Comportement mécanique 1

H. Aourag

Ch 4 - 1
Courbes de traction

Quelques définitions

déformation nominale = ∆l/lo

contrainte nominale = F/So

- initialement, une réponse linéaire qui est le comportement

élastique réversible du matériau.

- ensuite, une partie non linéaire, irréversible, qui est le

comportement plastique

Le régime plastique est caractérisé par un durcissement du

matériau au fur et à mesure que la déformation se poursuit : c'est
l'écrouissage.

Ici nous allons aborder, en terme de dislocations, ce qui se passe

pendant la partie élastique, à la limite élastique et pendant la
déformation plastique.

Ch 4 - 2
limite d'élasticité : Re
(contrainte pour laquelle la déformation plastique rémanente est
de 0,2%, 0,1%, etc)

σ/dεε
taux d'écrouissage : dσ
(ou taux de consolidation)

sistance mécanique : Rm

allongement à rupture

Ch 4 - 3
Effets de la température et de la vitesse de
déformation :

En général, si la microstructure ne change pas

• une augmentation de la température correspond à :

- une diminution de la limite élastique

- une diminution du taux d'écrouissage

• et, une augmentation de la vitesse de déformation à :

- une augmentation de la limite élastique

- une augmentation du taux d'écrouissage

Donc, une augmentation de la vitesse de déformation correspond

qualitativement à une diminution de la température

Ch 4 - 4
Déformation du monocristal

Glissement : Apparition de lignes de glissement parallèles.

Dans le cas du glissement simple, il y a seulement une famille de

lignes observée. Ces lignes correspondent à l'émergence des plans
de glissement.

Le glissement est caractérisé par un plan de glissement (h,k,l) et

une direction de glissement <u,v,w>.

Ces observations sont conformes à un processus de mouvement

de dislocations dans un plan cristallographique où les forces de
Peierls (frottement de réseau) sont les plus faibles, et dans une
direction qui correspond à un vecteur de Burgers, b, le plus
faible.

Note : l'énergie stockée dans une dislocation varie en b2

Ch 4 - 5
Comment savoir quel système de glissement est
activé ?

Facteur de Schmid et Loi de Schmid et Boas

Prenons un monocristal de section So, sous une charge axiale F et

avec un seul système de glissement possible :

la normale n à ce plan fait un angle χo avec l'axe de sollicitation.

la direction de glissement b fait un angle λo avec ce même axe.

La contrainte résolue dans le plan et la direction de glissement

permet de définir une cission projetée (ou cission résolue), τ :

 
τ = F  ⋅ cos χo ⋅ cos λo
 So 

Ch 4 - 6
 τ= F/S

Force résolue selon b :

= F cosλo

surface de l'ellipse S

= πab = πr2/cosχo

Donc :

 
τ = F  ⋅ cos χo ⋅ cos λo
 o
S

Ch 4 - 7
Le terme ( cos χo ⋅ cos λo ) est appelé le facteur de Schmid.

Pour chaque système de glissement, on définit le facteur de

Schmid correspondant ; sa valeur est comprise entre 0 et 0,5.

Le glissement plastique d'un monocristal est gouverné par la loi

de Schmid et Boas :

"le système de glissement activé est celui qui possède le

facteur de Schmid le plus élevé"

C'est à dire celui pour lequel la cission résolue est la plus

importante.

Note : on suppose que les contraintes perpendiculaires aux plans

de glissement n'ont pas d'effets.

On constate que le glissement commence (limite d'élasticité) dès

que la cission projetée τ atteint une valeur critique τc, appelée
cission critique projetée.

  τ
R =  F = c
e  So  cos χ ⋅ cos λ
o o

La limite d'élasticité mesurée Re varie donc avec l'orientation

cristallographique.

Ch 4 - 8
Quand est-ce que le glissement commence ?

Considérons un monocristal de bonne qualité. La densité

minimum de dislocations ρ, est :

ρ = 104 cm-2

En trois dimensions :

c'est à dire un réseau de dislocations mutuellement ancrées.

Le glissement dans les plans de glissement se produisant par le

mouvement des dislocations, il s'agit de calculer la contrainte
nécessaire pour déplacer les dislocations ancrées et de permettre
leur multiplication.

Pour une densité de 104 cm-2 dislocations, la distance entre point

d'ancrage est environ 1µm.

Ch 4 - 9
Source de Frank Read :

Ch 4 - 10
Force (par unité de longueur) agissant sur une dislocation :

F = τb (force de Peach Kohler)

τ est la contrainte de cission

b est le vecteur de Burger

Si on considère un segment de ligne dl de dislocation en équilibre

sous l'effet de la tension de ligne Γ et de la force de Peach Kohler :

Fdl = 2Γ sin(dθ/2) = Γdl/R

la tension de ligne Γ est donnée par :

Γ = µb2/2

µ est le module de cisaillement)

(µ

Ch 4 - 11
Et

F = τb

Donc :

τbdl = µb2dl/2R

τ = µb/2R

Lorsqu'on augmente la contrainte, la courbure augmente. Ceci

montre simplement que le travail de la force Peach Kohler est
suffisant pour pouvoir allonger la ligne de dislocation en la
courbant.

Quand 2R = L

où L est la distance entre les points d'ancrage, la position de la

dislocation devient instable, et le travail fournit par la force de
Peach Kohler suffit à augmenter la longueur de la dislocation
sans limite. Au delà de cette contrainte limite de τc, donnée par :

τc = µb/L

le mouvement de la dislocation se poursuit, et le moulin de Frank

Read fonctionne.

Pour du cuivre recuit,

L ~ 1 µm et τc = Re = 12 Mpa

Donc la limite élastique correspond aux déplacements

irréversibles et à la multiplication des dislocations.

Ch 4 - 12
Dans le régime élastique :

Sous l'effet de la contrainte appliquée, la dislocation se courbe,

mais de manière réversible ; lorsque la contrainte est relachée, la
dislocation revient à son point de départ.

Ch 4 - 13
Commentaires sur la cission critique τc

τc = µb/L

- la partie frottement de réseau a été omise, et on pourrait écrire :

τc = τF + µb/L

où τF correspond à la cission nécessaire pour surmonter le

frottement de réseau.

A partir de cette équation, on imagine ce qu'il faut faire pour

augmenter τc et donc la limite d'élasticité Re :

- augmenter le frottement de réseau (choisir un cc plutôt qu'un

cfc, ou rechercher des effets de solution solide)

- diminuer L, en augmentant la densité des dislocations

(écrouissage) ou en introduisant d'autres points d'épinglage (par
exemple, des précipités)

Dès que la cission critique τc est dépassée :

- le mouvement des dislocations devient irréversible

- la création de nouvelles dislocations est également irréversible

et la déformation plastique intervient

Ch 4 - 14
Donc :

- la densité des dislocations augmente et l'écrouissage se produit

(avec une augmentation de Re).

Mais

Ch 4 - 15
Le passage au polycristal :

Modèle de Taylor (1938)

Ce modèle insiste sur la nécessaire compatibilité des

déformations dans chaque grain : chaque grain se déforme de
manière homogène et homothétique à l'éprouvette. Pour que cette
compatibilité ait lieu il est nécessaire d'activer 5 systèmes de
glissement dans chaque grain.

Taylor a proposé une généralisation de la démarche de Schmid, ce

qui donne :

Re/τg = <mT>

où Re est la limite d'élasticité,

τg est la cission critique pour le glissement dans les grains
et <mT> est le facteur de Taylor, qui vaut :

cfc, pour le glissement {111}<110>

<mT> = 3,067

cc, pour le glissement {110}<111>

<mT> = 3,067

La limite d'élasticité macroscopique Re est donc largement

supérieure à la cission critique du monocristal

Ch 4 - 16
Déformation plastique :

I – Glissement simple : les dislocations se déplacent dans le plan

de glissement activé sans rencontrer d'obstacle.

II – Partie linéaire où l'écrouissage augmente rapidement. Le

glissement se produit sur plusieurs plans. Forte augmentation de
la densité de dislocation et formation de cellule de dislocations. Le
durcissement résultant est donné par :

τc = αµbρ1/2

où α est un facteur géométrique qui vaut ~ 0,5

III – Diminution de l'écrouissage dû à la restauration

dynamique.

Ch 4 - 17
Effet de l’écrouissage sur le durcissement

L’écrouissage conduit à une augmentation de la densité des

dislocation et la cission critique τc est donnée par :

τc = αµbρ1/2

Vérification de cette relation :

Ch 4 - 18
L'écrouissage

blocage mutuel des dislocations, multiplication et accumulation

L'état écroui présente une densité ρ de dislocations élevée :

ρ ~ 1014 cm-2

Cette densité de dislocations correspond à une énergie élastique

stockée Es par unité de volume :

1 2
Es = ρ ⋅ µb
2

Ch 4 - 19
Pour la déformation à froid, cette valeur est de l'ordre de :

107 à 108 Jm-3

Seulement environ 5% du travail effectué par la déformation est

conservé sous la forme d'énergie élastique, le reste étant dissipé
sous la forme de chaleur.

L'état écroui :

Cet état est plutôt stable mécaniquement, car à part le retour

élastique de certaines dislocations, lors de la décharge, les
dislocations sont, dans l'ensemble, épinglées et enchevêtrées.

Cette situation persiste du moment que les dislocations

demeurent dans leurs plans de glissement.

Cependant, le système est dans un état instable

thermodynamiquement, et dès que le système est chauffé, les
dislocations deviennent mobiles, se réarrangent et
s'annihilent en libérant de l'énergie.

C'est la restauration.

Ch 4 - 20
Ch 4 - 21
Formation de cellules de dislocations :

Pour de faibles taux de déformation, des enchevêtrements de

dislocations sont observés, parfois associés avec les plans de
glissement.

Pour des taux de déformation plus importants (dès 5%), les

enchevêtrements s'organisent pour former des cellules, avec des
"parois" non-cristallographiques, de dislocations. Ces cellules
correspondent à des régions faiblement désorientées (<2°).

Dimension des cellules

Ch 4 - 22
Mesure de l'énergie stockée :

- Calorimétrie :

- également par mesure de l'élargissement des raies de Bragg par

diffraction-X, puis calcul du nombre d'atomes déplacés
élastiquement.

Ch 4 - 23
Effet de l'écrouissage sur les propriétés en
traction

Ch 4 - 24