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    Clase Cuatro El Diodo

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    gustavo.21ene
    El documento describe las diferentes corrientes que componen la corriente total en un diodo semiconductor y cómo varían con la temperatura. Explica cómo calcular la tensión aplicada a un diodo de germanio para que conduzca una corriente de 20 mA dado su corriente de saturación inversa. También describe las diferentes zonas en la curva característica tensión-corriente de un diodo y define conceptos como resistencia dinámica y voltaje pico inverso.

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    Clase Cuatro El Diodo

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    gustavo.21ene
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    El documento describe las diferentes corrientes que componen la corriente total en un diodo semiconductor y cómo varían con la temperatura. Explica cómo calcular la tensión aplicada a un diodo de germanio para que conduzca una corriente de 20 mA dado su corriente de saturación inversa. También describe las diferentes zonas en la curva característica tensión-corriente de un diodo y define conceptos como resistencia dinámica y voltaje pico inverso.

    Título original

    CLASE CUATRO EL DIODO

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    El documento describe las diferentes corrientes que componen la corriente total en un diodo semiconductor y cómo varían con la temperatura. Explica cómo calcular la tensión aplicada a un diodo de germanio para que conduzca una corriente de 20 mA dado su corriente de saturación inversa. También describe las diferentes zonas en la curva característica tensión-corriente de un diodo y define conceptos como resistencia dinámica y voltaje pico inverso.

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    Clase Cuatro El Diodo

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    gustavo.21ene
    El documento describe las diferentes corrientes que componen la corriente total en un diodo semiconductor y cómo varían con la temperatura. Explica cómo calcular la tensión aplicada a un diodo de germanio para que conduzca una corriente de 20 mA dado su corriente de saturación inversa. También describe las diferentes zonas en la curva característica tensión-corriente de un diodo y define conceptos como resistencia dinámica y voltaje pico inverso.

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    IST = IS + ISF

    IST = CORRIENTE DE SATURACIÓN TOTAL


    IS = CORRIENTE DE SATURACIÓN INVERSA
    ISF == CORRIENTE DE FUGA SUPERFICIAL

    IS SE DUPLICA POR CADA 10° C DE AUMENTO DE LA


    TEMPERATURA.
    EN POLARIZACIÓN DIRECTA
    I == CORRIENTE DE CONDUCCIÓN
    q = CARGA DEL ELECTRÓN (1.602 x 𝟏𝟎−𝟏𝟗 ) COULOMBIOS

    k = CONSTANTE DE BOLTZMAN (1.38 x 𝟏𝟎−𝟐𝟑 JOULES/ °K

    T = TEMPERATURA AMBIENTE (25°C) (300°K)

    = TENSIÓN NETA EN EL DIODO (V - )


    = VOLTAJE DE BARRERA DE POTENCIAL

    AL REEMPLAZAR

    q/KT = 38.65 === KT/ q = 0.026

    DETERMINAR LA TENSIÓN (V) APLICADA A UN DIODO


    DE GERMANIO QUE CONDUCE (I) 20 mA A LA
    TEMPERATURA AMBIENTE Y CUYA CORRIENTE DE
    SATURACIÓN INVERSA ES DE 10 A.
    = TENSIÓN NETA EN
    EL DIODO

    APLICANDO LOGARITMO
    NATURAL

    REEMPLAZANDO
    ===

    = 0.377 + 0.3

    V === VOLTAJE APLICADO AL DIODO

    V = 0.677 Voltios
    CURVA CARACTERISTICA VOLTAJE Vs
    CORRIENTE DE UN DIODO SEMICONDUCTOR (V-I)
    ZONA I == ZONA NO POLARIZADA

    ZONA II == ZONA DE POLARIZACIÓN INVERSA

    ZONA III == ZONA DE POLARIZACIÓN DIRECTA

    VOLTAJE INVERSO PICO (VIP)

    VOLTAJE ANTES DE SU DETERIORO


    VOLTAJE PICO INVERSO
    RESISTENCIA DINAMICA DEL DIODO
    SEMICONDUCTOR Rd

    CUANDO ESTA EN CONDUCCIÓN, DEPENDE DE LA


    CORRIENTE QUE CIRCULA A TRAVES DEL DIODO EN UN
    DETERMINADO MOMENTO.

    ……….. 1

    COMO :

    CUANDO EL DIODO ESTA EN CONDUCCIÓN


    LUEGO PODEMOS DECIR

    DERIVANDO CON RESPECTO A V´

    REEMPLAZANDO EN LA ECUACIÓN 1

    = Rd =
    COMO = 0.026 LUEGO Rd = 0.026/ I

    ENTONCES Rd =
    EN EL CIRCUITO DE LA FIGURA, SE PIDE CALCULAR LA
    CORRIENTE A TRAVES DE LA RESISTENCIA DE 10 KΩ
    CONSIDERAR EL DIODO IDEAL.
    ID = (20v )/ 10KΩ = 2 m A

    ID = 2 m A
    CONSIDERE EL DIODO DE LA FIGURA IDEAL, ¿CUÁNTA
    CORRIENTE CIRCULA POR LA RESISTENCIA DE 20 KΩ ?
    DIBUJE LA FORMA DE ONDA A TRAVES DE LA
    RESISTENCIA DE 20 KΩ. HALLAR EL VIP.

    ANALIZANDO EN LA PRIMERA MITAD DE LA SEÑAL DE


    ENTRADA (0 – T/2).
    CONSIDEREMOS QUE LA FUENTE Vi SE PUEDE
    REEMPLAZAR POR UNA FUENTE DE TENSIÓN
    CONTINUA DE VOLTAJE DE 20 v.

    APLICANDO TRANSFORMACIÓN DE FUENTE, Y


    CALCULANDO LA CORRIENTE RESPECTIVA.

    PORQUE: 20v/ 10 KΩ = 2 m A
    SIMPLIFICANDO LAS RESISTENCIAS PARALELAS
    LUEGO POR DIVISOR DE CORRIENTE TENDREMOS:

    ID = (I x 5)/ (5 + 20) = (2 x 5)/(25) = 0.4 m A

    PERO TAMBIÉN Vo = ID x 20 = 0.4 x 20 = 8v

    ANALIZANDO LA SEGUNDA MITAD DE LA SEÑAL DE


    ENTRADA
    OBSERVAMOS QUE EL DIODO ESTA ABIERTO LUEGO LA
    CORRIENTE ID = 0 Y EL VOLTAJE Vo = 0

    VAC = VIP = (20 x 10) / (10 + 10) = 10 v

    VIP = 10 Voltios
    CALCULAR LA CORRIENTE PICO QUE CIRCULA POR LA
    RESISTENCIA DE 12.5 KΩ , USAR LA SEGUNDA
    APROXIMACIÓN DEL DIODO.
    ANALIZAREMOS ENTRE 0 Y T/2 LA SEÑAL DE ENTRADDA
    EL DIODO SOLO CONDUCE EN EL SEMICICLO
    POSITIVO DE LA SEÑAL DE ENTRADA (0 – T/2)

    POR TRANSFORMACION DE FUENTE TENDREMOS:


    SIMPLIFICANDO EL CIRCUITO

    VOLVIENDO A TRANSFORMAR LA FUENTE TENDREMOS:


    LUEGO CALCULANDO EL VALOR DE IR TENDREMOS:

    IR = ( 7.5 – 0.7)/ (7.5 + 12.5) = 6.8/20

    FINALMENTE :

    IR = 0.34 mA
    CUANDO SE POLARIZA INVERSAMENTE TENDREMOS
    QUE:

    IR = 0
    USESE LA TERCERA APROXIMACIÓN DEL DIODO, PARA
    CALCULAR LA CORRIENTE DIRECTA A TRAVES DE ÉL Y
    CALCULE LA TENSIÓN PICO A TRAVÉS DE LA
    RESISTENCIA DE 300Ω. (Rp = 25 Ω )
    APLICANDO KIRCHOFF
    ID = (10 – 0.7) / ( 50 + 25 + 300) = 9.3/ 375

    LUEGO :
    ID = 24.8 mA
    Vo ES EL VOLTAJE EN LA RESISTENCIA DE 300 Ω

    Vo = ID x 300 = 24.8 m A x 0.3 KΩ = 7.44v

    Vo = 7.44Voltios
    COMO LA POLARIZACIÓN INVERSA DEJARA A LA MALLA
    EN CIRCUITO ABIERTO, LUEGO NO CIRCULARA
    CORRIENTE.

    LUEGO IR = 0 Y EL VOLTAJE Vo = 0

    TAMBIEN, EL VIP SERA EL VOLTAJE DE LA FUENTE 10 v.

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