Teoría

E TAPA 1 - LECCION Nº 6
Figura 1
LOS SEMICONDUCTORES:
DIODOS SEMICONDUCTORES
Conozca cómo funcionan los componentes más
utilizados en electrónica.
INTRODUCCION
Figura 2
Hemos clasificado los materiales, en relación con sus propiedades eléctricas,
en dos grandes grupos: los que pueden conducir la corriente eléctrica, denomi-
nados conductores, y los que no pueden conducir la corriente eléctrica, denomi-
nados aislantes. Sin embargo, esta clasificación no es absolutamente rigurosa
en el sentido de que no tenemos ni conductores ni aislantes perfectos. No exis-
ten materiales que sean conductores tan buenos al punto de que no presenten ni
mínima resistencia al paso de la corriente en condiciones normales, del mismo
modo que no existen materiales que sean aislantes perfectos al punto de no de-
jar pasar co-rriente cuando se los somete a una cierta tensión.

En verdad, una clasificación más rigurosa nos llevaría a un "espectro casi con-
Figura 3
tinuo" de las propiedades eléctricas de los materiales: de los buenos conducto-
res como el oro y la plata, hasta los malos conductores o aislantes buenos como
el vidrio y la mica, y en el medio tendríamos todas las graduaciones posibles, co-
mo muestra la figura 1.

Es importante para nosotros un tipo de material que se sitúe con sus propieda-
des eléctricas justamente en la banda intermedia entre los conductores y los ais-
lantes. Estos materiales son los semiconductores y serán el centro de nuestros
estudios a partir de ahora.

LOS SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son sustancias cuya conductividad eléctrica está en un va-

lor intermedio entre la de los buenos conductores, como los metales (oro, plata,
cobre, etc.) y los aislantes, como vidrio, mica, goma, etc. En comparación con los
metales, las propiedades eléctricas de los semiconductores son bien diferentes.

Así, mientras la resistencia de alambre del metal conductor aumenta con la

temperatura, la resistencia de un alambre de material semiconductor disminuye
con la temperatura, como muestra el gráfico de la figura 2.

Otra característica importante de los materiales semiconductores es su enor-

me variación de características eléctricas cuando están impuros. La presencia
de ciertas impurezas en un material semiconductor puede alterar enormemente
sus propiedades eléctricas, y gracias a eso es que podemos crear dispositivos
electrónicos muy interesantes.

Son diversos los materiales semiconductores usados en electrónica. Estos ma-

teriales se pueden encontrar en una región especial de la tabla de clasificación
pe-riódica, lo que nos revela que sus átomos presentan estructuras con caracte-
rísticas bien definidas, como muestra la figura 3.

Tenemos entonces el silicio y el germanio como elementos más usados inicial-

mente en la electrónica, y hoy, con cada vez mayor intensidad, el selenio, el ga-
lio y el arsénico.

Al final de la lección incluimos una tabla con las características físicas de algu-
nas sustancias semiconductoras, para que el lector, una vez que haya profundiza-
do un poco más sus conocimientos, pueda hacer comparaciones sobre los valores
presentados. Para que podamos entender mejor lo que ocurre con los materiales 39
semiconductores y sus propiedades eléctricas, debemos estudiar su estructura.
Teoría

ESTRUCTURA DE LOS SEMICONDUCTORES

Figura 4
La mayoría de los dispositivos electrónicos usa actualmente el germanio o el si-
licio. Así, partiendo de estos materiales, en nuestros estudios podremos abarcar
la mayor parte de los dispositivos conocidos y de ellos deducir fácilmente cómo
funcionan los demás. Tanto el silicio como el germanio poseen átomos con 4
electrones en su última capa, o sea, poseen 4 electrones de valencia.

Esto significa que, formando una estructura cristalina, ellos se unen unos con
otros a través de 4 ligaduras o enlaces, como muestra la figura 4.

Esta figura es una representación "espacial" de lo que ocurre, ya que tenemos

una visión en 3 dimensiones de las ligaduras de los átomos. Para facilitar nues-
tros estudios podemos perfectamente representar un trozo de material semicon-
Figura 5 ductor (germanio o silicio) en el plano, como muestra la figura 5.

Así, con una figura como ésta, el lector puede fácilmente percibir lo que ocurre,
y deducir lo que pasa en la realidad en una estructura tridimensional. Vea enton-
ces que en la estructura indicada todos los átomos están rodeados por 8 elec-
trones que completan su capa de valencia (recordamos que la "tendencia" de los
átomos es completar su capa de valencia, lo que en este caso se obtiene con 8
electrones). Para esto, los átomos usan sus 4 electrones y comparten con sus
vecinos 4 más. El equilibrio se obtiene y el material formado es neutro, o sea,
no presenta excesos, ni faltas, de cargas de uno u otro signo.

En la práctica, sin embargo, las ligaduras solamente son fijas entre los átomos,
así como sus posiciones, a temperaturas muy bajas, próximas al cero absoluto.

Por encima del cero absoluto los átomos entran en vibración. La vibración tér-
mica tiende entonces a romper las ligaduras que prenden los electrones a los áto-
mos, y éstos se liberan. Los electrones adquieren entonces una movilidad a tra-
vés del material, siendo ésta la causa de su capacidad de conducir la corriente.

Llamamos a este fenómeno conductividad intrínseca, pues es natural del propio

material. Perciba entonces, el lector, por qué los semiconductores disminuyen de
resistencia cuando la temperatura se eleva: la agitación de los átomos aumenta,
se rompen más ligaduras y se libera mayor cantidad de electrones (figura 6).

Muy importante para la determinación de las características de

un material es la energía necesaria para romper las ligaduras
que unen los electrones a los átomos.

Esta energía es denominada "energía de ligadura" o "de enlace" y está repre-

sentada por "Eg" o "eV" y varía ampliamente en los materiales comunes.

Figura 6 Así, un material como el diamante tiene una energía de ligadura de 5,5 eV (elec-
trones-volt) lo que significa un valor elevado. El diamante es un aislante.

Es difícil romper las ligaduras y con eso obtener electrones libres que sirvan co-
mo portadores de carga. El germanio, por otro lado, tiene una energía de ligadu-
ra de solamente 0,7 eV mientras que el silicio tiene 1,1 eV, lo que significa que
es más fácil "arrancar" electrones de estos materiales para volverlos conducto-
res. Incluso así, tales valores son altos en relación a los metales conductores en
los que prácticamente no existe una energía de ligadura, pues los electrones
pueden "moverse libremente" en su interior.

Pero, lo interesante de la liberación de un electrón en un material de este tipo

es que no creamos simplemente un portador de carga negativa. La salida del
electrón crea un "agujero" o "laguna" que, en el fondo, es un portador de carga
positiva. Representa la ausencia de electrones que, como vimos, hace predomi-
nar la acción positiva de los protones en el núcleo atómico. Así, siempre que li-
beramos un electrón en un material semiconductor, creamos un par de portado-
40 res de carga: "electrón-laguna". El electrón es portador de carga negativa y la la-
guna es portadora de carga positiva (figura 7).
 Teoría

La conducción de una corriente por uno u otro es fácilmente explicada:

Figura 7
En el caso de los electrones, basta aplicar una addp (diferencia de potencial)
en los extremos de un material semiconductor para que los electrones salten, de
átomo en átomo, en busca de las lagunas correspondientes y con esto despla-
zándose en el sentido deseado.

Vea, mientras tanto, que cada vez que un electrón "salta" en una dirección de-
ja detrás de sí una laguna.

Esto significa que el movimiento de electrones en un sentido corresponde exac-

tamente al movimiento de lagunas en el sentido opuesto (figura 8) en un semi-
conductor. Podemos entonces representar una corriente en un semiconductor,
tanto por el movimiento de lagunas como de electrones, o sea, portadores nega-
tivos o positivos de cargas. Este concepto es extremadamente importante para
la comprensión de los dispositivos semiconductores. Figura 8
Los electrones libres y las lagunas que están presentes en un material semicon-
ductor puro, en condiciones normales, se denominan portadores "intrínsecos".
Para cada unidad de volumen considerada de un material semiconductor, la can-
tidad de electrones libres será igual a la de lagunas.

Esto da al material una carga total nula. Es importante observar que a una cier-
ta temperatura, superior al cero absoluto, en que ocurre la liberación de los pa-
res electrones-lagunas, el proceso no es unilaterial, esto es: tenemos solamente
formación de pares.

Lo que ocurre es que en cada instante tenemos la liberación de electrones con

la formación de lagunas, pero también la recombinación de electrones con el lle-
nado de lagunas, en un proceso dinámico. En total tenemos entonces en cada
instante un promedio de pares laguna-electrón formados, que depende justamen- Figura 9
te de la temperatura ambiente.

IMPUREZAS

¿Qué ocurre con las propiedades eléctricas de un

material semi-conductor si se aumentan las impurezas?

La presencia de determinados átomos en la estructura cristalina descripta en

el punto anterior puede modificar de modo radical su comportamiento eléctrico
y dar origen a materiales propios para la fabricación de dispositivos electrónicos.

Hay impurezas cuyos átomos poseen 3 electrones en la última capa, y las sus-
tancias cuyos átomos tienen 5 electrones en su última capa. El número ideal de
4 es "quebrado", y se produce entonces un desequilibrio cuyas consecuencias
pasamos a estudiar. En el primer caso (3 electrones) tenemos el aluminio (Al),
el galio (Ga) y el indio (In). En el segundo caso (donde hay 5 electrones) tene-
mos el arsenio (As), el fósforo (P), y el antimonio (Sb).

IMPUREZAS DONANTES
Si al fabricar un cristal de material semiconductor (Silicio o Germanio), introdu-
cimos en el proceso pequeñas cantidades de sustancias con 5 electrones en la
última capa (capa de valencia) estas sustancias pasarán a formar parte de su es-
tructura, pero la manera en que ocurrirán las ligaduras quedará modificada.

En la figura 9 tenemos representado el átomo de la sustancia dotado de 5 elec-

trones en su última capa. Este átomo va a conectarse a los adyacentes de la sus-
tancia semiconductora, porque procura completar la capa de valencia de modo
de tener 8 electrones compartidos. El resultado es que sobra 1 electrón que se
vuelve libre.

Vea entonces que este electrón se puede volver un portador negativo de carga, 41
pero con una diferencia en relación a los portadores formados normalmente, o
Teoría

sea los intrínsecos: su formación no es acompañada por la aparición de una la-

Figura 10 guna. El resultado es que para cada átomo de impureza agregado en el semicon-
ductor tenemos un electrón de más como portador de carga. Hay, entonces, un
excedente de cargas negativas en este material. Decimos que en este material
semiconductor los portadores mayoritarios de cargas son los electrones. Es un
material semiconductor del tipo N (de negativo).

La cantidad de átomos que necesitamos usar de impureza en un semiconductor

para obtener un material tipo N no es grande. Tenemos alrededor de 1 parte por
millón, pero incluso eso corresponde a cantidades que varían entre 1015 a 1017
átomos por centímetro cúbico de material semiconductor.

No es preciso decir que la resistencia de este material queda sensiblemente re-

ducida con la liberación de más portadores de carga, lo que significa que un se-
miconductor del tipo N es mejor conductor que un semiconductor puro del mis-
mo material (silicio o germanio).

IMPUREZAS ACEPTADORAS
Tomemos ahora el mismo material semiconductor e introduzcamos una impure-
za cuyo átomo tenga apenas 3 electrones en su capa de valencia. Representan-
do esto de una forma plana, como muestra la figura 10, vemos que existe nueva-
mente la tendencia de compartir las cargas con el fin de obtener el octeto (8
electrones). Como el átomo de la impureza tiene solamente 3 electrones, falta
uno para que consiga corresponder a todas las ligaduras con los átomos vecinos.
Figura 11 Queda, entonces, una laguna dentro del material, que corresponde a un portador
de carga positivo. Los electrones que salten de otros puntos de la estructura ha-
cia esta laguna pueden llenarla, pero en el total tendremos todavía una cantidad
mayor de lagunas que de electrones libres. En este caso también tenemos que
con la formación de la laguna no hay formación de un electrón libre correspon-
diente. Los electrones libres que existen son portadores intrínsecos de carga for-
mados por la liberación térmica del material. Este material es, por lo tanto, un
conductor cuyos portadores mayoritarios son lagunas. Decimos que se trata de
un semiconductor del tipo P (de positivo).

VELOCIDAD DE LOS PORTADORES

Si aplicamos una tensión en un material semiconductor

del tipo P y del tipo N, ¿en qué caso tendremos mayor
velocidad para los portadores de carga?

Esta pregunta es muy importante si deseamos construir dispositivos rápidos. En

un dispositivo electrónico el material semiconductor del tipo P o del tipo N debe
permitir la circulación de corriente eléctrica. Un campo eléctrico se aplica enton-
ces al material y produce un movimiento de cargas, como muestra la figura 11.

Las lagunas y los electrones se desplazan con predominio de uno o de otro, se-
gún el material. El predominio determina también la velocidad con que se puede
hacer el transporte de cargas. De hecho, los electrones libres son mucho más rá-
pidos que las lagunas, lo que significa que un semiconductor del tipo N responde
más rapidamente a las variaciones del campo en la producción de la corriente que
un semiconductor del tipo P. Así, para el germanio tenemos las siguientes movili-
dades de los portadores de carga, expresadas por la letra griega µ:

GERMANIO:
electrones libres = 3.900 cm2/V.s
lagunas = 1.900 cm2/V.s

SILICIO:
electrones libres = 1.350 cm2/V.s
lagunas = 480 cm2/Vx.s

42 Observe que en un material N tenemos el doble de velocidad de portadores de

carga de la que obtenemos en un material P.
 Teoría

Esto, como veremos, va a reflejarse de modo directo en la velocidad de opera-

ción de transistores del tipo NPN y PNP. Observe también que estas magnitudes
dependen enormemente de la temperatura y los valores expresados son para una
temperatura de 300°K correspondiendo aproximadamente a 27°C.

ALGUNAS ACLARACIONES

¿Qué tiene que ver la superconductividad con los semi-

conductores? ¿Es la misma cosa?
Trataremos aquí el tema, ya que se habla cada vez más de las aplicaciones de
los materiales llamados superconductores.

Los superconductores son diferentes de los semiconductores, como explicamos

a continuación: cuando una sustancia conductora es enfriada a una temperatura
muy baja, alrededor del cero absoluto (-273°C), la agitación de los átomos prác-
ticamente cesa, y con esto ocurre un cambio en su comportamiento eléctrico.
Los portadores de carga adquieren una enorme movilidad y desaparece práctica-
mente la resistencia eléctrica. El material adquiere entonces la propiedad de con-
ducir la corriente eléctrica prácticamente sin resistencia alguna, se vuelve un su-
perconductor. Las temperaturas en que ocurre este fenómeno varían de un mate-
rial a otro, pero normalmente son muy bajas.

Lo que se investiga actualmente es la producción de materiales que manifies-

ten estas propiedades en temperatura ambiente (por encima de 0°C), pues así
podríamos tener la transmisión de energía sin pérdidas, la elaboración de elec-
troimanes superpotentes y muchos otros dispositivos importantes para la tecno-
logía del futuro.

Algunas cerámicas ya manifiestan propiedades superconductoras a temperatu-

ras relativamente altas y recientemente tuvimos noticias de que accidentalmen-
te ya se habrían producido materiales superconductores a la temperatura am-
biente, pero su aplicación en gran escala todavía está un poco lejos. Al final de
esta lección damos una tabla con las temperaturas de transición a la supercon-
ductividad de algunos materiales y aleaciones.

¿Qué tipo de silicio o germanio se usa en la fabricación

de los semiconductores?

El silicio es uno de los elementos más abundantes en la Tierra, pero aparece en

la forma de óxidos. La arena y el granito son ejemplos de compuestos de silicio
así como los cristales de roca.

Sin embargo, el silicio usado en la fabricación de los semiconductores es el

elemento silicio en su forma pura, de una enorme pureza. Esta necesidad de una
gran pureza es lo que exige máquinas delicadísimas que operan en atmósfe-
ras absolutamente limpias para su producción. No es, por lo tanto, cualquier si-
licio ni cualquier germanio que usamos para fabricar dispositivos semiconducto-
res, sino silicio cristalino de enorme pureza que se produce de modo riguroso en
laboratorio.

LAS JUNTURAS Y LOS DIODOS

En un material semiconductor del tipo P los portadores mayoritarios de cargas

son las lagunas, en el sentido de que existen más lagunas disponibles para la
conducción de corrientes que electrones. En un material de tipo N, como estu-
diamos, existen más electrones libres que lagunas para la conducción de la co-
rriente.
¿Qué ocurre si se une de modo íntimo un material del
tipo N a un material del tipo P?
43
Teoría

Figura 13 Figura 12

Figura 14

Es lo que veremos a continuación, recordando que esta unión íntima forma lo

que denominamos "juntura".

Podemos tener la unión de materiales diferentes simplemente "fabricando" el

semiconductor, de modo que en una parte tengamos las impurezas del tipo P y
en la otra sea difundida la impureza del tipo N. En este caso se dice que la jun-
Figura 15 tura está formada por difusión. Otra posibilidad, mostrada en la figura 12, consis-
te en hacer "crecer" el cristal de un tipo (N por ejemplo) sobre un pedazo de ma-
terial P, en cuyo caso tenemos una juntura formada "por crecimiento".

Son diversas las técnicas que nos permiten obtener junturas PN y oportunamen-
te serán estudiadas. Lo que importa para la comprensión del funcionamiento de
la juntura PN es que se tenga en cuenta que existen dos regiones en un mate-
rial, de tipos diferentes, separadas por una zona común de contacto.

LA JUNTURA PN
En la figura 13 tenemos la representación de una juntura PN. Para entender lo
Figura 16 que ocurre en un dispositivo con esta estructura, imaginemos que inicialmente
tenemos los materiales P y N separados, como muestra la figura 14. En el mo-
mento en que se unen los dos materiales, en la región de junturas comienza a ha-
ber una recombinación de los electrones libres en exceso del material N, donde
estas cargas son portadoras mayoritarias, con las lagunas en exceso del mate-
rial P, donde estas cargas son las portadoras mayoritarias (figura 15).

El resultado es que en esta región del material tenemos una reducción de la

concentración de los portadores de carga, lo que corresponde a la aparición de
cargas especiales a ambos lados de la juntura. Esta carga especial significa sim-
plemente que en el material P existe una región en que predominan cargas N, y
en el material N existe una región en que predominan cargas P.

Esto corresponde a una verdadera "barrera" para la circulación de la corriente

representada por el gráfico de la figura 16.

Llamamos a esta barrera, de modo bien apropiado, "barrera de potencial", y la

misma impide que ocurra el mismo proceso de difusión y recombinación de las
cargas en el restante material semiconductor.

Como la recombinación de las cargas de los materiales P con las del material
44 N corresponde a una corriente, en cuanto la barrera se forma, impide que prosi-
ga el proceso. Decimos que la "altura" de esta barrera de potencial se debe ajus-
tar de modo de impedir la circulación de corriente en el material semiconductor pa- Figura 17
ra equilibrar el proceso. En una estructura PN tenemos dos regiones en que exis-
ten definidamente portadores de carga mayoritarios P y N, que son los materiales
correspondientes, y una región intermedia, de juntura, en que se manifiesta un fe-
nómeno de recombinación con la formación de una barrera de potencial.

En la condición de equilibrio -esto es, sin acción alguna externa de campos-, no

hay circulación de corriente alguna por el sistema. Eso significa que no tenemos
pasaje de portadores de carga de un material hacia otro, a través de la barrera.

POLARIZACION DE LA JUNTURA PN
Polarizar significa aplicar tensión a un componente. Inicialmente, vamos a po-
larizar la juntura PN al conectar un generador de corriente continua, como mues-
tra la figura 17.
Figura 18

Como podemos percibir, el polo positivo del generador es conectado al trozo del
semiconductor del tipo P mientras que el polo negativo del generador es conec-
tado al lado del semiconductor del tipo N. Del lado positivo del material (semi-
conductor P) tendremos la atracción de los portadores negativos para el lado de
la batería, mientras que las lagunas, que son los portadores positivos, serán em-
pujados hacia la región de juntura. Ahora, como en este material P la concentra-
ción de lagunas es mayor que la de electrones, el flujo de lagunas hacia la juntu-
ra es mayor que el flujo de electrones para el polo de la batería.

Del otro lado, tenemos la atracción hacia el polo de la batería de las lagunas
mientras que los electrones libres son empujados hacia la región de la juntura. Co-
mo en el material N la concentración de portadores negativos es mayor, el flujo de
cargas hacia la región de la juntura es mayor que el flujo de cargas positivas ha-
cia el polo de la batería.
El resultado es que ocurre, en la región de la juntura, una concentración de car-
gas suficientemente grande para vencer la barrera de potencial y dar inicio a un
proceso de recombinación. Una corriente intensa puede entonces circular por el
dispositivo, lo que producirá una caída de su resistencia.

Decimos que en estas condiciones, la juntura está polarizada en el sentido di-

recto y la corriente puede circular por el dispositivo. Si ahora invertimos la pola-
ridad de la batería externa, como muestra la figura 18…¿qué ocurre?

Tendremos nuevamente la atracción de los portadores de carga positivos hacia

el polo negativo y de los portadores negativos hacia el polo positivo.

Para la región de la juntura irán ahora los portadores minoritarios, cuya concen-
tación es pequeña, y no hay posibilidad de vencer la barrera de potencial. El re-
sultado es que no ocurre la recombinación de la manera esperada y ninguna co-
rriente puede circular por el dispositivo. Manifiesta una resistencia elevada. De-
cimos, en estas condiciones, que el dispositivo está polarizado en el sentido in-
verso.

Vea que en el caso de la polarización directa, tenemos un estrechamiento de la

región en que se encuentra la carga espacial, o sea la juntura, mientras que en
el caso de la polarización inversa los portadores mayoritarios de cargas son ale-
jados, esto provoca un ensanchamiento de la barrera de potencial.

DIODOS SEMICONDUCTORES
Los dos dispositivos electrónicos, formados por dos trozos de materiales semi-
conductores de tipos diferentes y unidos de modo de tener una región de juntu-
ra en común, se denominan diodos semiconductores. Son diodos porque poseen
dos elementos de conexión, o sea, son dispositivos de dos terminales y son se-
miconductores en vista del material usado en su confección.
45
Teoría

Figura 19 Figura 21

Figura 20

Al lado de los diodos de semiconductores debemos recordar la existencia de

los diodos termiónicos, o válvulas diodo que presentan comportamiento eléc-
trico semejante, pero estructura completamente diferente y que serán estudia-
dos en el futuro. En la figura 19 mostramos diferentes tipos de diodos que se
usan en electrónica.

Todos estos diodos son formados por trozos de materiales semiconductores del
tipo P y del tipo N, con una juntura común. Los diodos pueden ser de silicio, ger-
manio o selenio, según el material semiconductor usado en su fabricación. La re-
presentación usual para el diodo aparece en la figura 20. Vea entonces que po-
demos usar el diodo como una especie de válvula de retención, basados en las
propiedades de la juntura que estudiamos en el punto anterior: cuando lo polari-
zamos en el sentido directo "abre" y deja pasar la corriente con facilidad y pre-
senta el mínimo de resistencia (figura 21).

Pero cuando lo polarizamos en el sentido inverso se "cierra" e impide la circu-

lación de la corriente.

El comportamiento eléctrico de un diodo puede darse mediante una representa-

ción gráfica que denominamos "curva característica". Así, en la figura 22 tene-
mos la curva característica del diodo semiconductor. Vemos entonces que para
que un diodo comience a conducir cuando está polarizado en el sentido directo,
o sea que "abra", es preciso que se aplique una tensión mínima. Esta tensión se
usa para vencer la barrera de potencial y varía según el material del diodo.

Para los diodos de germanio esta tensión es del orden de 0,2V, mientras que
para los diodos de silicio esta tensión es del orden de 0,7V.

Es importante observar también que en la conducción directa, no importa cuál

sea la cantidad de la corriente que circule por el diodo, esta barrera estará siem-
pre presente. Así, tenemos siempre una caída de tensión en el diodo y ésta es
del orden de 0,2 ó 0,7V.

En un circuito como el de la figura 23 en que conectamos diversos diodos en

serie con una lámpara, si usamos los tipos de silicio, tendremos 0,7V de caída
en cada uno.

Como veremos en el futuro, los diodos pueden ser usados para producir peque-
ñas caídas de tensión en los circuitos y de una manera que no ocurre con los re-
46 sistores: independientemente con buena aproximación de la intensidad de la co-
rriente. Otra característica importante de los diodos puede observarse en la cur-
 Teoría

Figura 22 Figura 24

Figura 23

va y es la que corresponde a la ruptura inversa.

Llamamos tensión de ruptura inversa (VRRM) a la tensión que, aplicada en el

diodo en el sentido de polarizarlo inversamente, provoca la ruptura de la barrera
de potencial, cambiando completamente las características del diodo: el diodo,
hasta entonces cerrado a la circulación de la corriente, abre. Esta tensión no de-
be ser aplicada en diodos comunes, pues la ruptura de la barrera es acompaña-
da de la destrucción del componente. Esto significa que no debemos de modo al-
guno utilizar los diodos en circuitos que estén sujetos a tensiones inversas ma-
yores que el valor que causa la ruptura inversa a riesgo de "quemar" el compo-
nente.

Tenemos, finalmente, que observar en esta lección la pequeña corriente que

puede circular en los diodos cuando son polarizados en el sentido inverso y que
depende de dos factores: luz y calor. De hecho, estando la temperatura ambiente
que corresponde a 273 grados por encima del cero absoluto, no reina en los áto-
mos del material semiconductor una completa paz. Los mismos se agitan y cons-
tantemente son liberados siendo portadores de carga tanto positivos como nega-
tivos en la región de la juntura. Estos portadores se mueven y son responsables
por una pequeña corriente que circula incluso cuando el diodo está polarizado en
el sentido inverso. Esta corriente es denominada "de fuga" y aumenta con la tem-
peratura de una forma perfectamente previsible.

La fuga de los diodos puede hasta ser admitida en algunos casos, siempre que
no sea grande, y en otros podemos hasta aprovecharla como base de proyectos:
de hecho, como esta corriente depende de manera previsible de la temperatura,
podemos usar un diodo como sensor de temperatura de gran precisión, como
muestra la figura 24.

Si la juntura recibe iluminación directa, los fotones de luz pueden liberar porta-
dores de carga, permitiendo así la circulación de pequeñas corrientes por la jun-
tura; incluso cuando el diodo se encuentra polarizado en el sentido inverso. Po-
demos entonces usar los diodos como fotosensores. El silicio, por ejemplo, pue-
de ser usado en la construcción de fotodiodos capaces de modificar su resisten-
cia en el sentido inverso con radiaciones infrarrojas y visibles, lo que significa la
posibilidad de aplicarlos en alarmas, lecturas de tarjetas perforadas y códigos de
barras, detectores de incendios y en muchos otros casos.

DIODOS DE SEÑAL
La denominación "diodo de señal", o bien "diodo de uso general", se da a los 47
diodos de pequeño porte destinados a trabajar con corrientes pequeñas (típica-