Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur

II.1. Introduction
Une mémoire est un circuit à semi-conducteur permettant d’enregistrer, de conserver et
de restituer des informations (instructions et variables). C’est cette capacité de
mémorisation qui explique la polyvalence des systèmes numériques et leur adaptabilité à de
nombreuses situations. Les informations peuvent être écrites ou lues. Il y a écriture lorsqu'on
enregistre des informations en mémoire, lecture lorsqu'on récupère des informations
précédemment enregistrées. On classe les mémoires selon :
 Caractéristiques : capacité, débit ...
 Type d'accès : séquentiel, direct ...
II.2. Caractéristiques d’une mémoire
Certaines caractéristiques de la mémoire sont des indicateurs importants pour mesurer leur
performance. Les principales sont la capacité de la mémoire, le temps d’accès et le débit binaire.
• L’dresse : Valeur numérique référençant un élément de mémoire (un mot binaire).
• La capacité : c’est le nombre total de bits que contient la mémoire. Elle s’exprime
aussi souvent en octet. Les préfixes, ou les unités de mesure de la capacité, utilisés pour exprimer
les capacités des mémoires sont :
Tableau II-1 : Les capacités des mémoires (Symbole et Préfixe)
Symbole Préfixe Capacité
1o Octet = 8 bits
1k Kilo = 1024 bits
1M Méga = 1048576 bits
1G Giga = 1073741824 bits
1T Tera = 1099511627776 bits

• Le format des données : c’est le nombre de bits que l’on peut mémoriser par case mémoire.
On dit aussi que c’est la largeur du mot mémorisable (8 bits, 16 bits, 32 bits ou 64 bits).
• Le temps d’accès : c’est le temps qui s'écoule entre l'instant où a été lancée une opération de
lecture/écriture en mémoire et l'instant où la première information est disponible sur le bus
de données.
• Le temps de cycle : il représente l'intervalle minimum qui doit séparer deux demandes
successives de lecture ou d'écriture.
• Le débit : c’est le nombre maximum d'informations lues ou écrites par seconde.

Dr. A LATI Page 23

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

• Volatilité : elle caractérise la permanence des informations dans la mémoire. L'information

stockée est volatile si elle risque d'être altérée par un défaut d'alimentation électrique et
non volatile dans le cas contraire.
• Consommation: C’est les besoins en puissance électrique pour un fonctionnement normale.
Elle est fonction de la technologie. (En CMOS, elle consomme moins que TTL).

II.3. Types de Mémoires

Comme montre la Figure II-1, l’information numérique peut être stockée sous forme de champs
magnétiques rémanents (comme dans un disque dur par exemple), sous forme de modifications
des propriétés optiques d’un matériau (comme dans un CD-ROM), sous forme d’une
combinaison des deux effets précédents (comme dans un disque magnéto-optique) ou bien enfin
sous forme de tensions et de courants dans un semi-conducteur.

Figure II-1 : Type de mémoires.

Généralement, un système numérique est composé de plusieurs types de mémoire. On peut

d’abord distinguer la mémoire principale à l’interne, qui est réalisée avec la technologie à semi-
conducteur, et les mémoires périphériques à l’externe (appelées aussi mémoires auxiliaires ou
mémoires de masse ou alors secondaire), qui sont réalisées avec les technologies magnétiques,
optique ou une combinaison entre ces deux dernières.

Dr. A LATI Page 24

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

II.3.1. Les Mémoires Auxiliaires

Un ordinateur possède également d'autres types de stockage qui conservent l'information de
manière quasi permanente comme les disquettes, les disques durs, ou encore les bandes
magnétiques. Ces unités, qui stockent les données sur un support magnétique sensible, peuvent
contenir de plusieurs centaines de milliers à plus d'un million d'octets de données pour les
disquettes, et de plusieurs millions à des centaines de millions d'octets pour les disques durs.
Il existe également des supports de stockage non magnétiques comme les disques compacts (CD-
ROM, DVD), dont la lecture est assurée grâce à un faisceau laser. Ces derniers disposent d'une
capacité de stockage de plusieurs giga-octets (milliards d'octets) de données.

II.3.1.1. Les disquettes

Les disquettes sont des unités de stockage. Elles sont amovibles, protégées par une enveloppe
plastique et donc fragiles. Elles doivent être protégés de grands écarts de température et éloignés
de tout champ magnétique. Elles sont structurées en pistes et en secteurs par le formatage.

II.3.1.2. Disque dur

Les disques durs stockent les programmes et les documents. Physiquement, le disque dur est un
ensemble de disques superposés autour d'un axe central. Un peigne de têtes de lecture/écriture
(des électro-aimants) est inséré entre les disques et l'axe central contient un moteur électrique.
Quand l'ordinateur est mis sous tension, le moteur du disque dur se met en route et le disque dur
se met à tourner, environ 3 600 tours par minute. Les disques durs sont des disques fixés à la
machine (ils peuvent être externes) et qui ont une capacité beaucoup plus grande que les
disquettes (de 70 Mo à 200 Go ou plus).

II.3.1.3. CD-ROM/DVD
Le CD Rom (Compact Disc Read Only Memory) est un disque optique, pareil à un compact
disque de musique qui permet l'utilisation de 650 Mo à 800 Mo une seule fois. C'est un faisceau
laser, projeté contre le plateau inférieur du disque, qui permet de lire les données inscrites.
La vitesse du lecteur CD-ROM est exprimée par un multiple (théorique) de la vitesse de lecture
maximale du premier lecteur CD-ROM, qui atteignait 150Ko par seconde. Le DVD-ROM
(Digital Versatil Disk) peut contenir jusqu'à 17Go de données.

II.3.1.4. Clé USB

Une clé USB est une mémoire à laquelle on peut accéder en le branchant sur un
port USB (Universal Serial Bus) d'ordinateur. Elles ne nécessitent pas de batterie étant

Dr. A LATI Page 25

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

alimentées par la connexion USB. Elles sont moins fragiles que les CD et DVD.
Commercialisées au format USB 2.0, elles sont relativement standardisées mais certaines
demandent l'installation d'un pilote. En 2008, la capacité d'une clé USB varie de quelques
mégaoctets à 32 Go. Les plus courantes ont une capacité de 1, 2, 4 Go. On trouve des mini
disques durs affichant des capacités encore plus importantes pour des prix plus raisonnables. Ils
sont aussi alimentés par le bus USB. La vitesse de transfert de données est généralement
meilleure, mais les temps d'accès sont plus longs. Ils sont aussi un peu plus fragiles et peuvent
chauffer en cas d'utilisation intensive. De plus, leur taille est légèrement plus grande mais elles
tiennent toujours facilement dans la poche.

II.3.2. Mémoires Principales

Les mémoires utilisées pour réaliser la mémoire principale sont des mémoires à semi-
conducteur. Leurs points mémoire sont réalisés de différentes façons suivant le type de mémoire
Dans le PROM le point mémoire est réalisé soit par fusibles métalliques, soit par fusibles
silicium, soit par jonctions court-circuitées. Pour la mémoire statique (SRAM) le point mémoire
est équivalent à une bascule D. Dans le cas de la mémoire dynamique (DRAM) le point
mémoire se limite à un transistor MOS et un condensateur de très faible valeur. Il existe deux
types de mémoires principales comme montré dans Figure II-2 :

Figure II-2: Types de mémoires principales.

II.3.2.1. Les mémoires ROM :
C’est des mémoires qui gardent en permanence les données sans les perdre quand il n’y
a pas d’alimentation, donc elles sont des mémoires non volatiles. Elles sont utilisées pour
stocker des données qui sont rarement modifiées. Leurs principales utilisation est le stockage
des programme système. La ROM est composée d’une matrice des points mémoires dont la
programmation s’effectue en reliant les lignes aux colonnes par des diodes. Un exemple d’un
mot binaire (1 mot de 4 bits) est illustré dans Figure II-3 :

Dr. A LATI Page 26

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

Figure II-3: Exemple de structure de mémoire morte ROM (4 bits).

Il existe plusieurs types de ROM :

• ROM: le contenu est initialisé au moment de la fabrication et ne peut plus être modifie
• PROM : (Programmable ROM) ou OTP ROM (One-Time Programmable ROM): le contenu
peut être modifie une fois par l'utilisateur, à l'aide d'un équipement spécialisé.
• EPROM : (Erasable PROM): le contenu peut être efface et modifie plusieurs fois:
– UV EPROM: le contenu est effacé par des rayons ultra-violets (plusieurs minutes).
– EEPROM: (Electrically EPROM): le contenu est effacé électriquement (quelques ms).
– Flash: le contenu est effacé électriquement et plus rapidement que sur les EEPROM.

Les Données Stockés dans les ROM :

Les mémoires de type ROM contiennent des données indispensables au démarrage, c'est à-dire :
Le BIOS : est un programme permettant de piloter les interfaces d'entrée-sortie principales du
système, d'où le nom de BIOS ROM donné parfois à la puce de mémoire morte de la carte-mère
qui l'héberge.
Le chargeur d'amorce: un programme permettant de charger le système d'exploitation en
mémoire (vive) et de le lancer. Celui-ci cherche généralement le système d'exploitation sur le
lecteur de disquette, puis sur le disque dur, ce qui permet de pouvoir lancer le système
d'exploitation à partir d'une disquette système en cas de dysfonctionnement du système installé
sur le disque dur.
Le Setup CMOS, c'est l'écran disponible à l'allumage de l'ordinateur permettant de modifier les
paramètres du système (souvent appelé BIOS à tort...).
Utilisation de mémoire morte :
Les mémoires mortes sont utilisées, entre autres, pour stocker :
1)) Les informations nécessaires au démarrage d’un ordinateur (BIOS, instructions de
démarrage, microcode).

Dr. A LATI Page 27

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

2)) des jeux vidéo d’anciennes générations ; à cause de sa faible capacité de stockage. (la
mémoire morte a été remplacée par les CDROM et les DVD pour le stockage des jeux vidéo).
II.3.2.2. Les Mémoires RAM :
Elles sont des mémoires dans lesquelles on peut écrire ou lire des données en un temps très
court (ce n’est pas le cas des ROM). Cependant ces mémoires ne sont pas permanentes donc
volatiles une fois la tension d’alimentation coupée. Elles sont utilisées pour stocker
temporairement des programmes et des données au cours de l’exécution d’un programme. On
distingue deux types RAM : SRAM et DRAM :
i) SRAM : Elles sont des mémoires qui gardent leur contenu en utilisant des transistors. Dans
une mémoire RAM statique, chaque bit d'information est mémorisé dans une bascule à
transistors qui nécessite au moins deux transistors. En réalité, pour que cette bascule soit
adressable, le schéma de chaque cellule mémoire se complique un peu et se présente comme
indiquée dans Figure II-4

Figure II-4: Structure d’une cellule de RAM statique.

Les transistors T3, T4, T5 et T6 forment la bascule ; le transistor T1 sert à sélectionner la

mémoire pour y écrire une donnée, alors que le transistor T2 sert à sélectionner la cellule pour
lire son contenu. Ce ne sont donc pas deux mais six transistors qui sont nécessaires pour stocker
un bit. Les constructeurs ont alors pensé à réduire le nombre de transistors d'une cellule mémoire
de façon à pouvoir en intégrer un plus grand nombre sur une même surface. Ils ont alors imaginé
les RAM dynamiques.
ii) DRAM : Elles sont des mémoires qui stockent leurs contenus sous formes des charges dans
des petits condensateurs . Une cellule de DRAM est donc très simple, ce qui permet la
construction de très grandes mémoires à bas prix. Cependant, le condensateur se décharge avec
le temps et l'information est perdue si la charge n'est pas rafraichie périodiquement
(Rafraichissement 2 à 10 ms). Leurs avantages sur les SRAM est leur grande capacité et la faible
consommation, mais les SRAM sont beaucoup plus rapides. Le schéma d'une cellule
élémentaire de RAM dynamique se résume à celui représenté par Figure II-5:

Dr. A LATI Page 28

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

Figure II-5: Structure d’une cellule de RAM dynamique.

Elle est constituée d'un transistor MOS et du condensateur de mémorisation C qui est en réalité
la capacité parasite du transistor. La résistance R en série dans le circuit drain est en réalité
constituée par un second transistor MOS dont la grille et la source sont reliées comme le montre
la figure 5-b. Une cellule de mémoire RAM dynamique nécessite donc en réalité deux
transistors, soit trois fois moins qu'une cellule de mémoire RAM statique. Cette simplicité
permet d'atteindre des densités d'intégration assez élevées sur les surfaces restreintes.

II.4. Méthodes d'accès au Mémoires

On distingue généralement les modes suivantes pour accès aux données stockées en mémoire :
o Accès séquentiel : Le temps d’accès est lent parce que pour accéder à une information on
doit parcourir toutes les informations précédentes. (Exp: bandes magnétiques)
o Accès direct : Pour accéder à une information, chaque information a une adresse propre.
Donc ; on peut accéder directement à chaque adresse (Exp : mémoire centrale).
o Accès semi-séquentiel : Il est Intermédiaire entre séquentiel et direct. (Exp : disque dur ;
puisque l’accès est direct au cylindre et séquentiel au secteur sur un cylindre.
o Accès associatif/par le contenu : Chaque information est identifiée par une clé, donc on
accède à une information via sa clé (Exp : mémoire cache).
II.5. Organisation Générale de Mémoire
Avec une adresse de n bits il est possible de référencer au plus 2n cases mémoire.
Chaque case est remplie par un mot de données (sa longueur m est toujours une puissance de 2).
Le nombre de fils d’adresses d’un boîtier mémoire définit donc le nombre de cases mémoire que
comprend le boîtier. Le nombre de fils de données définit la taille des données que l’on peut
sauvegarder dans chaque case mémoire. En plus du bus d’adresses et du bus de données, un
boîtier mémoire comprend une entrée de commande qui permet de définir le type d’action que

Dr. A LATI Page 29

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

l’on effectue avec la mémoire (lecture/écriture) et une entrée de sélection qui permet de
mettre les entrées/sorties du boîtier en haute impédance.
On peut donc schématiser un circuit mémoire par la figure 6 où l’on peut distinguer :
1. Une ou plusieurs broches pour les données (nommées généralement D0, D1,···,Dk−1).
2. Un bus d’adresses. La capacité de la mémoire doit être égale à 2 largeur du bus (A0, A1,···,AN-1).
3. Une ou plusieurs broches pour sélectionner le boıtier. Ces broches sont généralement
nommées CS0,CS1,··· (Chip Select) ou bien CE0,CE1,···(Chip Enable). Si le boıtier n’est pas
sélectionné, le bus de données reste à l’état haut impédance.
4. Des broches de commande comme par exemple l’autorisation de lecture ou d’écriture. Ce
signal peut exister sous la forme d’une seule broche, le signal de lecture/écriture R/ ̅
(Read/Write) qui vaut 1 en lecture et 0 en écriture, ou bien de deux broches, le signal d’écriture
WE (Write Enable) et le signal d’autorisation de lecture ̅̅̅̅ (Output Enable).

Figure II-6: schéma générale d'une mémoire.

La structure interne d’une mémoire est composée de trois parties. Les circuits d’entrées-sorties et
de contrôle (buffer d’entrées et de sorties, gestion de la sélection du boıtier et gestion des
opérations de lecture/ écriture), le décodeur d’adresses (qui permet à partir de l’adresse de
sélectionner la bonne case mémoire) et la zone de stockage proprement dite (ou sont
effectivement stockées les informations binaires).

En fait, quand la capacité augmente le nombre de portes utilisées pour réaliser le décodeur
devient beaucoup trop élevé. On utilise donc, une organisation matricielle pour ranger les
éléments de stockage et deux décodeurs d’adresses : un décodeur de lignes et un autre de
colonnes. Les drivers sont des éléments qui gardent la stabilité des tensions et des courants.
Cependant, en informatique, on représente une mémoire comme suit (voir Figure II-7):

Dr. A LATI Page 30

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

Figure II-7: Exemple de mémorisation en informatique.

Le contenu (c’est la donnée) de la premier mémoire (gauche) est en 4 bits avec une adresse sur 8
bits. La donnée de la deuxième mémoire (droite) est en 8 bits avec une adresse sur 16 bits. Avec
8 bits, on peut adresser 256 cases mémoires (00 =⇒FF). Avec 16 bits, on peut adresser 65536
cases mémoires (0000 =⇒FFFF).
10
Par exemple, si on considère une mémoire qui a 1 K mots de 4 bits : 2 ×4 = 1024×4 = 4096
points mémoires =⇒ Besoin de 10 lignes d’adresse : 5 lignes et 5 colonnes.
Donc, la mémoire contient : 10 lignes adresses, 8 données (4 pour entrer les données et 4 pour
sortir les données), 3 commandes, 1 pour l’alimentation (Vcc), 1 pour la masse (GND) et 1 pour
le la sélection (CS)=⇒24 pins. La figure 9 schématisée la structure de ce boitier mémoire.

Figure II-8: Structure d’une mémoire 1 k mot de 4 bits.

Si la lecture et l’écriture sont commandes avec le même signal W/ ̅ (0 : écriture, 1 : lecture) et

si on fait des lignes de données bidirectionnelles on n’aura que : 10 (lignes d’adresse) + 4
(données bidirectionnelles) + 2 (Vcc, GND) + 2 (CS,W/ ̅ ) = 18 pins (on néglige CK).

Dr. A LATI Page 31

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

II.6. Assemblage des mémoires

Pour augmenter la taille ou la capacité mémoire on assemble plusieurs boitiers mémoires :
II.6.1. Expansion en capacité
On souhaite réaliser une mémoire de (Z) K mots à partir de mémoire 1 K mot. Il faut monter en
parallèle Z boıtiers avec les lignes d’adresses A0-A9et le signal d’autorisation de lecture/ écriture
mis en commun. Par exemple, si Z = 3, on besoin des trois boıtiers mémoires (voir Figure II-9).

Figure II-9: Associer des boıtiers des mémoires en verticale.

L’entrée de sélection CS (actif à 0) est issue d’un décodeur d’adresses qui fournit une zone
d’adresses de 1K différente pour chaque boıtier selon le tableau suivant :

Pour une case mémoire donnée, on active le CS de la mémoire concerné =⇒ nécessite d’une
logique de commande de CS. Cependant, A10 et A11 permettent de sélectionner les boıtiers
mémoires (1, 2 ou 3). Si on utilise un décodeur 2 vers 4 avec sortie active à 0 et on suppose que
M1=M2=M3 = 1K mots×8 bits (8 lignes de données), le câblage est donc (Voir Figure II-10):

Figure II-10: Mémoire de 3K octets à partir de mémoire de 1K octets.

Dr. A LATI Page 32

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

 Remarque : Les mémoires 3K mots, 5K mots n’existe pas comme circuit intégré mais
comme plan mémoire (Association des boıtiers des mémoires en verticale).
II.6.2. Expansion en taille du mot
La largeur du bus de données est généralement de 4, 8, 16, 32 ou 64 bits ce qui ne correspond
pas forcement à la largeur du mot de données des mémoires disponibles. Si on veut augmenter la
taille du mot d’une mémoire, il faut mettre en parallèle un certain nombre de boıtiers, les signaux
d’adresses, de sélection et de lecture/ écriture étant mis en commun. La largeur du mot est alors
égale au nombre de bits de données de la mémoire utilisée multiplié par le nombre de boıtiers
mis en parallèle. Figure II-11 réalise une mémoire 1K×12 bits avec 3 boıtiers 1K×4 bits.

Figure II-11: Mémoire de 1K mots de 12 bits à partir de mémoire de 1K mots de 4 bits.

o Remarque : Les deux types d’expansion peuvent être utilisés simultanément pour
étendre la capacité et la largeur du mot.

II.7. Hiérarchie des mémoires

Le but de l’informatique étant de traiter des informations, il nous faut stocker ces informations et
les programmes qui les manipulent sur divers types des mémoires. Il en existe de plusieurs types
qui se distinguent par leur mode d’enregistrement (électronique, magnétique, optique), leur
capacité, leur rapidité, le fait qu’elles soient volatiles ou non, leur prix, la densité d’information
et la manière d’y accéder.
En effet, une mémoire idéale serait une mémoire de grande capacité, capable de stocker un
maximum d’informations et possédant un temps d’accès très faible afin de pouvoir travailler
rapidement sur ces informations. Afin d’obtenir le meilleur compromis cout-performance, une
hiérarchie mémoire est donc définie (Voir Figure II-12).

Dr. A LATI Page 33

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

Figure II-12: Hiérarchie des mémoires.

Cependant, on utilise des mémoires de faible capacité mais très rapide pour stocker les
informations dont le microprocesseur se sert le plus et on utilise des mémoires de capacité
importante mais beaucoup plus lente pour stocker les informations dont le microprocesseur se
sert le moins.

Dr. A LATI Page 34

Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

II.8. Exercices Résolus :

Exercice 1 :
Un PC possède un écran de résolution 1280 × 1024 pixels capable d’afficher 65 536 couleurs.
Quelle est la taille de la mémoire (en mégaoctets) occupée par une page d'écran?

Solution d’Exercice 1 :
 Il y’a 65536 possibilités par pixel⇒ log2(65536) = log2(216) = ln (65536)/ln(2)=16
⇒ Il faut 16 bits (i.e., 2 octets) pour coder chaque pixel.
Nombre totale de pixel dans l’écran est 1280×1024 = 1310720 pixels.
Nombre totale de bit dans l’écran est = 1280×1024×16= 20971520 bits.
 La taille de la mémoire (en mégaoctets) occupée par une page d'écran :
Nombre totale de octets dans l’écran est = 20971520 bits/(8 bit)= 2621440 octets ⇒
2621440 octets /(220)= 2.5 Mo.⇒ Il faut 2.5 Mo pour représenter le contenu d’une page´ écran.

Exercice 2 :
Soit une mémoire à la capacité de 16 k × 32.
1- Donner le nombre de bits pour chaque mot.
2- Indiquer le nombre de mots qu’elle peut stoker.
3- Donner le nombre de cellules (cases) contenues dans la mémoire.
4- Indiquer le nombre total d’adresses différentes.

Solution d’Exercice 2:
Pour une mémoire à la capacité de 16 k × 32.
1- Le nombre de bits pour chaque mot est donné 32 bits.
2- Le nombre de mots qu’elle peut stoker est = 16× 210=16 ×1024 = 16384 mots de 32 bits.
3- Le nombre de cellules contenues dans la mémoire est = 16384×32 = 524 288 bits (cases).
4- Le nombre total d’adresses différentes est 16× 210 = 16384 adresses différentes.

Exercice 3 :
Une mémoire stocke 8 K mots de 16 bits.
1- Combien de lignes de sortie de données et de lignes d’adresses doit-elle comporter?
2- Quelle est sa capacité en octets?

Solution d’Exercice 3:

Dr. A LATI Page 35

 Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

Une mémoire stocke 8 K mots de 16 bits.

1-- A) Le nombre de lignes de sortie de données est 16 lignes.
B) Le nombre de lignes d’adresse est = 13 lignes = ln(8×210)/ln(2).
2-- La capacité de mémoire en octets est = (8×210 × 16)/8 = 16 k octets.

Exercice 4:
On désigne une mémoire de 2K×8 bits.
1- Combien de mot peut-on mémoriser dans cette mémoire?
2- Combien de bits pourra-t-on mémoriser au total ?
3- Combien de fils d’adresse seront nécessaire?

Solution d’Exercice 4:
On désigne une mémoire de 2K×8 bits.
1- Le nombre de mot on peut mémoriser dans cette mémoire est = 2×210 =2048 mots.
2- Le nombre totale de bit de cette mémoire est = 2×210× 8= 16384 bits.
3- Le nombre de fils d’adresse seront nécessaire est = 11 = ln(2×210)/ln(2).

Exercice 5 :
On a plusieurs RAM (M1) ayant une capacité de 2 Mbits avec un bus de donnée de 4 bits, une
entrée CS et une entrée WE. On désire réaliser une RAM (M2) ayant une capacité de 4 Mbits.
Les bus de Commande et de donnée des deux RAM sont identiques.
1- Calculez la taille des bus d’adresse des deux types de RAM.
2- Quel type d’assemblage doit-on réaliser?
3- Donnez le schéma de câblage.
4- Quelle mémoire M1 est active lors de la lecture à l’adresse 51510?
5- Quelle mémoire M1 est active lors de l’écriture à l’adresse 9A84416?

Solution d’Exercice 5:
On a plusieurs RAM (M1) ayant une capacité de 2 Mbits avec un bus de donnée de 4 bits, une
entrée CS et une entrée WE. On désire réaliser une RAM (M2) ayant une capacité de 4 Mbits.
Les bus de Commande et de donnée des deux RAM sont identiques.

1- la taille des bus d’adresse des deux types de mémoire :

M1 => (2 Mbits/4) mots de 4 bits = (2 ×220 bits/22) mots de 4 bits = 219 mots de 4 bits => 19 lignes d’adresse.
M2=> (4 Mbits/4) mots de 4 bits = (22 ×220 bits/22) mots de 4 bits = 220 mots de 4 bits => 20 lignes d’adresse.
2- Les bits d’adresse pour déterminer le CS des mémoires M1 :

Dr. A LATI Page 36

 Chapitre II : Les mémoires à Semi-conducteur Matière : Systèmes à Microprocesseurs

Le type d’assemblage on doit réaliser est de mettre deux boitiers de M1 en série avec CS diffèrent via un décodeur
3- le schéma de câblage :

4- Les adresses possibles des boitiers en hexadécimale :

Adresses Binaire Adresses Hexadécimale

Boitier Début Fin Début Fin

A19 A18 ………… A0 A19 A18 ………… A0 A4 A3 A2 A1 A0 A4 A3 A2 A1 A0

B1 0 0 ……………… 0 → 0 1 ……………… 1 0 0 0 0 0 → 7 F F F F

B2 1 0 ……………… 0 → 1 1 ……………… 1 8 0 0 0 0 → F F F F F

5- L’adresse (51510) => 51510 = 00203 => B1

6- L’adresse (9A84416) => 9A84416 ==> B2

Dr. A LATI Page 37