Rapport de TP S2 Composant de Puissance

Université Mohammed V de Rabat Ecole
Supérieure de Technologie de Salé

Département Maintenance Industrielle
Travaux Pratiques d’Electronique de puissance
Filières :
Génie Electrique et Informatique Industrielle
Semestre 2
Noms & encadre

Prénoms nt
Taha housbani
Oussama kachache Mr.KHOUIL
Tarik khajou
Année Universitaire 2019/2020

Remerciement
Nous voulons dire merci de votre effort et votre

encadrement, merci de votre excellente manière
d’explication ;
Merci à tous les profs qui nous aide à avoir une

bonne formation et d’avoir le maximum des
informations ;
Sommaire
I. Tp n° 1 : diode de puissance
1. définition
2. Mesures
3. Etude
II. Tp n° 2 : thyristor
1. définition
2. Mesures
3. Etude
III. Tp n° 3 : transistor
1. définition
2. Mesures
3. Etude
Composants de l’électronique de puissance :
I. Diode :
II. Thyristor :
III. Transistor :
But de la manipulation :
Tracer la caractéristique statique des principaux composants de
l'électronique de puissance En déduire leur domaine d'utilisation.
I. TP n° 1 : diode de puissance
a) Définition :
 La diode est un composant électronique. C'est un dipôle non linéaire et polarisé
(ou non symétrique). Le sens de branchement d'une diode a donc une
importance sur le fonctionnement du circuit électronique dans lequel elle est
placée.
 Le dispositif est capable de laisser passer le courant électrique dans un sens, tout
en le bloquant dans l'autre
 Les diodes sont fabriquées à partir de semi-conducteurs. Leur principe physique

de fonctionnement est utilisé dans de nombreux composants actifs en
électronique.
 Une diode est créée en accolant un substrat déficitaire en électrons c'est-à-dire
riche en trous (semi-conducteur type P) à un substrat riche en électrons libres
(semi-conducteur de type N ou métal).
 La plupart des diodes sont réalisées par la jonction de deux semi-conducteurs :
l'un dopé « P » l'autre dopé « N ».
b) Mesure :
1. Réalisation de schéma de la figure 1 :
 Réalisation sur logicielle Isis :
 Réalisation pratique:
2. Tableau des résultats des mesures du montage de la figure 1 :
E(v) 0 5 10 15 20 25 30
I(mA) 0 0.0 0. 0.1 0. 0.28 0.3
6 11 5 21 4
V(mv) 0 0.2 0. 0.7 0. 1.2 1.4
7 54 2 96 4
 Tracer la caractéristique statique lA= (Vak) de la diode :
 mesurer le courant inverse de la fuite.

 D’apprêt la mesure on trouve un courant de fuit très faible au moment du blocage de
la diode, d’où il est nul.
c) Etude :
La chute de tension est :
ΔU = 0.47 – 0 => ΔU = 0.47V
La puissance dissipée dans le composant :
Vd = Vs + rd*Id => rd = ΔV𝑑 /Δ𝐼𝑑 =>rd 0.31Ω
P=Vs*IN + Rd*IN =>P = 0.699 W

II. TP n° 2: thyristor
a. Définition :
 Un thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur à l'état

solide constitué de quatre couches, alternativement dopées N et P. C'est un
des composants essentiels de l'électronique de puissance. Il tire son nom du
grec thura qui signifie porte et du suffixe « istor » qui provient du
mot transistor. Il se comporte comme une bascule synchrone, c'est-à-dire
qu'il reste commandé à l'allumage, par la gâchette (g) anglais 1, mais pas à
l'extinction qui est provoquée par le passage du courant principal Iak à une
valeur inférieure au courant de maintien IH.
 Le thyristor est un composant électronique semi-conducteur à trois bornes
composé de quatre couches de silicium dopées alternativement par des
accepteurs (P) et des donneurs (N). La structure en couches P-N-P-N du
thyristor peut être modélisée par deux transistors PNP et NPN connectés
selon le schéma ci-dessous. Les deux bornes principales : l'anode et la
cathode, se situent de part et d'autre des quatre couches. La troisième borne,
appelée gâchette, sert à commander le thyristor.
b. Mesure :

1. Tableau des résultats des mesures du montage de la figure 2:
E1 0 5 10 15 20 25 30
I(m 0 5 10 15 20 25 30
A)
V(v) 0 1 3 5 8 11 13
 Tracer la caractéristique statique lA= (Vak) du thyristor pour

Ig=0(courant de gâchette) :
La valeur de Ig qui assure un amorçage pour E = 5V :
Pour E= 5V on a trouvé que Ig=(34*100*10-3) /100=34mA
Blocage de thyristor :
Pour bloquer le thyristor on va ajouter une résistance variable

(RHEOSTAT) de xxx ohm en série avec R1 dans la ligne principale et
annule E2 , le thyristor ne se bloquera pas directement à cause du courant de
maintien .On a augmenté progressivement la résistance jusqu’a ce que le
voltmètre dévie de 0,8 a 5v, on ce moment le thyristor est bloqué, puis nous
avons calculé la résistance du blocage qui égale a 311 ohm.
III. TP n° 3: tarnsistor
a. Définition :
 Le transistor est un composant électronique qui est utilisé dans la plupart des circuits

électroniques (circuits logiques, amplificateur, stabilisateur
de tension, modulation de signal, etc.) aussi bien en basse qu'en haute tension.
 Un transistor est un dispositif semi-conducteur à trois électrodes actives, qui permet
de contrôler un courant ou une tension sur l'électrode de sortie (le collecteur pour
le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet de champ) grâce à une
électrode d'entrée (la base sur un transistor bipolaire et la grille pour un transistor à
effet de champ).
 Le circuit étant connecté aux bornes « collecteur » et « émetteur », le transistor est
isolant sans tension sur la borne Base, et conducteur avec une tension sur la borne
Base.
 En d'autres termes, c'est un interrupteur contrôlé électroniquement, sans partie
mécanique.
 C'est un composant fondamental des appareils électroniques et des circuits logiques.
b. Mesure :
1. Tableau des résultats des mesures du montage de la figure 3:
E1 0 5 10 15 20 25 30
I(m 0 5 10 15 20 25 30
A)
Vce( 0 4 8 11 15 16 20
v)
La courbe dt caractéristique le= f(Vce) pour lb=0(courant de base) :
2. Tableau des résultats des mesures du montage de la figure 3 pour

ib=100mA:
 Pour trouver le courant convenable nous allons varier E2 jusqu’à ce que la
tension donné par le voltmètre dévie de 5v a 0,8 un peu prêt.
E1 0 5 10 15 20 25 3
0
I(A) 0 0.023 0.04 0. 0.07 0. 0
05 09 .
1
Vce( 0 0.08 0.16 0. 0.3 0. 0
v) 25 42 .
5
La courbe dt caractéristique le= f(Vce) pour lb=100mA:
Pour obtenir Ic = 3 A on a :
β =Ic/Ib Avec : Vce =cte
AN : β = (0.52-0.4) / (0.1-0) =1.2
Alors : Ib=Ic/ β =2.5A

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Oussama kachache Mr.KHOUIL

Année Universitaire 2019/2020

Nous voulons dire merci de votre effort et votre

Merci à tous les profs qui nous aide à avoir une

 Les diodes sont fabriquées à partir de semi-conducteurs. Leur principe physique

 Réalisation sur logicielle Isis :

 Tracer la caractéristique statique lA= (Vak) de la diode :

 mesurer le courant inverse de la fuite.

ΔU = 0.47 – 0 => ΔU = 0.47V

La puissance dissipée dans le composant :

Vd = Vs + rd*Id => rd = ΔV𝑑 /Δ𝐼𝑑 =>rd 0.31Ω

P=Vs*IN + Rd*IN =>P = 0.699 W

 Un thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur à l'état

 Réalisation sur logicielle Isis :

1. Tableau des résultats des mesures du montage de la figure 2:

 Tracer la caractéristique statique lA= (Vak) du thyristor pour

Pour bloquer le thyristor on va ajouter une résistance variable

 Le transistor est un composant électronique qui est utilisé dans la plupart des circuits

1. Réalisation de schéma de la figure 2 :

 Réalisation sur logicielle Isis :

La courbe dt caractéristique le= f(Vce) pour lb=0(courant de base) :

2. Tableau des résultats des mesures du montage de la figure 3 pour

β =Ic/Ib Avec : Vce =cte

AN : β = (0.52-0.4) / (0.1-0) =1.2

Alors : Ib=Ic/ β =2.5A

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