Soluciones Tutoría Número 11 Elementos Activos
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Tutoría #11
VDD R1
VG = = 5.212V
R1 + R2
VS = RS I D
VDD R1
VGS = − RS I D
R1 + R2
VDS = VDD − I D ( RD + RS )
K
ID = (VGS − VTH ) (1 + λVDS )
2
2
A
I D = 0.25 x10 −3 2 ( 5.212V − 1V − 1300ΩI D ) (1 + 0.0133V −1 (12V − 5600ΩI D ) )
2
V
I D = 1.44mA
VGS = 3.34V
VDS = 3.936V
vo
AV =
vi
vo = − g m vGS Req 2
vR
vo = − g m i eq1 Req 2
R i + Req1
v Req1
AV = o = − g m Req 2
vi R i + Req1
Con los datos anteriores, calcular AV
Req1
AV = − g m Req 2
R + R
i eq1
g m = 2kn I DSAT
g m = 1.23mS
1
ro =
λ I DSAT
ro = 54.5k Ω
Req1 = R1 R2 = 243k Ω
Req 2 = 3.83k Ω
AV = −4.69 = 13.4dB
Figura 2
a)
Vout =
( g m1Vin + g mb 2 ⋅ −Vout )
gd1 + gd 2
Vout =
( g m1Vin )
g d 1 + g d 2 + g mb 2
Efecto de cuerpo
VTH ↑ I ↓ AV ↓
R de salida baja, disminuye ganancia.
g d ↑, Ro ↓, I RL ↓,Vout ↓
b) Para M1
Para M2
Ambos juntos
− g m1Vin − g m1
Vout = ⇒ AV =
gd1 + gd 2 gd1 + gd 2
c) Para el NMOS
Para este circuito, el equivalente del PMOS queda entonces como sigue:
Circuito completo
− ( g m1 + g m 2 ) Vin − ( g m1 + g m 2 )
Vout = ⇒ AV =
gd1 + gd 2 gd1 + g d 2
Para los problemas 3 a 6, los parámetros del transistor son VTH = 1 V, K´= 50µA/V2, λ =
0.1 V-1.
Figura 3
Figura 4
Figura 6
Figura 7