Practica SCR-y-TRIAC
Practica SCR-y-TRIAC
Practica SCR-y-TRIAC
Carrera: Electromecánica
PRACTICA DE LABORATORIO SCR y TRIAC
Unidad 3
ELECTRONICA ANALOGICA
EMF-1012EM5C
EQUIPO #7
INTEGRANTES:
Feria Castro Rubén Abiram 21210775
Tijuana, B. C
30 de mayo de 2023
EB-112 FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES II
Lección 3
EL VMOS FET
1.0 OBJETIVOS
1.1 TRAZAR LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DE DRENAJE del VMOS FET a partir de valores medidos
1.2 Conectar al VMOS FET como llave digital y determinar las características de conmutación
1.3 Conectar el VMOS FET como llave analógica y determinar las características de conmutación.
1 tablero maestro
1 generador de funciones
1 multímetro
El VMOS FET de potencia. Comparado con el FET común que conduce una corriente de miliamperios, el
VMOS típico puedes conducir cientos de miliamperios (el tipo VN10KM) soporta una corriente de drenaje de
+/-300mA en forma continuada).
El VMOS se utiliza en circuitos de conmutación, como interfase entre circuitos integrados de baja potencia.
4.0 PROCEDIMIENTO
1. Enchufe la tarjeta EB-112 introduciendo la por las guías del PU-2000 hasta el conector.
Nota: ponga el PU-2000en el mismo modo de funcionamiento y con el mismo índice de experimentos qué
tenías al final de la lección anterior.
5. Ajuste VGS = 0 con la fuente de poder PS-2 y mida la corriente de drenaje ID para distintos
valores de VDS mostrados en la Fig. 2.
0 0.05 0.1 0.25 0.5 1 2 5 7.5 10
Vgs\Vd(V) Fig. 2: Características
ID(mA)
0 0 0.44 0.87 2.22 4.45 9.00 17.92 48.8 73.8 98.3 del VMOS
1 0 0.46 0.86 2.22 4.48 8.44 17.95 49.1 73.5 97.9
6.
1.5 0 0.47 0.85 2.23 4.52 9.04 18.02 49.2 73.6 98.2
2 0 0.48 0.85 2.21 4.39 8.92 19.8 49.1 73.5 98.4
2.5 0 0.35 0.62 1.12 1.35 1.40 1.45 1.52 1.55 1.61
3 0 0.46 0.86 2.23 4.55 9.00 17.47 49.1 76.5 87.2
4 0 0.47 0.88 2.33 4.52 9.03 18.06 49.3 73.8 98.6
5 0 0.48 0.85 2.30 4.59 9.01 18.05 49.3 75.8 98.5
Repita las mediciones para los demás valores de VGS de la Fig. 2. Observe qué V2 es la salida
invertida de la fuente de poder PS-2. Primero ajuste V2 y luego desconecte la punta de prueba del
osciloscopio de la compuerta. Luego mida ID para los valores indicados en Vout 2.
PREGUNTA
7. Dibuje las curvas características en la Fig. 3 para los diferentes valores de VDS y VGS qué funcionan en la Fig.
2. El resultado será una serie de 8 curvas diferentes.
Fig. 3: Característica de salida del VMOS
Pregunta
a que otro dispositivo se parece el VMOS? ¿Cuál es la principal diferencia entre ambos?
La resistencia de canal de este MOSFET de inducción se reduce a 1Ω, lo cual es igual a cualquier otro MOSFET.
Además, su transconductancia es alta y la longitud del canal es corta.
10. Ajuste el generador de señales en onda cuadrada de 0a 5V (o salida TTL), con 10KHz. Ajuste la fuente de
poder PS-1 a 5V.
11. Mida con el osciloscopio las ondas de entrada y de salida. Dibújelas en la Fig. 5 indicado los valores de
tensión.
12. Repita las mediciones con los siguientes valores de frecuencia: 1Hz, 10Hz, 100Hz y 1MHz.
1 hz Ent: 8v sal: 5v 10 hz ent: 7v sal: 5v 100hz ent: 4v sal: 3v 1khz ent: 3.8 sal: 2.4v 100khz ent: 3.6v sal: 3.6v
PREGUNTA
¿Cómo es la respuesta en frecuencia? ¿Hay distorsión? Compare la linealidad con un circuito similar pero construido
con un transistor bipolar.
R: si se obtiene distorsión
13. Observe las ondas para distintos valores de la fuente de poder PS-1 (use frecuencia de 10KHz a la entrada).
LA LLAVE ANALOGICA
14. Conecte el VMOS FET como llave analógica, como se indica en la Fig. 6.
16. Al conectar R6 a +5V o a masa se hace conmutar al VMOS FET a conducción o a corte, respectivamente.
Nunca ponga ambos puentes a la vez.
17. Ajuste el generador de señales a onda senoidal, con Ven entre 0.2<y<4 volts, y 1KHz de frecuencia.
18. Conmute el VMOS FET a conducción y a corte, y dibuje las ondas de entrada y de salida en la Fig. 7.
19. Conmute el VMOS al corte y determine si actúa como llave ideal a frecuencias 10Hz, 100Hz, 10KHz y 100KHz.
20. Cambie la forma de onda a onda cuadrada. ¿Cómo es la respuesta del VMOS?
21. Ponga el generador de señales en onda sinusoidal de -3V<Vin<+3 y observe la onda de salida con el
osciloscopio, conmutando el VMOS de conducción a corte.
PREGUNTA
Si lo es
Comentarios:
En esta lección vimos como es el vmos fet y como funciona como llave a analógica bidireccional y ver al corte y
determine si actúa como llave ideal a frecuencias 10Hz, 100Hz, 10KHz y 100KHz entre otros valores los cuales nos
daba unas ondas diferente al momento de usar el generador de señales
EB-112 FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES II
Lección 4:
EL TIRISTOR (SCR)
1.0 OBJETIVOS
1 tablero maestro
1 generador de funciones
1 multímetro digital
Haciendo circular una corriente suficiente por la compuerta, el SCR se dispara y funciona en el modo de
conducción.
Para apagarse, la corriente del SCR debe ser menor que la corriente de mantenimiento.
El SCR se utiliza en varias aplicaciones de control de potencia en c.d. y c.a, pero conduce solo en la dirección
positiva.
4.0 PROCEDIMIENTO
1. Enchufe la tarjeta EB-112 introduciéndola por las guías del PU-200 hasta el conector.
NOTA: ponga el PU-2000 en el mismo modo de funcionamiento y con igual índice de experimentos que tenía
al final de la lección anterior.
5. Ponga a la fuente de poder PS-1 y a V2 en 0V. IMPORTANTE: V2 es la salida invertida de la fuente de poder
PS-2.
6. Aumente la tensión de la fuente de poder PS-1 hasta obtener una lectura V = 11V en el voltímetro.
11. Ponga la fuente de poder PS-1 en su valor mínimo. Ajuste la tensión V2 a su valor máximo para asegurarse
que el SCR esté conduciendo (esté encendido).
12. Aumente corriente la tensión de la fuente de poder la PS-1 para obtener una corriente máxima IF = 100mA.
Mida la tención VF del SCR y anote su valor en la Fig. 4.
13. Reduzca la corriente anódica a 75mA variando la fuente de poder PS-1 y anote la tensión del SCR en la Fig. 4.
14. Continúe y reduciendo la corriente del SCR a los valores de la Fig. 4 y anote las tensiones VF
correspondientes.
IF
100 75 50 25 10 5
(mA)
VF(V
0.912 0.883 0.850 0.805 0.754 0.722
)
PREGUNTA
¿Ha cambiado mucho VF? ¿Por qué razón? Se debe a la ley de omh I= V/R asi que se induce voltaje y por
consecuente se reduce la corriente
16. Use el circuito de la Fig. 5 y ajuste la tensión de la fuente de poder PS-1 en 11V y V2 en 0V. Dispare el SCR
variando V2 al valor máximo y ajuste P1 a su valor mínimo.
20. Repita el proceso varias veces para que la lectura sea correcta. Anote el valor obtenido de corriente de
mantenimiento.
IH = _ 49 mA
NOTA: este parámetro (al igual que otros) es distinto en diferentes unidades SCR.
22. Arme el circuito de medición mostrado en la Fig. 5 (conecte R8 a la fuente de poder PS-1). Conecte el
amperímetro a la compuerta. Ponga a P1 en su valor mínimo, a la fuente de poder PS-1 en 11V y a V2 en 0V.
PREGUNTA
24. Aumente lentamente el valor de V2 y anote los valores de VGT e IGT en el instante de transición a la
conducción. Anote los valores en la Fig. 6. Repita la medición varias veces para obtener valores precisos.
PREGUNTA
0.8 0.55
CONTROL DE FASE
26. Arme el circuito de control de fase de onda completa que se muestra en la Fig. 7.
27. Conecte la una onda senoidal de 50Hz a la entrada “SG in” y ajuste la amplitud a V1 = 16Vp-p (o el mayor
valor que no cause distorsión a la forma de la onda).
28. Estabilice la onda en la pantalla del osciloscopio y obtenga que media onda ocupe 6 divisiones (cada división
corresponderá a un ángulo de 30 grados).
29. Varíe la posición de RV2 de un extremo al otro. Examine y registre el rango de variación del ángulo de disparo
alfa:
30. Ajuste RV2 para que el ángulo de disparo sea 90 grados (tres divisiones). En la Fig. 8 dibuje la onda obtenida.
Mida y anote la tención efectiva en la carga:
VL1 = _ 123 V
Esta medición debe hacerse con un multímetro de valor eficaz verdadero. Es posible hacerlo con un
voltímetro común de c-a, pero se obtendrá solamente un valor aproximado.
60°
123 v
120°
0.55 v
150°
1.16 v
180°
2.42 v
El siguiente ejercicio medirá su comprensión de los parámetros del SCR y sus principios de funcionamiento, que
hemos estudiado hasta ahora.
35. Conecte el canal 1 del osciloscopio para medir la tensión de compuerta VG.
36. Conecte el canal 2 del osciloscopio para medir la tensión de salida Vsal.
37. Gire a RV2 para obtener Vsal = 0. Mida VG y anótelo en la Fig. 10.
38. Gire a RV2 para obtener Vsal = 1V de pico. Anote la tensión de compuerta de pico en la Fig. 10.
39. Repita sus mediciones para los demás valores de la Fig. 10.
Vout 0 1 2 3
(Vpico)
VG 0 0.4 1.15 4
(Vpico)
VG = _ 3.2 Vpico
42. Explique por qué el máximo valor de Vsal que se puede obtener es menor que VA. Ayuda: recuerde que la
tensión del cátodo no es despreciable.
Porque como sabemos este Vsal se determina la corriente que fluye a travez del transistor y por lo tanto su
comportamiento y esto puede cambiar dependiendo el modelo del transistor que se este utilizando.
Comentarios: en esta practica vimos mas a fondo como funciona todo y como puede intervenir la ley de omh en
estos circuitos y ver un poco de las graficas de respuesta de tanto como entrada como de salida de este
mismo a lo relacionado que vimos en la teoría en clase.
Lección 5
El TRIAC
1.0 Objetivos
La principal competencia en esta práctica es la determinación del ángulo de disparo
del TRIAC por medio de un osciloscopio y un circuito disparador de desfasaje, como a su
vez la medición en las tensiones de TRIAC.
2.0
Para esta práctica se requieren los siguientes equipos:
● Un computador base PU-2000
● La tarjeta de circuitos impresa EB-112
● Un generador de funciones
● Un osciloscopio de dos canales (analógico o digital)
● Un multímetro digital
3.0
Teóricamente un TRIAC funciona de forma similar a un SCR, pero su única
diferencia es que es capaz de conducir en ambos sentidos al ser utilizado en C.A. es capaz de
transferir la carga desde la parte positiva a la parte negativa de la onda.
Lección 5 El TRIAC
Paso 1
Debe conectarse correctamente la tarjeta EB-112 al tablero maestro y encender el
equipo, aterrizar correctamente en las terminales designadas en el tablero, luego debe
elevarse el número de experimentos a 24, y buscar el siguiente circuito en la tarjeta impresa.
4.0 PROCEDIMIENTO
1. Enchufe la tarjeta E
CONTROL DE FASE
5.- La Fig. 1 muestra un circuito de control de fase con una sola constante de tiempo. Conecte el
generador de señales a "SG in" y ajuste su salida a onda senoidal de 50Hz. Ajústela amplitud
para que V1 sea 18Vp-p.
6.- Conecte el osciloscopio para medir las tensiones del triac, como se indica en la Fig. 1.
7.-Ponga los controles del osciloscopio de forma de obtener que un ciclo completo ocupe 9
divisiones horizontales. Con esto, cada división equivale a un ángulo eléctrico de 40 grados.
8.- Varíe la posición del potenciómetro RV3 de mínimo a máximo. Observe el cambio del ángulo
de disparo, en los semiciclos positivos y negativos.
PREGUNTA
¿El disparo es simétrico? Explíquese.
No es simétrico, Si el disparo fuera simétrico la onda seria senoidal completamente senoidal
9. Varie el potenciómetro RV3 para obtener un ángulo de disparo obtiene. de 90 grados. En la Fig.
2 dibuje la onda que se esté Mida el valor eficaz de la tensión de la carga y anote valor. Esta
medición debe hacerse con un voltímetro de valor eficaz verdadero. La medición puede hacerse
con un voltímetro común de c.a., pero en este caso solamente se obtiene un valor aproximado.
10. Repita las mediciones anteriores para los demás ángulos de disparo indicados en la Fig. 2.
FREGUNTA
¿Qué muestra la onda de la tensión en R16 (VT1)?
Su disparo es igual distorsionado y al Valor RV3 este
un disparo de 90⁰
GRADOS VL2 RMS VT2 V VT1 V
30° No se ve muy
luminoso
60° Empieza a
prender no muy
incandescente
90°
Se pone más
incandescente
150° Su iluminación
se vas
incandescente
180° Su iluminación
es mayor y se
ve
incandescente
EVIDENCIAS
Comentario: en esta lección aprendimos el uso y funcionamiento del triac y los angulos de disparo y como cambia al
ajustar RV3