Electricité Automobile

Module 6: Electricité
Automobile
Pr. ABOUZAHIR
Généralité
Elément d’électricité (Résistance, Capacité, Bobine )
Elément de l’électronique (Diode, Transistor, circuit intégré)
Principaux symboles utilisés en électricité automobile
Professeur ABOUZAHIR, Ecole Supérieure de Technologie-Salé 08/11/2018

Elément d’électricité
Résistance
La résistance électrique d’un conducteur est le quotient de la tension appliquée à ses bornes par l’intensit
du courant qui le traverse.
Symbole de la résistance électrique : R
U
Formule: R=
I
Unité SI de la résistance : 1V
1Ω =
1A
Si un courant de 1 Ampère circule à travers un conducteur lorsqu’on applique une tension de 1 Volt à
bornes, la résistance de ce conducteur vaut 1Ω. Pour une tension donnée, la résistance est d’autant
élevée que l’intensité du courant est faible.
faible

Resistance :
A une température donnée, la résistance R d’un conducteur est :
inversement proportionnelle à l’air S de la section du conducteur
• (si l’aire de la section est grande, les électrons peuvent plus facilement passer à travers les
obstacles formés par les noyaux atomiques)
proportionnelle à la longueur l du conducteur
• (si le conducteur est plus long, les électrons rencontreront plus d’obstacles sur leur chemin
1
R ∼ l, R ∼
S
l
R=ρ
S

Résistivité :
La constante de proportionnalité ρ est la résistivité. Elle est une caractéristique du matériaux du
conducteur. En transformant l’équation précédente, on obtient
RS
ρ=
l
Comme l’unité SI de la résistance est Ω, celle de la section le m2 et celle d’une longueur le m, on
trouve pour l’unité SI de la résistivité :
Ω m2
[ρ ] = = Ω .m
m
Comme les sections des fils sont le plus souvent exprimées en mm2, une unité courante de la
résistivité est
Ω mm 2 −6 Ω m
2
[ρ ] = −6
→ 1mm = 10 m →10
2 2
= 10−6 Ω m
m m

Résistivité : Résistivité de quelques matériaux courants à 27◦C

27
Exemple : Calculons la résistance d’un fil de cuivre de section 2,5 mm2 et d’une longueur de 80
m:
−3 Ωmm
2
l 80m
R = ρ = 17.10 = 0.544Ω
S m 2.5mm 2

Résistance technique
Dans les circuits électriques et électroniques, il faut parfois limiter l’intensité du courant afin
d’éviter l’endommagement de certaines composantes. On utilise à ces fins des «résistances
techniques »
Code couleur

Exemple :

Loi d’ohm :
Quand l’intensité du courant à travers un conducteur est proportionnelle à la tension appliquée à
ses bornes, on dit que le conducteur obéit à la loi d’Ohm.
U = R. I

Condensateur:
Un condensateur est formé par deux surfaces métalliques en regard, séparées par un isolant (=
diélectrique). Les surfaces métalliques en regard sont appelées les armatures du condensateur

Charge et décharge d’un condensateur :
décharge
charge
- A est un ampèremètre très sensible, - Le pôle + du générateur attire quelques - Le condensateur chargé est court-c
présentant une caractéristique intéressante : électrons de l’armature 1, les propulse Les électrons de l’armature 2 circulen
- lorsqu’il est parcouru par une impulsion de vers le pôle – d’où ils sont repoussés vers travers le circuit pour compenser le dé
courant (courant de brève durée), l’armature 2. d’électrons sur l’armature 1.
-Cette
Cette circulation d’électrons donne
- la déviation maximale de l’aiguille est lieu à une impulsion de courant indiquée -La circulation d’électrons s’arrête si le
proportionnelle à la quantité de charge totale Q par l'ampèremètre qui fait apparaître des deux 2 armatures sont neutres,
qui l’a traversé. quantités de charge Q1 > 0 sur l'armature 1 et c.-à-d. si U = 0 et Q = 0.
Q2 < 0 sur l'armature 2 du condensateur.
Relation entre Q et U:
La charge Q du condensateur est proportionnelle à la tension U entre ses armatures :
Q = C.U
Capacité d’un condensateur
Ainsi, la constante de proportionnalité, caractérise le condensateur
Q
C=
U
si C est grand : le condensateur accumule une forte charge sous 1 V.
si C est petit : le condensateur n’accumule qu’une faible charge sous 1 V C d’où le nom capacité
du condensateur.
Unité de C
Elle s’exprime en ‘farad’ F

Energie emmagasinée par un condensateur:
1 1 1 Q2
Eem = CU = QU =
2
2 2 2 C

Bobine :
Une bobine est un dipôle constitué par un enroulement cylindrique d’un fil conducteur. Chaque
boucle de conducteur est appelée spire.
Inductance
Le coefficient L est une caractéristique de la bobine qu’on appelle inductance. L’unité légale
fondamentale de mesure d’inductance est le henry (H). L’inductance L d’une bobine dépend
des caractéristiques géométriques de la bobine.
Où µ0 est la perméabilité magnétique
S du vide (ou de l'air), N est le nombre total
L = µ0 N 2 de spires de la bobine, S est la surface d'une
ℓ spire (en m2) et l est la longueur de la bobine (
Tension aux bornes d’une bobine
L’influence de l’inductance de la bobine ne se

manifeste qu’en régime variable : En régime
permanent (courant continu), la bobine se
comporte comme un conducteur ohmique de
∂i ( t )
résistance r U = L. + r.i ( t )
∂t
Elément d’électronique
Diode
La diode est le composant électronique de base.
Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur commandé par une tension (Vd)
(
qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Le clapet s’ouvre sous la pression Le clapet se ferme sous la pression

du fluide. Le fluide passe du fluide. Le fluide ne passe pas
Principe de fonctionnement:
Le matériau semi conducteur le plus employé à l’heure actuelle est le
silicium.
Si on en dope une partie de silicium avec des électrons, le semi conducteur devient de type N,
c'est-à-dire
dire que les des porteurs majoritairement présents dans la maille cristalline sont des
électrons.
Si l’on dope l'autre partie avec des trou, le silicium devient de type P, c'est-à-dire
c'est que les charges
mobiles majoritaires sont des trous (positifs) dans cette région du silicium.
On a crée une jonction PN, qui est la limite de séparation entre les deux parties. Nous avons
fabriqué une diode à jonction

Equilibre sans générateur:
Au voisinage de la jonction, les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N
(il y a diffusion des charges).
Ce phénomène va s'arrêter quand le champ électrique Eint créé va être suffisant
pour contrarier le mouvement des charges mobiles.
Ceci constitue une barrière de potentiel qui empêche toute circulation du courant.

avec un générateur en sens direct
Si on applique un champ externe à l'aide d'un générateur en branchant le pôle + sur la zone P et
le pôle - sur la zone N, on peut annuler les effets la barrière de potentiel et permettre le courant
de circuler
le phénomène d'attraction des électrons libres de la partie N par les trous de la partie P
(diffusion) n'est plus contrarié, et le générateur va pouvoir injecter des électrons dans la zone N et
les repomper par la zone P.
La diode est alors polarisée dans le sens direct

avec un générateur en sens inverse
Si on branche le générateur dans le sens inverse du cas précédent, on renforce le champ
électrique interne, et on empêche le passage du courant
les électrons libres sont repoussés dans la zone N et les trous dans la zone P ; on accentue la
séparation des charges (zone de déplétion).

caractéristique électrique (courant tension)
C’est la caractéristique globale courant/tension.
On a vu précédemment que le courant était négligeable pour une tension Vd = Vp-Vn négative
(ceci est vrai jusqu'à une tension Vc dite tension de claquage).
Au dessus d'un certain seuil Vo de tension Vd positive, le courant direct croit très
rapidement avec Vd.
Le seuil Vo (barrière de potentiel) dépend du semi conducteur intrinsèque de base utilisé. Il est
d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium.

Modélisation n°1
1 : la diode « idéale »
• A chaque segment de droite correspond un schéma électrique équivalent.
• Dans ce cas, on néglige la tension de seuil (force du ressort qui maintient le clapet sur son siège)
et la résistance interne de la diode.
• Ainsi modélisée, la diode est un interrupteur commandé par la tension anode-cathode
anode VAK
(Vd).
• Si VAK > 0, l’interrupteur est fermé et le courant anode-cathode
anode passe. Si VAK < 0, alors
l’interrupteur est fermé et le courant anode-cathode
anode est nul

Modélisation n°2 : diode avec seuil
• On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode
• Du point de vue de l’analogie hydraulique de la diode, la force contre électromotrice du
schéma équivalent correspond à la « contre pression » exercée par le ressort qui maintient le
clapet sur son siège.

Modélisation n°2 : diode avec seuil
• On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode
• Du point de vue de l’analogie hydraulique de la diode, la force contre électromotrice du
schéma équivalent correspond à la « contre pression » exercée par le ressort qui maintient le
clapet sur son siège.

Modélisation n°3
3 : diode avec seuil et résistance
• on prend en compte la résistance de la diode. Ceci peut être utile si on utilise la diode en petits
signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa résistance dynamique.
• on prend en compte la résistance dynamique de la diode. Cette résistance dynamique peut
être interprétée comme la résistance au passage du fluide introduite par le rétrécissement du
tuyau du au siège du clapet.

Application des diodes (Redressement )
• Quand la tension aux bornes du transformateur devient inférieure à la tension de seuil, la diode
est bloquée ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est négligeable en comparaison du
courant direct.
• La tension aux bornes de la diode est alors égale à celle aux bornes du transformateur : il faudra
choisir une diode avec une tension VR au minimum égale à la tension crête du secondaire du
transformateur

Application des diode (Redressement double alternance)
• Le montage précédent présente l'inconvénient de ne laisser passer que la moitié du courant que
peut délivrer le transformateur.
• Pour remédier à cela, on utilise un transformateur avec deux enroulements secondaires que l'on
connecte de manière à ce qu'ils délivrent des tensions en opposition de phase

Avec pont de Graëtz
• Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne nécessitant pas un
transformateur à double enroulement : on utilise 4 diodes montées en pont, dit « pont de Graëtz
».
• Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce, permettant de réduire le nombre de
composants du montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et quand elle
est négative, D2 et D3 conduisent

Filtrage (Redressement simple alternance ):
• Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est supérieure à la
tension aux bornes du condensateur additionnée de la tension directe de la diode, la diode
conduit.
• Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle du condensateur plus la tension de
coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur-charge
condensateur forme alors une
boucle isolée du transformateur.
• Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue l'énergie
accumulée dans la phase précédente

Filtrage (Redressement double alternance ):
• Afin de minimiser le temps de décharge de condensateur, on utilise un transformateur à double
alternance afin d’obtenir une tension presque continue au bornes de la charges.

Transistor
• Un transistor est constitué de 2 jonctions PN
(ou diodes) montées en sens inverse. Selon le sens
de montage de ces diodes on obtient 2 types de
transistors :

Schéma de principe (Transistor)
I E = IC + I B
IC = β .I B

la tension collecteur émetteur

Cette tension exprime le mode de fonctionnement d’un transistor:
VCE = + E Transistor bloqué

VCE = 0.3V Transistor saturé
0.3v ≺ VCE ≺ + E Transistor en amplification

le gain statique β
Appelé le gain en courant est le rapport entre le courant collecteur et le courant de base lorsque le
transistor travail en amplification
IC ( E − VCE ) / RC
β= =
I B ( E − 0.7 ) / RB
Tout comme les diodes , certain transistor sont conçues

pour travailler dans des conditions bien spécifique et l’ont dé
Ainsi toute une classification selon les fonctions qu’il remplissen

Exemple de boitier pour transistor

Fonctionnement d’un transistor

En fonctionnement normal, la diode est polarisée en direct. La diode collecteur est polarisé en
inverse . On constate que
• I E est un fort courant, ceci est normal, puisque la diode émetteur est polarisé en directe
• I C est un fort courant, malgré le fait que la diode collecteur est polarisé en inverse. Ceci est l’effet
transistor.
Montage à émetteur commun Montage à base commune Montage à collecteur commun

Effet transistor
• L’émetteur injecte des électrons dans la base (la diode émetteur est polarisée en direct)
• Il en résulte que beaucoup d’électrons pourront atteindre la zone de déplétion de la diode
collecteur sans se recombiner aves les trous dans la base d’électrons
• Une fois arrivé prés de la zone de déplétion de la diode collecteur, sont attiré par le champ qui
règne dans cette zone de déplétion.
• Ils traversent alors le collecteur en créant un fort courant collecteur
• Les électrons injectés par l’ émetteur créent donc deux courants:

Un faible courant d’électrons qui sort par la base IB. Il est du aux recombinaison électrons libres
et des trous dans la base
Un fort courant d’électrons qui sort du collecteur IC
E B C
Électrons traverse
Électrons émis par l’émetteur le collecteur
Électrons traversent
La base
On néglige souvent la dépendance de courant de base IB en fonction de UCE.
Allure plus précis de courant de base en fonction du tension base-émetteur

base

Approximation
en courant continu en considère souvent U BE comme étant constante UBE = 0.7V

caractéristique I C =f ( U CE )
• Lorsque U CE = 0 il n’y a pas de courant I C
En augmentant U CE la diode collecteur se polarise en inverse et le courant I C augmente avec U CE
car le nombre d’électrons attiré par le champ électrique de la diode collecteur est d’autant plus
grand que celui-ci est grand.
• Si on augmente d’avantage U CE le courant ne varie presque pas, car le collecteur ne peut pas
absorber plus d’électrons qu’il y en a dans la base.
• Si on augmente d’avantage U CE , on obtient la tension de rupture, le courant augmente
considérablement (effet d’avalanche) .

caractéristique I C =f ( I B )
Lorsqu’on augmente U CE , I C augmente pour le même I B
Les courbes ,e passent pas par l’origine. Pour I B = 0, I C ≠ 0

1-Circuit
Circuit de polarisation des transistors
La polarisation des transistors dépend de la fonction qu’ils doivent réaliser
Dans les circuit de commutation le transistor est soit :
• Bloqué (son état est soit dans la zone de blocage )
• Saturé (son état est dans la zone de saturation )
Dans les circuits linéaires (amplification) le transistor fonctionne dans la zone active.
On étudiera seulement les circuits de polarisation du transistor qui permettent de placer le
transistor dans la zone active.
Il faut que la diode émetteur soit polarisée en direct et la diode collecteur en inverse.

Polarisation de base
On alimente la base par une tension positive:
Circuit

Droite d’attaque statique:
Elle donne le lien entre le courant base I B et la tension base émetteur U BE
1 1
A partir de U BE = U BB − I B R B , on obtient I B = − U BE + U BB = g ( U BE )
RB RB
I B = g ( U BE ) est l’équation de la droite d’attaque statique.
Si on veut connaitre les valeur précise de I B et U BE il faut chercher le point d’intersection la droite
d’attaque statique et de la caractéristique I B = f ( U BE )

Droite de charge statique:
il donne le lien entre le courant collecteur I C et la tension collecteur-émetteur
collecteur U CE
1 1
A partir de U CE = U CC − I C R C , on obtient I C = − U CE + U CC = h ( U CE )
RC RC
I C = h ( U CE ) est l’équation de la droite de charge statique

Point de repos:
Si on veut déterminer les valeurs précises de I C et U CE connaissant I B il faut chercher le point
d’intersection de la droite de charge statique et de la caractéristique I C = f ( U CE ) correspondant à
Ce point d’intersection s’appelle point de repos Q.

Point de repos:
Concernant la position du point de repos sur la droite de charge statique, il y a trois cas qui peuvent se
présenter:
Si Q est dans la zone de blocage transistor bloqué :
I B ≤ 0 ( I B = 0)
I C ≤ I CE0
U CE ≈ U CC
Si Q est dans la zone de saturation transistor saturé :
I B ≥ I B(sat )
U CC
IC ≈
RC
U CE = U CE(sat )
Si Q est dans la zone active fonctionnement normal
I B est donné par la droite d’attaque statique
I C = β CC I B n’est valable que dans B, et U CE est donné par l’équation de la droite de charge statiq

Exemple
Calculer I B , I c , U CE pour le circuit suivant : (On donne U CE(sat ) = 0.2V, β cc = 100 )

Solution:
refaire la question pour R C = 10k
IB =
( U A -U BE ) = 21.5 ( U A -U BE ) = 21.5
µA IB = µA
RB RB
I C = 100 I B = 2.15 mA I C = 100 I B = 2.15 mA
U CE = U A − R C I C = 5 − 1 × 2.15 = 2.85V U CE = U A − R C I C = 5 − 10 × 2.15 = −16.5 V < 0.2 V Transistor sa
Point de repos: Q ( 2.85V ;2.15mA )
⇒ U CE = U CE(sat ) = 0.2 V ⇒ I C =
(U A -U CE(sat) )
=
5 − 0.2
= 0.48 mA
RC 10
Point de repos: Q ( 0.2 V ;0.48 mA )
Remarque : on a la relation I C = β cc I B n’est pas vérifié dans le deuxième cas ce qui est normal puisque
le transistor n’est pas dans la zone active.

Polarisation de base par diviseur de tension:

La base est attaquée par un circuit ressemblant à un diviseur de tension
Circuit


Courant I B
On transforme d’abord le circuit précédent à l’aide du théorème de Thévenin
Thévenin:
UAR2 RR
U th = , R th = R1//R 2 = 1 2
( R1 + R 2 ) R 1 +R 2
Loi des maille:
U th = R th I B + U BE + R E I E ≈ R th I B + U BE + R Eβcc I B
U th − U BE
IB =
R th + R Eβcc
R th
On prend R E ≫
βcc
U th − U BE U − U BE
IB = = th
R  βcc R E
βcc  th + R E 
 βcc 

Courant I C et tension U CE
U th − U BE U th − U BE
βcc I B = βcc
I C =β =
βcc R E RE
U CE = U A − R C I C − R E I E ≅ U A − ( R C +R E ) I C

Droite de charge statique
1 1
IC = − U CE + UA
R C +R E R C +R E
Blocage:
U CE ≈ U A ; I C ≈ 0
Saturation:
1
IC ≈ U A ; U CE ≈ 0
R C +R E
La polarisation par diviseur de tension a les avantages suivants :

Le point de repos ne dépend presque pas du gain
Le point de repos est stable contre les variation de la température
Cette polarisation est très souvent utilisé dans l’électricité automobile

Polarisation par réaction de collecteur
La base est alimenté par le potentiel du collecteur à travers une résistance
circuit

Polarisation par réaction de collecteur
courant I B : Tension U CE :
IB U CE = R BI B + U BE U A − U BE
U CE = U A − R C
U CE = U A − R C I C = U A − βcc I B R C RC + B
R
⇒ βcc
R BI B + U BE = U A − βcc I B R C Droite de charge statique:
U − U BE Saturation:
IB = A
βcc R C +R B UA
IC ≈ ; U CE ≈ 0
RC
courant I C : Blocage
U − U BE U CE ≈ U A ; I C ≈ 0
I C = βcc I B = A
R
RC + B
βcc
Le point de repos dépend du gain, le fabriquant nous donnes que les valeurs maximale et
minimal, on prends généralement la moyenne β = β +β cc ccmin ccmax

Polarisation d’émetteur
On porte l’émetteur à un potentiel négative. Pour cette polarisation on a besoin d’une alimentation
fractionnée qui fournit des tension négative et positive
circuit Approximation:
U EE ≫ U BE Tres souvent vérifiée Tension U CE :
U CE ≈ U CC − R C I C (Approx.)
I B est trés faible, U BE
U CE ≈ U CC + U EE − ( R C + R E ) I C (précise.)
est petite ⇒ l'émetteur
Droite de charge statique:
est pratiquement à la masse 1 1
I C =- U CE + ( U CC + U EE )
U EE RC + RE RC + RE
VE = 0, I E R E ≈ U EE ⇒ I E =
RE Blocage:
I C ≈ 0 ; U CE ≈ U CC + U EE
courant I C / I E :
Saturation:
U
I C ≈ I E ⇒ I C = EE U CE ≈ 0; I C ≈
U CC + U EE
RE RC + RE
Courant I B :
IC U EE
IB = ≈
β cc β cc R B
Circuit de Polarisation des transistor PNP
On peut polariser les transistor PNP de la même façon que les transistor NPN, Toute formules restent
valables pour les transistors PNP, à condition de changer la signe des courants et des tensions.
Polarisation d’émetteur:

Circuit de Polarisation des transistor PNP
On peut polariser les transistor PNP de la même façon que les transistor NPN, Toute formules restent
valables pour les transistors PNP, à condition de changer la signe des courants et des tensions.
Représentation inversée :

Limitation:
Le transistor ne peut fonctionner que dans un domaine d’utilisation bien déterminé. Ce domaine est
limité par 3 paramètre:
Le courant collecteur maximal Ic (max). Le dépassement n’est pas immédiatement destructif,
mais le gain en courant chute fortement, ce qui rend le transistor peu intéressent dans cette zone
La tension de claquage Uce(max).
(max). Au dela de cette tension, le courant collecteur croit très
rapidement s’il n’est pas limité à l’intérieur du transistor
La puissance maximale que peut supporter le transistor. Afin d’éviter un échuffement excessif au
niveau du collecteur, la puissance disspiée par celui-ci doit rester nférieur à une valeur maximale
P(max);

Limitation:
Le lieu limite est donc une hyperbole dans le plan Ic, Uce . La zone grise est interdite

circuit intégré
Un circuit intégré est très souvent désigné par « PUCE » ou bien « SoC » System on Chip en
anglais, est une pastille de semi conducteur sur laquelle sont gravé plusieurs transistors et qui
remplit une fonction bien définie.
Ils comporte plusieurs broches pouvant aller au-delà
au de la centaine et se présente sous-divers
aspect

circuit intégré
Les circuits intégrés Numériques (logiques) sont classés suivant leur technologie de fabrication.
Les familles bipolaires : Elles sont fabriquées à base de transistors bipolaires. La plus répandues
Transistor Transistor Logic)
d'entre elles est la famille TTL (Transistor
Les familles CMOS : Elles sont fabriquées à base de transistor CMOS.
Les circuit TTL: les circuit fonctionnant à 5 volte et délivrant des courant assez forts en intensité.
Ces circuit sont souvent utilisé en électronique de puissance.
Les circuit CMOS: aussi dits circuits à faible consommation, ils peuvent fonctionner sous des
tension allant jusqu’à 16 volte. Mais l’intensité des courant délivrée est extrêmement faible. Leur
domaine d’utilisation par excellence est l’électronique numérique.

Une famille logique:

Une famille logique est caractérisée par ses paramètres électriques :
• La plage des tensions d’alimentation
• La plage des tensions associée à un niveau logique, en entrée ou en sortie
• Les courants pour chaque niveau logique, en entrée ou en sortie
• La puissance maximale consommée qui dépend souvent de la fréquence de fonctionnement
• Le temps de montée (transition bas–
–haut) et de descente (transition haut–bas) des signaux en
sortie d’une porte,
• Les temps de propagation d’un signal entre l’entrée et la sortie d’une porte logique.
La raison de l'existence d'un nombre important de familles logiques, est qu'il est difficile de concevoir
une porte logique qui a, à la fois, de très bonnes performances en consommation, vitesse, driving
capability et d'immunité au bruit.

Terminologie :
Tensions : VCC : tension d’alimentation, VIH : tension d’entrée au niveau logique haut (Input High),
VIL : tension d’entrée au niveau logique bas (Input Low), VOH : tension de sorti e au niveau
logique haut (Output High), VOL : tension de sortie au niveau logique bas (Output Low).
Courants : (par convention, les courant entrant sont comptés positifs, et les sortant négatifs) ICC :
courant d’alimentation, IIH : courant d’entrée au niveau logique haut, IIL : courant d’entrée au
niveau logique bas, IOH : courant de sortie au niveau logique haut, IOL : courant de sortie au
niveau logique bas.

Terminologie :
Quelque soit sa famille logique, une porte logique peut être représentée par le model suivant
L fermé, H ouvert, La sortie est au niveau bas ≡ Vo = VOL ≡ niveau logique "0"
L ouvert, H fermé, La sortie est au niveau haut ≡ Vo = VOH ≡ niveau logique "1"
L ouvert, H ouvert, La sortie est isolée ≡ Vo = VOZ ≡ niveau logique "Z" = haute impédance
L fermé, H fermé, Cet état est interdit car il correspond à un court-circuit
court entre Vcc et la masse

Terminologie :
Malheureusement, il n'y a pas de nomenclature standard adoptée par tous les constructeurs. La
nomenclature suivante est actuellement la plus utilisée, elle comporte 10 champs, mais le plus souvent
on n'utilise que 3 ou 4 champs :
1. Standard Prefix ( SN – Circuit standard sans spécification particulière)

2. Plage de température (54 Série militaire, 74 Série Commerciale)
3. Voltage CMOS Technology , HC/HCT - High-Speed CMOS Logic)
Famille (LVC Low-Voltage
4. Special Features (H - Bus Hold (ALVCH), D - Level-Shifting Diode (CBTD) )
5. Bit Width (16 - Widebus™(16,
™(16, 18, and 20 bit))
6. Options (2 - Series-Damping
Damping Resistor on Outputs
7. Function (244 - Noninverting Buffer/Driver)
8. Device Revision (Letter Designator A-ZZ )
9. Packages (DGG, PW - Thin Shrink Small--Outline Package (TSSOP)

Famille TTL (Transistor Transistor Logique)

Normalement, un designer de systèmes logique n'a pas besoin de connaître de la manière
approfondie la structure interne d’un composant pour pouvoir le mettre en oeuvre de façon
efficace,
les notices techniques délivrent toutes les informations nécessaires à la meilleure mise en oeuvre.
Mais si on désire appréhender le comportement exact d’une porte logique, les paramètres
externes fournis par le constructeur ne suffisent plus
il faut entrer au cœur de la structure pour comprendre le fonctionnement exact.

Alimentation et température de fonctionnement:

En logique TTL la tension d'alimentation doit être bien stabilisée
Pour aider l'alimentation à suivre les variations instantanées de courant, des condensateurs
jouant le rôle de réservoirs donc de filtres sont placés le plus près possible des circuits afin de
fournir les courants instantanés éliminant ainsi les pointes de tension.

Série TTL standard (Porte Nand SN7400 ):
le boîtier SN7400 comporte 4 portes Nand à deux entrées.
Le transistor Q1 ne fonctionne pas en transistor car les deux jonctions de l'émetteur et du
collecteur vont fonctionner en directe. Il est équivalent à des diodes dont on a relié les anodes.

Fonctionnement de la porte (Porte NAND SN7400 ):
0x0=1 Si Vi1 = 0.2 et Vi2= 0.2 ceci implique que le transistor Q1

est saturé et Q2 est bloqué et Q4 est bloqué donc la sortie
Vo est à l’état haut
1x1=0 Si Vi1 = 3.8 et Vi2= 3.8 ceci implique que le transistor

Q1 est bloqué et Q2 est saturé et Q4 est saturé donc la sortie
Vo est à l’état bas
1x0=1 Si Vi1 = 0.2 et Vi1=3.8 ceci implique que le transistor
Q1 est saturé et Q2 est bloqué et Q4 est bloqué donc
la sortie Vo est à l’état haut

Electromagnétisme
Rappel
est la propriété de certain minerais, à attirer le fer.
C’est une sorte de force dont le principal agent est le mouvement des électrons dans la matière
Un corps qui présente cette particularité est dits aiment
Un aimant dispose de deux pôles : Nord et Sud. Deux aimants placés côte à côte s’attirent si les
pôles sont de nature différent et se repoussent s’ils sont de même nature.
N S N S N S S N S N N S
attraction répulsion répulsion

Electromagnétisme
Rappel
L’électromagnétisme est le terme utilisant pour décrire les phénomène mettant en jeu un
courant électrique et un champ magnétique.
En effet on a remarqué que:
Si un conducteur est parcourue par un courant électrique , il se crée autour de lui un champ
magnétique
Si un conducteur se trouve à l’intérieur d’un champ magnétique , il se crée en lui un courant
électrique.
La première remarque est la base de tous les moteurs électrique, les alternateurs et les dynamos
La deuxième remarque est exploitée par les transformateur de tension et les bobines d’allumages
Bien évidemment, un champ magnétique suppose toujours

l’existence d’une force dans le sens est donné par: force
courant
Champ magnétique
Principale loi de l’électricité
Loi de kirchhoff
Diviseur de tension
R1
V1 = E
R1 + R 2
Diviseur de courant
R2
I1 =
R1 +R 2
R1
I2 =
R 1 +R 2

Association de résistance
Association série
R eq = R1 +R 2
N
R eq = ∑ R i
i=1
Association parallèle:
1 1 1
= +
R eq R 1 R 2
N
1 1
=∑
R eq i=1 R i

Association de condensateur
Association série
1 1 1
= +
Ceq C1 C2
N
1 1
=∑
Ceq i=1 Ci
Association parallèle:
Ceq = C1 +C2
N
Ceq = ∑ Ci
i=1

Principaux symbole utilisés en
électricité automobile
Générateur de courant alternatif Bougie d’allumage
Générateur de courant continu Feu de position, cligno
Moteur à courant alternatif Pompe à essence

électrique
Moteur à courant continu Résistance
Diode Résistance variable
Diode Zener Potentiomètre
Transistor bipolaire NPN Bobine
Transistor bipolaire PNP Bobine avec noyau

Principaux symbole utilisés en
électricité automobile
Condensateur Croissement de
conducteurs avec
cnx
Condensateur Contact ouvert
électrolytique
Batterie Contact fermé
d’accumulateurs
Voltmètre Contact de
commutation
Ampèremètre Conducteur blindé
Ohmmètre Courant continu
Avertisseur Courant alternatif
Croissement de Sens du courant

conducteurs sans
cnx
Rappel sur les moteurs
Le moteur à essence
Le moteur à essence aussi dit à explosion , tire sa puissance d’inflammation d’un mélange gazeux
(essence + air) dans la chambre de combustion.

L’opération de conversion de l’énergie calorifique née de la combustion du mélange air+essence
(rotation moteur) s’effectue en quatre temps:
Energie Energie
calorifique mécanique
Admission Compression Combustion Echappement

Admission
La soupape d’admission s’ouvre. Le piston passe du PMH (point mort haut) vers le PMB (point mort
bas) et aspire un mélange gazeux (air+essence).
PMH:: Le plus haut niveau atteint par le piston dans la chambre

de combustion
PMB: Le plus bas niveau atteint par le piston dans la chambre de
combustion

Compression
La soupape d’admission se ferme. Le piston passe du PMB vers PMH et comprime le mélange gazeux

Combustion
Le mélange gazeux ayant atteint sa compression optimale, une bougie provoque son inflammation
en y envoyant une étincelle. La grande pression née de la combustion, exerce une force qui
pousse le piston vers le PMB

L’échappement
La soupape d’échappement s’ouvre , le piston pas du PMB vers le PMH pour faire sortir le gaz brulé
hors du cylindre , et le cycle recommence

principaux éléments d’un moteur à essence
1. Soupape d’admission
2. Entrée mélange gazeux
3. Chambre de combustion
4. Bougie
5. Soupape d’échappement
6. Sortir du gaz brulées
7. Piston

moteur à essence (cycle de fonctionnement)

Dans le cycle que nous venons de décrire tout est relatif au mouvement du piston entre le PMH et PMB:
Ce mouvement dépend de la pression exercée sur le piston à la suite de la combustion
La force qui pousse le piston vers le bas ramène
en même temps le piston d’un autre cylindre vers
le PMH
Le mélange gazeux de ce cylindre se trouve
comprimé et une autre combustion aura lieu

moteur à essence
Un moteur à explosion comporte en général quatre cylindre dont l’ordre d’allumage est le suivant
1-3-4-2 .
L’ordre d’allumage d’un moteur à 6 cylindre et 8 cylindre est :
6 cylindre: 1-5-3-6-2-4 ou 1-2-3-6-5-4
8 cylindre 1-6-2-5-8-3-7-4
L’ouverture et la fermeture des soupapes est commandée
Par l’arbre à came, entrainée par le vilebrequin via un jeux
D’engrenage

moteur diesel
Comme dans un moteur diesel, la combustion du mélange s’effectue par simple compression
d’air suivie d’une injection de gazole.
Les moteurs diesel sont appelés, des moteur à haute inflammation

Fonctionnement d’un moteur diesel
Le fonctionnement se fait selon le cycle suivant:
Combustion
Injection du
Echappement
Compression
Admission
Détente
gazole

Fonctionnement d’un moteur diesel (Admission: )
La descente du piston crée une dépression qui aspire l’aire par la soupape d’admission ouverte
Durant cette phase la soupape d’échappement est fermé
Le piston redescents au point mort bas, la soupape d’admission et refermée

Fonctionnement d’un moteur diesel (Compression )
Les deux soupapes reste fermée
Le piston remonte au point mort haut (le mélange est alors comprimé dans la chambre
combustion (le mélange compressé s’échauffe)

Fonctionnement d’un moteur diesel (Combustion détente)
Les soupapes sont toujours fermée
Le mélange s’enflamme
La détente chasse le piston vers le bas (l’énergie calorifique est ainsi transformé en énergie
mécanique)

Fonctionnement d’un moteur diesel (échappement )
une fois le piston est revenu au point mort bas, la soupape d’échappement s’ouvre
Le piston remonte et chasse les gazes brulés
Lorsque la soupape d’échappement est fermée, le cycle recommence

L’ouverture est la fermeture des soupapes sont synchronisé par rapport aux mouvements des
pistons
Les moments d’ouverture et de fermeture des soupapes dans le cycle 4 temps vu
précédemment sont théoriques
En réalité l’ouverture et la fermeture des soupapes sont décalés pour optimiser les performance
du moteur

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Module 6: Electricité

Elément d’électricité (Résistance, Capacité, Bobine )

Elément de l’électronique (Diode, Transistor, circuit intégré)

Principaux symboles utilisés en électricité automobile

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Résistivité : Résistivité de quelques matériaux courants à 27◦C

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Energie emmagasinée par un condensateur:

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Tension aux bornes d’une bobine

L’influence de l’inductance de la bobine ne se

Le clapet s’ouvre sous la pression Le clapet se ferme sous la pression

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Schéma de principe (Transistor)

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la tension collecteur émetteur

VCE = + E Transistor bloqué

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Tout comme les diodes , certain transistor sont conçues

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Exemple de boitier pour transistor

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Fonctionnement d’un transistor

Montage à émetteur commun Montage à base commune Montage à collecteur commun

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• Les électrons injectés par l’ émetteur créent donc deux courants:

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Allure plus précis de courant de base en fonction du tension base-émetteur

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Les courbes ,e passent pas par l’origine. Pour I B = 0, I C ≠ 0

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