Tipos de Memorias

Competencia 1
TIPOS DE MEMORIAS
Ingeniería Mecatrónica
M.C. Victor Hugo Cacique Borrego
Un sistema de computadora puede estar formada por:
• Memoria principal
• Memoria auxiliar
Cada una de estas memorias tendrá una función en

específico.
Esto se observa en la siguiente figura.
Es un memoria que esta conformadas por dispositivos
de almacenamiento y esta separada de la memoria
principal. Tiene la capacidad de almacenar cantidades
masivas de datos sin necesidad de energía eléctrica.
• Discos magnéticos
• Discos compactos
Es un memoria que esta formada por memorias
semiconductoras donde la operación rápida es
importante.
Usualmente la memoria principal esta formada por:

• Memoria RAM
• Memoria ROM
Memoria
Principal
Acceso Aleatorio RAM ROM Acceso Secuencial

Volátil o muy volátil No Volátil
Escritura y Lectura Lectura
Las aplicaciones de ambas memorias en un sistema de
computadora son:
• RAM: Almacenar datos

 Información semipermanente
• ROM: Almacenar programas
 Información permanente
Se utiliza habitualmente para almacenamiento de datos
a corto plazo, ya que no puede conservar los datos
almacenados cuando se desconecta la alimentación.
Existen dos categorías de RAM

• RAM Estática
• RAM Dinámica
Memoria de
Acceso Aleatorio
(RAM)
RAM Estática RAM Dinámica

(SRAM) (DRAM)
SRAM de ráfaga DRAM con modo DRAM con salida EDO RAM en
SRAM asíncrona síncrona página rápido de datos DRAM síncrono
ráfaga (BEDO
(ASRAM) extendida (SDRAM)
(SB SRAM) (FPM DRAM) (EDO DRAM) DRAM)
Se caracteriza por que la celda de memoria está
formada por un LATCH el cual mantiene los datos
mientras está energizada
Las celdas en una SRAM se organizan en filas y
columnas.
Todas las celdas de una misma fila (palabra de
memoria) comparten la misma línea selectora.
Cada conjunto de entrada y salida de datos van a cada
celda situada en una determinada columna y se
conectan a una única línea de datos.
Su funcionamiento no esta sincronizado con un reloj
de sistema.
Una SRAM está sincronizada con el reloj del sistema.
En un sistema informático, la SB RAM opera con la
misma señal que el microprocesador.
Esta característica de sincronización ofrece mayor

velocidad en operaciones de lectura y escritura.
Las memorias SB RAM tienen normalmente una
función de ráfaga de direcciones, que permite a la
memoria leer o escribir en hasta cuatro posiciones
utilizando una única dirección.
La memoria caché es una memoria pequeña y de alta
velocidad que almacenar los datos e instrucciones más
recientes.
Las memorias SRAM se utilizan con mayor frecuencia

como memoria caché en una computadora ya que es
varias veces mas rápida que una DRAM.
10 min
Diagrama a bloques de una memoria caché L1 y L2
Las caché de nivel 1 (L1) o caché primaria están
usualmente integradas en el chip del procesador y
tienen una capacidad de almacenamiento muy
limitado.
Las caché de nivel 2 (L2) o cache secundaria es un chip

independiente del procesador con una capacidad
mayor que la caché L1.
Utilizan capacitores como celda de memoria. Este tipo
de celda es sencilla, lo que permite construir matrices
de memoria muy grandes en un chip.
La desventaja es que no pueden mantener los datos
por mucho tiempo sin recargar los capacitores
(refrescado).
El refrescado requiere de circuitería adicional y

complica el funcionamiento de la DRAM.
Escritura de un 1 en una celda de memoria.
Escritura de un 0 en una celda de memoria.
Lectura de un 1 en una celda de memoria.
Refrescado de un 1 en una celda de memoria.
Refrescado de un 1 en una celda de memoria.
Memoria de
solo Lectura
(ROM)
EPROM mediante PROM borrable

ROM de ROM programable PROM borrable
ultravioleta eléctricamente
máscara (PROM) (EPROM) (UVPROM) (EEPROM)
También conocida solamente como ROM es una
memoria programada de forma permanente durante
el proceso de fabricación y una vez programada, no
puede cambiarse.
Utilizan la presencia o ausencia de una conexión de
transistor para representar 1 o 0 lógico.
Utilizan la presencia o ausencia de una conexión de
transistor para representar 1 o 0 lógico.
Una ROM cuenta con una configuración de matriz.
10010011
0001
Las ROM pueden utilizarse como tablas de búsqueda
(LUT, Look-up Table) para realizar conversiones de
códigos y generación de funciones lógicas.
• Código 7 segmentos
• Generación de caracteres en un LCD
La mayoría de las ROM tienen una organización algo
más compleja que la vista con anterioridad.
Se podría pensar que la ROM es una memoria que
tiene un capacidad de 256 x 4.
Sin embargo cambia la
configuración a una de
32 x 32, lo cual es muy
común en muchas
memorias.
Una PROM es una memoria que sale de fábrica sin ser
programada y se programa en base a las necesidades
del usuario.
Las PROM son iguales a las ROM, una vez que han sido
programadas, no pueden modificarse.
Una PROM utiliza un mecanismo de fundición para
almacenar bits, donde un hilo fusible de memoria se
funde o queda intacto para representar un 0 o 1 lógico.
Durante la programación, se introduce una corriente

adecuada a través del hilo fusible para fundirlo (Cero
lógico) o dejarlo intacto (Uno lógico).
Una EPROM puede ser reprogramada si antes se borra
el programa existente.
Los dos tipos fundamentales de memorias PROM

borrables son:
• UV EPROM o UVPROM
• EEPROM
Es una memoria que se borra a través de luz
ultravioleta. Es fácil reconocer una UVPROM ya que
cuenta con una ventana de cuarzo transparente en su
encapsulado.
El borrado puede
tomar un periodo de
tiempo entre unos
minutos y una hora.
Esta memoria se puede borrar y programar mediante
impulsos eléctricos. La ventaja es que el proceso es
rápido.
Una memoria ideal sería un dispositivo que fuera:
• De alta capacidad de almacenamiento

• No volátil
• Realizar operación de lectura y escritura
• Velocidad de operación alta
• Bajo costo
Las tecnologías tradicionales como ROM, PROM,
EPROM, EEPROM, SRAM y DRAM exhiben, cada una de
ellas, una o más características.
Pero ninguna tecnología las tienen todas salvo la

memorias FLASH.
La célula de memoria FLASH está formado por un
transistor MOS de puerta flotante.
Hay tres operaciones principales en una memoria flash:
• Operación de programación
• Operación de lectura
• Operación de borrado
Inicialmente, todas las células se encuentran en estado
de 1. La operación de programación añade electrones
a la puerta flotante.
Se aplica una tensión positiva a la puerta de control. La
cantidad de carga en la puerta flotante activa o no al
transistor.
Se elimina la carga de todas las células de memoria
aplicando una tensión opuesta a la utilizadas en la
operación de programación.
En una matriz simplificada de células de memoria
FLASH solo se puede acceder a un fila cada vez.
Cuando se detecta un 1 en una celda produce una

corriente que es comparada con una tensión de
referencia generando un nivel de salida (1 o 0).
La comparativa se realiza con base en las características
que tiene cada tipo de memoria.

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Competencia 1

Cada una de estas memorias tendrá una función en

Usualmente la memoria principal esta formada por:

Acceso Aleatorio RAM ROM Acceso Secuencial

• RAM: Almacenar datos

Existen dos categorías de RAM

RAM Estática RAM Dinámica

Esta característica de sincronización ofrece mayor

Las memorias SRAM se utilizan con mayor frecuencia

Las caché de nivel 2 (L2) o cache secundaria es un chip

El refrescado requiere de circuitería adicional y

EPROM mediante PROM borrable

Durante la programación, se introduce una corriente

Los dos tipos fundamentales de memorias PROM

• De alta capacidad de almacenamiento

Pero ninguna tecnología las tienen todas salvo la

Cuando se detecta un 1 en una celda produce una

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