INSTITUTO TECNOLÓGICO DE DELICIAS

INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA
ELECTRÓNICA ANALÓGICA

DISPOSITIVOS IGBT, SCR, TRIAC Y DIAC

Esteban Campos Canales. Nº de control: 21540256

Ing. David Urita Echeverría

Nº de hojas: 10

8 de mayo de 2023
INTRODUCCIÓN
Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y
transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como
los triac, diac, switch unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor
uniunión programable o PUT y el diodo Shockley.

Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, los tiristores

de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que

nos relaciona la intensidad que los atraviesan con la caída de tensión entre los
electrodos principales.

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de
baja impedancia (conducción).

Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia.

Ser capaz de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está en
estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos, cuando
está en estado de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para controlar
grandes potencias.

Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá
una mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la
frecuencia.

Aplicaciones :

● Tracción eléctrica: troceadores y convertidores.

● Industria:
○ Control de motores asíncronos.
○ Inversores.
 ○ Caldeo inductivo.
○ Rectificadores.

DESARROLLO
TRIAC

El Triac puede ser considerado como la integración de 2 SCR's en forma paralela

invertida.

El simbolo electrico del TRIAC, asi como sus caracteristicas de Voltaje corriente, se
muestran en la figura. Cuando la terminal T1 es positiva con respecto a la terminal
T2, y el dispositivo es disparado por una corriente positiva en la terminal “gate” (+ig
), éste se enciende. De igual forma, cuando la terminal T2 es positiva con respecto a
la terminal T1 y el dispositivo es disparado por una corriente negativa en la terminal
“gate”, el dispositivo también se enciende.

Es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere,

pues la característica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 -T2 es igual a la del
cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una caída de tensión en conducción
prácticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conducción, si
se supera la tensión de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destrucción
por sobretensión.
El modo de operación del Triac, se describe a continuación:

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante
la aplicación entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto
le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A
continuación se verán los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos
de disparo posibles.

Modo I + : Terminal T2 positivo con respecto a T1.

Intensidad de puerta de entrada.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalización del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa emisora ​N2
con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1, en parte por la unión P2N2 y
en parte a través de la zona P2. Se produce la inyección natural de electrones de
N2 a P2 que es favorecida en el área próxima a la puerta por la caída de tensión
que produce en P2 la circulación lateral de corriente de puerta. Parte de los
electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1, que bloquea el potencial
exterior, y son acelerados por ella iniciándose la conducción.

Modo I – : Terminal T2 positivo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de union. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal.

El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y

P de cátodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza
la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. La unión
P2N1 de la estructura principal que soporta la tensión exterior, es invadida por
electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conducción.

Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta de entrada.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en
conducción la estructura P2N1P1N4.
La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I+. Los que
alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión,
haciéndose más conductora. El potencial positivo de puerta polariza más
positivamente el área de la unión P2N1 próxima a ella que la próxima a T1,
provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la
unión N1P1 encargado de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en
conducción.

Modo III – : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

También se dispara por el procedimiento e puerta remota, manejando las capas
P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. La
tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente
que la próxima a la puerta. Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que
alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los
modos I + y III – los más sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el
disparo mas dificil y debe evitarse su empleo en lo posible.
El Triac se usa frecuentemente en muchas aplicaciones de baja potencia como
extractores de jugo, mezcladoras y aspiradoras. Es económico y fácil de controlar
en comparación de 2 SCR's conectados en forma antiparalela. Sin embargo, el Triac
tiene una baja capacidad de dv/dt y un largo tiempo de apagado. No es
recomendable su uso en niveles altos de voltaje y corriente.

DIAC

Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor

que presenta cierto tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las
tensiones presentes en sus terminales son suficientemente altas se utilizan
principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos.

Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de

dos terminales que funciona básicamente como dos diodos Shockley que conducen
en sentidos opuestos.

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que

funciona como un diodo Shockley tanto en polarización directa como en inversa.

Cualquiera que sea la polarización del dispositivo, para que cese la conducción hay
que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las
partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma análoga, no
tienen por qué ser simétricas.
IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA)

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrida que combina los

atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El maneja gate voltage como el
MOSFET. El simbolo mas usado se muestra en la figura. Al igual que el MOSFET de
potencia, el IGBT no presenta el fenómeno de ruptura secundaria como el TBJ.

La estructura del IGBT es similar al MOSFET de canal n, una porción de la

estructura es la combinación de regiones n+ , py n- que forman el MOSFET entre el
source S y el gate G con la región de flujo n- que es el drenaje D del MOSFET. Otra
parte es la combinación de 3 capas p+ n- p, que crea un transistor de unión bipolar
entre el drenaje D y la fuente. La región p actúa como colector C, la región n- actúa
como la base B y la región p+ actúa como el emisor E de un transistor pnp. Entre el
drenaje y la fuente existen 4 capas p+n-pn+ que forman un tiristor. Este tiristor es
parásito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que
no existe ningún voltaje aplicado al portón. Si un voltaje VGS se aplica al gate, el
IGBT se enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se
va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON
en el que la señal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal dren D
debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA señal de
encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es
aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 , puede causar que el
tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de drenaje iD
es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el
dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en la puerta. Sin embargo, en
virtud del control de voltaje la disipación de potencia en el gate es muy baja.

EL IGBT se apaga simplemente eliminando la señal de voltaje VG de la terminal

gate. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los
50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a

apagado y viceversa. Este es reglamentario de 4 V. Arriba de este valor el voltaje
VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido
se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se
autolimita.
El SCR
El rectificador controlado de silicio es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de
material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de
la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la

encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona
básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente
en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no
se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor
comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada
alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de
bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

El pulso de conmutación ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo

si se está trabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o
adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente
pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor
continuará conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la
corriente de mantenimiento (en la práctica, cuando la onda senoidal cruza por cero)

Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un

tiristor, éste puede dispararse y entrar en conducción aun sin corriente de puerta.
Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite
mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador
parásito existente entre la puerta y el ánodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del

control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrónico.
símbolo del tiristor tiristor

Funcionamiento básico del SCR

El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su

funcionamiento.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se

producen dos corrientes: IC2 = IB1.

IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su
vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido

del SCR.
Operación controlada del rectificador controlado de silicio

Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de

silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogió el silicio debido a
sus capacidades de alta temperatura y potencia.

La operación básica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos

capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina
cuándo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado.
No es suficiente sólo la polarización directa del ánodo al cátodo del dispositivo. En la
región de conducción la resistencia dinámica el SCR es típicamente de 0.01 a 0.1

La resistencia inversa es típicamente de 100 k o más. Un SCR actúa a

semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de
flujo de corriente de baja resistencia del ánodo al cátodo. Actúa entonces como un
interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente
del ánodo al cátodo. Por tanto, actúa como un interruptor abierto. Dado que es un
dispositivo de estado sólido, la acción de conmutación de un SCR es muy rápida.

El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un
SCR en serie con la carga. La alimentación de voltaje es comúnmente una fuente de
60-Hz de ca, pero puede ser de cd en circuitos especiales.

Si la alimentación de voltaje es de ca, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del
ciclo de ca en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una fuente
de 60-Hz de ca, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los que se
dividen entre el tiempo que esta en ON y el tiempo que esta en OFF. La cantidad de
tiempo que esta en cada estado es controlado por el disparador.

Si una porción pequeña del tiempo esta en el estado ON, la corriente promedio que
pasa a la carga es pequeña. Esto es porque la corriente puede fluir de la fuente, a
través del SCR, y a la carga, sólo por una porción relativamente pequeña del
tiempo. Si la señal de la compuerta es cambiada para hacer que el SCR este en ON
por un periodo mas largo del tiempo, entonces la corriente de carga promedio será
mayor. Esto es porque la corriente ahora puede fluir de la fuente, a través del SCR,
y a la carga, por un tiempo relativamente mayor. De esta manera, la corriente para
la carga puede variarse ajustando la porción del tiempo del ciclo que el SCR
permanece encendido.

CARACTERÍSTICA DEL SCR

La siguiente figura muestra la dependencia entre el voltaje de conmutación y la

corriente de compuerta.

Cuando el SCR está polarizado en inversa se comporta como un diodo común (ver
la corriente de fuga característica que se muestra en el gráfico).

En la región de polarización en directo el SCR se comporta también como un diodo

común, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E.

Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de ánodo
a cátodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje ánodo-cátodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje

ánodo-cátodo VB y VA).

Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje ánodo-cátodo

tenderá a aumentar antes de que el SCR conduzca (se ponga en On, esté activo)

Características

● Interruptor casi ideal

● Amplificador eficaz
 ● Fácil controlabilidad
● Características en función de situaciones pasadas (memorias).
● Soportan altas tensiones
● Capacidad para controlar Grandes Potencias
● Relativa rapidez

CONCLUSIÓN
No poseia el conocimiento de que existían tipos de transistores que funcionan como
si fueran uno o mas de ellos, realmente es muy interesante aprender el
funcionamiento de cada uno de estos objetos.

REFERENCIAS
https://elecanalogica.wordpress.com/dispositivos-de-potencia/
https://electronicaindustrialweb.wordpress.com/el-scr/