Instituto Tecnológico de Nogales

Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Prácticas de Laboratorio
Mediciones Eléctricas
Unidad III
Medición de Parámetros

Introducción:
La lectura de diferentes parámetros dentro de las mediciones eléctricas, como
resistencia, capacitancia, inductancia, así como las características de los dispositivos
semiconductores diodos, BJT, FET, etc. hace necesario la operación de equipos que
permitan verificar los datos que proporcionan el fabricante de cada uno de los
dispositivos descritos anteriormente.

Trabajo de Investigación:
El alumno deberá de realizar una instigación sobre los efectos de carga de los
instrumentos en las mediciones. Así como los equipos que existentes (Puentes,
analizador de semiconductores, etc.) para medir los parámetros más importantes de los
siguientes componentes electrónicos; Resistencias, capacitores, Bobinas, Diodos
Rectificadores, Diodos Zener, Transistores bipolares y Transistores de efecto de campo.
El trabajo es individual y deberá de incluir un mapa conceptual sobre el efecto de
carga de los instrumentos de medición, así como un mapa adicional de los parámetros
de medición de los componentes ya antes mencionados. En la plataforma de classroom
se dará de alta por un servidor la rúbrica del trabajo de investigación, así mismo el alumno
deberá subir su trabajo a la plataforma antes de la fecha indicada en el mismo.

Practicas a elaborar:
Al realizar prácticas de laboratorio, el alumno está obligado a seguir todas las
reglas de seguridad que apliquen para la medición de parámetros eléctricos.
Como resultado de la elaboración de su práctica, el alumno realizará un reporte
de sus prácticas en archivo PDF y deberá ser subido a la plataforma de classroom , dicho
reporte será por equipo de trabajo, el cual deberá de estar conformado por no más de
tres integrantes.

El reporte de las prácticas deberá de ser subido a la plataforma de Teams antes de la

fecha indicada, así mismo dicho reporte deberá de contener los siguientes puntos.

➢ Portada
➢ Índice
➢ Introducción al tema.
➢ Objetivo de la práctica
➢ Equipo y material a utilizar
➢ Desarrollo de la práctica (Cálculos y simulaciones), así como lo circuitos
resultantes.

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➢ Tabla de resultados teóricos vs simulados. Incluye porcentaje de error y/o

comentarios.
➢ Junto al reporte de las prácticas, se deberá de incluir las archivos utilizados para
la simulación de los circuitos.
➢ En caso de ser posible las practicas se realizarán en el laboratorio de electrónica
y deberán ser revisadas por el profesor.
➢ Conclusiones de cada una de las prácticas elaboradas.
➢ Copia donde el maestro les reviso su práctica. (Aplica únicamente si las practicas
fueron elaboradas físicamente).

Nota: Si el TecNM nos permite regresar al aula se realizarán prácticas de medición de

componentes electrónicos utilizando el LCR y analizador de semiconductores.

3.1 Uso del Generador de funciones y Osciloscopio digital para medición y

observación de los parámetros de señales.

Objetivo. Que el alumno se familiarice con el uso multímetros, fuentes de corriente

directa, osciloscopio digital y generador de funciones realizando mediciones de amplitud
en diferentes unidades (Vrms, VP, VPP, etc.), frecuencia, periodo de diferentes formas de
onda. Para esto utilizaremos un osciloscopio y un generador de funciones digitales.

Arme el siguiente circuito en su software de simulación y verifique su funcionalidad,

después en caso de tener tiempo en el aula, constrúyalo en su protoboard y realice las
mediciones que se requieren.

Figura 3.1

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a) Utilizando el generador de funciones, seleccione una señal senoidal de 7 VPP a

una frecuencia de 100 Hz.

1. Conecte el canal uno de su osciloscopio en paralelo con el generador de

funciones.
2. Conecte el canal dos de su osciloscopio en paralelo con R2. (Acoplamiento de
DC)
3. Conecte el canal tres de su osciloscopio en paralelo con C1. (Acoplamiento de
DC)
4. Grafique las señales de entrada, la señal en R2 y la señal de C1, incluya las
frecuencias y magnitudes de cada señal en su gráfica.
5. Compare las señales obtenidas en su simulación versus las tomadas de su
circuito y comente resultados, incluyendo valores de magnitud y frecuencia.

b) Ahora seleccione una onda tipo cuadrada a una frecuencia de 500 Hz. y una
amplitud de 7 VPP y repita los pasos del 1 al 5 del inciso anterior.

c) Ahora utilizando el circuito de la figura 3.2 y aplicando una señal con el generador
de funciones de 7 VPP a 250 Hz.

1. Conecte el canal uno de su osciloscopio en paralelo con el generador de

funciones.
2. Conecte el canal dos de su osciloscopio en paralelo con R2. (Acoplamiento de DC)
3. Conecte el canal tres de su osciloscopio donde estaba el C 1. (Acoplamiento de
DC) (Ver figura 3.2)
4. Grafique las señales de entrada, la señal en R2 y la señal de C1, incluya las
frecuencias y magnitudes de cada señal en su gráfica.
5. Compare las señales obtenidas en su simulación versus las tomadas de su circuito
y comente resultados, incluyendo valores de magnitud y frecuencia.

Figura 3.2

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3.2 Uso del puente LCR para la medición de parámetros Inductancia y

capacitancia. (Nota: Esta práctica se llevará a cabo en forma física únicamente,
esto es si se tiene tiempo disponible en el aula).

Objetivo. Determinar el valor de capacitores y bobinas mediante puentes de medición.

(LCR Agilent 4263B).

Material a utilizar 5 bobinas y 5 capacitores de diferente valor nominal.

Equipo: LCR Agilent 4263B con accesorios.

Nota: Al ser clases y practicas virtuales, el alumno deberá de utilizar el software

de MultiSim, específicamente el medidor de impedancias para la medición de los
componentes antes mencionados.

Para llevar a cabo esta práctica, deberá de seleccionar 5 bobinas y 5 capacitores de

diferente valores, realizar su medición y llenar la siguiente tabla, tomando en cuenta su
valor nominal de acuerdo a la nomenclatura del fabricante y el valor obtenido del LCR.
La tabla deberá ser llenada de la siguiente forma. En la columna de valor nominal, se
llenará con el valor especificado por el fabricante, el valor practico será el resultado de la
medición realizada y por último en comentarios, deberá de incluir el rango del valor
permisible de acuerdo a la tolerancia especificada por el fabricante.

a) Procedimiento para la medición de Capacitancias utilizando el LCR 4263B de

Agilent.

Para probar un capacitor fuera de un circuito, configure el LCR tal como se

muestra en los siguientes pasos.

Figura 3.3 LCR Agilent 4263B

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Figura 3.4

Figura 3.5

Figura 3.6

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Figura 3.7

Figura 3.8

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Figura 3.9

Figura 3.9a

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Figura 3.9b

Figura 3.10

Tabla 3.1 Medición de Capacitancias con LCR.

Numero Valor F(Hz) R(ohm) Xc(ohm) |Z|(ohm) Comentarios

Nominal
1
2
3
4
5

Los ocho pasos que indican el procedimiento para la medición de capacitancias

utilizando el LCR Agilent 4263B, se resumen en el siguiente diagrama a bloques.

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Figura 3.11
b) Procedimiento para la medición de Inductancias utilizando el LCR 4263B de
Agilent.

Para probar un inductor (Bobina) fuera de un circuito, configure el LCR tal como se
muestra en los siguientes pasos.
Este ejemplo muestra el procedimiento para probar el funcionamiento de una bobina de
220 µH +/- 5% @ 100kHz, tal y como se indica en la figura 3.12.

Figura 3.12
El requerimiento para esta prueba es el Fixture de prueba 16047a y los parámetros
de la prueba Lp - Q y Lp – Rdc serán:
Frecuencia de prueba 100 kHz.
Nivel de señal de prueba 100 m Vrms

Los primeros dos pasos son los mismos que se utilizaron en el procedimiento de
la medición de capacitancias. Realícelos en forma idéntica y para el tercer paso
seleccionaremos la medición de inductancias.

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Figura 3.13

Figura 3.14

Figura 3.15

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Figura 3.16

Figura 3.16a

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Figura 3.16b

Figura 3.17

Diagrama para la configuración del LCR en la medición de inductancias.

Tabla 3.2 Medición de Inductancias con LCR.

Numero Valor F(Hz) R(ohm) XL(ohm) |Z|(ohm) Comentarios

Nominal
1
2
3
4
5

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3.3 Medición de potencia y energía.

Objetivo. El alumno deberá de aplicar las normas de seguridad en la medición de voltajes

y corrientes, como una forma de realizar la medición de potencia en C.D. y C.A.
La energía o potencia, entregada o disipada por un dispositivo eléctrico /
electrónico se mide en Watts o vatios, y para esto se utiliza un instrumento llamado
vatímetro (wattmeter).
Para esto utilizaremos los siguientes equipos en la realización de esta práctica.
Un Multímetro con capacidad de medir corrientes y voltajes en C.D. y C.A. Una fuente
de poder (Powers Supply) de C.D. y un generador de funciones. Adicional a esto se
requiere el protoboard para la realización del circuito.
Introducción. El equipo utilizado para la medición de energía o potencia es llamado
vatímetro (wattmeter). Debido a la ausencia de este equipo, realizaremos la práctica
utilizando la ley de ohm para realizar el cálculo.
La potencia disipada por una resistencia en un circuito eléctrico puede ser
determinada mediante las siguientes ecuaciones:

2
𝑉2
𝑃 = 𝐼 ∗ 𝑅, 𝑃 =𝑉∗𝐼 𝑦 𝑃=
𝑅

Estas ecuaciones son equivalentes para el cálculo de la energía entregada o

disipada por los dispositivos electrónicos, por ejemplo, supóngase que tenemos una
fuente de voltaje que proporciona una salida de 20 VCD y una corriente de 2 Amp. Por lo
que la energía o potencia que nos puede proporcionar será de:

𝑃 = 𝑉 ∗ 𝐼 = 20 ∗ 2 = 40 𝑊𝑎𝑡𝑡𝑠.

De la misma forma si tenemos una Resistencia con valor de 50 ohm y a través de

ella circula una corriente de 20 miliamperios, entonces decimos que la potencia que
disipa 20 mili watts o bien 0.02 watts o vatios.

a) Mediciones (cálculo de potencia) de corriente y voltaje CD, como un medio de

para la medición de potencia (Energía en C.D.). A continuación, se muestra un
circuito, el cual utilizaremos para realizar las mediciones en CD. Elabore el circuito
utilizando un software de simulación, verifique el funcionamiento del circuito,
visualizando las señales, potencia, corrientes y voltajes que se solicitan, posterior
a esto realice los cálculos de los parámetros que se solicitan y si se nos permite
regresar al aula, construya el circuito en un “protoboard” y realice las mediciones
que se requieren en la tabla siguiente.

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Figura 3.18

Realice los calculos que se requieren para llenar la tabla 3.3:

Tabla 3.3 Registro de parámetros de potencia CD
Valores Teóricos Valores Simulados Valores Prácticos
Fuente PR1 PR2 PR4 PR1 PR2 PR4 VR2 VR1 IR1 PR1 PR2 PR4
5V
8V
12 V

b) Mediciones (cálculo de potencia) de corriente y voltaje CA, como un medio de para

la medición de potencia (Energía en C.A.). A continuación, se muestra un circuito,
el cual utilizaremos para realizar las mediciones en CA. Elabore el circuito
utilizando un software de simulación, verifique el funcionamiento del circuito,
visualizando las señales, potencia, corrientes y voltajes que se solicitan. Ahora
construya el circuito en un “protoboard” y realice las mediciones que se requieren
en la tabla siguiente. (La frecuencia de la señal a aplicar será de 1 KHz. Para cada
uno de los voltajes solicitados).

Nota. El wattmeter del MultiSim mide la potencia en valor rms para la C.A.

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Figura 3.19

Realice los calculos que se requieren para llenar la tabla siguiente:

Tabla 3.4 Registro de parámetros de potencia CA.
Valores Teóricos Valores Simulados Valores Prácticos
Fuente PR1 PR2 PR4 PR1 PR2 PR4 VR2 VR1 IR1 PR1 PR2 PR4
3 VPP
5 VPP
7 VPP

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3.4 Prueba de dispositivos semiconductores.

Objetivo. Que el alumno se familiarice con la utilización del analizador de

semiconductores, utilizando las normas y reglas de seguridad apropiadas para esta
actividad.
Introducción: Un dispositivo semiconductor, es aquel que está constituido por
materiales llamadas semiconductores. El más actualizado en la actualidad es el Silicio
su símbolo en la tabla periódica de los elementos es Si y el germanio Ge, este último con
mucho menos utilización que el Si.
Los semiconductores son materiales utilizados para la manufactura de
dispositivos electrónicos tales como diodos de rectificadores, Zener, etc., así como los
transistores bipolares, transistores de efecto de campo, tiristores y circuitos integrados.
En la actualidad un equipo electrónico esta constituidos en un 90% por materiales
semiconductores. En esta práctica el alumno visualizara las curvas características de un
diodo rectificador, de un transistor bipolar y la de un transistor de efecto de campo. Para
realizar esta práctica se utilizará el equipo Analizador de Semiconductores de HP 4145B
y el software MultiSim para llevar a cabo la simulación del análisis de las curvas de un
BJT y ver sus curvas características. De nuevo de ser posible, esta práctica se deberá
llevar a cabo dentro de la caseta de laboratorio de electrónica. A continuación, se muestra
el analizador de semiconductores con su menú principal, el cual nos muestra las 8
opciones para la operación y configuración del equipo.

Figura 3.20

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a).- Visualización de la curva característica de un diodo rectificador.

Para configurar el HP4145B en el análisis de un diodo rectificador siga los siguientes
pasos.
1) Del menú principal seleccione la opción número uno, definición de canales. (Channel
definition) y el HP4145B nos mostrara las opciones para definición de canales tal y
como se muestra a continuación.

Figura 3.21

2) Seleccione con los botones de la derecha (Teclas programables) según sea el

dispositivo a visualizar: Para un diodo, se deberá de seleccionar el botón identificado
como DIODO, y la gráfica que nos mostrara será la del voltaje en polarización directa en
el eje “x” y de la corriente en sentido directo sobre el eje “y”. (DIODO / VF-IF).
Una vez presionada este botón, el HP4145B nos mostrara lo siguiente

Esta pantalla nos muestra que el

canal uno queda configurado para
ser conectado en el ánodo del
diodo y el canal 3 para el cátodo,
tal y como se muestra en la figura
siguiente.

Figura 3.22

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3) Una vez conectado el diodo como se ilustra

en la figura anterior, presione la tecla NEXT
para pasar a la configuración de parámetros y
valores de voltaje y/o corriente que se requiere
para el análisis tal y como se ilustra a
continuación.

Figura 3.23

4) En esta pantalla, se nos muestra la

configuración para el voltaje que se le
aplicara al diodo iniciando con -0.5V
hasta 2.0 volts en incrementos de 0.01
Volts y serán 251 pasos, se recomienda
que el número de pasos no sea mayor
a 15, por lo que el incremento lo
pondremos de 0.2 volts, la corriente
que se “acuerda” introducir no será
mayor a 40.00 mA. Una vez realizado
los cambios deseados, presionamos de
nuevo la tecla NEXT.

Figura 3.24
5) Definición del formato de salida del
análisis. En esta nueva pantalla se define
el formato del resultado del análisis ya
sea como una gráfica o bien como una
lista. Podemos presionar la botón NEXT
si deseamos como una gráfica o bien
utilizando las teclas para navegar de un
campo a otro modificar los rangos de la
gráfica. Se puede seleccionar la lista.
Para nuestra práctica seleccionamos
gráfica, posterior a esto seleccionamos la
tecla “REPEAT” o “SINGLE” para iniciar el
análisis. Si presionamos “REPEAT”,
deberemos presionar también “STOP”
para que nos muestra la gráfica y este fue
Figura 3.25
el resultado.

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6) Resultado. Grafica de nuestro análisis,

en el eje “x” tenemos el voltaje que se le
aplica denominado como VF, en volts, en
el eje “y” se muestra la corriente
denominada como IF. Los volts por
división son 0.25 para el eje “x” y de 5.0
mA para el eje “y”. Puede presionar la
tecla AUTO SCALE, si desea que
automáticamente se genere las escalas
de la gráfica.

Figura 3.26

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b).- Visualización de la curva característica de un transistor bipolar.

Para configurar el HP4145B en el análisis para un transistor bipolar, deberá de
seleccionar de la pantalla de configuración de canales (refiérase a la figura 3.21) el botón
identificado como B-Tr, el cual indica que la gráfica a mostrar será de Voltaje Colector –
emisor en el eje “x”, y de corriente de colector en el eje “y”. (B-Tr / VCE – IC).

1) Presione el botón correspondiente a B-Tr / VCE-IC)

Figura 3.27
Recuerde que un transistor bipolar o BJT consta de tres terminales, llamadas emisor,
base y colector. En la pantalla de la figura 3.27, se puede observar que la definición de
canales para el BJT es, SMU1 para emisor, SMU2 para la base y SMU3 para el colector.
Realice las conexiones acorde a esta definición de su dispositivo bajo prueba (DBP).

2) Una vez que esté listo presione la tecla NEXT para avanzar a la siguiente
página. La cual nos mostrara los valores de los parámetros con que se
realizara la prueba.
3) Utilice los cursores para moverse
de un campo a otro y el teclado para
introducir nuevos valores si son
requeridos, en caso contrario
presione la Tecla NEXT de Nuevo
para acceder a la pantalla de
configuración de la gráfica o lista de
resultados. Tal y como se muestra en
la figura 3.28

Figura 3.28

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4) Utilice los cursores si desea poner

en forma manual la escala para su
gráfica, una vez que concluya
presione la Tecla NEXT para
continuar.

Figura 3.29

Una vez que elaborado el proceso de preparación para el análisis, presione la tecla
“REPEAT” para iniciar el análisis, espere algunos segundos y presione la tecla “STOP”
si su grafica no es muy visible o clara, presione el botón de “AUTOESCALE” para que se
realice un ajuste automático de escala y su grafica se más visible y legible.

c).- Visualización de la curva característica de un transistor de efecto de campo.

Para un análisis de un transistor de efecto de campo, seleccione con el botón identificado
como FET de la pantalla de configuración de canales (refiérase a la figura 3.27) y nos
proporcionara una gráfica del voltaje drenaje – fuente en el eje “x” y de corriente drenaje
en el eje “y”. (FET / VDS – ID).

Para realizar el análisis de FET, realice los mismos pasos de BJT, el cambio que aplica
es en la selección de la definición de canales que se muestra en la figura 3.27 tal y como
se indica en el párrafo anterior.

NOTA: Para nuestra simulación, únicamente realizaremos las practica del BJT, ya que
los software con que contamos no incluyen un equipo para el análisis de
semiconductores.

Para llevar a cabo la simulación del análisis de un BJT y ver sus características
principales, primero debemos conocer sus características básicas.
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar
se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones.
Un BJT consta de tres terminales, las cuales se les conoce como Colector, Base
y Emisor. Así mismo existen dos polaridades, denominadas NPN y PNP. Cada una de
las siglas de la polaridad, representan la polaridad de cada una de las capa que lo

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conforman, en este caso si hablamos de un BJT NPN, significa que su colector es

“Negativo”, Base “Positivo” y Emisor “Negativo”.
Para simular la medición de parámetros de un BJT, utilizando el software MultiSim,
utilizaremos un equipo denominado “BJT Analyzer”, así como 2 transistores NPN y 2
transistores PNP.
Nos basaremos en el siguiente esquemático para llevar a cabo las simulación y lo
que deseamos ver los las graficas características de cada uno de ellos.
Es importante mencionar que un semiconductor como el BJT, su operación se
basa en las corrientes que fluyen a través de el y su relación es como sigue:

𝛽𝐼𝐸
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 , 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝐼𝐶 = ∴ 𝛽 𝑒𝑠 𝑢𝑛 𝑝𝑎𝑟𝑎𝑚𝑒𝑡𝑟𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝐵𝐽𝑇
𝛽+1

El parámetro 𝛽 (beta) es la ganancia de corriente en forma directa que se tiene

entre la base y el colector, de tal manera que si el BJT esta polarizado correctamente, la
corriente que fluirá de colector será 𝛽𝐼𝐵 .
Las curvas características de un BJT, se basan en inyectar al transistor una serie
de corrientes en base y analizar las corrientes que fluyen del colector, así como el voltaje
de Colector a Emisor que se genera. En la siguiente grafica se puede apreciar dichas
curvas.

Figura 3.30 Curvas características de un BJT

Note que por cada corriente de base que se inyecta, se genera una curva, donde
el eje “Y” nos indica la magnitud de la corriente de colector que fluye a través del BJT y
el eje “X” nos muestra el voltaje que existe entre las terminales colector -emisor. En la
misma grafica se muestras las tres regiones de operación que se tienen en un BJT, estas
se denominan;

a) Zona de corte, el BJT está apagado.

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b) Zona de Saturación, el comportamiento de BJT no es lineal y existe un flujo de

corriente del tipo exponencial, se dice que el BJT está encendido.
c) Zona Activa, el comportamiento del BJT es lineal y se puede controlar el flujo de
corriente que hay de colector a emisor, es en esta región en la que opera como
amplificador.

Nota: Debido a que estamos en clases y practicas virtuales, para realizar las
mediciones de BJT, utilizaremos el MultiSim, específicamente el analizador de BJT
y IV Analizer. En el caso de la medición de diodos, utilizaremos el IV Analizer de
MultiSim

Utilice el siguiente esquemático para realizar las mediciones requeridas y llene la

tabla con los parámetros requeridos.

Figura 3.31 Esquemático para el análisis de un BJT

El equipo virtual a utilizar para el análisis de BJT, se puede localizar en la parte

inferior de la barra de equipo, tal y como se muestra a continuación;

Figura 3.32 Selección de BJT Analyzer.

Ahora que ya lo ha seleccionado proceda a conectar cada uno de los 4 diferentes

transistores BJT que se le solicitan y llene la tabla 3.5 con los datos obtenidos.

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La pantalla siguiente muestra las curvas características de un BJT, utilícela como

referencia para sus mediciones.

Figura 3.33 Curvas características de un BJT 2N2222A

Tabla 3.5 Análisis del BJT

BJT Polaridad Sweep VCE I_B Sweep
2N3394 0 a 10 V 0.001 a 0.016 incremento 0.002
2N4401 0a5V 0.001 a 0.016 incremento 0.002
2N4402 0 a 10 V 0.001 a 0.010 incremento 0.002
2N5365 0a8V 0.001 a 0.010 incremento 0.002

Siga las instrucciones para determinar la polaridad del BJT y realice un “Screen
Shot” de cada una de las pantallas del “BJT Analyzer” para cada uno de los BJT que se
indican. (Recuerde Debera de adicionar a sus reportes 4 imágenes que muestren las
pantallas de cada análisis).
Para la utilización del IV Analizer y medir BJT y Diodos, utilice las siguientes
conexiones.
Para BJT y compare resultados con el analizador de BJT.

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Para diodos rectificadores.

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