Laboratorio de Física del Estado Sólido

Estados electrónicos y bandas de energía. Cristal unidimensional

Dpto. de Física de Materiales – Facultad de Ciencias Físicas – Universidad Complutense de Madrid
Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid (Spain)
Durante esta práctica se estudiarán las soluciones de la ecuación de Schrödinger en una dimensión para una
red finita de pozos de potencial y para una red infinita. Por un lado se estudiarán los autovalores y se
observará la aparición de intervalos prohibidos de energía, en los cuales no existen soluciones. Por otro, las
autofunciones, que poseen la forma de funciones de Bloch. Se prestará especial atención a las funciones en
los límites de las zonas de Brillouin y la comparación entre auntofunciones de bandas de alta y baja
energía. Se considerarán las aproximaciones de electrones casi libres y de enlace fuerte.

Bibliografía:
Introduction to solid state physics / Charles Kittel Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, cop. 2005
Física. Vol.III, Fundamentos cuánticos y estadísticos / M. Alonso, E. J. Finn: Addison-Wesley, cop.1986
Solid State Physics / N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, Saunders 1976.

1. INTRODUCCIÓN TEÓRICA electrones van adquiriendo mayor energía, situándose en

niveles superiores a causa de la acción del campo. Debido a la
Gran parte de la investigación actual dentro del marco de proximidad de los niveles, tales transiciones se realizan muy
la física del estado sólido está dedicada a entender y mejorar fácilmente.
las propiedades de conducción eléctrica de los materiales. El
comportamiento de un electrón dentro de un sólido es uno de EL TEOREMA DE BLOCH: El mayor problema que
los problemas más interesantes a los que aplicar la mecánica presenta el modelo anterior (aunque no el único), es su
cuántica elemental, y puede considerarse en último término un incapacidad para describir el comportamiento de los
problema de encontrar los autovalores de la energía asociados materiales aislantes y los semiconductores. Parece claro que es
a la interacción marcada por un potencial determinado. La necesario considerar el efecto de los pozos de potencial de los
ecuación de Schrödinger en una dimensión, para el electrón es átomos de la red. En 1928, Bloch demostró formalmente que
relativamente fácil de resolver pero obviamente un sólido real asumiendo la existencia de un potencial perfectamente
es tridimensional y el tratamiento matemático se complica. No periódico que se extiende hasta el infinito, siendo además
obstante, un modelo en una dimensión muestra parte del simétrico alrededor del centro de cada celda unidad, las
comportamiento cualitativo observado en tres. soluciones de la ecuación de Schrödinger para la función de
Supongamos una red de átomos infinita unidimensional onda electrónica se denominan funciones de Bloch y son de la
con un potencial simétrico en cada punto de la red, y forma:
supongamos un electrón moviéndose dentro de esa estructura.
Con la ayuda de un software de simulación es posible calcular
la función de onda y por tanto la energía correspondiente a
cada uno de los estados posibles, etiquetados por el vector de donde la función uk posee la misma periodicidad que la red, es
onda de Bloch (k), para esa partícula siempre y cuando se decir uk(x) = uk(x + a), siendo a el periodo de la red. Dicho de
verifique el teorema de Bloch. Conocidas todas las soluciones otra forma, las autofunciones de la ecuación de onda para un
posibles podremos “visualizar" la estructura de bandas de potencial cristalino periódico son el producto de una onda
energía y comparar, de una manera sencilla, cómo se modifica plana y otra función periódica con igual periodo que la red
dicha estructura de bandas cuando se cambia la forma o la cristalina. Es muy importante la naturaleza del número de
intensidad del potencial. ondas k = 2π/λ, del que depende la energía, E, del electrón. La
relación E(k) se denomina relación de dispersión y a partir de
MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES: Puede ella se puede obtener gran cantidad de información sobre las
considerarse en primera aproximación que la parte más propiedades electrónicas de un cristal, como la densidad de
significativa del potencial en el que se encuentra un electrón estados o la masa efectiva de portadores. Aplicando el teorema
son las paredes que lo mantienen recluido en el interior del de Bloch, se puede demostrar que la forma general de la
cristal. Se ignora por tanto el conjunto de potenciales relación de dispersión es:
atómicos, y en consecuencia el tratamiento matemático del
electrón se reduce a un movimiento encerrado en una “caja
vacía". Este modelo es el llamado modelo de electrones libres
y, pese a su sencillez, explica con éxito algunas propiedades donde Q se define de modo que la energía es E = ħ2Q2/2m y
físicas, en concreto aquellas que dependen esencialmente de t=|t|eiδ es el coeficiente de transmisión para un electrón libre
las propiedades cinéticas de los electrones de conducción. En con dicha energía al incidir sobre una sola barrera de potencial
primera aproximación, las funciones de onda de los electrones igual al potencial que se repite en cada punto de la red.
se asemejan, dentro de este marco, a las ondas estacionarias. Resolviendo esta ecuación podemos encontrar para cada k el
Los niveles energéticos están muy próximos entre sí, valor de Q y de ahí la relación de dispersión E(k).
separados por energías varios órdenes de magnitud inferiores Al hallar las soluciones independientes del tiempo de la
a las energías térmicas habituales, por lo que los niveles ecuación de Schrödinger en un cristal se encuentran rangos
forman esencialmente un continuo de estados. El proceso de finitos de E que sólo la verificarían para k complejos, es decir,
conducción eléctrica, en el que los electrones se mueven en corresponden a funciones de onda que contiene un término
respuesta a un campo eléctrico externo, implica que estos exponencial que diverge en ±∞, algo que no es aceptable

1
físicamente. Por tanto, corresponden a gaps o bandas de Donde Eat , α y β son constantes que dependen del estado
energía prohibida. En la ecuación anterior, estos gaps atómico Ф(x-na).
aparecen porque |t| ≤ 1, por lo que el término de la derecha es
mayor que 1 para ciertas energías, correspondiendo a k CONDICIÓN DE BRAGG Y BANDAS DE ENERGÍA: El
complejos. anterior modelo sirve para explicar la aparición de bandas
permitidas y prohibidas de energía por debajo de la altura de
LA APROXIMACIÓN DE ENLACE FUERTE: Una las barreras de potencial de los iones. Por encima de las
conclusión similar a la anterior puede obtenerse también barreras, si el potencial no fuera periódico, existiría un
desde otro punto de vista. En una hilera de átomos, cada uno continuo de energías solución de la ecuación de Schrödinger.
con un electrón fuertemente ligado, los niveles energéticos Sin embargo, debido a la periodicidad de la red en un cristal,
cambian según se varía la distancia entre átomos vecinos. Si hay ciertos números de onda para los cuales aparecen dos
se alejan mucho, los niveles de energía para cada electrón soluciones estacionarias con energías separadas por una
serán los de los átomos individuales, aunque cada nivel diferencia finita. Estos números de onda corresponden a los
corresponde realmente a un número de estados diferentes, límites de las zonas de Brillouin. En ellos se verifica la
igual al número de átomos en la hilera (se dice que hay relación k = nπ/a (es decir, nλ = 2a), donde n es un número
degeneración). Pero si los átomos se acercan suficientemente, entero y a es el parámetro de red. Es decir, en estas
las funciones de onda individuales solapan, dando lugar a condiciones, las ondas electrónicas cumplen la condición de
estados electrónicos extendidos en toda la red cuyos niveles Bragg, produciéndose reflexiones en cada plano atómico, lo
de energía tomarán valores ligeramente distintos de los que da lugar a ondas estacionarias. En el ejemplo de la figura
correspondientes al átomo individual (se dice que se ha 2, se muestra la gráfica de la relación de dispersión para
levantado la degeneración). Por consiguiente, el espectro electrones libres, así como para una red unidimensional para
discreto de estado energético original se convierte en un su primera zona de Brillouin, observando la distorsión debida
número de bandas cuasi continuas separadas por gaps de a la red periódica cristalina. En la figura 3 se representan la
energía (ver figura 1). energía potencial de un electrón debida a la red cristalina,
U(x), y las dos ondas estacionarias con el número de onda del
límite de la primera zona de Brillouin. Las funciones son:
- ψ-(k) α sen(kx) nivel inferior de la banda de mayor energía,
punto 1 en la gráfica de la relación de dispersión
- ψ+(k) α cos(kx) nivel superior de la banda de menor energía,
punto 2 en la gráfica de la relación de dispersión

Figura 1. (a) Niveles electrónicos discretos en un potencial

atómico y (b) niveles de energía para N átomos iguales
dispuestos periódicamente en función de la inversa del espaciado
interatómico. Cuando están suficientemente separados, las
funciones de onda de los electrones de átomos vecinos no solapan Electrones libres Red cristalina
y hay degeneración de los niveles, pero al ir juntándose hay
mayor solapamiento de las funciones de onda, se levanta la Figura 2. Relaciones de dispersión para electrones libres y para
degeneración y cada nivel da lugar a una banda. un cristal.

Esta aproximación puede ser utilizada principalmente

para las bandas originadas a partir de los niveles electrónicos
profundos, con energías sensiblemente inferiores a la altura de
la barrera de potencial creada por cada uno de los iones de la
red cristalina. Para estos niveles de energía, la función de
onda de un electrón en un ión y la de su vecino prácticamente
no solapan y la función de onda electrónica extendida a todo
el cristal se puede hallar como una superposición de las
funciones de onda individuales de cada ión:
Figura 3. Densidad de probabilidad de los estados electrónicos
ψ = ∑e ikna
φ(x − na) etiquetados 1 y 2 en la figura 2.
n
Se observa que, a pesar de poseer una misma k, ambas
Además se puede demostrar que la relación de poseen energía diferente debido al hecho de que la
dispersión en este caso es de la forma: probabilidad de encontrar a ψ- en la zona de mayor energía
potencial es mayor que la de encontrar a ψ+.
E(k) = E at − α − 2 β cos(ka ) La densidad de estados electrónicos, D(E), se define de
modo que D(E)dE es el número total de estados electrónicos
con energías comprendidas en el rango infinitesimal entre E y (c) Representar el estado de mínima energía de cada
E+dE, dividido por el volumen total del cristal. Se puede una de las tres bandas en la red de 12 pozos y discutir
demostrar que, en una dimensión, la densidad de estados es similitudes y diferencias con las funciones de Bloch. Describa
inversamente proporcional a la velocidad de grupo: uk(x) en cada caso y relaciónelo con los niveles de un pozo
individual.
D(E) dk/dω = (vgrupo)-1
3 – (a) Seleccione 12 pozos y represente las funciones de
onda asociadas a los cuatro primeros niveles de energía.
En tres dimensiones el cálculo se complica y la expresión Descríbalos atendiendo en particular al número de nodos y a la
para la densidad de estados queda: longitud de onda de la envolvente que modula dichas
autofunciones.
(b) Represente las autofunciones desde n = 1 a n = 24 y
dS 1
D(E) = ∫ obtenga la longitud de onda asociada (observando el número
(E) 4π | ∇E n (k) |
3
de nodos) a la onda moduladora para cada una de ellas.
Sn

4 –Represente en una única figura la relación de

La distorsión de la relación de dispersión que se produce dispersión E(k) utilizando los valores de energía de la
en los límites de las zonas de Brillouin (figura 2) debido a la Cuestión 1 y los números de onda hallados a partir de la
formación de estados estacionarios en un potencial cristalino Cuestión 3 para la red de 12 pozos. Observe que la
da lugar a una acumulación de los estados de energía en los distribución de autoestados dentro de las bandas no es
bordes de las bandas: la densidad de estados es sensiblemente uniforme. Represente la densidad de estados D(E)
mayor en estas zonas que en el centro de las bandas. considerando:
D(E) α dk/dE ≈ ∆ki/∆Ei = (ki - ki-1)/(Ei - Ei-1)

3. CUESTIONES II – BANDAS DE ENERGÍA EN UNA RED INFINITA

UNIDIMENSIONAL - Para estudiar las bandas de energía en
I. ESTADOS ELECTRÓNICOS EN UNA RED FINITA una red unidimensional infinita, seleccionaremos la opción
UNIDIMENSIONAL - Una vez dentro del programa CUPS “Energy bands in the infinite 1-D lattice". El programa de
seleccionaremos la opción “Electron States in a One- simulación que vamos a utilizar para obtener las soluciones de
Dimensional Lattice". Aparecerá una pantalla con un menú la ecuación de Schrödinger utiliza lo que se denominan
desplegable en la parte superior de la pantalla. unidades reducidas para el cálculo de todas las magnitudes
físicas. En concreto se emplean unidades como:
1 - Seleccione el número de pozos igual a uno en el - Distancia: indicada como x, se expresa en unidades de a (a =
menú “WELLS” – “Number of wells”. Obtenga las constante de la red).
auntofunciones y sus autoenergías, soluciones de la ecuación - Vector de onda: k, que se expresa en unidades de (π/a).
de Schrödinger, para energías por debajo de las barreras de - Energía: V o E, que se expresan en unidades de (h2/8ma2).
potencial (E < 0 eV). Para ello, pinche “SPECTRUM” –
“Find eigenvalues” y posteriormente represente las funciones 5 – Ajuste los parámetros de anchura de pozo y altura de
de onda seleccionando “SPECTRUM” – “See wavefunction”. barrera “Well width” = 0.5a, V0 = 10 unidades reducidas (para
En esta pantalla n = 1 representa el estado fundamental, n = 2 cambiar V0 seleccione el menú “Change V0”).
el primero excitado, n = 3 el segundo excitado y así (a) observe que las bandas de baja energía son muy
sucesivamente. Anote el valor de la energía mostrado en la estrechas comparadas con las de mayor energía. Explique por
parte superior de la pantalla para cada n: es el autovalor de la qué. ¿Qué esperaría si V0 se aproximara a infinito?
energía correspondiente a la función. Proceda de la misma (b) Pinchando sobre los puntos de interés de la curva
forma, obteniendo todos los estados ligados (E < 0 eV) E(k), represente (observándola en la parte inferior derecha de
soluciones de la ecuación de Schrödinger, con un número de la pantalla) cómo es la función de onda de los estados
pozos igual a 2, 5, 8 y 12. Represente en una gráfica los electrónicos de los dos extremos y el centro de la banda de
niveles energéticos en función del número de pozos y comente menor energía. Represente |ψ|2, seleccionando el menú “PLOT
el resultado. WHAT” – “Show |ψ|2”. Compare estos tres estados de la
misma banda.
2 – (a) Represente en una única figura la forma de la Repita este proceso con las funciones de onda situadas a
función de onda para los estados n = 1, 2 y 3 de un solo pozo. la misma altura de la segunda y sexta bandas (el número de
En particular, discuta qué estados poseen mayor probabilidad bandas se ajusta en el menú “PLOT WHAT” – “Number of
de encontrar al electrón fuera del pozo, lo que aumenta el bands”).
solapamiento de funciones de onda de electrones en átomos Discuta en qué bandas se debe aplicar la aproximación de
vecinos. electrón fuertemente ligado (Tight Binding) y en cuáles la
(b) Represente la autofunción correspondiente al estado aproximación de electrón casi libre (Nearly Free Electron).
fundamental (n = 1) para redes de 3, 8 y 12 pozos. Discuta sus
similitudes y diferencias con funciones de Bloch.
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Vibraciones de la red y calor específico de los cristales

Dpto. de Física de Materiales – Facultad de Ciencias Físicas – Universidad Complutense de Madrid
Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid (Spain)

Durante esta práctica se estudiarán las características de las vibraciones de la red y cómo éstas definen el
comportamiento térmico de los cristales. En particular, se estudiará la relación de dispersión ω(k) de las
diferentes ramas de fonones en cristales con diferentes simetrías y bases. A partir de ellas se obtendrán las
densidades de estados D(ω), pudiendo observar aspectos tales como las singularidades de Van Hove.
También se realizarán simulaciones de los principales modelos cuánticos propuestos para explicar la
influencia de los fonones en el comportamiento del calor específico de los cristales, incidiendo en el hecho
de que las principales diferencias entre ellos radican en la relación de dispersión de fonones considerada y
en la densidad de estados que de ella se obtiene.

Bibliografía:
Introduction to solid state physics / Charles Kittel Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, cop. 2005
Física. Vol.III, Fundamentos cuánticos y estadísticos / M. Alonso, E. J. Finn: Addison-Wesley, cop.1986
Solid State Physics / N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, Saunders 1976.

1. INTRODUCCIÓN TEÓRICA Indiquemos las características principales de la relación

de dispersión en los diferentes casos que se pueden encontrar,
I. VIBRACIONES DE LA RED comenzando por el más sencillo.

Cuando los átomos se ordenan formando un cristal se Cadena Monoatómica Unidimensional

colocan en la posición de mínima energía. Esto significa que Supongamos un sistema como el que mostramos en la
cada átomo se encuentra en un mínimo del potencial creado figura 2. Se trata de un conjunto infinito de átomos de masa m
por el resto de los átomos que constituyen el cristal. separados por una distancia a y situados a lo largo de una
Por otro lado sabemos que en todo sistema físico, cuando dirección y la constante elástica que los une es c. Supongamos
éste se desplaza ligeramente de su posición de equilibrio, su una interacción tipo oscilador armónico entre ellos y que la
movimiento puede aproximarse al de un oscilador lineal. Por interacción afecta sólo a los primeros vecinos. Supongamos
ello, podemos imaginar el cristal como un conjunto de átomos además, sin una gran pérdida de generalidad, que la energía
unidos todos ellos mediante muelles ideales tal y como puede potencial de un solo átomo depende de la distancia que lo
observarse en la figura 1. Por tanto, clásicamente se puede ver separa de sus primeros vecinos y no de la posición de los
como un sistema de osciladores acoplados que poseerá modos átomos más alejados. Esta última aproximación no es muy real
normales de oscilación con frecuencias características y en el pero funciona bastante bien para poder resolver el problema en
cual se producirá propagación de ondas. Desde el punto de primera aproximación. Para hacer el problema
vista cuántico, estos modos normales dan lugar al concepto de matemáticamente más sencillo, haremos también la suposición
fonones: los cuantos de energía vibracional. La velocidad a la de que los átomos sólo pueden desplazarse en la dirección de la
cual se propagan las ondas dependerá en general de la cadena, es decir que sólo pueden vibrar longitudinalmente.
dirección en que lo hacen y también de si la vibración se
produce en esa misma dirección (ondas longitudinales) o
perpendicular (ondas transversales).

Figura 2: Cadena monoatómica unidimensional.

De manera bastante sencilla se demuestra que la relación

de dispersión en este caso es:
c ka
Figura 1. Modelo de un cristal en el que las interacciones entre
ω= sen( ) (1)
átomos se sustituyen por muelles. m 2
Dado un número de onda cualquiera, podemos saber la
La comprensión del comportamiento de estas ondas, en
frecuencia con la que oscila. ¿Qué números de onda pueden
particular la relación de dispersión ω(k) entre su frecuencia y
su número de onda, es esencial para poder explicar, por existir en esta red? En principio, pueden tener cualquier valor.
ejemplo, la dependencia del calor específico de los cristales Sin embargo, puesto que los átomos están separados por la
respecto de la temperatura, así como algunos fenómenos distancia finita a, sólo hay que considerar k en un rango
ópticos y de conductividad eléctrica. comprendido entre 0 y un valor máximo relacionado con esa

1
distancia finita, ya que cualquier valor de k fuera de ese rango hay degeneración. En el caso de que la simetría no sea tan alta,
tendrá un equivalente dentro del mismo. En la figura 3 se la degeneración se rompe y la relación de dispersión cambia
explica este fenómeno: se representan dos ondas de distinto k, por completo. Además la incorporación de una base no
pero las posiciones de los átomos coinciden en ambas. Cuando monoatómica también reduce la simetría y modifica de modo
observemos el cristal, solamente veremos el movimiento de los esencial la relación de dispersión como veremos más adelante.
átomos y por tanto ambas ondas son equivalentes. Por ello
basta con considerar la onda de mayor longitud de onda (es
decir la de menor k) ya que es la más simple. Para el caso de la
cadena monoatómica unidimensional se puede demostrar que
si tomamos una onda con k > π/a, hay otra onda más sencilla
(con menor k) que coincide con la anterior en las posiciones de
los átomos. Así, sólo tenemos que considerar los valores de k
en el intervalo –π/a < k < π/a. Este intervalo define la primera
zona de Brillouin. En la figura 4 podemos ver la representación
gráfica de la relación de dispersión ω(k) para la cadena
monoatómica unidimensional. Aquí comprobamos cómo fuera
de la primera zona de Brillouin la relación se repite, por lo que
no es necesario considerar más allá de esta zona para
determinar cuáles son las frecuencias permitidas.
Figura 5. Relación de dispersión para un cristal cúbico simple.
Aparecen la rama longitudinal (L) y las dos ramas transversales
(T), que en este caso están degeneradas.

Cadena unidimensional con base doble

Figura 3. Ondas con distinto k (distinta λ) para las cuales las Consideramos ahora una cadena diatómica en la que
posiciones de los átomos coinciden tenemos dos tipos de átomos distintos en la base, con masas m1
y m2, constantes elásticas c1 y c2, y separación entre ellos
distancias b y a-b, como se muestra en la figura 6.

Figura 6. Modelo de cadena diatómica unidimensional con dos

tipos de átomos de masas m1 y m2 respectivamente. Los átomos
están unidos por muelles alternos de constantes c1 y c2. La
distancia entre dos átomos del mismo tipo es a, mientras que la
Figura 4. Relación de dispersión y primera zona de Brillouin para
distancia entre átomos de distinto tipo es b y a-b alternativamente.
la cadena atómica unidimensional.

Se puede demostrar que, en estas condiciones, la relación de

Cristal Monoatómico Tridimensional
dispersión es:
El problema de determinar las relaciones de dispersión
para un cristal tridimensional, como el que se muestra en la c1 c (c1m 2 + c 2 m1 ) 2 2c1c 2 (1 − cos(ka ))
figura 1, resulta mucho más complicado y normalmente se ω=+ + 2 ± −
m1 m 2 (m1m 2 ) 2 m1m 2
recurre a soluciones numéricas calculadas con ayuda de un
(2)
ordenador. En este caso, las vibraciones pueden ser
es decir, existen dos soluciones de ω para cada k: la relación de
longitudinales (misma dirección que la propagación de la onda)
dispersión presenta dos ramas. En la figura 7 se muestra una
o transversales (dirección perpendicular a la propagación de la representación gráfica simplificada de esta relación de
onda). Por ello, en la relación de dispersión aparecen tres dispersión. Como vemos, una de estas ramas es muy similar a
ramas: una longitudinal y dos transversales. Estas dos ramas la obtenida en el caso de una cadena unidimensional
transversales pueden coincidir si el sistema es muy simétrico. monoatómica mientras que la otra es muy distinta. Debido al
En ese caso se dice que las ramas transversales tienen intervalo de frecuencias que comprenden, la primera de ellas
degeneración. Sin embargo, cada una de las ramas posee una recibe el nombre de rama acústica, mientras que la segunda
forma cualitativamente similar a la obtenida para la cadena recibe el nombre de rama óptica (ya que los modos ópticos de
monoatómica unidimensional. Un ejemplo de relación de λ largas en cristales iónicos puede interaccionar con radiación
dispersión para un cristal tridimensional cúbico puede electromagnética y son responsables de buena parte de su
comportamiento óptico). En el modo acústico, los átomos
observarse en la figura 5. Las dos ramas transversales solapan:
2
vecinos vibran en fase, mientras que por el contrario, en el
modo óptico los átomos de distinto tipo oscilan en oposición D(ω) ∝ dk/dω = (vgrupo)-1 (5)
de fase (ver figura 7).
Si tomamos la relación de dispersión de la cadena
Óptico monoatómica unidimensional detallada más arriba, podemos
ver que la densidad de estados será mínima cerca de k=0 y
máxima en los límites de la zona de Brillouin. De hecho, en
estos puntos la pendiente de la curva, la velocidad de grupo,
tiende a 0, por lo que la densidad de estados posee una
singularidad. Este tipo de singularidades se denominan
singularidades de Van Hove.
En tres dimensiones el cálculo se complica y la expresión
Acústico para la densidad de estados queda:
ds 1
D(ω ) = ∑ ∫ (6)
s (2π )3 | ∇ω s (k ) |
Figura 7. Representación gráfica de la relación de dispersión La forma característica de la curva D(ω) para cristales de
correspondiente a una cadena diatómica unidimensional.
diferentes simetrías y bases, así como su influencia en la curva
Esquema de las vibraciones correspondientes a los modos
de calor específico para los mismos, es precisamente uno de los
acústico y óptico.
objetivos de la presente práctica.
Con carácter general una cadena unidimensional
compuesta por p tipos de átomos tendremos p ramas, una III. CALOR ESPECÍFICO DE LOS CRISTALES
acústica que pasará por el punto (k,ω) = (0, 0) y p - 1 ramas El calor específico molar de un material a temperatura T
ópticas. es la energía necesaria para elevar un grado la temperatura de
un mol de material.
Cristal tridimensional con base doble La explicación del comportamiento a baja temperatura del
En un cristal tridimensional con dos átomos en la base, el calor específico de los sólidos fue uno de los primeros éxitos de
problema es bastante similar al anterior. Sin embargo, como ya la teoría cuántica (1907-1912). En cualquier material hay una
hemos visto en el caso de un cristal monoatómico contribución electrónica y una contribución de las vibraciones
tridimensional, las ondas pueden ser longitudinales (un tipo) o de la red (fonones) a su energía interna. La contribución
transversales (dos tipos). Por ello, cada una de las ramas (la electrónica se puede despreciar en primera aproximación frente
acústica y la óptica) se desdoblarán en tres componentes, una a la contribución fonónica, sobre todo si estudiamos sólidos no
por cada dimensión. Así tendríamos tres ramas acústicas (una metálicos.
longitudinal y dos transversales) y tres ópticas (una Para calcular la dependencia con la temperatura del calor
longitudinal y dos transversales). específico del cristal hay que calcular la energía asociada con
cada modo de vibración.
II. DENSIDAD DE ESTADOS Y VELOCIDAD DE Dos modelos son los más destacados entre los propuestos
GRUPO para simplificar el cálculo y obtener expresiones analíticas de
Si tenemos una onda armónica de la forma ei(kx-ωt) que se la dependencia del calor específico con la temperatura: los
propaga a lo largo de un cristal, definiremos la velocidad de conocidos como modelo de Einstein (1907) y modelo de Debye
fase como la velocidad a la que se desplazan los puntos de (1912). La diferencia entre ambos modelos radica en la
igual fase. Un máximo de la onda se desplaza a la velocidad de relación de dispersión, ω(k), y las densidades de estados, D(ω),
fase, que en estas ondas viene dada por la expresión: que consideran. A pesar del éxito que supusieron, las
relaciones de dispersión supuestas en ambos modelos son
bastante simples y un cálculo preciso del calor específico
(3) necesita considerar relaciones de dispersión realistas para los
Sin embargo, la velocidad a la que se propaga un “tren de fonones, como las explicadas más arriba. Esto sólo puede
ondas" (un pulso formado por ondas de distinta frecuencia) hacerse con ayuda de cálculo computacional y es parte del
viene dada por la denominada velocidad de grupo, que se desarrollo de esta práctica.
define como
Modelo clásico
El calor específico molar se define como la variación de la
(4) energía interna U por mol con la temperatura, c = dU/dT
Se puede ver que teniendo la relación de dispersión ω(k), El modelo clásico considera el cristal como un sistema de
la velocidad de grupo se halla derivándola: es la pendiente de osciladores independientes en el que, según el principio clásico
esa curva. de equipartición, cada uno de ellos posee una energía de kBT/2
La densidad de estados, D(ω), se define de modo que por cada grado de libertad. Cada átomo del sistema presenta 6
D(ω)dω es el número total de modos normales con frecuencias grados de libertad, luego en un mol la energía interna molar
vendrá dada por
comprendidas en el rango infinitesimal entre ω y ω + dω,
dividido por el volumen total del cristal. Se puede demostrar
(7)
que, en una dimensión, la densidad de estados es inversamente
proporcional a la velocidad de grupo:
3
donde R es la constante universal de los gases y n el número de
átomos por molécula. Por tanto, en este modelo:

(12)
(8)
que podemos aproximar a una integral
Si hacemos n = 1 tenemos que cv = 24,94 J mol-1 K-1,
independiente de la temperatura (Ley de Dulong-Petit). A
temperaturas suficientemente altas esta ley se cumple, pero por (13)
debajo de cierto valor deja de tener validez.
siendo D(ω) la densidad de estados que, como ya hemos visto,
Modelo de Einstein en general es una función bastante complicada. En el modelo
Para explicar el comportamiento del calor específico a de Debye se obtiene suponiendo una velocidad de fase
temperaturas inferiores a ese valor, hay que recurrir a la teoría independiente de k, pero diferente si la vibración es
cuántica, algo que hizo Einstein en 1907. Consideró un sistema longitudinal o si es transversal (ω=clk ó ω=ctk). Ello implica
formado por N átomos como un conjunto de 3N osciladores suponer materiales isótropos y no tiene en cuenta si poseen
armónicos independientes, todos con la misma frecuencia base simple o múltiple (este modelo no considera las ramas
característica ωE (frecuencia de Einstein). ópticas de fonones). Bajo estas suposiciones, D(ω) es:
La energía de un oscilador armónico de frecuencia ω es:

(9) ; ;
donde n es el número cuántico del oscilador. Empleando la (14)
distribución de probabilidad de Boltzmann, se puede obtener el donde cl y ct son, respectivamente, las velocidades longitudinal
valor esperado de la energía de un oscilador, <E>. La energía y transversal de propagación del sonido, K el módulo de
interna molar de un sistema de 3N osciladores es, simplemente, compresibilidad, G el módulo de cizalla y ρ la densidad del
U = 3N<E>. Por tanto el calor específico es: cristal.
Desde un punto de vista físico, la integral puede acortarse
en su límite superior por estar k acotado. La frecuencia de corte
(10) es llamada frecuencia de Debye ωD y a partir de ella se define
Podemos, por comodidad, definir la variable θ = ħω/kB. la Temperatura de Debye como θD = ħωD/kB. De ahí, la
Vemos que cv es una función del cociente θ/T. Fijémonos en integral (2) queda:
los límites de alta y baja temperatura. A alta temperatura,
tenemos que kBT>>ħω, y la expresión queda cv≈3R,
recuperándose el comportamiento clásico. A baja temperatura, (15)
kBT<<ħω, el comportamiento es
donde n es el número de átomos por molécula. Se puede ver
(11) que cv depende del cociente θD/T, es decir, en este modelo las
curvas de calor específico son idénticas para todos los
lo que representa un rápido decaimiento exponencial de cv al
materiales si se normalizan las temperaturas a θD. La
disminuir la temperatura.
temperatura de Debye está relacionada con los parámetros
Se puede ver que la densidad de estados en este modelo es
microscópicos del material:
una delta de Dirac D(ω) = 3Nδ(ω–ωE). Se puede demostrar que
el parámetro definido como θE = ħωE/kB y conocido como
temperatura de Einstein corresponde aproximadamente a la
temperatura por debajo de la cual no funciona el modelo (16)
clásico y hay que tener en cuenta la estadística cuántica.
siendo V/NA el volumen molar. Como se aprecia en esta
Modelo de Debye ecuación, θD está relacionado con las constantes elásticas del
Aunque el modelo de Einstein dio una explicación material. La temperatura de Debye es una medida de la
cualitativa del descenso del calor específico a baja temperatura, temperatura por encima de la cual todos los modos de
medidas experimentales muy precisas revelaron que a baja vibración comienzan a excitarse y por debajo de la cual se van
temperatura el calor específico es proporcional a T3, en vez de “congelando". La temperatura de Debye juega el mismo papel
seguir una variación exponencial. El problema viene de la en la teoría de vibraciones de la red que la temperatura de
suposición de que todos los osciladores armónicos son Fermi en la teoría de electrones en un metal: ambas indican la
independientes, con una única frecuencia de oscilación. En un temperatura que separa la zona de “bajas temperaturas" donde
sólido real, estos osciladores están fuertemente acoplados y el debe hacerse uso de la estadística cuántica de la de “altas
espectro de frecuencias de vibración es continuo, como ya se temperaturas" donde la mecánica estadística clásica es válida.
ha explicado más arriba. En el caso de los fonones, la temperatura de Debye es aquélla
Debemos tener en cuenta que la energía total del sistema para la cual prácticamente todos los modos normales se han
comprende una suma sobre 3N osciladores caracterizados por activado y, por tanto, contribuyen al calor específico del sólido.
un conjunto discreto de valores permitidos del vector de onda Es fácil ver el comportamiento de esta expresión tanto a
k, con frecuencias ω(k). De ahí, se deduce que: altas temperaturas, donde nuevamente cv = 3nR, como a bajas
temperaturas, donde
(17)

4
 Por tanto, a bajas temperaturas cumple la conocida ley T3 a 1. ¿A qué tipo de estructura de base simple se asemeja? (ver
de Debye, en buen acuerdo con los resultados experimentales. “PLOT WHAT” – “Crystal structures”) ¿Las relaciones de
i
El modelo de Debye funciona mejor a bajas temperaturas, dispersión son iguales?.
puesto que en este límite sólo están excitados los fonones de
baja frecuencia. Precisamente una teoría elástica en 3 – Estudie la relación entre densidad de estados y
aproximación del continuo es válida para longitudes de onda relación de dispersión para las estructuras BCC y diamante.
grandes, cuando el carácter atómico discreto del sólido es Para ello, seleccione el menú “PLOT WHAT” – “Density of
menos importante. states” para observar la densidad de estados total a partir de las
densidades de estados de cada rama. Después abra “PLOT
Modelo de densidad de estados realista WHAT” – “Combined display” para observar la relación entre
En ciertos cristales, el modelo de Debye puede llegar a ω(k) y D(ω). Indique en cada caso todos los puntos críticos de
presentar diferencias significativas con los datos Van Hove que aparecen en la relación de dispersión y en la
experimentales, sobre todo a alta temperatura y en materiales densidad de estados.
con base doble. Estos fallos se deben a que la densidad de
estados utilizada puede ser sustancialmente diferente del
realista. Esta densidad de estados es la obtenida directamente a II. CALOR ESPECÍFICO - Una vez dentro del programa
partir de la expresión (1) y tiene en cuenta las características CUPS seleccionaremos la opción “Lattice specific heat of
específicas del cristal (simetría, base, etc.). Como cv es una solids".
función del cociente θD/T, si permitimos que θD varíe con la
temperatura, se puede seguir utilizando la integral (3) de 4 –La curva del calor específico en el modelo de Debye es
Debye pero teniendo en cuenta que: la misma para todos los materiales salvo por un factor de escala
(la temperatura de Debye, θD). Una forma de comprobarlo es
obteniendo las temperaturas a las cuales el calor específico de
(18) varios cristales vale una cierta cantidad, por ejemplo 0.5 (/3R).
La variación con la temperatura de la variable El cociente entre la temperatura, T1/2, a la cual posee este valor
temperatura de Debye es más sensible que el propio valor de de cV, y la θD del mismo tiene que ser el mismo para todos ellos.
calor específico a los detalles del modelo. Por ello, es Verifique este hecho determinando ese cociente para cuatro
frecuente presentar los datos experimentales de calor sustancias diferentes: Ar, Ag, CsCl y diamante. Para ello,
específico en la forma θD(T). seleccione el menú “MODEL” – “Debye” y después en el
El comportamiento de este modelo a altas y bajas menú “SUBSTANCE” la sustancia. En el caso del CsCl
temperaturas es similar al de Debye. A bajas temperaturas la realizar la simulación para dos cocientes de masas “mass ratio”
integral de la expresión (3) es prácticamente constante por lo 2 y 10. Para determinar T1/2 utilice la opción “Zoom” que
que la expresión (4) se cumple, pero teniendo en cuenta que aparece en la parte inferior de la pantalla: haga un zoom de la
θD(T) no es una constante, como en el modelo de Debye. curva hasta cv=0.5 (/3R).
Compruebe si ocurre lo mismo para el modelo de Einstein
y para el realista. Relacione los resultados con la densidad de
3. CUESTIONES ii
estados considerada en cada uno de los modelos.

I. VIBRACIONES DE LA RED CRISTALINA – Una vez 5 –Escoja un cristal monoatómico, por ejemplo la Ag, y
dentro del programa CUPS seleccionaremos la opción represente cv con el modelo realista. A continuación represente
“Phonon dispersión curves and the density of states". θD(T) seleccionando el menú “PLOT OPTIONS” – “Plot
Aparecerá una pantalla con un menú desplegable en la parte Debye Temperature” pinchando también, en este mismo menú,
superior de la pantalla. “Display density of states” para mostrar las curvas de densidad
de estados de los modelos de Debye y realista. Se puede
1 –Seleccione en el menú “STRUCTURE” dos redes con observar que a baja temperatura el valor fluctúa, pero a alta
base simple, por ejemplo CS y BCC, y estudie el temperatura esta variable tiende a un valor constante. ¿Este
comportamiento de la relación de dispersión en cada una de las valor es mayor o menor que el valor de θD dado por el modelo
direcciones cristalográficas mostradas. Observe si hay de Debye (línea gris horizontal)? Relacione este resultado con
degeneración. Represente a continuación la relación de las curvas de densidad de estados de ambos modelos.
dispersión de una red con base doble, por ejemplo el CsCl. Proceda de la misma manera para el caso del diamante
Discuta las diferencias y similitudes con el caso de base con Force Ratio 0.50. Explique en este caso cuántas ramas
simple. presenta la densidad de estados del diamante y cuáles de ellas
pueden ser descritas adecuadamente con el modelo de Debye.
2 – Represente ω(k) para un cristal de base doble como el
CsCl y discuta qué ocurre cuando la relación de masas es igual

-------------------------------------
i
Con ayuda de las ecuaciones (1) y (2) compare teóricamente la relación de dispersión de dos cristales unidimensionales, el
primero con base simple y el segundo con base doble pero fijando la relación de masas a 1 y extrapole las conclusiones al caso
considerado en la cuestión 2).
ii
Téngase en cuenta que en el programa del laboratorio θE se considera proporcional a θD aunque este no sea el caso en estructuras
cristalinas en general.
5
 Laboratorio de Física del Estado Sólido

Caracterización de las propiedades electrónicas de un semiconductor

Dpto. de Física de Materiales – Facultad de Ciencias Físicas – Universidad Complutense de Madrid
Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid (Spain)

Durante esta práctica se obtendrán de manera experimental los valores de importantes magnitudes
directamente relacionadas con las propiedades electrónicas de los semiconductores. En particular se
utilizarán placas de germanio dopado. Mediante medidas de efecto Hall se estudiará el signo de los
portadores responsables de la conducción eléctrica de la muestra, así como la densidad de los mismos y su
movilidad. Además, realizando medidas de conductividad a diferentes temperaturas, se observará el
comportamiento de la misma para este semiconductor extrínseco en un cierto rango de temperaturas y se
obtendrá el valor del intervalo prohibido de energías.

Bibliografía:
Introduction to solid state physics / Charles Kittel Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, cop. 2005
Física. Vol.III, Fundamentos cuánticos y estadísticos / M. Alonso, E. J. Finn: Addison-Wesley, cop.1986
Solid State Physics / N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, Saunders 1976.

1. INTRODUCCIÓN densidades muy altas. Estas propiedades son la base de la

electrónica actual, ya que la conductividad de un
Cuando los átomos se unen formando una estructura semiconductor es aproximadamente proporcional a la
cristalina, los niveles energéticos de cada uno de ellos se densidad de portadores de carga.
desdoblan, se desplazan ligeramente de su posición en un Para que un material pueda conducir la electricidad es
átomo aislado. Al tener una gran cantidad de átomos, el necesario que los portadores de carga se puedan mover por el
desdoblamiento origina la formación de bandas de energía. La mismo, pasando de unos estados electrónicos a otros. Si a un
distribución de los electrones en las bandas ocupadas de semiconductor ideal a T = 0 K se le aplicara una pequeña
mayor energía determina las propiedades electrónicas del diferencia de potencial, los electrones no podrían conducir la
material. En los materiales semiconductores, la última banda electricidad ya que todos los niveles de la banda de valencia
con electrones (denominada banda de valencia, BV) está están ocupados y no poseen energía suficiente para ser
completamente llena, mientras que la banda inmediatamente promovidos a la banda de conducción: el material presentaría
superior (denominada banda de conducción, BC) se encuentra un comportamiento aislante. Sin embargo, a partir de cierta
vacía, tal y como se muestra en la figura 1. temperatura comenzaría a conducir la electricidad porque
habría una cantidad suficiente de portadores libres en las
bandas de valencia o conducción. Según aumenta la
temperatura la conductividad aumenta por excitación térmica
de los portadores de carga desde las impurezas a la banda
más cercana o bien desde la banda de valencia hasta la de
conducción. Si el semiconductor posee una cierta cantidad,
aunque sea pequeña, de impurezas, poseerá una conductividad
apreciable desde temperaturas relativamente bajas.
Debido a esto, la dependencia de la conductividad con
la temperatura de los materiales semiconductores exhibe en
general un comportamiento similar al mostrado en la figura 2.

Figura 1. Relación de dispersión y diagrama de bandas de

energía de semiconductores: la banda de valencia está
completamente ocupada por electrones mientras que la de
conducción está vacía.

La diferencia de energías entre la BC y la BV en los

semiconductores es pequeña (normalmente menor que 3 eV),
en comparación con otros materiales como son los aislantes.
La posibilidad de introducir ciertos tipos de defectos,
principalmente impurezas, que crean niveles electrónicos
dentro del intervalo prohibido de energías y cercanos a los
bordes de las bandas permite que la conducción se deba a
portadores negativos (electrones) o positivos (huecos). Figura 2. Comportamiento de la conductividad al variar la
Además, se puede controlar el módulo de la conductividad en temperatura de un semiconductor.
varios órdenes de magnitud variando la densidad de
impurezas, desde muy pocas (menos de 1 ppm) hasta Se distinguen en general tres rangos de temperatura:

1
 i) A bajas temperaturas tenemos conducción extrínseca. 2 – La concentración de portadores, c = 1/eRH .
En este régimen, según aumenta la temperatura, aumenta el 3 - La movilidad de los portadores, µH = σ RH, donde σ
número de portadores por activación térmica de las es la conductividadii. La movilidad se define en el modelo
impurezas. semiclásico como la velocidad promedio que poseen los
ii) A temperaturas moderadas se produce una portadores al aplicar un campo eléctrico de intensidad igual a
saturación de la ionización de las impurezas en la que, una la unidad. Se define como µ = v/E, donde v es la velocidad de
vez activadas todas ellas, el aumento de temperatura no deriva promedio de los portadores y E el campo eléctrico
produce un cambio apreciable en el número de portadores. aplicado, y es un parámetro fundamental a la hora de, por
iii) A altas temperaturas predomina la conducción ejemplo, estudiar posibles aplicaciones electrónicas a un
intrínseca. En este rango se transfieren portadores desde la semiconductor. En el régimen intrínseco de un semiconductor,
banda de valencia a la de conducción, a través del intervalo de a pesar de haber igual número de electrones que de huecos que
energías prohibidas, mediante excitación térmica. La contribuyen a la conducción, puede detectarse un voltaje Hall
dependencia térmica de la conductividad se describe en esta distinto de cero. Esto se debe a que la movilidad suele ser
zona mediante una función exponencial: diferente para ambos portadores de carga: un voltaje Hall
puede aparecer sólo si los portadores de carga positivos y
negativos tienen movilidades diferentes RH = (pµp2-
nµn2)/[e(pµp+nµn)2]
donde Eg es la diferencia de energías entre los bordes de la
banda de valencia y la banda de conducción (llamada gap) i, 2. DESARROLLO EXPERIMENTAL
kB es la constante de Boltzman y T la temperatura expresada
en Kelvin. Se puede observar que, si se mide la conductividad En primer lugar se describe el procedimiento de medida
de un semiconductor en función de la temperatura en régimen del voltaje Hall. De una forma esquemática consiste en aplicar
intrínseco, se puede obtener fácilmente el valor de Eg. una corriente eléctrica a lo largo de una lámina del material
El efecto Hall en los conductores es bien conocido: si problema y un campo magnético en una dirección
una corriente eléctrica I fluye por una lámina conductora perpendicular al plano de la lámina. El voltaje Hall nos lo da
rectangular de espesor d y si dicho conductor se sitúa en el la medida de la caída de potencial entre los extremos de la
seno de un campo magnético B aplicado fuera del plano de la lámina situados en una dirección perpendicular a la de la
lámina, la fuerza de Lorentz corriente y a la del campo magnético.
F = q( v × B) • Conectar los conectores 9 de la figura 5 a la fuente de
actúa sobre los portadores de carga del conductor, donde v es alimentación de 12 V de corriente alterna.
• Situar con mucho cuidado la placa que contiene la lámina
la velocidad de deriva de los portadores y q el valor de su
problema en el entrehierro y se hacen las conexiones entre
carga. La figura 3 muestra esquemáticamente el sistema de
las piezas polares del electroimán. Se debe poner especial
medida. atención al colocar la placa portamuestras en el
entrehierro del electroimán con el fin de evitar que se
rompa, así como posibles cortocircuitos entre los
contactos de la muestra a través de las piezas polares.
Las bobinas del electroimán se alimentan mediante la
fuente de alimentación múltiple (salida DC hasta 5 A).
Comprobar el adecuado sentido de la corriente en ambas
bobinas (figura 6) y deducir el sentido del campo
magnético entre las piezas polares.
• Conectar con mucho cuidado la sonda Hall al Teslámetro
y calibrarla. Introducir cuidadosamente la sonda Hall a
Figura 3. Dibujo esquemático del dispositivo experimental.. través del agujero que está encima de los conectores 3
mostrados en la figura 4, hasta que quede colocada entre el
Esta fuerza hace que los portadores de carga se acumulen entrehierro del electroimán y la muestra.
en la región superior o inferior del conductor (de acuerdo con • El voltaje Hall se mide conectando uno de los multímetros
el sentido de la corriente y del campo aplicado), de tal forma a los conectores 3 de la figura 4.
que aparece un un voltaje (el llamado voltaje Hall, UH) entre • La corriente continua que se aplica a la muestra se
dos puntos situados a un lado y a otro de la lámina: controla con el potenciómetro 2 mostrada en la figura 4 y
su valor se puede ver en la pantalla 1 que hay justo encima
RH ⋅ B ⋅ I del mismo.
UH = (1)
d
donde RH es el coeficiente Hall. Por otro lado, este efecto 1) (a) Medir el voltaje Hall en función de la corriente para
hace que la resistencia medida en presencia de un campo un valor del campo magnético aplicado constante
magnético como el indicado sea mayor que sin él, fenómeno (ajustar a un valor de 250 mT). Variar la corriente entre
conocido como magnetoresistencia. 25 mA y 25 mA en pasos de 5 mA (¡¡nunca pasar de
Las medidas de efecto Hall son ampliamente utilizadas 30 mA!!).
por los científicos que investigan, por ejemplo, las (b) Medir el voltaje Hall en función del campo magnético
propiedades de conducción de materiales ya que a partir de RH aplicado para un valor fijo de la corriente (ajustar a un
se obtiene gran cantidad de información sobre las mismas. En valor de 25 mA). Variar el campo magnético entre -300
particular, para un semiconductor dopado que se encuentra en mT y 300 mT en pasos de 50 mT.
el régimen extrínseco o de saturación se puede hallar: (c) Quitar las piezas polares de modo que B = 0 mT y
1 – El signo de los portadores a partir del signo del obtener el voltaje entre los extremos de la placa
coeficiente Hall, estando éste convenientemente definido.
 (conectores 7 de la figura 4) para corrientes de 5, 10,
15, 20 y 25 mA.
2) Observar la magnetorresistencia que se produce en el 3
material semiconductor: obtener la variación del voltaje 5
entre los extremos de la muestra (conectores 7) al variar
el campo magnético entre -300 mT y 300 mT en pasos 1 8
de 50 mT, manteniendo la corriente constante (25 mA).
3) Quitar las piezas polares y la sonda Hall y, variando T
entre temperatura ambiente y 140 ºC, (¡¡nunca subir 2 6
por encima de 145ºC!!) en pasos de 5ºC, medir la
variación del voltaje entre los extremos de la muestra 4
mientras pasa una corriente constante de 25 mA
(¡¡nunca pasar de 30 mA!!). Para aumentar la
temperatura, colocar el botón 5 en la posición adecuada
7 7
para ver en la pantalla 1 la temperatura. Presionar el
botón 10 de la figura 5 para activar el circuito calefactor
de modo que la temperatura comience a subir. Volver a
Figura 4. Vista frontal del sistema de medida:
presionar pasados unos dos o tres segundos para
1 – Pantalla con el valor de I en mA o T en ºC
desactivarlo. Continuar presionándolo sucesivamente de
2 – Potenciómetro de control de I
modo que se active y desactive el circuito calefactor
3 – Conectores para la medición de UH
cada pocos segundos para que el aumento de la
4 – Muestra
temperatura sea suave.
5 - Control del valor mostrado en la pantalla 1: I, T
4) Esperar a que la temperatura sea de unos 35ºC.
6 – Compensador de UH
Introducir de nuevo la sonda Hall y aplicar un campo
7 – Conectores para la medición de V a lo largo de la muestra
magnético de 300 mT y una corriente de 25 mA. Volver
a sacar la sonda Hall y medir la variación del voltaje
Hall UH al variar la temperatura. Seguir los mismos
pasos para el aumento de la temperatura que en el
apartado 3).
9 10
3. CUESTIONES A REALIZAR
1. Represente gráficamente los dos grupos de
resultados obtenidos en el apartado 1) de la sección
anterior y obtenga en cada caso el valor de RH, el signo y
la concentración y la movilidad de los portadores a
temperatura ambiente (d=1mm, L=2 cm, anchura=1 cm).
Incluir un esquema de la toma de medidas en el apartado
1a) indicando el signo de las magnitudes medidas.
2. Discuta el comportamiento de la curva ln(σ) – 1/T a
partir de los datos obtenidos en el apartado 3). Indique a
partir de qué temperatura comienza su régimen Figura 5. Vista de la parte trasera del sistema de medida
intrínseco. Obtenga el valor de Eg de este semiconductor. 9 – Conectores de alimentación alterna a 12 V
(kB = 8.62x10-5 eV/K) 10 – Botón de encendido y apagado del circuito calefactor
3. A partir de los datos obtenidos en el apartado 2)
represente la gráfica de resistencia frente al campo B.
4. Represente UH – T a partir de los datos obtenidos en
el apartado 4). Explique por qué hay una temperatura a la
cual UH = 0 V.
5. Deduzca la ecuación (1). Fuente DC

Figura 6. Modo de conexión de las bobinas para producir un

campo B entre las piezas polares

-------------------------------------
i
En realidad, debido a la expansión térmica de la red y a las fluctuaciones, este valor se ve alterado ligeramente y cambia el valor
al varias la temperatura. Normalmente los valores tabulados son 300K y a 0K, este último tabulado a partir de cálculos teóricos.
ii
La conductividad se halla como I
LI
σ=
S
,
SV
L

siendo L la longitud de la muestra, S la sección, I la corriente eléctrica y V la diferencia de potencial a lo largo de la muestra.
 Defectos en Materiales Magnéticos

1. Introducción
En esta práctica vamos a observar cómo la presencia de defectos varı́a las
propiedades magnéticas de los materiales. Para ello estudiaremos las varia-
ciones que se producen en el campo coercitivo HC (valor del campo H para
el cual la imanación M es cero) de hilos de nı́quel al variar la densidad de
dislocaciones mediante deformación plástica y tratamientos térmicos. Dado
que la práctica es de Defectos en Sólidos, y no de Materiales Magnéticos,
no entraremos en más detalles sobre el ciclo de histéresis del material. Sólo
hay otro parámetro, además de HC que tendremos en cuenta, y es la ima-
nación de saturación MS (valor máximo de la imanación). Este parámetro
es caracterı́stico del material y cambia si hay una transformación de fase
o si el material se oxida. El hecho de que MS no varı́e al hacer tratamien-
tos térmicos o al deformar el material nos garantizará que el cambio en el
campo coercitivo se debe a las dislocaciones y no a cambios estructurales en
el material.
En la mayorı́a de los casos, la principal contribución de los defectos a las
propiedades magnéticas de un material se debe a la interacción de la ima-
nación y de las paredes magnéticas con campos de tensiones en el interior
del material por medio de un acoplamiento magnetostrictivo. Dado que las
dislocaciones son la principal causa de la aparición de tensiones internas en
un material, serán estos defectos los que jueguen un papel más importante,
y los únicos que tendremos en cuenta en esta práctica. No obstante, el tra-
tamiento que haremos en la práctica será válido para cualquier defecto que
genere tensiones internas en el material.
En la práctica se pretende dar una visión cualitativa de la interacción
entre defectos y propiedades magnéticas. En el capı́tulo XIII de [3] puede
encontrarse un tratamiento extenso del problema de la influencia de los
defectos en las propiedades magnéticas de monocristales ferromagnéticos.

1
1.1. ¿Por qué el campo coercitivo del material depende de
la densidad de dislocaciones
La fuerza que actúa sobre una pared magnética depende de la posición
de ésta en el cristal, y es función de la densidad y distribución de los defectos
y de la distancia entre la pared y los defectos. La fuerza que actúa sobre una
pared será
X
F (z) = mj pj (z0 − z) (1)
j

donde mj es el número de defectos del tipo j que interactúan con la pared

y pj la fuerza de interacción.
La pared estará en equilibrio cuando la fuerza ejercida por el campo ex-
terno H sea igual a la fuerza ejercida por los defectos. La fuerza ejercida
por un campo H sobre una pared es proporcional al campo H [1]. Si supo-
nemos una pared de Bloch de 180o (la expresión para cualquier otro tipo de
pared magnética será muy parecida), el campo H de equilibrio satisfará la
expresión

2Heq MS A cos φ = F (2)

donde A es el área de la pared y cos φ el ángulo formado entre H y M .
Para cambiar la dirección de la imanación en la muestra necesitamos
mover las paredes. Para ello necesitamos que la fuerza ejercida por el campo
externo sea mayor que la fuerza ejercida por los defectos. Cuanto mayor sea
el número de defectos en la muestra, mayor será la fuerza entre éstos y la
pared magnética (ecuación 1) y, por tanto, mayor será el campo necesario
para invertir la imanación en la misma y mayor será el campo coercitivo.

1.2. ¿Y si pensamos en términos de energı́a?

La energı́a total de un sistema ferromagnético está constituida por la
suma de numerosos términos. Uno de estos términos es el conocido como
energı́a Zeeman EZ que da cuenta de la interacción con un campo magnético
externo H. Este término se minimiza cuando M y H tienen la misma di-
rección y sentido. Por lo tanto, si tenemos una muestra desimanada, al apli-
car un campo externo, la imanación se pondrá paulatinamente en la dirección
del campo para disminuir EZ . Una de las formas de producirse este proceso
es por desplazamiento de paredes de dominio.
Otro de los términos de energı́a es el término de acoplo magnetoelástico
Eel que da cuenta, entre otras cosas, de la interacción entre una pared

2
magnética y el campo de tensiones producido por una dislocación. Este
término aumenta cuando la pared y la dislocación está próximas.
Por lo tanto, cuando aplicamos un campo externo a la muestra las pa-
redes comienzan a moverse. Si se encuentran lejos de las dislocaciones, se
moverán con mayor libertad. Pero si en su movimiento se encuentran con
el campo de tensiones de una dislocación, aumentará su energı́a y su movi-
miento ya no será favorable porque, aunque se reduzca EZ , aumentará Eel .
Será necesario aplicar un campo mayor H mayor para que sea favorable para
la pared magnética el acercarse a la dislocación, porque el aumento de Eel
se verá compensado con la disminución de EZ . Este es el motivo de que, en
presencia de dislocaciones, el campo magnético necesario para imanar una
muestra sea mayor y, por tanto, aumente el campo coercitivo.
Puede encontrarse otra descripción muy completa en términos de energı́a
en el libro de los Profs. Antonio Hernando y Juan Rojo [2].

1.3. Cambiando la densidad de dislocaciones con tratamien-

tos térmicos
La densidad de dislocaciones en un cristal depende de la aplicación de
tratamientos térmicos. Al recocer un cristal hasta una temperatura a la que
se produce autodifusión, las dislocaciones se pueden mover largas distancias
de modo que se pueden aniquilar unas a otras. De este modo su densidad
decrece en gran medida y con ello las tensiones internas del cristal. A tempe-
raturas inferiores también se reducen las tensiones gracias a la migración de
vacantes. Éstas tienden a condensarse en las dislocaciones y con ello causan
el movimiento de las mismas con lo que se pueden reordenar en configura-
ciones más estables.

2. Procedimiento de medida
Enciende el osciloscopio y el flúxmetro. Ambos equipos funcionan mejor
cuando llevan un tiempo encendidos.
Antes de realizar la medida debes tener en cuenta:

1. Antes de encender o apagar cualquier amplificador o fuente de voltaje

o corriente, asegúrate de que el mando de amplificación está a cero.
Evitarás sobretensiones y picos de corriente en el circuito.

2. La frecuencia de medida ser inferior a 4 Hz.

3
 Para medir, introduce la muestra en el portamuestras. Aumenta paula-
tinamente el campo aplicado hasta que observes en el osciloscopio el ciclo
de histéresis del material. Antes de medir el campo coercitivo asegúrate de
que el material está saturado.
Para medir el campo coercitivo utiliza los cursores de medida del osci-
loscopio.

3. Cuestiones
Para el estudio del efecto de las dislocaciones en las propiedades magnéti-
cas del material disponemos de muestras recocidas a temperaturas distintas
y durante distinto tiempo.

1. Representa la variación del campo coercitivo con la temperatura de

recocido.

2. Representa la variación del campo coercitivo con el tiempo de recocido.

3. Comenta brevemente los resultados anteriores.

4. En el proceso de deformación plástica de un material se generan nume-

rosas dislocaciones. El número de éstas disminuye con el tratamiento
térmico.
Observa cómo varı́a el campo coercitivo del nı́quel al deformar plástica-
mente los hilos de nı́quel y cómo el material se recupera al ((recocerlo))
con un mechero. (¡Ten cuidado, no te quemes!).

Referencias
[1] S. Chikazumi, Physics of Ferromagnetism, Clarendom Press, Oxforf
(1997)

[2] A. Hernando y J.M. Rojo, Fı́sica de los Materiales Magnéticos, Sı́ntesis

(2001), págs 159-165

[3] A.E. Berwowitz y E. Kneller (ed), Magnetism and Metallurgy, Academic

Press (1969)

4
Práctica 1

Medida del ciclo de histéresis de un

material ferromagnético

1.1. Descripción y objetivos

En esta práctica vas a montar un dispositivo para la obtención del ciclo de histéresis de un
material ferromagnético en forma de cinta o de hilo.
Al final de la práctica debes saber:

identificar los distintos elementos que componen el montaje experimental para la medida
de un ciclo de histéresis por inducción.

conectar y utilizar un generador de señal y un amplificador para alimentar un circuito de

medida.

medir con un osciloscopio digital

medir el ciclo de histéresis y la curva de conmutacióin de un material ferromagnético por

el método de inducción.

calcular, a partir de las medidas anteriores, distintas propiedades magnéticas de materiales.

1.2. Material necesario

Para la medida del ciclo de histéresis dispones del siguiente material:

Un solenoide

Dos bobinados secundarios conectados en serie–oposición, uno de ellos situado en el por-

tamuestras y el otro fijo en el solenoide

Un generador de señal

Un amplificador de corriente alterna

Un circuito integrador

4
Práctica 1. Ciclo de Histéresis 5

Un osciloscopio digital con su manual

Resistencias de valor conocido
Cables de conexión

1.3. Para medir el ciclo de histéresis...

El ciclo de histéresis de un material es la representación de la imanación M en función del
campo H. Necesitaremos por tanto medir H y M para poder obtener el ciclo de histéresis de
un material

Medida de H
Para aplicar campo H sobre la muestra a estudiar utilizaremos un solenoide largo en com-
paración con el tamaño de la muestra. Para un solenoide suficientemente largo y estrecho
podemos escribir

H = nI (1.1)
siendo n el número de espiras por unidad de longitud.
Por lo tanto, basta conocer la corriente que circula por el solenoide para conocer el campo
H. Para medir la corriente colocamos una resistencia en serie con el solenoide y medimos con el
osciloscopio la diferencia de potencial entre sus extremos. Por la ley de Ohm
I
V = (1.2)
R
y utilizando (1.1) y (1.2) tenemos que
n
H= V (1.3)
R

Medida de M
Si aplicamos un campo H dependiente de t, la imanación M y el campo magnético B también
variarán con t. Si introducimos la muestra en un bobinado con N espiras, la fuerza electromotriz
inducida (f.e.m.) en el bobinado será, teniendo en cuenta que B = µ0 (H + M ),
dφ dB d(H + M )
ε1 = − = −N S = −N Sµ0 (1.4)
dt dt dt
donde S es la sección transversal de la muestra.
Estamos interesados en medir M , no B. Para ello introducimos un segundo bobinado en el
solenoide, al que llamaremos compensador. En este bobinado no hay muestra por lo que la fuerza
electromotriz será
dφ dB dH
ε2 = − = −N S = −N Sµ0 (1.5)
dt dt dt
Conectado los dos bobinados en serie–oposición, el flujo en ellos será de sentido contrario y,
por tanto la f.e.m. tendrá signo opuesto. Por tanto, la f.e.m. total en el circuito, según (1.4) y
(1.5), será
dM
εtotal = ε1 − ε2 = −N Sµ0 (1.6)
dt
Práctica 1. Ciclo de Histéresis 6

Para obtener M , introducimos esta señal en un integrador analógico, también llamado

flúxmetro. La señal de salida del integrador será:
Z Z
Vout = α εtotal dt = αN Sµ0 M dt (1.7)

donde α es un factor de amplificación que introduce el flúxmetro.

Tenemos, por tanto, que la señal de salida del integrador, que mediremos con el osciloscopio,
es proporcional a M .
Para conocer M necesitamos calibrar con una muestra patrón de sección S e imanación
de saturación MS conocidas. En la práctica utilizaremos como muestra patrón un hilo de F e
(µ0 MS = 2.1T).

1.4. Conectando el circuito

Llamaremos circuito primario al utilizado para la medida de H y circuito secundario al
utilizado para medir M .

Circuito primario
Para alimentar el circuito primario utilizaremos el generador de señales y el amplificador de
corriente alterna.
El generador de señales lo has utilizado en cursos anteriores. No obstante, si dudas de su
manejo, pregunta al profesor.
El amplificador de corriente alterna es un amplificador de sonido comercial. Para conectarlo
deberás tener en cuenta lo siguiente:
1. Asegúrate de que el amplificador está apagado
2. Conecta con un cable adecuado (BNC por un extremo y conector mono en el otro) el
generador de señales a la entrada de CD. Puedes elegir indistintamente el canal A o el B.
3. Para conectar la salida debes elegir la salida derecha o izquierda. Es indiferente. Deberás
conectar en serie la salida del amplificador, el solenoide y la resistencia. La única pre-
caución importante es que, al conectar el osciloscopio a la resistencia, la tierra del oscilo-
scopio (parte externa del cable BNC) y la tierra del amplificador (color negro) deben estar
conectadas. Esto es común SIEMPRE que se diseña un dispositivo experimental. Pregunta
a tu profesor si tienes dudas.

Circuito secundario
Los dos bobinados que conforman el circuito secundario se hallan inicialmente conectados en
serie–oposición. Lo único que debes hacer es conectar los secundarios a la entrada del integrador,
y la salida de éste al osciloscopio.

1.5. Procedimiento de medida

Enciende el osciloscopio y el integrador. Ambos equipos funcionan mejor cuando llevan un
tiempo encendidos.
Práctica 1. Ciclo de Histéresis 7

Antes de realizar la medida es importante que tomes una serie de precauciones, que te
serán útiles tanto en esta práctica como siempre que tengas que alimentar un circuito, indepen-
dientemente del tipo de medida que vayas a hacer:

1. Antes de encender o apagar cualquier amplificador o fuente de voltaje o corriente, asegúrate

de que el mando de amplificación está a cero. Evitarás sobretensiones y picos de corriente
en el circuito.

2. Nunca modifiques el circuito de medida sin apagar antes los amplificadores y fuentes.
Evitaras ((sustos)) para ti y para los equipos.

3. Nunca superes en la resistencia la potencia máxima que puede disipar. Para ello, calcula
el voltaje máximo que puede haber en bornes de la resistencia y no lo sobrepases. Puedes
calcular este voltaje a partir del valor de la resistencia y de la potencia (ambos aparecen
en la carcasa de la resistencia) y utilizando que P = Ief Vef = Vef 2 /R.

4. Todos los instrumentos de medida (en nuestro caso el osciloscopio) tienen un lı́mite para
la señal de entrada por encima del cual no sólo se saturan y no miden sino que pueden
llegar a sufrir daños. Busca cuál es ese lı́mite antes de medir y nunca lo superes.

Una vez revisado el circuito, enciende el generador de señales y el amplificador. Elige una
frecuencia de medida baja — menor de 2Hz. Recuerda que la forma del ciclo de histéresis depende
de la frecuencia y estamos interesados en las propiedades estáticas.
Lo primero que deberás hacer es calibrar el sistema con el hilo de F e. Para ello utilizaremos
que, a partir de (1.7)
Vout
= cte (1.8)
MS
Introduce la muestra de calibracı́ón (de sección SF e e imanación de saturación MF e ) en el
portamuestras. Sube poco a poco el campo H y observarás el ciclo de histéresis en el osciloscopio.
Asegúrate de que saturas la muestra. Mide el voltaje que corresponde a la saturación V F e .
Entonces, para cualquier muestra de sección S, la conversión entre V out y M vendrá dada a
partir de (1.8) por
Vout VF e
= ⇒ M = Kcal Vout (1.9)
MS MF e S F e
donde
MF e S F e
Kcal = (1.10)
VF e S
Si el ciclo de histéresis se mueve hacia arriba o abajo en la pantalla del osciloscopio tendrás
que ajustar la deriva del integrador. Pregunta a tu profesor cómo hacerlo.

Importante. Para que en el circuito secundario se produzca la compensación del campo H

correctamente, el portamuestras debe quedar perfectamente enrasado con el primario una vez
introducido en éste.
Práctica 1. Ciclo de Histéresis 8

1.6. Para incluir en la memoria

Una vez montado el circuito, tendrás que medir con él una muestra desconocida que te
proporcionará el profesor del laboratorio. También necesitarás una muestra patrón de F e:

1. Mide el campo coercitivo de la muestra patrón de F e

2. Pı́dele al profesor de laboratorio una muestra desconocida. Mide H C , MS y MR .

3. Desimana la muestra. Para ello llévala a saturación y disminuye lentamente el campo

aplicado. Mide la curva de conmutación.

4. Calcula la susceptibilidad inicial χi

5. Mide el ciclo de histéresis de una cinta de Metglas sin recocer y de las cintas recocidas. ¿A
qué temperatura se produce el aumento del campo coercitivo? ¿A qué puede ser debido?

Nota: Para medir con el osciloscopio tienes que utilizar los cursores de medida. Consulta el
manual del osciloscopio o al profesor del laboratorio sobre cómo hacerlo.