TITRISTORES SCR

GRUPO No. 04

Danny Arguero
Wendy Eras
Marcelo García
OBJETIVOS
 Objetivo General
Comprobar las principales características de
un tiristor SCR
 Objetivo Específico
Comprobar a través de un circuito el
funcionamiento del tiristor SCR.
Demostrar a través de la obtención de valores
en la práctica la curva característica, tiempo
de encendido.
INTRODUCCIÓN
 Un tiristor es uno de los tipos más
importantes de dispositivos semiconductores
de potencia.
 Se operan como conmutadores biestables,
pasando de un estado no conductor a un
estado conductor.
 A partir de los tiristores empezó realmente la
aplicación de la electrónica de potencia.
 Para muchas aplicaciones se puede suponer
que los tristores son interruptores o
conmutadores ideales
 TIRISTOR SCR
 Es un diodo rectificador controlado de silicio y
la abreviatura SCR (Silicon Controlled
Rectifier), es decir un Rectificador Controlado
de Silicio
 Formado por cuatro capas de material
semiconductor (una más que los transistores
bipolares) no sólo rectifica corriente alterna
sino además controla el paso de la misma a
través de él.
 Tiene tres terminales: ánodo, cátodo y
compuerta.
 CARACTERÍSTICAS DE UN
SCR
 El SCR es un switch electrónico, que se cierra cuando se le aplica un
voltaje positivo en su compuerta o "Gate“

 Un SCR es un diodo, pero con una diferencia. Al igual que un diodo

tiene cátodo y ánodo, y deja pasar la corriente en un solo sentido,
además tiene un terminal adicional llamado compuerta o "Gate".

 La compuerta se utiliza para empujar o disparar el SCR al estado de

conducción. Solamente cuando la compuerta recibe un voltaje positivo,
conduce el SCR.

 Después, aunque se suspenda ese voltaje, el SCR continúa en

conducción.

 La única manera de suspender la conducción, es retirar o cambiar la

polaridad del voltaje positivo que hay en el ánodo.
CURVA CARACTERÍSTICA
 Caída de voltaje.- en estado de conducción cuando el voltaje ánodo
cátodo se reduce desde un voltaje de entrada Vin hasta un voltaje
ánodo cátodo de 1 a 2 v.
 Disparo de compuerta.- corriente que se le aplica a la compuerta para
que el tiristor SCR conduzca.
 Corriente de fuga directa.- es una pequeña corriente que fluye del
ánodo al cátodo cuando no esta conduciendo.
 Corriente de enganche.-es la corriente del ánodo mínima requerida
para mantener el tiristor en estado de conducción inmediatamente
después de que ha sido activado
 Corriente de mantenimiento.- es la corriente mínima para que el SCR
siga en estado de conducción.
 Voltaje de ruptura inverso.- es el voltaje en el cual el SCR conducirá,
aplicado entre el ánodo y cátodo activara al SCR pero no debe llegar a
este valor porque este voltaje daña las junturas del tiristor.
MODO DE
FUNCIONAMIENTO
Zona de bloqueo inverso VAK < 0
 Voltaje ánodo cátodo es negativo, no conduce
porque esta en la zona de bloqueo, se debe
observar que la corriente sea menor al voltaje
de ruptura.
Zona de bloqueo directo VAK > 0
 Desactiva hasta el voltaje de ruptura inverso.

Zona de conducción
 Voltaje ánodo cátodo sea mas grande y que
exista corriente en la compuerta.
ACTIVACIÓN DEL
TIRISTOR
 Un tiristor se activa incrementando la corriente del ánodo. Esto se
puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas.
 Térmica. Si la temperatura de un tiristor es alta, habrá un aumento en
el número de pares electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de
fuga. Este aumento en las corrientes hará que aumenten. Debido a
la acción regenerativa puede tender a la unidad y el tiristor pudiera
activarse.
 Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor,
aumentarán los pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor. La
activación de tiristores por luz se logra al permitir que ésta llegue a los
discos de silicio.
 Alto voltaje. Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor que el
voltaje de ruptura directo , fluirá una corriente de fuga suficiente para
iniciar una activación regenerativa.
 dv/dt. Se puede notar que si la velocidad de elevación del voltaje
ánodo-cátodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas
puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de
carga puede dañar el tiristor; por lo que el dispositivo debe protegerse
contra un dv/dt alto.
 Corriente de compuerta. Si un tiristor está polarizado en directa, la
inyección de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de
compuerta entre la compuerta y las terminales del cátodo activará al
tiristor.

 Se deben tomar en cuenta los siguientes puntos en el diseño de un circuito

de control de compuerta:

1.- La señal de compuerta debe eliminarse después de activarse el tiristor. Una

señal continua de compuerta aumentaría la pérdida de potencia en la unión
de la compuerta.
2. Mientras el tiristor esté con polarización inversa, no debe haber señal de
compuerta; de lo contrario, el tiristor puede fallar debido a una corriente de
fuga incrementada.

3. El ancho del pulso de la compuerta tG debe ser mayor que el tiempo

requerido para que la corriente del ánodo se eleve al valor de corriente de
mantenimiento IH. En la práctica, el ancho del pulso tc por lo general se
diseña mayor que el tiempo de activación ton del tiristor.
PROTECCIÓN CONTRA di/dt
 Un tiristor requiere de un tiempo mínimo para dispersar
la conducción de la corriente en forma uniforme a través
de las uniones. Si la velocidad de elevación de la
corriente del ánodo es muy alta en comparación con la
velocidad de dispersión del proceso de activación,
aparecerá un punto de calentamiento, debido a una alta
densidad de corriente, por lo que el dispositivo puede
fallar, debido a una temperatura excesiva.
 Por lo que se recomienda colocar una inductancia en
serie con el tiristor.

PROTECCIÓN CONTRA dv/dt

 Si se aplicará un escalón de voltaje a través del tiristor
T1 por lo que dv/dt puede ser lo suficientemente alto
para activar el dispositivo. El dv/dt se puede limitar
conectando el capacitor C en paralelo al SCR.
Características del tiristor
SCR
 Interruptor casi ideal, permite abrir y cerrar
en el momento que se desea.
 Amplificador eficaz porque con una corriente
pequeña en la compuerta, puede controlar
grandes corrientes en el ánodo cátodo
(amplificando).
 Es de fácil control.
 Soporta voltajes altos ánodo cátodo.
 Controla grandes cantidades de potencia.
 Relativa rapidez de un estado de corte a
conducción.
Características estáticas
 Voltaje inverso pico de trabajo.- cuando el voltaje máximo soporta
polarización inversamente.
 Voltaje directo repetitivo.- voltaje directo de activo, voltaje que nos
queda cuando funciona.
 Cuanta corriente puede pasar por este elemento.
 Cual es la corriente directa de fuga.- es cuanta corriente circula cuando
esta polarizado directamente.
 Corriente directa eficaz.
 Corriente inversa de fuga.- cuanta corriente circula cuando esta
polarizado inversamente.
 Corriente de mantenimiento.
 Temperatura que soporta la unión (disipación de potencia además de la
temperatura del ambiente).
 Temperatura de almacenamiento.- resistencia térmica entre el
contenedor y disipador.
 Resistencia térmica en la unión en el contenedor parte interna del
elemento.
Características de control
 Tensión directa máxima.- entre la compuerta y el
cátodo.
 Tensión inversa máxima.- entre el gate y cátodo,
corriente máxima que puede soportar.
 Potencia máxima.- corriente que ingresa y el voltaje
soportado entre gate y cátodo.
 Voltaje entre puerta y cátodo.- para encender el SCR
 Voltaje residual máximo que no enciende el
elemento.
 Corriente de puerta para el encendido.- corriente
para que se encienda.
 Corriente residual.- corriente para que no se encienda
el elemento.
Características dinámicas
 Niveles de potencia

 Grado de bloqueo.- El momento en el cual

se enciende o se apaga el elemento
Formas de disparo
Se llama disparo al paso de estado de bloqueo al de
conmutación en forma estable.

La diferencia entre los dos estados es una cuestión de

densidad de corriente.

La intensidad de mantenimiento marca el paso

irreversible del estado de conducción a bloqueo
directo.

El paso contrario de bloqueo a conducción consistirá

en la creación de las condiciones necesarias para que
la densidad de corriente en algún punto de la pastilla
alcance un valor suficiente para que se mantenga el
proceso regenerativo que caracteriza este estado.
Disparo por tensión excesiva
Si se acerca la tensión
ánodo-cátodo al valor
de ruptura en sentido
directo, parte de los
minoritarios que
atraviesan la unión de
control adquieren una Figura.- biselado de pastilla
para evitar la ruptura por
energía suficiente para avalancha superficial.
generar por choque con Modificación de superficies
la red cristalina nuevos equipotenciales.
pares electrón-hueco.
 En esta figura se puede observar como el
biselado disminuye fuertemente el
gradiente de tensión en los bordes.

 Esta forma de disparo es raramente

empleada para pasar intencionadamente a
conducción; sin embargo da de forma
fortuita provocada por sobretensiones
anormales en los equipos.
Disparo por derivación de
tensión
Si a un tiristor se le aplica un escalón de tensión
positiva entre ánodo y cátodo con tiempo de subida
muy corto del orden de microsegundos, los
portadores sufren un desplazamiento infinitesimal
para hacer frente a la tensión exterior aplicada.

Como consecuencia la unión de control queda vacía de

portadores mayoritarios, ensanchándose su zona de
carga espacial. Aparece en dicha unión una diferencia
de potencial elevada que se opone a la tensión
exterior y un campo eléctrico capaz de acelerar
fuertemente los minoritarios de las proximidades.
 Muchos circuitos someten a
derivadas bruscas de tensión
a los tiristores, en
funcionamiento normal seria
indispensable el disparo en
esas condiciones.
Para aumentar la inmunidad del
tiristor a esas condiciones, el
fabricante acude a veces a
una técnica de construcción
que consiste en
cortocircuitar parcialmente
las zonas de control y de
cátodo
Disparo por luz
La acción combinada de la tensión ánodo-cátodo, temperatura
y radiación electromagnética de longitud de onda apropiada
puede provocar también la elevación de la corriente de fugas
de la pastilla por encima del valor critico y obligar el disparo.

El poder energético de la radiación electromagnética disminuye al

aumentar la longitud de onda pero el grado de penetración en
el cristal semiconductor sobre el que incide aumenta, de modo
que hay una longitud de onda optimo para la cual se produce
un máximo en la respuesta del tiristor.
corriente de fugas
energia radiante incidente

Para valores superiores de , la respuesta baja

por disminución del poder energético y para valores inferiores
también por disminución de la penetración.
Disparo por impulso de
puerta
El procedimiento
normalmente empleado para
disparar un tiristor consiste
en la aplicación en puerta de
un impulso positivo
(entrante) de intensidad
mediante la conexión de un
generador adecuado entre
los terminales de puerta y
cátodo, mientras se
mantiene una tensión
positiva ánodo-cátodo.
En la figura se ilustra la pequeña parte de la
pastilla que alberga el área intermedia entre
los terminales de al compuerta y el cátodo.
La tensión ánodo-cátodo es alta y la barrer
de potencial de la unión de control se ha
visualizado a lo largo de toda la unión con la
ayuda de signos + y – indicativos de cargas
existentes en la zona de carga espacial.
Tiempos de disparos
En un tiristor en bloqueo directo, si se
provoca, a iniciación de la conducción por
cualquiera de los métodos expuestos, la
intensidad de ánodo aumenta y la tensión
ánodo-cátodo disminuye con una velocidad
que depende del propio tiristor y del circuito
exterior.

Para otras aplicaciones se propondrá que la

conducción se ha iniciado mediante un
impulso de puerta potente y rápido (que sube
menos de 0,25 μs a un valor suficiente para
asegurar el encendido)
 Bloqueo
Si la intensidad de ánodo disminuye por debajo de un
valor llamado de mantenimiento, el proceso regenerativo
de la conducción no puede mantenerse y el tiristor pasa
al estado de bloqueo.

Sobre este proceso la puerta no tiene influencia apreciable,

siendo el circuito exterior de potencia el cual debe forzar
la disminución de la intensidad de ánodo. Desde el punto
de vista de los procesos internos del tiristor, pueden
distinguirse las dos formas siguientes, principales de
llevarse a cabo el bloqueo.
Bloque estático

Si la reducción de intensidad anódica se hace

lentamente, de forma que de tiempo a los
portadores de las uniones a ajustar a cada
instante sus concentraciones a las
estrictamente necesarias para soportar la
intensidad de ánodo, cuando esta se hace
inferior a Imt se establece la zona de carga
espacial en la unión de control y el tiristor
queda efectivamente bloqueado.
A partir de este
instante puede serle
aplicada tensión
ánodo-cátodo sin
entrar en
conducción, siempre
que su derivada y
valor final no
alcance los valores
máximos permitido.
Bloqueo dinámico

Si el circuito exterior fuerza una reducción

muy brusca de la intensidad de ánodo e
intenta la conducción en sentido inverso, los
portadores de las uniones no pueden
ajustarse a la intensidad al ritmo necesario y
cuando esta se anula, las pastillas están
llenas todavía, de forma que puede conducir
en sentido cátodo-ánodo a expensas de los
portadores almacenados
Cuando los portadores
escasean en la unión de
ánodo se establece la
zona de carga espacial,
el tiristor empieza a
boquear tensión inversa
y la intensidad empieza
a disminuir con respecto
al valor que solicita el
circuito exterior.
Suelen distinguirse dos grupos de procedimientos
principales:
 Bloqueo natural.- Es el que se produce

cuando el circuito anula la intensidad en el

tiristor en el transcurso normal de
funcionamiento. No es necesario tener
componentes extras en el circuito para provocar
el bloqueo.
 Bloqueo forzado.- Tiene lugar cuando la

anulación de la intensidad de ánodo es obligada

mediante componentes dispuestos
especialmente para el bloqueo, desviándose de
la evolución que dicta el circuito principal.
Bloque por fuente inversa de tensión
(FIT)
Se considera dentro de
este grupo a los circuitos
de bloqueo forzado que se
comportan ante el tiristor
a bloquear como una
fuente inversa de tensión
de valor elevado,
provocando en el mismo
una intensidad de
recuperación despreciable
que depende únicamente
de las características
propias del tiristor.
Bloqueo por fuente inversa de
intensidad ( FII )
Caen dentro de este grupo
los circuitos de bloqueo
forzado que se comportan al
conjunto de tiristor a
bloquear-diodo en
antiparalelo, como una
fuente invertida de
intensidad de valor elevado,
provocando en el tiristor una
tensión inversa despreciable
que solo dependen de las
características del diodo.
PRÁCTICA
HOJA TÉCNICA DEL SCR 2P4M
SCR 2P4M
ECG 5458
Corriente 4

VDRM 600 V

IGT Max 200 uA

VGT Max (V) 0.8

I Surge (A) 20

IHold Min (mA) 3

Temperatura de operación -40 a 110

dv/dt (V/useg) 10
 CONSIDERACIONES
Para demostrar la práctica hemos escogido elementos que sean
posibles probar en los laboratorios de la universidad, tienen las
siguientes características:

 Nos basamos principalmente en buscar un tiristor cuya corriente

máxima de conducción sea baja (4 Amperios) tomando en
cuenta este parámetro demostraremos el uso del elemento
como elementos de potencia.
 La corriente de activación de la compuerta (gate) es baja,
máximo 200 Ua.
 Soporta hasta 600 voltios, no hay problema al trabajar
 Es un tiristor comercial.
 Costo relativamente bajo.
CIRCUITO IMPLEMENTADO
CIRCUITO IMPLEMENTADO
 CÁLCULOS

Resistencia máxima
Cálculo de la Resistencia en la
compuerta
TABLA DE DATOS
CURVA CARCATERÍSTICA DEL SCR
TEMPERATURA DE TRABAJO
 Comprobamos que el SCR 2P4M trabaja en las temperaturas indicadas
es decir de -40 a 110°C
GRAFICAS DEL OSCILOSCOPIO
TIEMPO DE ENCENDIDO
TIEMPO DE ENCENDIDO
 TIEMPO DE APAGADO
Para observar la gráfica se desconecto y conecto la fuente, por
esto el resultado no es confiable pero tiene una gráfica
aproximada.
CONCLUSIONES
 La corriente que necesita el gate para el disparo es baja y hay
que procurar no activarlo con más corriente, porque sino su
juntura se puede dañar.
 Los elementos de potencia en este caso el SCR son capaces de
soportar grandes corrientes en conducción y grandes voltajes
sin conducción por lo que tememos que tener cuidado al
utilizarlos.
 Una vez producido el disparo el diodo conduce siempre y
cuando la corriente de mantenimiento sea de las hojas técnicas
pero no hay como controlar su apagado, excepto cuando se
retire la fuente o mediante circuitos especiales que invierten el
voltaje para alcanzar este fin.
 A medida que la corriente aumenta la temperatura en el SCR.
 Las fuentes de voltaje cayeron un poco con respecto al
potencial del inicio.
OBSERVACIONES
 En los laboratorios no hay equipos para
realizar este tipo de prácticas, por lo
que se vuelve difícil el uso de los
laboratorios, ya que como se trata de
potencia estos se pueden dañar.
 EXPERICIENCIAS
 En nuestro primer intento de obtener los datos para
realizar la curva característica del SCR quemamos dos
transistores por las siguientes razones:
Falta de disipador de calor
Llevamos al elemento a la saturación
 Cuando trabajamos con grandes potencias y
necesitamos medir la corriente en algún punto
debemos tener cuidado de saber con cuanta
corriente estamos trabajando.
 Aprendimos a tener cuidado con el multímetro ya que
al medir la corriente quemamos un fusible.