INPTIC

Niveau: IGE 01
Semestre: S2
Intitulé de la matière: Optique et Semi-conducteurs.
Réaliser par: Bouziane Abdelaaziz

TD 03: Les semi-conducteurs

Exercice N°: 01
1. L’expression de sa conductivité en fonction de ni et des mobilités μe et
μt est: γ Si =ni e(μ e −μ t ).
2. La résistivité ρSi est l’inverse de conductivité γ Si :

1 1 1
ρSi = γ Si = ≃
ni e (ue −ut ) ni e μ e

1 5
ρ Si = 10 −19 3
=4,46×10 Ω .cm
10 .1,6×10 .1,4×10

ρ Si
≃2,62×1011
ρCu
3. La résistance d’un barreau de silicium intrinsèque:

ρSi L
RSi =
S
avec: L=100 μm est la longueur, S est la section.

4,46×105 .1
RSi = −2
=4,46×107 Ω
10

Exercice N°: 02
la résistance de la plaquette est donnée par:

ρL
R=
S
avec: ρ est la résistivité de semi-conducteur, L=100 μm est la longueur, S est
la section.
Sachant que:
1
ρ= γ
-1
 γ=ne μe est la conductivité. la mobilité des électrons ue à 300 k est de
l'ordre de 1,4×103 cm2 . V −1 . s−1 . Alors:

L L
R= =
γ S ne μe S

10−2
R= 17 −19 3
=4,46 Ω
10 .1,6×10 .1,4×10
Exercice N°: 03
1. On a:
ρL RS
⇒ρ= R=
S L
avec: R=100 Ω est a résistance, ρ est la résistivité de semi-conducteur,
L=2 mm est la longueur, S=1 mm2 est la section.

100×1
ρ= =50 Ω . mm=5 Ω . cm
2
2. Pour un semi-conducteur de type N du semi-conducteur, les porteurs
majoritaires sont les électrons. Alors, la résistivité s’écrit :

1
ρ= γ
γ=ne μe est la conductivité, n est la densité électronique, ue est la mobilité
des électrons.

1 1
ρ= ⇒ n=
neμ e ρ e μe

1 14 −3
n= −19 3
=1,2×10 cm
5.1,6×10 .1,4×10

les porteurs minoritaires sont les trous:

−(EC −E F ) ( E V − EF ) −(EC −EV ) −E a

K BT K BT K BT K BT
A=n p=N C e ×N V e =N C N V e =N C N V e

−19
−1,12.1,6×10
−23

A=2,5×1025 m−3 .2,5×1025 m−3 . e 1,38×10 .300

=9,94×10 19 cm−6

A 9,94×1019 cm−6
P= = 14
=8,28×105 cm−3
n 1,2×10 cm −3

-2
3. T1 pour: nombre d’électrons provenant de la rupture des liaisons de
valence = nombre d’électrons provenant de l’ionisation des donneurs.

−Ea
2 K BT 1
n= p ⇒ np=n =N C N V e

−Ea
2 K BT 1
n= √ N C N V e =1,2×1014 cm−3

alors:
−E a
T1= =530,45 K
n
2 K B ln
NC N V

Exercice N°: 04
1. Dans un semi-conducteur intrinsèque, chaque électron de la bande de
conduction est issu de la bande de valence où il a libéré un trou (n = p =
ni), ni :
−(EC −E F ) ( EV − E F ) −(EC −EV ) −E a
2 KB T K BT KB T K BT
n =n p=N C e
i ×N V e =N C N V e =N C N V e

−E a
2 K BT
n =N C N V e
i

−E a
2 K BT
ni= √ ( N C N V ) e
ni=2,42×1013 cm−3

2. La concentration:
Coté N:
On note Nd est la concentration, d’atomes donneurs (Phosphore), l’équation
d’électro-neutralité s’écrit :
21 −3
n= p+ N d≃N d=10 m (majoritaires)
Tenant compte, à l’équilibre, de l’équation: n2i =n× p . Alors:
n2
p= i ≃5,85×10 11 cm−3 (minoritaires)
n

-3
Coté P:
On note Na est la concentration, atomes accepteurs (Bore), l’équation
d’électro-neutralité s’écrit :
p=n+ N a≃N a=1020 m−3 (majoritaires)
Tenant compte, à l’équilibre, de l’équation: n2i =n× p . Alors:
2
ni
n= ≃5,85×1012 cm−3 (minoritaires)
p

Exercice N°: 05
(même méthode de traitement d'exercice N°: 04)

-4