms, el amplificador intentará encenderse nuevamente, pero fallará si la
corriente de salida aún excede el umbral de OCP. El amplificador seguirá intentando encenderse cada 100 ms.
La disipación de energía promedio será baja en esta situación porque el ciclo de trabajo es corto.
Encender y apagar el amplificador de esta manera generará 'agujeros de audio' no deseados. Esto se puede
evitar aumentando el valor de CPROT (hasta 220 pF) para retrasar el apagado del amplificador. CPROT también
evitará que el amplificador se apague debido a caídas de impedancia transitorias dependientes de la frecuencia
en los altavoces.
El amplificador se encenderá y permanecerá en modo de funcionamiento una vez que se haya eliminado
la condición de sobrecorriente. OCP garantiza que el amplificador TDA8922C esté completamente protegido
contra condiciones de cortocircuito y evita los agujeros de audio.
Tabla 4. Comportamiento de limitación de corriente durante condiciones de baja impedancia de salida en diferentes
valores de CPROT[1]
Escribe VDD/VSS VI (mV, pp) f (Hz) CPROT (pF) La salida PWM se detiene
(EN) Pequeño Corto Pequeño
(Zth = 0 ÿ) (Zth = 0,5 ÿ) (Zth = 1 ÿ)

TDA8922C +29,5/ ÿ29,5 500 20 10 si si si
1000 10 si si si
20 15 si si si
1000 15 si no no
1000 220 no no no
[1] Probado usando tres muestras y un reloj externo.
8.3.3 Protección de ventanas (WP)

Window Protection (WP) comprueba las condiciones en los terminales de salida de la etapa de potencia y se activa:
• Durante la secuencia de inicio, cuando el TDA8922C está cambiando de Standby a

Silenciar.


El arranque se interrumpirá si se detecta un cortocircuito entre uno de los terminales de salida y el pin
VDDP1/VDDP2 o VSSP1/VSSP2. El TDA8922C esperará hasta que se elimine el cortocircuito a las líneas de
suministro antes de reanudar la puesta en marcha. El cortocircuito no generará grandes corrientes porque la
verificación de cortocircuito se realiza antes de habilitar las etapas de potencia.
• Cuando el amplificador se apaga por completo porque el circuito OCP ha detectado un cortocircuito en una de
las líneas de suministro.
WP se activará cuando el amplificador intente reiniciarse después de 100 ms (consulte la Sección

8.3.2). El amplificador no volverá a ponerse en marcha hasta que se elimine el cortocircuito a las líneas de
suministro.
8.3.4 Protección de tensión de alimentación
Si la tensión de alimentación cae por debajo del umbral mínimo de tensión de alimentación, Vth(uvp), el circuito
UVP se activará y el sistema se apagará. Una vez que la tensión de alimentación suba de nuevo por encima de
Vth(uvp) , el sistema se reiniciará después de un retraso de 100 ms.
Si la tensión de alimentación supera el umbral máximo de tensión de alimentación, Vth(ovp), el circuito OVP se
activará y las etapas de potencia se apagarán. Cuando la tensión de alimentación vuelve a caer por debajo de
Vth(ovp) , el sistema se reiniciará después de un retraso de 100 ms.
Un circuito adicional de protección contra desequilibrio (UBP) compara el voltaje de suministro analógico positivo
(en el pin VDDA) con el voltaje de suministro analógico negativo (en el pin VSSA) y se activa si la diferencia de
voltaje excede un factor de dos (VDDA > 2 × |VSSA| O |VSSA| > 2 × VDDA). Cuando la diferencia de tensión de
alimentación cae por debajo del umbral de desequilibrio, Vth(ubp), el sistema se reinicia después de 100 ms.
En la Tabla 5 se proporciona una descripción general de todos los circuitos de protección y sus respectivos
efectos en la señal de salida .
Tabla 5. Descripción general de los circuitos de protección TDA8922C
Nombre de protección Reiniciar directamente Reiniciar Detección

Apagado completo después de 100 ms de PIN PROT
TFB[1] NNNN
Fiscalía Y norte Y norte
OCP Y[2] N[2] Y[2] Y
WP N[3] NN
PVP Y norte Y norte
OVP Y norte Y norte
UBP Y norte Y norte
[1] La ganancia del amplificador depende de la temperatura de la unión y del tamaño del disipador térmico.
[2] El amplificador se apaga completamente solo si la impedancia de cortocircuito está por debajo del umbral de impedancia (Zth; consulte la Sección 8.3.2).
En todos los demás casos, la limitación de corriente da como resultado una señal de salida recortada.
[3] Condición de falla detectada durante cualquier transición de Standby a Mute o durante un reinicio después de que se haya activado OCP (cortocircuito
a una de las líneas de suministro).
8.4 Entradas de audio diferenciales

Las entradas de audio son totalmente diferenciales, lo que garantiza una alta relación de rechazo de modo
común y la máxima flexibilidad en la aplicación.


• Operación estéreo: para evitar diferencias de fase acústica, las entradas deben estar en
antifase y los altavoces deben conectarse en antifase. Esta configuración:
– minimiza la corriente pico de la fuente de
alimentación – minimiza los efectos de bombeo de la fuente, especialmente en frecuencias de audio bajas
• Funcionamiento mono BTL: las entradas deben conectarse en antiparalelo. La salida de un canal se invierte y la
carga del altavoz se conecta entre las dos salidas del TDA8922C. En la práctica (debido al umbral de OCP), la
potencia de salida se puede aumentar al doble de la potencia de salida que se puede lograr con la configuración
de un solo extremo.
La configuración de entrada para una aplicación mono BTL se ilustra en la Figura 7.
SALIDA1
IN1P
EN 1M
venir SGND
IN2P
IN2M SALIDA2
etapa de potencia
mbl466
Fig 7. Configuración de entrada para aplicación BTL mono
9. Valores límite
Tabla 6. Valores límite
De acuerdo con la Calificación Máxima Absoluta Sistema (IEC 60134).
Símbolo Parámetro Condiciones Mínimo máximo Unidad
ÿV - EN
diferencia de tensión VDD - SSV; Modos de espera, silencio sesenta y cinco
6 - A
IORM corriente de salida máxima repetitiva limitación de corriente de salida máxima
Tstg temperatura de almacenamiento ÿ55 +150 ºC
Tamb temperatura ambiente ÿ40 +85 ºC

- 150 ºC
tj voltaje de temperatura de
MODO V unión en el pin voltaje de referenciado a SGND 0 6 EN
usted MODO en el pin OSC 0 SGN + 6V
NOSOTROS voltaje de entrada referenciado a los pines ÿ5 +5 EN
SGND IN1P, IN1M, IN2P e IN2M
VPROT voltaje en pin PROT referenciado al voltaje en el pin VSSD 0 12 EN
TÍRARLO voltaje de descarga electrostática Modelo de cuerpo humano (HBM) ÿ2000 +2000 EN
Modelo de dispositivo cargado (CDM) ÿ500 +500 EN
- 70 mamá
coeficiente intelectual (total)
corriente de reposo total Modo operativo; sin carga; sin filtro sin
red de amortiguador RC conectada
VPWM(pp) voltaje PWM pico a pico en los pines OUT1 y OUT2 - 120 EN


10. Características térmicas
Tabla 7. Características térmicas
Símbolo Parámetro Condiciones Escribe Unidad
Rth(ja) Resistencia térmica de la unión al ambiente al aire libre 40 kilovatios/vatios
Rth(jc) resistencia térmica de unión a caja 1.5 kilovatios/vatios
11. Características estáticas
Tabla 8. Características estáticas

VDD = 30 EN; VSS = oscuroEN;
30
= 350kHz; ÿ
Tamb = 25 ° C; a menos que se especifique lo contrario.

Suministrar
VDD tensión de alimentación Modo operativo [1] 12,5 30 32,5 V

VSS tensión de alimentación negativa Modo operativo [2] ÿ12,5 ÿ30 ÿ32,5 V
- 70
Vth(ovp) Tensión de umbral de protección contra Modos de espera, silencio sesenta y cinco EN
sobretensiones VDD - VSS
Vth(uvp) Tensión de umbral de protección contra VDD - VSS 20 - 25V

subtensión
Vth(subp) [3] - 33 - %
Tensión de umbral de protección contra desequilibrio
corriente de reposo total - 40 70mA

coeficiente intelectual (total) Modo operativo; sin carga; sin
filtro; no hay red de amortiguador
RC conectada
Istb -
corriente de espera 480 650 µA
entrada de selección de modo; pin
MODO V MODE voltaje en pin MODE referenciado a SGND [4] 0-6V
[4][5] 0 - 0,8 V
Modo de espera
modo silencio [4][5] 2.1 - 2,9 V
[4][5] 4.2 - 6
Modo operativo EN
IV = 5,5 V - 110
Yo
corriente de entrada 150 µA
Entradas de audio; pines IN1M, IN1P, IN2P e IN2M
NOSOTROS
voltaje de entrada Entrada de CC [4] - 0 - V
Salidas de amplificador; pines OUT1 y OUT2

SE; modo silencio - - ±25mV
VO (compensación) tensión de compensación de salida
[6] - - ±150mV
SE; Modo operativo
BTL; modo silencio - - ±30mV
BTL; Modo operativo [6] - - ±210mV
Salida del estabilizador; pin STABI
Voltaje de salida VO(STABI) en pin STABI Modos de silencio y 9.3 9.8 10,3 voltios
funcionamiento; con respecto a VSSD
Protección de temperatura
- 154 - ºC
Temperatura de activación de la protección
térmica Tact(th_prot)


Tabla 8. Características estáticas …continuado

°
VDD = 30 EN; VSS = EN;
ÿ
oscuro 30
= 350kHz; Tamb = 25 C; a menos que se especifique lo contrario.
ganancia de voltaje SE de bucle [7] - 153 - ºC

Tact(th_fold) temperatura de activación del
repliegue térmico cerrado reducida con 6 dB
[1] VDD es el voltaje de suministro en los pines VDDP1, VDDP2 y VDDA.
[2] VSS es el voltaje de suministro en los pines VSSP1, VSSP2, VSSA y VSSD.
[3] Protección de desequilibrio activada cuando VDDA > 2 × |VSSA| O |VSSA| > 2 × VDD.
[4] Con respecto a SGND (0 V).
[5] La transición entre los modos de espera y silencio tiene histéresis, mientras que la pendiente de la transición entre los modos de silencio y funcionamiento es
determinado por la constante de tiempo de la red RC en el pin MODE; consulte la figura 8.
[6] El voltaje de compensación de salida de CC se aplica gradualmente a la salida durante la transición entre los modos de silencio y funcionamiento. La pendiente provocó
por cualquier compensación de salida de CC está determinada por la constante de tiempo de la red RC en el pin MODE.
[7] A una temperatura de unión de aproximadamente Tact(th_fold) ÿ 5 °C, comienza la reducción de ganancia y a una temperatura de unión de aproximadamente
Tact(th_prot), el amplificador se apaga.
la pendiente está directamente relacionada con la

constante de tiempo de la red RC en el pin MODE
VO (V)
VO (compensación) (activado)
Apoyar Silenciar En
VO (compensación) (silencio)
0 0.8 2.1 2.9 4.2 5.5

MODO V (V)
010aaa585
Fig 8. Comportamiento del pin de selección de modo MODE
12. Características dinámicas
12.1 Características de conmutación

Tabla 9. Características dinámicas
°
VDD = 30 EN; VSS = 30 EN; Tamb = 25 C; a menos que se especifique lo contrario.
ÿ
Parámetro de símbolo Condiciones mínimo Escribe máx. Unidad
oscilador interno
fosc(typ) frecuencia típica del oscilador ROSC = 30,0 kÿ fosc 290 345 365 kHz
frecuencia del oscilador 250 - 450 kHz
Entrada de oscilador externo o seguimiento de frecuencia; alfiler OSC
Voltaje VOSC en el pin OSC Nivel alto SGND + 4,5 SGND + 5 SGND + 6V
Pista voltaje de disparo - SGND + 2.5 - EN
Vtrip frecuencia de seguimiento [1] 500 - 900 kHz


Tabla 9. Características dinámicas …continuación

VDD = 30 EN; VSS = 30 EN; Tamb = 25 ° C; a se
ÿ
menos que
especifique lo contrario.
Parámetro de símbolo Condiciones mínimo Escribe máx. Unidad
- - Mÿ
Día
Impedancia de entrada 1
Ci - - 15
capacitancia de entrada pF
tr(s) tiempo de subida de entrada de SGCN a SGND + 5 V [2] - - 100 ns
[1] Cuando se utiliza un oscilador externo, la frecuencia ftrack (500 kHz mínimo, 900 kHz máximo) dará como resultado una frecuencia PWM fosc (250
mínimo de kHz, máximo de 450 kHz) debido al divisor de reloj interno; consulte la Sección 8.2.
[2] Cuando tr(i) > 100 ns, el ruido de fondo de salida aumentará.
12.2 Características de la configuración Stereo SE

VDD = 30 EN; VSS = 30 EN; RL = 6
ÿ
Vaya
; ser
= oscuro 1 kHz; = 350kHz; $ (L) < 0.1 Vaya [1]; Tamb = 25 ° C; a menos que se especifique lo contrario.
[2]
Después
potencia de salida L = 22 ÿH; CLC = 680 nF; Tj = 85°C THD =
0,5%; RL = 6 ÿ - 58 - W
THD = 10 %; RL = 6 ÿ - 75 - W
THD Distorsión armónica total Po = 1 W; fi = 1 kHz Po [3] - 0,02 - %
= 1 W; fi = 6kHz [3] - 0,05 - %
Ganancia de voltaje de bucle cerrado Gv(cl) 29 30 31dB
Relación de rechazo de tensión de alimentación SVRR entre pines VDDPn y SGND

[4] -
Modo operativo; fi = 100 Hz 72 - dB
[4] -
Modo operativo; fi = 1kHz 55 - dB
[4] -
modo silencio; fi = 100Hz 80 - dB
Modo de espera; fi = 100 Hz [4] - 116 - dB
entre pines VSSPn y SGND
Modo operativo; fi = 100 Hz [4] - 72 - dB
Modo operativo; fi = 1kHz [4] - 60 - dB
modo silencio; fi = 100 Hz [4] - 72 - dB
Día
Impedancia de entrada entre uno de los pines de entrada y 45 63 - kÿ
SGND
Vn(o) voltaje de ruido de salida Modo operativo; Rs = 0 ÿ; entradas en [5] - 160 - µV

corto
[6] -
modo silencio 85 - µV
ÿcs diferencia de ganancia de
[7] - 70 - dB
|ÿGv| - - 1 dB
voltaje de separación de canales
amute atenuación de silencio fi = 1kHz; Vi = 2 V (RMS) [8] - 75 - dB

- 75 - dB
Relación de rechazo de modo común CMRR Vi(CM) = 1 V (RMS)
ÿpo SE, RL = 6 ÿ - 88 - %
eficiencia de potencia de salida
SE, RL = 8 ÿ - 90 - %
BTL, RL = 16 ÿ - 90 - %
[9] -
RDSon(hs) resistencia en estado activado de la fuente de drenaje del lado alto 380 - mÿ
[9] - 320 - mÿ
RDSon(ls) resistencia en estado activado de la fuente de drenaje del lado bajo


[1] Rs(L) es la resistencia en serie del inductor de filtro LC de paso bajo utilizado en la aplicación.
[3] THD medido entre 22 Hz y 20 kHz, utilizando un filtro de pared de ladrillo AES17 de 20 kHz; máx. El límite está garantizado, pero es posible que no se pruebe al 100 %.
[4] Vonda = Vonda(máx) = 2 V (pp); medido independientemente entre VDDPn y SGND y entre VSSPn y SGND.
[5] De 22 Hz a 20 kHz, utilizando un filtro de pared de ladrillo AES17 de 20 kHz.
[6] De 22 Hz a 20 kHz, utilizando un filtro de pared de ladrillo AES17 de 20 kHz.
[7] Po = 1 W; fi = 1kHz.
[8] Vi = Vi(máx) = 1 V (RMS); fi = 1kHz.
[9] Conductores y cables de unión incluidos.
12.3 Características de la aplicación Mono BTL

VDD = 25 EN; VSS
= 25 EN; RL = 8
ÿ
Vaya
; ser
= oscuro 1 kHz;
= 350kHz; $ (L) < 0.1 Vaya [1]; Tamb = 25 ° C; a menos que se especifique lo contrario.

[2]
Después
potencia de salida Tj = 85 °C; LLC = 22 µH; CLC = 680 nF
(ver Figura 10)
THD = 0,5 %; RL = 8 ÿ - 115 - W
THD = 10 %; RL = 8 ÿ - 155 - W
THD Distorsión armónica total [3] - 0,02 - %
Po = 1 W; fi = 1 kHz
Po = 1 W; fi = 6kHz [3] - 0,05 - %
- 36 - dB
Ganancia de voltaje de bucle cerrado Gv(cl)
Relación de rechazo de tensión de alimentación SVRR entre pin VDDPn y SGND

[4] - 72 - dB
Modo operativo; fi = 100 Hz
[4] - 64 - dB
Modo operativo; fi = 1kHz
[4] - 86 - dB
modo silencio; fi = 100Hz
entre pin VSSPn y SGND

Modo operativo; fi = 100 Hz [4] - 72 - dB
Modo operativo; fi = 1kHz [4] - 72 - dB
modo silencio; fi = 100Hz [4] - 86 - dB

Día Impedancia de entrada medidos entre uno de los pines de 45 63 - kÿ
entrada y SGND
[5] - 190 -
Vn(o) voltaje de ruido de salida Modo operativo; Rs = 0 ÿ µV
modo silencio [6] - 45 - µV
amute atenuación de silencio fi = 1kHz; Vi = 2 V (RMS) [7] - 75 - dB
Relación de rechazo de modo común CMRR Vi(CM) = 1 V (RMS) - 75 - dB
[1] Rs(L) es la resistencia en serie del inductor de filtro LC de paso bajo utilizado en la aplicación.
[3] THD medido entre 22 Hz y 20 kHz, utilizando un filtro de pared de ladrillo AES17 de 20 kHz; máx. El límite está garantizado, pero es posible que no se pruebe al 100 %.
[4] Vonda = Vonda(máx) = 2 V (pp).
[5] 22 Hz a 20 kHz, utilizando un filtro de pared de ladrillo AES17 de 20 kHz; bajo nivel de ruido debido a la modulación BD.
[6] 22 Hz a 20 kHz, utilizando un filtro de pared de ladrillo AES17 de 20 kHz.
[7] Vi = Vi(máx) = 1 V (RMS); fi = 1kHz.


13. Información de la aplicación
13.1 Aplicación mono BTL

Cuando se utiliza el amplificador de potencia en una aplicación mono BTL, las entradas de los dos canales deben
estar conectadas en antiparalelo y la fase de una de las entradas debe estar invertida; (ver Figura 7). En principio,
el altavoz se puede conectar entre las salidas de los dos filtros de demodulación de un solo extremo.
13.2 MODO Pin

Para garantizar un arranque sin ruido pop, se debe aplicar una constante de tiempo RC al pin MODE.
La configuración de corriente de polarización de la entrada del convertidor VI está directamente relacionada con el voltaje
en el pin MODE. A su vez, la configuración de corriente de polarización de los convertidores VI está directamente
relacionada con el voltaje de compensación de salida de CC. Un dV/dt lento en el MODO de pin da como resultado un dV/dt
lento para el voltaje de compensación de salida de CC, lo que garantiza una transición sin ruido pop entre los modos de
silencio y funcionamiento. Una constante de tiempo de 500 ms es suficiente para garantizar un arranque sin ruido pop;
consulte la Figura 4, la Figura 5 y la Figura 8 para obtener más información.
13.3 Estimación de la potencia de salida
13.3.1 Terminación única (SE)

Potencia máxima de salida:
2
RL
-------------------------------------------------- –
( ------
VSS 0,5
) – ×V(1×tw min ( DD × 0,5f ) oscilador )
+ +
RL RDSon hs ( ) Rs L( )
= -------------------------------------------------- -------------------------------------------------- -------------------------------------------------- -----------------------
(1)
Después de 0,5 ( )%
2RL
La corriente de salida máxima está limitada internamente a 6 A:
( 0.5 V tw – )
DDmin
VSS
– ×( ( )1 × ) 0,5 f oscilador
) =
-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- --
pico io ( (2)
+ + L( )
RL RDSon hs ( ) Rs
Donde:
• Po(0,5 %): potencia de salida al inicio del recorte • RL:

impedancia de carga
• RDSon(hs): RDSon de lado alto de DMOS de salida de la etapa de potencia (dependiente de la temperatura)
• Rs(L): impedancia en serie de la bobina del filtro • tw(min): ancho de pulso mínimo (típico 100 ns,
dependiente de la temperatura) • fosc : frecuencia del oscilador
Observación: Tenga en cuenta que Io (pico) debe ser inferior a 6 A (Sección 8.3.2). Io (pico) es la suma de la
corriente a través de la carga y la corriente de ondulación. El valor de la corriente de ondulación depende de la
inductancia de la bobina y de la caída de tensión en la bobina.


13.3.2 Carga atada al puente (BTL)
Potencia máxima de salida:
2
RL
-------------------------------------------------- ----------------- –
+ ( × VminDD VSS
(+
× ( 1) tw
– × )0,5 f oscilador )
= RL RDSon hs ( ) RDSon ls ( )
-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- -------------------------------------------------- --------------------------
Después de 0,5 ( )% (3)
2RL
Corriente de salida máxima limitada internamente a 6 A:
–
( ENDD VSS ) – ( × ( 1 dos minutos × ) 0,5 f
oscilador )
= -------------------------------------------------- ---------------------------------------------
pico io ( ) + (4)
+(
RL RDSon hs ( ) RDSon ls ( ) ) + 2Rs L( )
Donde:
• Po(0,5 %): potencia de salida al inicio del recorte • RL:

impedancia de carga • RDSon(hs): RDSon de lado alto
de DMOS de salida de la etapa de potencia (dependiente de la temperatura) • RDSon(ls): RDSon de
lado bajo de potencia DMOS de salida de etapa (dependiente de la temperatura) • Rs(L): impedancia
en serie de la bobina del filtro • VP: tensión de alimentación unilateral o 0,5 × (VDD + |VSS|) • tw(min):
ancho de pulso mínimo (típico 100 ns , dependiente de la temperatura) • fosc: frecuencia del oscilador
Observación: tenga en cuenta que Io (pico) debe ser inferior a 6 A; consulte la Sección 8.3.2. Io (pico) es la suma de la corriente
a través de la carga y la corriente de ondulación. El valor de la corriente de ondulación depende de la inductancia de la bobina y
de la caída de tensión en la bobina.
13.4 Reloj externo
Para garantizar un funcionamiento independiente del ciclo de trabajo, la frecuencia del reloj externo se divide por dos
internamente. Por lo tanto, la frecuencia del reloj externo es el doble de la frecuencia del reloj interno (típicamente 2 × 350 kHz
= 700 kHz).
Si se utilizan varios amplificadores Clase D en una sola aplicación, se recomienda que todos los dispositivos funcionen a la
misma frecuencia de conmutación. Esto se puede lograr conectando los pines OSC y alimentándolos desde un oscilador
externo. Cuando se usa un oscilador externo, es necesario forzar el pin OSC a un nivel de CC por encima de SGND. Esto
desactiva el oscilador interno y hace que el PWM cambie a la mitad de la frecuencia del reloj externo.
El oscilador interno requiere una resistencia externa ROSC, conectada entre el pin OSC y el pin VSSA. ROSC debe
eliminarse cuando se utiliza un oscilador externo.
El ruido generado por el oscilador interno depende de la tensión de alimentación. Se recomienda un oscilador externo de
bajo ruido para aplicaciones de bajo ruido que funcionan con voltajes de suministro altos.
13.5 Requisitos del disipador de calor
Se debe conectar un disipador de calor externo al TDA8922C.


La ecuación 5 define la relación entre la disipación de potencia máxima antes de la activación de TFB y la resistencia
térmica total desde la unión hasta el ambiente.
(5)
T Tamb –
= j
-----------------------
Rth( ) j a–
PAG
La disipación de potencia (P) está determinada por la eficiencia del TDA8922C. La eficiencia medida en
función de la potencia de salida se muestra en la Figura 20. La disipación de potencia se puede derivar en
función de la potencia de salida, como se muestra en la Figura 19.
mbl469
30
PAG
(EN)
(1)
20
(2)
10
(3)
(4)
(5)
0
0 20 40 60 80 100
Tambin (°C)
(1) Rth(i) = 5 K/W.

(2) Rth(i) = 10 K/W.
(3) Rth(i) = 15 K/W.
(4) Rth(i) = 20 K/W.
(5) Rth(i) = 35 K/W.
Fig 9. Curvas de reducción de potencia disipada en función de la temperatura

ambiente máxima


En el siguiente ejemplo, se realiza un cálculo del disipador térmico para una aplicación BTL de 8 ÿ con un suministro
de ±30 V:
La señal de audio tiene un factor de cresta de 10 (la relación entre la potencia máxima y la potencia media (20
dB)); esto significa que la potencia de salida promedio es 1ÿ10 de la potencia pico.
Por lo tanto, el nivel de potencia de salida RMS pico es el nivel de THD del 0,5 %, es decir, 110 W.
La potencia media es entonces 1ÿ 10 × 110 W = 11 W.
La potencia disipada a una potencia de salida de 11 W es de aproximadamente 5 W.
Cuando la temperatura ambiente máxima esperada es de 50 °C, el Rth(ja) total se convierte en ( 150 50 – )
------------------------- = 20K / W
5
Rth(ja) = Rth(jc) + Rth(ch) + Rth(ha)
Rth(jc) (resistencia térmica de la unión a la carcasa) = 1,5 K/W Rth(ch)
(resistencia térmica de la carcasa al disipador) = 0,5 K/W a 1 K/W (según el montaje)
Entonces, la resistencia térmica entre el disipador y la temperatura ambiente es:
Rth(ha) (resistencia térmica del disipador al ambiente) = 20 ÿ (1,5 + 1) = 17,5 K/W
Las curvas de reducción para la disipación de potencia (para varios valores de Rth(ja) ) se ilustran en la Figura
9. Se tiene en cuenta una temperatura máxima de unión Tj = 150 °C. La disipación de potencia máxima
permisible para un tamaño de disipador de calor dado se puede derivar, o se puede determinar el tamaño de
disipador de calor requerido, en un nivel de disipación de potencia requerido; consulte la figura 9.
13.6 Efectos de bombeo

En una configuración típica estéreo de un solo extremo, el TDA8922C recibe una tensión de alimentación simétrica
(p. ej., VDD = 30 V y VSS = ÿ30 V). Cuando el amplificador se utiliza en una configuración SE, puede producirse un
"efecto de bombeo". Durante un intervalo de conmutación, la energía se toma de un suministro (p. ej ., VDD), mientras
que una parte de esa energía se devuelve a la otra línea de suministro (p. ej ., VSS) y viceversa. Cuando la fuente de
suministro de voltaje no puede absorber energía, el voltaje a través de los condensadores de salida de esa fuente de
suministro de voltaje aumenta y el voltaje de suministro se bombea a niveles más altos. El aumento de tensión
provocado por el efecto de bombeo depende de:
• Impedancia del altavoz • Tensión
de alimentación • Frecuencia de
la señal de audio • Valor de los
condensadores de desacoplamiento de la línea de alimentación
• Corrientes fuente y sumidero de otros canales
Los efectos de bombeo deben minimizarse para evitar el mal funcionamiento del amplificador de audio y/o la fuente
de suministro de voltaje. El mal funcionamiento del amplificador debido al efecto de bombeo puede desencadenar
UVP, OVP o UBP.


La forma más efectiva de evitar los efectos de bombeo es conectar el TDA8922C en una configuración de puente
completo mono. En el caso de aplicaciones estéreo de un solo extremo, se recomienda conectar las entradas en
antifase (consulte la Sección 8.4 en la página 11). La fuente de alimentación también se puede adaptar; por ejemplo,
aumentando los valores de los condensadores de desacoplamiento de la línea de alimentación.
13.7 Esquema de aplicación

Notas sobre el esquema de la aplicación:
• Conecte un plano de tierra sólido alrededor del amplificador de conmutación para evitar emisiones •
Coloque condensadores de 100 nF lo más cerca posible de los pines de la fuente de alimentación TDA8922C
• Conecte el disipador de calor al plano de tierra o a VSSPn usando un condensador de 100 nF • Utilice un
conductor térmico, eléctricamente no conductor, Sil-Pad entre el

Esparcidor de calor TDA8922C y disipador de calor externo
• El disipador de calor del TDA8922C está conectado internamente a VSSD. • Utilice entradas
diferenciales para obtener el rendimiento de audio de nivel de sistema más eficaz con fuentes de señal no
balanceadas. En caso de zumbido debido a entradas flotantes, conecte el blindaje o la tierra de la fuente
a la tierra del amplificador.

Machine Translated by Google xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
xxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
Semicond
NXP Td xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
VDDP
CVDDP
RVDDA
10 ohmios
VDDA
VDDP
+5 V
5,6 kÿ
470 ÿ
control de modo
SIMPLE
+5 V VALORES DEL FILTRO DE SALIDA
470 µF
CVP CARGA
TIERRA LLC CVX
22 µF 470 kÿ 470 kÿ
CVSSP 5,6 kÿ 10 µF
6 ÿ a 8 ÿ 33 µH 330 nF 4 ÿ a 8 ÿ 22 µH
470 µF
470 nF
VSSP VSSP
10 kÿ 10 kÿ
rvssa silenciar/ T1 en espera/ en T2
VSSA operar HFE > 80 funcionamiento HFE > 80
10 ohmios
SGND
VSSA control VDDP VSSP

de modo
CVDDP CVP CVSSP VDDP
ROSC
30 kÿ
100nF 100nF 100nF CSN
RSN 220 pF
Carolina del Norte ncnc OSC MODO VDDP1 VSSP1
10 ohmios
CSN
220 pF
+ NIC 4 5 6 1 23 8 11
IN1P
2 VSSP
SALIDA1 LLC
470 nF
10
EN 1
NIC
ÿ
EN 1M RZO
3 CBO +
BOTA1 22 ÿ
470 nF 9 CVX
15nF parte
ÿ
SGND delantera 100nF

19
TDA8922CJ
CBO
BOTA2
NIC 15
ÿ
IN2P
22 15nF
470 nF LLC
SALIDA2
Amplifica
potencia
clase
75
de
W
de
D
×
2
TDA8922C l EN 2
+ NIC
470 nF
IN2M
ECV
220nF
21
20
VDDA
VDDA VSSA
18
VSSA
CVSSA
220nF
POSTES
VSSP
12
CSTAB
470nF
PROT
7
CPROT(1)
VSSA
17
VSSD
CVDDP
100nF
VDDP
VDDP2
dieciséis
CVP
100nF
VSSP
13
VSSP2
14
CVSSP
100nF
RSN
10 ohmios
VDDP
VSSP
CSN
220 pF
CSN
220 pF
CVX
RZO
22 ÿ
parte
delantera 100nF
010aaa548
ÿ
d
4
2 (1) El valor de CPROT puede estar en el rango de 10 pF a 220 pF (ver Sección 8.3.2)
Fig 10. Diagrama de aplicación típico


13.8 Curvas medidas en diseño de referencia (placa de demostración)
010aaa565
10
THD+N
(%)
(1)
10ÿ1
(2)
10ÿ2
(3)
10ÿ3
10ÿ2 10ÿ1 1 10 102 103
Después (W)
VDD = 30 V, VSS = ÿ30 V, fosc = 350 kHz (oscilador externo), configuración SE de 2 × 6 ÿ.
(1) fi = 6kHz.
(2) fi = 1kHz.
(3) fi = 100 Hz.
Fig 11. THD + N en función de la potencia de salida, configuración SE con carga 2 × 6 ÿ
010aaa566
10
THD+N
(%)
(1)
10ÿ1
(2)
10ÿ2
(3)
10ÿ3
10ÿ2 10ÿ1 1 10 102 103
Después (W)
(1) fi = 6kHz.
(2) fi = 1kHz.
(3) fi = 100 Hz.
Fig 12. THD + N en función de la potencia de salida, configuración SE con carga 2 × 8 ÿ


010aaa567
10
THD+N
(%)
10ÿ1
(1)
(2)
10ÿ2
(3)
10ÿ3
10ÿ2 10ÿ1 1 10 102 103
Después (W)
VDD = 25 V, VSS = ÿ25 V, fosc = 350 kHz (oscilador externo), configuración BTL de 1 × 8 ÿ.
(1) fi = 6kHz.
(2) fi = 1kHz.
(3) fi = 100 Hz.
Fig 13. THD + N en función de la potencia de salida, configuración BTL con carga de 1 × 8 ÿ
010aaa568
10
THD+N
(%)
10ÿ1
(1)
10ÿ2
(2)
10ÿ3
10 102 103 104 105
fi (Hz)
(1) Po = 1W.
(2) Po = 10W.
Fig 14. THD + N en función de la frecuencia, configuración SE con carga 2 × 6 ÿ


010aaa569
10
THD+N
(%)
10ÿ1
(1)
10ÿ2
(2)
10ÿ3
10 102 103 104 105
fi (Hz)

(1) Po = 1W.
(2) Po = 10W.
Fig 15. THD + N en función de la frecuencia, configuración SE con carga 2 × 8 ÿ
010aaa570
10
THD+N
(%)
10ÿ1
(1)
10ÿ2
(2)
10ÿ3
10 102 103 104 105
fi (Hz)
VDD = 25 V, VSS = ÿ25 V, fosc = 350 kHz (oscilador externo), configuración BTL de 1 × 8 ÿ.
(1) Po = 1W.
(2) Po = 10W.
Fig 16. THD + N en función de la frecuencia, configuración BTL con carga 1 × 8 ÿ


010aaa571
0
ÿcs
(dB)
ÿ20
ÿ40
ÿ60
(1)
ÿ80
(2)
ÿ100
10 102 103 104 105
fi (Hz)
1 W y 10 W respectivamente.
Fig 17. Separación de canales en función de la frecuencia, configuración SE con carga de 2 × 6 ÿ
010aaa572
0
ÿcs
(dB)
ÿ20
ÿ40
ÿ60
(1)
ÿ80
(2)
ÿ100
10 102 103 104 105
fi (Hz)
1 W y 10 W respectivamente.
Fig 18. Separación de canales en función de la frecuencia, configuración SE con carga de 2 × 8 ÿ


010aaa573
30
PD
(EN
20
(1)
(2)
(3)
10
0 10ÿ2 10ÿ1 1 101 102 103

Después (W)
fi = 1 kHz; fosc = 350 kHz (external oscillator).
(1) configuración SE de 2 × 6 ÿ; VDD = 32 V; VSS = ÿ32 V.
(2) configuración SE de 2 × 8 ÿ; VDD = 32 V; VSS = ÿ32 V.
(3) configuración BTL de 1 × 8 ÿ; VDD = 25 V; VSS = ÿ25 V.
Fig 19. Disipación de potencia en función de la potencia de salida por canal, configuración SE
010aaa574
100
(1) (2) (3)

la (%)
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Después (W)
fi = 1 kHz, fosc = 350 kHz (oscilador externo). (1) configuración
SE de 2 × 8 ÿ; VDD = 32 V; VSS = ÿ32 V. (2) Configuración SE de 2 × 6 ÿ;
VDD = 32 V; VSS = ÿ32 V. (3) Configuración BTL de 1 × 8 ÿ; VDD = 25 V;
VSS = ÿ25 V.
Fig 20. Eficiencia en función de la potencia de salida por canal, configuración SE


010aaa575
100
Después
(EN) (1)
80
(2)
60 (3)
(4)
40
20
0 12,5 17,5 22,5 27,5 32,5 VDD (V)

ÿ12,5 ÿ17,5 ÿ22,5 ÿ27,5 ÿ32,5 SSV ( V)
Disipador de calor infinito utilizado.
fi = 1 kHz, fosc = 350 kHz (external oscillator).
(1) THD + N = 10 %, 6 ÿ.
(2) THD + N = 10 %, 8 ÿ
(3) THD + N = 0,5 %, 6 ÿ
(4) THD + N = 0,5 %, 8 ÿ.
Fig 21. Potencia de salida en función de la tensión de alimentación, configuración SE
010aaa576
200
Después
(EN)
160
(1)
120
(2)
80
40
0 12,5 15 17,5 20 22,5 25 27,5 VDD (V)

ÿ12,5 ÿ15 ÿ17,5 ÿ20 ÿ22,5 ÿ25 ÿ27,5 SSV ( V)
Disipador de calor infinito utilizado.
fi = 1 kHz, fosc = 350 kHz (external oscillator).
(1) THD + N = 10 %, 8 ÿ.
(2) THD + N = 0,5 %, 8 ÿ.
Fig 22. Potencia de salida en función de la tensión de alimentación, configuración BTL


010aaa577
40
(1)
Gv(cl)
(dB)
(2)
30
(3)
20
10
10 102 103 104 105
fi (Hz)
VDD = 30 V, VSS = ÿ30 V, fosc = 350 kHz (oscilador externo), Vi = 100 mV, Ci = 330 pF.
(1) configuración BTL de 1 × 8 ÿ; LLC = 15 µH, CLC = 680 nF, VDD = 25 V, VSS = ÿ25 V.
(2) configuración SE de 2 × 8 ÿ; LLC = 33 µH, CLC = 330 nF, VDD = 30 V, VSS = ÿ30 V.
(3) configuración SE de 2 × 6 ÿ; LLC = 33 µH, CLC = 330 nF, VDD = 30 V; VSS = ÿ30 V.
Fig. 23. Ganancia de tensión de bucle cerrado en función de la frecuencia
010aaa578
ÿ20
RVS
(dB) (1)
ÿ60
(2)
ÿ100 (3)
ÿ140
10 102 103 104 105
fi (Hz)
Ondulación en VDD, corto en pines de entrada.
VDD = 30 V, VSS = ÿ30 V, Vripple = 2 V (pp), configuración SE de 2 × 8 ÿ.

(1) Modo de funcionamiento.
(2) Modo de silencio.
(3) Modo de espera.
Fig. 24. SVRR en función de la frecuencia de ondulación, ondulación en VDD


010aaa579
ÿ20
RVS
(dB)
(1)
ÿ60
(2)
ÿ100 (3)
ÿ140
10 102 103 104 105
fi (Hz)
Ondulación en VSS, corto en pines de entrada.
VDD = 30 V, VSS = ÿ30 V, Vripple = 2 V (pp), configuración SE de 2 × 8 ÿ.

(3) Modo de espera.
Fig 25. SVRR en función de la frecuencia de ondulación, ondulación en VSS
010aaa586
0
RVS
(dB)
ÿ40
(1)
ÿ80
(2)
(3)
ÿ120
10 102 103 104 105
fi (Hz)
Ondulación en VDD, corto en pines de entrada.
VDD = 25 V, VSS = ÿ25 V, Vripple = 2 V (pp), configuración BTL de 1 × 8 ÿ.

(3) Modo de espera.
Fig 26. SVRR en función de la frecuencia de ondulación, ondulación en VDD


010aaa587
0
RVS
(dB)
ÿ40
(1)
(2)
ÿ80
(3)
ÿ120
10 102 103 104 105
fi (Hz)
Ondulación en VSS, corto en pines de entrada.
VDD = 25 V, VSS = ÿ25 V, Vripple = 2 V (pp), configuración BTL de 1 × 8 ÿ.

(3) Modo de espera.
Fig 27. SVRR en función de la frecuencia de ondulación, ondulación en VSS
010aaa580
102
vo
(EN)
10ÿ2
10ÿ4
(1) (2)
10ÿ6
0 2 4 6
MODO V (V)
VDD = 30 V, VSS = ÿ30 V, Vi = 100 mV.
(1) Tensión de modo baja.
(2) Subida de tensión de modo.
Fig. 28. Tensión de salida en función de la tensión de modo


010aaa581
ÿ50
ÿsilencio
(dB)
ÿ60
ÿ70
(1)
ÿ80
(2)
ÿ90
10 102 103 104 105
fi (Hz)
VDD = 30 V, VSS = ÿ30 V, fosc = 350 kHz (oscilador externo), Vi = 2 V (RMS).
(1) Configuración 2 × 6 ÿ SE.
(2) Configuración SE de 2 × 8 ÿ.
Fig 29. Atenuación de silencio en función de la frecuencia


14. Esquema del paquete
DBS23P: paquete de alimentación de plástico DIL-bent-SIL; 23 cables (longitud del cable recto 3,2 mm) SOT411-1
no cóncavo
Dh
X
eh
vista B: lado de la base de montaje
A2
d
A5
b A4
B E2
j
Y
E1
L2
L1 L3
L q C vM
1 23
metro y2
y wM
DE 1
pb
y
0 5 10mm
escala
DIMENSIONES (mm son las dimensiones originales)
UNIDAD A2 A4 A5 (1) pb c D d dh mi(1) y e1 e2 eh E1 E2 j L L1 L2 L3m _ q en en X b Z(1)
4.6 1,15 1,65 0,75 0,55 30,4 28,0 0,85 1,35 12,2 10,15 6,2 1,85 3.6 14 10,7 2.4 2.1 1,43
milímetro 12 2,54 1,27 5,08 6 4.3 0.6 0,25 0,03 45°
4.3 0,60 0,35 29,9 27,5 11,8 9,85 5,8 1,65 2.8 13 9,9 1.6 1.8 0,78
Nota
1. No se incluyen salientes de plástico o metal de 0,25 mm como máximo por lado.
CONTORNO REFERENCIAS EUROPEO

FECHA DE ASUNTO
VERSIÓN PROYECCIÓN
CEI JEDEC JEITA
98-02-20
SOT411-1
02-04-24
Fig. 30. Esquema del paquete SOT411-1 (DBS23P)



HSOP24: paquete de contorno pequeño de disipador de calor de plástico; 24 derivaciones; baja altura de separación SOT566-3
Y A
D
X
X
y E2
ÉL v MA _
D1
D2
1 12
pin 1 índice
A
A2
E1 (A3)
A4
i
LP
detalle X
24 13
DE wM
y pb
0 5 10mm
escala
DIMENSIONES (mm son las dimensiones originales)

A D(2) mi(2)
UNIDAD A2 A3 A4 (1) D1 D2 E1 E2 y ÉL q en en X y DE i
máx. pb c LP
3.5 +0,08 0,53 0,32 16,0 13,0 1.1 11,1 6.2 2.9 14,5 1.1 1.7 2.7 8°
milímetro 3.5 0.35 1 0.25 0.25 0.03 0.07
3.2 ÿ0,04 0,40 0,23 15,8 12,6 0.9 10,9 5.8 2.5 13,9 0.8 1.5 2.2 0°
notas
1. Límites por lead individual.
2. No se incluyen salientes de plástico o metal de 0,25 mm máximo por lado.
CONTORNO REFERENCIAS EUROPEO

FECHA DE ASUNTO
VERSIÓN CEI JEDEC JEITA PROYECCIÓN
03-02-18
SOT566-3
03-07-23
Fig. 31. Esquema del paquete SOT566-3 (HSOP24)



15. Soldadura de paquetes SMD

Este texto proporciona una visión muy breve de una tecnología compleja. Se puede encontrar una descripción más
AN10365 “Reflujo de montaje en superficie
detallada de los circuitos integrados de soldadura en la nota de aplicación
descripción de soldadura” .
15.1 Introducción a la soldadura

La soldadura es uno de los métodos más comunes a través del cual los paquetes se unen a las placas de circuito
impreso (PCB) para formar circuitos eléctricos. La unión soldada proporciona tanto la conexión mecánica como la
eléctrica. No existe un único método de soldadura que sea ideal para todos los paquetes de circuitos integrados. A
menudo se prefiere la soldadura por ola cuando se mezclan dispositivos de montaje en superficie (SMD) y de orificio
pasante en una placa de cableado impresa; sin embargo, no es adecuado para SMD de paso fino. La soldadura por
reflujo es ideal para los pasos pequeños y las altas densidades que vienen con una mayor miniaturización.
15.2 Soldadura por ola y por reflujo

La soldadura por ola es una tecnología de unión en la que las uniones se realizan mediante soldadura proveniente de una
onda estacionaria de soldadura líquida. El proceso de soldadura por ola es adecuado para lo siguiente:
• Componentes de orificio pasante •
SMD con o sin plomo, que se pegan a la superficie de la placa de circuito impreso
No todos los SMD se pueden soldar por ola. Los paquetes con bolas de soldadura y algunos paquetes sin plomo
que tienen zonas de soldadura debajo del cuerpo no se pueden soldar por ola. Además, los SMD con plomo con
conductores que tienen un paso inferior a ~0,6 mm no se pueden soldar por ola, debido a una mayor probabilidad de
puenteo.
El proceso de soldadura por reflujo consiste en aplicar pasta de soldadura a una placa, seguida de la colocación
de los componentes y la exposición a un perfil de temperatura. Los paquetes con plomo, los paquetes con bolas
de soldadura y los paquetes sin plomo son todos soldables por reflujo.
Las características clave de la soldadura por ola y por reflujo son:
• Especificaciones de la placa, incluidos el acabado de la placa, las máscaras de soldadura y las
vías • Huellas del paquete, incluidos los ladrones de soldadura y la orientación • El nivel de
sensibilidad a la humedad de los paquetes • Ubicación del paquete
• Inspección y reparación •
Soldadura sin plomo versus soldadura SnPb
15.3 Soldadura por ola

Las características clave en la soldadura por ola son:
• Problemas del proceso, como la aplicación de adhesivo y fundente, el remachado de cables, el transporte de
placas, los parámetros de la onda de soldadura y el tiempo durante el cual los componentes están expuestos a
la onda.
• Especificaciones del baño de soldadura, incluidas la temperatura y las impurezas


15.4 Soldadura por reflujo Las
características clave de la soldadura por reflujo son:
• Soldadura sin plomo versus SnPb; tenga en cuenta que un proceso de reflujo sin plomo generalmente conduce a
temperaturas máximas mínimas más altas (consulte la Figura 32) que un proceso SnPb, lo que reduce la ventana
del proceso
• Problemas de impresión de pasta de soldadura que incluyen manchas, liberación y ajuste de la ventana de proceso
para una combinación de componentes grandes y pequeños en una placa
• Perfil de temperatura de reflujo; este perfil incluye precalentamiento, reflujo (en el que la placa se calienta a la
temperatura máxima) y enfriamiento. Es imperativo que la temperatura máxima sea lo suficientemente alta para que
la soldadura haga uniones de soldadura confiables (una característica de la pasta de soldadura). Además, la
temperatura máxima debe ser lo suficientemente baja para que los paquetes y/o las placas no se dañen. La
temperatura máxima del paquete depende del grosor y volumen del paquete y se clasifica de acuerdo con las Tablas
12 y 13
Tabla 12. Proceso eutéctico SnPb (de J-STD-020C)
Grosor del paquete (mm) Temperatura de reflujo del paquete (°C)
Volumen (mm3)
< 350 ÿ 350
<2.5 235 220
ÿ 2,5 220 220
Tabla 13. Proceso sin plomo (de J-STD-020C)
Grosor del paquete (mm) Temperatura de reflujo del paquete (°C)
Volumen (mm3)
< 350 350 a 2000 > 2000
<1.6 260 260 260
1,6 a 2,5 260 250 245
> 2,5 250 245 245
Las precauciones de sensibilidad a la humedad, como se indica en el embalaje, deben respetarse en todo momento.
Los estudios han demostrado que los paquetes pequeños alcanzan temperaturas más altas durante la soldadura
por reflujo, consulte la Figura 32.


temperatura pico máxima

= límite MSL, nivel de daño
la temperatura
temperatura máxima mínima =

temperatura mínima de soldadura
temperatura pico
hora
001aac844
MSL: Nivel de sensibilidad a la humedad
Fig 32. Perfiles de temperatura para componentes grandes y pequeños
Para obtener más información sobre los perfiles de temperatura, consulte la Nota de aplicación AN10365
“Descripción de la soldadura por reflujo de montaje en superficie”.
16. Soldadura de paquetes de montaje de orificio pasante
16.1 Introducción a la soldadura de paquetes de montaje de orificio pasante

Este texto ofrece una breve descripción de la soldadura por ola, por inmersión y manual.
La soldadura por ola es el método preferido para el montaje de paquetes de circuitos integrados de montaje de orificio pasante en
una placa de circuito impreso.
16.2 Soldadura por inmersión o por ola de soldadura

Impulsado por la legislación y las fuerzas ambientales, el uso mundial de soldaduras en pasta sin plomo está aumentando.
El tiempo de permanencia típico de los cables en la onda oscila entre 3 y 4 segundos a 250 °C o 265 °C, según el material
de soldadura aplicado, sin SnPb o Pb, respectivamente.
El tiempo total de contacto de las sucesivas ondas de soldadura no debe exceder los 5 segundos.
El dispositivo se puede montar hasta el plano del asiento, pero la temperatura del cuerpo de plástico no debe exceder la
temperatura de almacenamiento máxima especificada (Tstg(max)). Si la placa de circuito impreso ha sido precalentada, puede
ser necesario un enfriamiento forzado inmediatamente después de soldar para mantener la temperatura dentro del límite permisible.
16.3 Soldadura manual Aplique el soldador
(24 V o menos) a los conductores del paquete, ya sea por debajo del plano de asiento o no más de 2 mm por encima. Si la
temperatura de la punta del soldador es inferior a 300 °C, puede permanecer en contacto hasta 10 segundos. Si la temperatura de
la punta está entre 300 °C y 400 °C, el contacto puede durar hasta 5 segundos.


16.4 Información de soldadura relacionada con el paquete
Tabla 14. Idoneidad de los paquetes de circuitos integrados de montaje en orificio pasante para soldadura por
Paquete inmersión y por ola Método de soldadura
Inmersión Ola
CPGA, HCPGA - apropiado
DBS, INMERSIÓN, HDIP, RDBS, SDIP, SIL apropiado adecuado[1]

PMFP[2] - no adecuado
[1] Para paquetes SDIP, el eje longitudinal debe ser paralelo a la dirección de transporte del circuito impreso.
junta.
[2] Para los paquetes de PMFP, es adecuada la soldadura con barra caliente o la soldadura manual.
17. Historial de revisión
Tabla 15. Historial de revisión

Identificación del documento Fecha de lanzamiento Estado de la hoja de datos Aviso de cambio Reemplaza
20090907 Hoja de datos del producto - -
TDA8922C_1


18. Información legal
18.1 Estado de la hoja de datos
Estado del documento [1][2] Estado del producto[3] Definición
Hoja de datos objetivo [breve] Desarrollo Este documento contiene datos de la especificación objetiva para el desarrollo del producto.
Hoja de datos preliminar [breve] Cualificación Este documento contiene los datos de la especificación preliminar.
Hoja de datos del producto [breve] Producción Este documento contiene la especificación del producto.
[1] Consulte el documento emitido más recientemente antes de iniciar o completar un diseño.
[2] El término 'hoja de datos breve' se explica en la sección "Definiciones".
[3] El estado del producto de los dispositivos descritos en este documento puede haber cambiado desde que se publicó este documento y puede diferir en el caso de varios dispositivos. El último estado del producto
la información está disponible en Internet en la URL http://www.nxp.com.
18.2 Definiciones daño. NXP Semiconductors no acepta ninguna responsabilidad por la inclusión y/o el uso de productos
de NXP Semiconductors en dichos equipos o aplicaciones y, por lo tanto, dicha inclusión y/o uso es por
cuenta y riesgo del cliente.
Borrador: el documento es solo una versión de borrador. El contenido aún está bajo revisión
interna y sujeto a aprobación formal, lo que puede resultar en modificaciones o adiciones. NXP Aplicaciones: las aplicaciones que se describen en este documento para cualquiera de estos
Semiconductors no ofrece ninguna representación ni garantía en cuanto a la exactitud o integridad productos son solo para fines ilustrativos. NXP Semiconductors no representa ni garantiza que dichas
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uso de dicha información.
Valores límite: el estrés por encima de uno o más valores límite (como se define en el Sistema de
Hoja de datos breve: una hoja de datos breve es un extracto de una hoja de datos completa con los clasificación máxima absoluta de IEC 60134) puede causar daños permanentes al dispositivo. Los valores
mismos números de tipo de producto y título. Una breve hoja de datos está destinada únicamente a una límite son solo clasificaciones de tensión y no se implica el funcionamiento del dispositivo en estas u otras
referencia rápida y no se debe confiar en que contenga información detallada y completa. Para obtener condiciones superiores a las proporcionadas en las secciones de Características de este documento. La
información detallada y completa, consulte la hoja de datos completa correspondiente, que está disponible exposición a valores límite durante períodos prolongados puede afectar la confiabilidad del dispositivo.
a pedido a través de la oficina de ventas local de NXP Semiconductors. En caso de discrepancia o
conflicto con la hoja de datos breve, prevalecerá la hoja de datos completa.
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18.3 Descargos de responsabilidad
escrito. En caso de discrepancia o conflicto entre la información contenida en este documento y dichos
términos y condiciones, prevalecerán estos últimos.
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18.4 Marcas registradas
muerte o propiedad severa o ambiental
Aviso: Todas las marcas, nombres de productos, nombres de servicios y marcas registradas a las que se
hace referencia son propiedad de sus respectivos dueños.
19. Información de contacto
Para obtener más información, visite: http://www.nxp.com
Para conocer las direcciones de las oficinas de ventas, envíe un correo electrónico a: salesaddresses@nxp.com


20. Contenidos
1 Descripción general . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 dieciséis

Soldadura de paquetes de montaje de orificio pasante.
2 Características . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 16.1 37 Introducción a la soldadura de paquetes de montaje
3 Aplicaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Datos de orificio pasante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
16.2 Soldadura por inmersión o por ola de soldadura. . . . .
4 de referencia rápida. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
16.3 37 Soldadura manual. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5 Información de pedido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 16.4 Información de soldadura relacionada con el
6 Diagrama de bloques. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 17 paquete . . . . . . 38 Historial de
7 Fijación de información . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 revisiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 Información
7.1 Fijación . . . . . . . . . 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 18.1 legal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39 Estado de la hoja
7.2 Descripción de pines. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 18.2 de datos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39 Definiciones . . . . . . . . . . . . . .
8 Descripcion funcional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18.3 Descargos de responsabilidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
8.1 General. . . . . . . . . . 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 18.4 Marcas registradas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
8.2 Frecuencia de modulación de ancho de pulso. . . . . . . . . . 19 Información del contacto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
8.3 8 Protección ... .. .. . . .. .. ... .. . . . . . . . . . 8
20 Contenido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
8.3.1 Protección térmica . .....................8
8.3.1.1 Repliegue Térmico (TFB) . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 8.3.1.2
Protección contra sobrecalentamiento (OTP) . . . . . . . . . 9 Protección
Protección de
contra
Ventanas
sobrecorriente
(WP). . . .(OCP)
. . . . . . . . . . . . . .10
. .Protección
. . 9 8.3.2
8.3.3 de tensión de alimentación. . . . . . . . . . . . . . . . 11
8.3.4 Entradas de audio diferenciales. . . . . . . . . . . . . . . . . 11
8.4 Valores límite. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
9
10 Características térmicas. . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
11 Características estáticas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
12 Características dinámicas. . . . . . . . . . . . . . . . . 14
12.1 Características de conmutación. . . . . . . . . . . . . . . . 14
12.2 Características de la configuración Stereo SE . . . . . 15
12.3 Características de la aplicación Mono BTL. . . . . . . 16
13 Información de la aplicación. . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
13.1 Aplicación mono BTL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . MODO DE
13.2 17 Pines. . . . . . .. .. ... .. .. la
. . potencia
. . . . . . . .de
17 Estimación de
13.3 salida . . . . . . . . . . . . . . 17 Extremo único
13.3.1 (SE) . . . . . . . . . . . . . . . puente
. . . . . . (BTL)
17 Carga
. . . atada
. . . . . al
.........
13.3.2 18 Reloj externo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
13.4 ....
13.5 Requisitos del disipador de calor. . . . . . . . . . . . . . . . . .
13.6 18 Efectos de bombeo . . .Esquema
. . . . . . . . de
. . . . . . . . . . . . 20
13.7 aplicación. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 Curvas medidas
13.8 en diseño de referencia (placa de
demostración) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 Esquema del
14 paquete . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 Soldadura de
15 paquetes SMD . . . . . . . . . . . . . . 35 Introducción a la
15.1 soldadura. . . . . . . . . . . . . . . . . 35 Soldadura por ola y
15.2 por reflujo . . . . . . . . . . . . . . . 35 Soldadura por
15.3 ola . . . . . . . . . . . . . .. .. .. .. .. . 35 Soldadura por reflujo .
15.4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
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ÿ Bajo nivel de ruido

ÿ Arranque y apagado suaves y sin ruidos pop ÿ Cambio de

ÿ Alta eficiencia ÿ Baja

ÿ Sistema Home Theater In A Box (HTIAB) ÿ Sistema

Semiconductores NXP TDA8922C

4. Datos de referencia rápida

Tabla 1. Datos de referencia rápida

Parámetro de símbolo Condiciones Mín Tipo Máx Unidad

Configuración estéreo de un solo extremo

[1] VDD es el voltaje de suministro en los pines VDDP1, VDDP2 y VDDA.

Tabla 2. Información de pedido

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VDDA Carolina del Norte

3 (20) 10 (4) 18 (12) 13 (7) 23 (16) 14 (8)

1 (18) 12 (6) 24 (17) 19 (-) 17 (11) 20 (13) 010aaa549

Los números de clavija entre paréntesis se refieren al número de tipo TDA8922CJ.

Figura 1. Diagrama de bloques

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Carolina del Norte 4

Carolina del Norte 5

Carolina del Norte 6

Carolina del Norte 19 6 MODO VSSD 17

Fig. 2. Configuración de pines TDA8922CTH Fig. 3. Configuración de pines TDA8922CJ

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7.2 Descripción de pines

Tabla 3. Descripción del pin

Símbolo Pin Descripción

VSSA 1 18 tensión de alimentación analógica negativa

SEGUNDO 2 19 señal de tierra

IN2M 4 21 entrada de audio negativa del canal 2

MODO 6 23 entrada de audio positivo del canal 2: modo de espera, silencio o

OSC 7 1 ajuste de frecuencia del oscilador o entrada de seguimiento

Carolina del Norte 11 5 no conectado

Carolina del Norte 12 6 no conectado

PROT 13 7 Condensador de desacoplamiento para protección (OCP)

VDDP1 14 8 tensión de alimentación positiva del canal 1

Carolina del Norte 19 - no conectado

VSSP2 20 13 tensión de alimentación negativa del canal 2

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• Estéreo Single-Ended (SE) • Mono

Bridge-Tied Load (BTL)

• Modo de espera: presenta una corriente de reposo muy baja • Modo

Fig 4. Ejemplo de circuito de selección de modo

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( 1 ) Primer 1ÿ4pulso hacia abajo.

Fig. 5. Temporización en el pin de entrada de selección de modo MODE