Chargé par : Dr LATI Abdelhai Module : Système à microprocesseur

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur

1. Introduction
Une mémoire est un circuit à semi-conducteur permettant d’enregistrer, de conserver et
de restituer des informations (instructions et variables). C’est cette capacité de
mémorisation qui explique la polyvalence des systèmes numériques et leur adaptabilité à de
nombreuses situations. Les informations peuvent être écrites ou lues. Il y a écriture lorsqu'on
enregistre des informations en mémoire, lecture lorsqu'on récupère des informations
précédemment enregistrées. On classe les mémoires selon :
Caractéristiques : capacité, débit ...
Type d'accès : séquentiel, direct ...

2. Caractéristiques d’une mémoire

Certaines caractéristiques de la mémoire sont des indicateurs importants pour mesurer leur
performance. Les principales sont la capacité de la mémoire, le temps d’accès et le débit binaire.
• Adresse : Valeur numérique référençant un élément de mémoire (un mot ou un fichier).
• La capacité : c’est le nombre total de bits que contient la mémoire. Elle s’exprime
aussi souvent en octet. Les préfixes, ou les unit´ es de mesure de la capacité, utilisés pour
exprimer les capacités des mémoires sont :

• Le format des données : c’est le nombre de bits que l’on peut mémoriser par case mémoire.
On dit aussi que c’est la largeur du mot mémorisable.
• Le temps d’accès : c’est le temps qui s'écoule entre l'instant où a été lancée une opération de
lecture/écriture en mémoire et l'instant où la première information est disponible sur le bus
de données.
• Le temps de cycle : il représente l'intervalle minimum qui doit séparer deux demandes
successives de lecture ou d'écriture.
• Le débit : c’est le nombre maximum d'informations lues ou écrites par seconde.
• Volatilité : elle caractérise la permanence des informations dans la mémoire. L'information
stockée est volatile si elle risque d'être altérée par un défaut d'alimentation électrique et
non volatile dans le cas contraire.

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• Consommation: C’est les besoins en puissance électrique pour un fonctionnement normale.

Elle est fonction de la technologie. (En CMOS, elle consomme moins que TTL).

3. Types de Mémoires
Comme montre la figure 1, l’information numérique peut être stockée sous forme de champs
magnétiques rémanents (comme dans un disque dur par exemple), sous forme de modifications
des propriétés optiques d’un matériau (comme dans un CD-ROM), sous forme d’une
combinaison des deux effets précédents (comme dans un disque magnéto-optique) ou bien enfin
sous forme de tensions et de courants dans un semi-conducteur.

Figure 1 - Type de mémoires

Généralement, un système numérique est composé de plusieurs types de mémoire. On peut

d’abord distinguer la mémoire principale à l’interne, qui est réalisée avec la technologie` a semi-
conducteur, et les mémoires périphériques à l’externe (appelées aussi mémoires auxiliaires ou
mémoires de masse ou alors secondaire), qui sont réalisées avec les technologies magnétiques,
optique ou une combinaison entre ces deux dernières.

3.1.Les Mémoires Auxiliaires

Un ordinateur possède également d'autres types de stockage qui conservent l'information de
manière quasi permanente comme les disquettes, les disques durs, ou encore les bandes
magnétiques. Ces unités, qui stockent les données sur un support magnétique sensible, peuvent
contenir de plusieurs centaines de milliers à plus d'un million d'octets de données pour les
disquettes, et de plusieurs millions à des centaines de millions d'octets pour les disques durs.
Il existe également des supports de stockage non magnétiques comme les disques compacts (CD-
ROM, DVD), dont la lecture est assurée grâce à un faisceau laser. Ces derniers disposent d'une
capacité de stockage de plusieurs giga-octets (milliards d'octets) de données.

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3.1.1. Les disquettes

Les disquettes sont des unités de stockage. Elles sont amovibles, protégées par une enveloppe
plastique et donc fragiles. Elles doivent être protégés de grands écarts de température et éloignés
de tout champ magnétique. Elles sont structurées en pistes et en secteurs par le formatage.

3.1.2. Disque dur

C'est sur le disque dur que sont stockés les programmes et les documents. Physiquement, le
disque dur est un ensemble de disques superposés autour d'un axe central. Un peigne de têtes de
lecture/écriture (des électro-aimants) est inséré entre les disques et l'axe central contient un
moteur électrique. Quand l'ordinateur est mis sous tension, le moteur du disque dur se met en
route et le disque dur se met à tourner, environ 3 600 tours par minute. Les disques durs sont des
disques fixés à la machine (ils peuvent être externes) et qui ont une capacité beaucoup plus
grande que les disquettes (de 70 Mo à 200 Go ou plus).

3.1.3. CD-ROM/DVD
Le CD Rom (Compact Disc Read Only Memory) est un disque optique, pareil à un compact
disque de musique qui permet l'utilisation de 650 Mo à 800 Mo une seule fois. C'est un faisceau
laser, projeté contre le plateau inférieur du disque, qui permet de lire les données inscrites.
La vitesse du lecteur CD-ROM est exprimée par un multiple (théorique) de la vitesse de lecture
maximale du premier lecteur CD-ROM, qui atteignait 150Ko par seconde. Le DVD-ROM
(Digital Versatil Disk) peut contenir jusqu'à 17Go de données.

3.1.4. Clé USB

Une clé USB est une mémoire à laquelle on peut accéder en le branchant sur un
port USB (Universal Serial Bus) d'ordinateur. Elles ne nécessitent pas de batterie étant
alimentées par la connexion USB. Elles sont moins fragiles que les CD et DVD.
Commercialisées au format USB 2.0, elles sont relativement standardisées mais certaines
demandent l'installation d'un pilote. En 2008, la capacité d'une clé USB varie de quelques
mégaoctets à 32 Go. Les plus courantes ont une capacité de 1, 2, 4 Go. On trouve des mini
disques durs affichant des capacités encore plus importantes pour des prix plus raisonnables. Ils
sont aussi alimentés par le bus USB.

La vitesse de transfert de données est généralement meilleure, mais les temps d'accès sont plus
longs. Ils sont aussi un peu plus fragiles et peuvent chauffer en cas d'utilisation intensive. De
plus, leur taille est légèrement plus grande mais elles tiennent toujours facilement dans la poche.

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3.2.Mémoires principales
Les mémoires utilisées pour réaliser la mémoire principale sont des mémoires à semi-
conducteur. Leurs points mémoire sont réalisés de différentes façons suivant le type de mémoire
Dans le PROM le point mémoire est réalisé soit par fusibles métalliques, soit par fusibles
silicium, soit par jonctions court-circuitées. Pour la mémoire statique (SRAM) le point mémoire
est équivalent à une bascule D. Dans le cas de la mémoire dynamique (DRAM) le point
mémoire se limite à un transistor MOS et un condensateur de très faible valeur. Il existe deux
types de mémoires principales comme montré dans la figure suivante :

Figure 2– Types de mémoires principales..

3.2.1. Les mémoires ROM :
C’est des mémoires qui gardent en permanence les données sans les perdre quand il n’y
a pas d’alimentation : mémoires non volatiles. Elles sont utilisées pour stocker des
données qui sont rarement modifiées. Leurs principales utilisation est le stockage des
programme système. La ROM est composée d’une matrice des points mémoires dont la
programmation s’effectue en reliant les lignes aux colonnes par des diodes. Un exemple d’un
mot binaire (1 mot de 4 bits) est illustré dans la figure suivante :

Figure 3– Mémoire morte ROM

Il existe plusieurs types de ROM :

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• MROM: le contenu est initialise au moment de la fabrication et ne peut plus être Modifie
• PROM (programmable ROM) ou OTP ROM (one-time programmable): le contenu peut être
modifie une fois par l'utilisateur, à l'aide d'un équipement spécialisé
• EPROM (erasable PROM): le contenu peut être efface et modifie plusieurs fois:
– UV EPROM: le contenu est efface par des rayons ultra-violets (plusieurs minutes)
– EEPROM (electrically EPROM) : le contenu est effacé électriquement (quelques ms)
– Flash: le contenu est effacé électriquement et plus rapidement que sur les EEPROM.
3.2.2. Les Mémoires RAM :
Se sont des mémoires dans lesquelles on peut écrire ou lire des données en un temps très court
(ce n’est pas le cas des ROM). Cependant ces mémoires ne sont pas permanentes donc volatiles
une fois la tension d’alimentation coupée. Elles sont utilisées pour stocker temporairement
des programmes et des données au cours de l’exécution d’un programme.
Il distingue deux type RAM : SRAM et DRAM :
SRAM : Elles sont des mémoires qui gardent leur contenu en utilisant des transistors. Dans une
mémoire RAM statique, chaque bit d'information est mémorisé dans une bascule à transistors qui
nécessite au moins deux transistors. En réalité, pour que cette bascule soit adressable, le schéma
de chaque cellule mémoire se complique un peu et se présente sous la forme indiquée figure 4.

Figure 4- Structure d’une cellule de RAM statique.

Les transistors T3, T4, T5 et T6 forment la bascule ; le transistor T1 sert à sélectionner la

mémoire pour y écrire une donnée, alors que le transistor T2 sert à sélectionner la cellule pour
lire son contenu. Ce ne sont donc pas deux mais six transistors qui sont nécessaires pour stocker
un bit. Les constructeurs ont alors pensé à réduire le nombre de transistors d'une cellule mémoire
de façon à pouvoir en intégrer un plus grand nombre sur une même surface. Ils ont alors imaginé
les RAM dynamiques.

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DRAM : Ils sont des mémoires qui stockent leurs contenus sous formes des charges dans des
petits condensateurs MOS. Une cellule de DRAM est donc très simple, ce qui permet la
construction de très grandes mémoires à bas prix. Cependant, le condensateur se décharge avec
le temps et l'information est perdue si la charge n'est pas rafraichie périodiquement
(Rafraichissement 2 à 10 ms). Leurs avantages sur les SRAM est leur grande capacité et la faible
consommation, mais les SRAM sont beaucoup plus rapides. Le schéma d'une cellule
élémentaire de RAM dynamique se résume à celui représenté figure 5-a :

Figure 5- Structure d’une cellule de RAM dynamique.

Elle est constituée d'un transistor MOS et du condensateur de mémorisation C qui est en réalité
la capacité parasite du transistor. La résistance R en série dans le circuit drain est en réalité
constituée par un second transistor MOS dont la grille et la source sont reliées comme le montre
la figure 5-b. Une cellule de mémoire RAM dynamique nécessite donc en réalité deux
transistors, soit trois fois moins qu'une cellule de mémoire RAM statique. Cette simplicité
permet d'atteindre des densités d'intégration assez élevées sur les surfaces restreintes.

4. Méthodes d'accès au Mémoires

On distingue généralement les modes suivantes pour accès aux données stockées en mémoire :
o Accès séquentiel : Le temps d’accès est lent parce que pour accéder à une information on
doit parcourir toutes les informations précédentes. (Exp: bandes magnétiques)
o Accès direct : Pour accéder à une information, chaque information a une adresse propre.
Donc ; on peut accéder directement à chaque adresse (Exp : mémoire centrale).
o Accès semi-séquentiel : Il est Intermédiaire entre séquentiel et direct. (Exp : disque dur ;
puisque l’accès est direct au cylindre et séquentiel au secteur sur un cylindre.
o Accès associatif/par le contenu : Chaque information est identifiée par une clé, donc on
accède à une information via sa clé (Exp : mémoire cache).

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5. Organisation Générale de Mémoire

Avec une adresse de n bits il est possible de référencer au plus 2n cases mémoire.
Chaque case est remplie par un mot de données (sa longueur m est toujours une puissance de 2).
Le nombre de fils d’adresses d’un boîtier mémoire définit donc le nombre de cases mémoire que
comprend le boîtier. Le nombre de fils de données définit la taille des données que l’on peut
sauvegarder dans chaque case mémoire. En plus du bus d’adresses et du bus de données, un
boîtier mémoire comprend une entrée de commande qui permet de définir le type d’action que
l’on effectue avec la mémoire (lecture/écriture) et une entrée de sélection qui permet de
mettre les entrées/sorties du boîtier en haute impédance.
On peut donc schématiser un circuit mémoire par la figure 6 où l’on peut distinguer :
1. Une ou plusieurs broches pour les données (nommées généralement D0, D1,···,Dk−1).
2. Un bus d’adresses. La capacité de la mémoire doit être égale à 2 largeur du bus
3. Une ou plusieurs broches pour sélectionner le boıtier. Ces broches sont généralement
nommées CS0,CS1,··· (Chip Select) ou bien CE0,CE1,···(Chip Enable). Si le boıtier n’est pas
sélectionné, le bus de données reste à l’état haut impédance.
4. Des broches de commande comme par exemple l’autorisation de lecture ou d’écriture. Ce
signal peut exister sous la forme d’une seule broche, le signal de lecture/écriture R/ ̅
(Read/Write) qui vaut 1 en lecture et 0 en écriture, ou bien de deux broches, le signal d’écriture
WE (Write Enable) et le signal d’autorisation de lecture ̅̅̅̅ (Output Enable).

Figure 6: schéma d'une mémoire.

La structure interne d’une mémoire est composée de trois parties. Les circuits d’entrées-sorties et
de contrôle (buffer d’entrées et de sorties, gestion de la sélection du boıtier et gestion des
opérations de lecture/ écriture), le décodeur d’adresses (qui permet à partir de l’adresse de
sélectionner la bonne case mémoire) et la zone de stockage proprement dite (o` u sont
effectivement stockées les informations binaires).

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En fait, quand la capacité augmente le nombre de portes utilisées pour réaliser le décodeur
devient beaucoup trop élevé. On utilise donc, comme sur la figure 7 une organisation matricielle
pour ranger les éléments de stockage et deux décodeurs d’adresses : un décodeur de lignes et un
décodeur de colonnes. Les drivers sont des´ éléments qui garde la stabilité des tensions et des
courants.

Figure 7: Structure générale d’une mémoire

Cependant, en informatique, on représente une mémoire comme suit (voir figure 8):

Figure 8: Exemple de mémorisation en informatique.

Le contenu (c’est la donnée) de la premier mémoire (gauche) est en 4 bits avec une adresse sur 8
bits. La donnée de la deuxième mémoire (droite) est en 8 bits avec une adresse sur 16 bits. Avec
8 bits, on peut adresser 256 cases mémoires (00 =⇒FF). Avec 16 bits, on peut adresser 65536
cases mémoires (0000 =⇒FFFF).
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Par exemple, si on considère une mémoire qui a 1 K mots de 4 bits : 2 ×4 = 1024×4 = 4096
points mémoires =⇒ Besoin de 10 lignes d’adresse : 5 lignes et 5 colonnes.

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Donc, la mémoire contient : 10 lignes adresses, 8 données (4 pour entrer les données et 4 pour
sortir les données), 3 commandes, 1 pour l’alimentation (Vcc), 1 pour la masse (GND) et 1 pour
le la sélection (CS)=⇒24 pins. La figure 9 schématisée la structure de ce boitier mémoire.

Figure 9: Structure d’une mémoire 1 k mot de 4 bits.

Si la lecture et l’écriture sont command´ es avec le même signal W/R(0 : écriture, 1 : lecture) et
si on fait des lignes de données bidirectionnelles on n’aura que : 10 (lignes d’adresse) + 4
(données bidirectionnelles) + 2 (Vcc, GND) + 2 (CS,W/R) = 18 pins (on néglige CK).
6. Assemblage des mémoires
Pour augmenter la taille ou la capacité mémoire on assemble plusieurs boitiers mémoires :
6.1.Expansion en capacité
On souhaite réaliser une mémoire de (Z) K mots à partir de mémoire 1 K mot. Il faut monter en
parallèle Z boıtiers avec les lignes d’adresses A0-A9et le signal d’autorisation de lecture/ écriture
mis en commun. Par exemple, si Z = 3, on besoin des trois boıtiers mémoires (voir figure 10).

Figure 10: Associer des boıtiers en verticale.

L’entrée de sélection CS (actif à 0) est issue d’un décodeur d’adresses qui fournit une zone
d’adresses de 1K différente pour chaque boıtier selon le tableau suivant :

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Pour une case mémoire donnée, on active le CS de la mémoire concerne =⇒ nécessite d’une
logique de commande de CS. Cependant, A10 et A11permettent de sélectionner les boıtiers
mémoires (1, 2 ou 3). Si on utilise un décodeur 2 vers 4 avec sortie active à 0 et on suppose que
M1=M2=M3 = 1K mots×8 bits (8 lignes de données), le câblage est donc (voir Fig. 11):

Figure 11: Mémoire de 3K octets` a partir de mémoire de 1K octets.

 Remarque : Les mémoires 3K mots, 5K mots n’existe pas comme circuit intégré mais
comme plan mémoire.
6.2.Expansion en taille du mot
La largeur du bus de données est généralement de 4, 8, 16, 32 ou 64 bits ce qui ne correspond
pas forcement à la largeur du mot de données des mémoires disponibles. Si on veut augmenter la
taille du mot d’une mémoire, il faut mettre en parallèle un certain nombre de boıtiers, les signaux
d’adresses, de sélection et de lecture/ écriture étant mis en commun. La largeur du mot est alors
égale au nombre de bits de données de la mémoire utilisée multiplié par le nombre de boıtiers
mis en parallèle. Dans la figure 12, on réalise une mémoire 1K×12 bits avec 3 boıtiers 1K×4 bits.

Figure 12: Mémoire de 1K mots de 12 bits` a partir de mémoire de 1K mots de 4 bits.

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o Remarque : Les deux types d’expansion peuvent être utilisés simultanément pour
étendre la capacité et la largeur du mot.

7. Hiérarchie des mémoires

Le but de l’informatique étant de traiter des informations, il nous faut stocker ces informations et
les programmes qui les manipulent sur divers types des mémoires. Il en existe de plusieurs types
qui se distinguent par leur mode d’enregistrement (électronique, magnétique, optique), leur
capacité, leur rapidité, le fait qu’elles soient volatiles ou non, leur prix, la densité d’information
et la manière d’y accéder.
En effet, une mémoire idéale serait une mémoire de grande capacité, capable de stocker un
maximum d’informations et possédant un temps d’accès très faible afin de pouvoir travailler
rapidement sur ces informations. Afin d’obtenir le meilleur compromis cout-performance, une
hiérarchie mémoire est donc définie (voir Fig..13).

Figure 13: Hiérarchie des mémoires

Cependant, on utilise des mémoires de faible capacité mais très rapide pour stocker les
informations dont le microprocesseur se sert le plus et on utilise des mémoires de capacité
importante mais beaucoup plus lente pour stocker les informations dont le microprocesseur se
sert le moins.

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