Thème: Master Academique

N° d'ordre : …….
N° de série : …….
République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
Mémoire de Fin d'Étude

Présenté à
L’Université Echahid Hamma Lakhdar d'El Oued
Faculté de Technologie
Département de Génie Electrique
En vue de l’obtention du diplôme de
MASTER ACADEMIQUE
En Commande Electrique
Présenté par
Mr : NEZLI Soufiane
Mr : NEFTIA Abdelkrim
Thème
Réalisation d’une carte de commande
de gradateur triphasé
Soutenu le 02/06/2016. Devant le jury composé de :
Mr. ALLAG Abdelkrim Professeur Président

Mr. ZELLOUMA Laid Maitre de conférences Rapporteur
Mr. TIR Zoheir Maitre de conférences Examinateur
Année Universitaire 2015/2016

I
Dédicaces
Je désire remercier tout particulièrement ma famille notamment ma mère et mon père, qui
m'ont toujours soutenue et poussée à aller jusqu'au bout, quoiqu'il me soit difficile d'exprimer
en quelques mots toute ma gratitude et ma reconnaissance. Ma pensée va également
À mes frères et sœurs, mes camarades de travail, et a tous mes chers amis et mes collègues de
l’Université d’el Oued et Ouargla
Enfin, je remercie du fond du cœur ma femme et mes enfants,
NEZLI SOUFIANE
II
Dédicaces
Je désire remercier tout particulièrement ma famille notamment ma mère et mon père, qui
m'ont toujours soutenue et poussée à aller jusqu'au bout, quoiqu'il me soit difficile d'exprimer
en quelques mots toute ma gratitude et ma reconnaissance. Ma pensée va également
À mes frères et sœurs, mes camarades de travail, et a tous mes chers amis et mes collègues de
l’Université d’el Oued
Enfin, je remercie du fond du cœur ma femme et mes enfants,
NEFTIA Abdelkrim
III
Remerciements
Avant tout, on commence par des

remerciements à Allah.
Nous tenons d’abord à exprimer notre sincère

gratitude à notre encadreur : Mr Zellouma Laid
qui a eu la gentillesse d’avoir proposé, suivi et
dirigé ce travail ; nous tenons à lui exprimer notre
reconnaissance pour les nombreuses aides,
propositions et discussions, que nous avons eues.
Nos remerciements aussi au chef du département

d’Electrotechnique.
Nous tenons à remercier aussi tous les

enseignants du département Electrotechnique
qui nous ont pris en charge durant notre études
en deuxième année master, ainsi que celles et
ceux qui ont contribué de près ou de loin à la
réalisation de ce modeste travail.
Enfin nous tenons à remercier l’ensemble du
personnel du département de Génie Electrique.
On remercie aussi ceux qui ont contribué à ce
travail.
IV
Table des matières

Dédicaces I
Remerciements III
Résumé IV
Introduction générale …………………………………………………...........1
CHAPITRE I
LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES
1.1-Généralité……………………………………………………………….. ….2
1.2-Diode………………………………………………………… ………….….2
1-2-1 Principe de fonctionnement…..................................................................2
1-2-2 Caractéristique statique d’une diode…………………………… 2
1 . 3 - Le thyristor…………………………………………………………....3
1-3-1 Principe de fonctionnement……………………………………………..3
1-3-2 Caractéristique statique…………………………………… ….4
1.4 Le thyristor GTO………………………………………………………4
1-4-1 Principe de fonctionnement………………………………………………4
1.5 Le transistor bipolaire………………………………………………… ..5
1-5-1 Caractéristiques du transistor NPN….......................................5
1.6 Le transistor MOSFET……………………………………………… …6
1-6-1 Principe de fonctionnement…………………………………………… …6
1.7 Le transistor IGBT………………………………………………… …7

V
CHAPITRE II
LES GRADATEURS
2.1-Introduction…………………………………………………………………....8
2.2-Les gradateurs…………………………………………………………… ..….8
2.2.1 Gradateur monophasé...................................................................................9
2.2.2 Techniques de Commande du Gradateur Monophasé…………………….…9
2.2.2.1. Gradateur à Commande par Train d’Ondes (ON-OFF)…………..9
2.2.2.2. Gradateur à Commande par Angle de Phase……………… ……10
2.2.3 Gradateur triphasé……………………………..………………. …..12
2.3. Résultats de Simulation par MATLAB………………………………………… …..13
CHAPITRE III
COMMANDE DE GACHETTE DU THYRISTOR
2.1-Généralité………………………………………………………………...….16
3.2 Commande non-linéaire……………………………………………………16

3.3 Amplificateur d’impulsion…………………………………………………18
3.4 Transformateur d’impulsion………………………………………………19

3.5 Circuit de commande de gâchette…………………………………………21
CHAPITRE IV
CONCEPTION DE CIRCUIT DE COMMANDE
4.1-Introduction………………………………………………………… …….23
4-2 Les Transformateurs ………………………………………………………………….23
4-3 Le Limiteur ……………………………………………………………………………………………………………..25
4-4 Le Comparateur ………………………………………………………………………………………………… 26

VI
4-5 Le Monostable MC14538BCL………………………………………… …….27
4-5-1 Définition ……………………………………………………………………27
4-5-2 Principe de fonctionnement ………………………………………………..27
4-6 La porte logique « OU »………………………………………………………………28
4-7 : Circuit d’amplification et d’isolation galvanique……………………...28

4-7-1 Analyse………………………………………………………….…..28
4-7-2 Etude du montage………………………………………….……...29
4-7-2-a) Amplificateur de courant……………………………29
4-7-2-b) Transformateur d’impulsion………………………………29
4.8 Alimentation stabilisée…………………………………………… …..30
CHAPITRE V
TESTS ET RESULTATS
5.1-Introduction………………………………………………………………….32
5.2 La carte de commande réalisée……………………….……………………32
5.2 Tests et relèves des signaux du circuit de commande……………………33
5.3 Conclusion………………………………………………………………….36
Conclusion générale………………………………………………………………37
Bibliographie………………………………………………………………………V
Annexe………………………………………………………………………… VI
IV
Résumé
L’objectif principal de ce projet est la réalisation d’une carte de commande pour un
gradateur triphasé à commande non linéaire, permet de générer des impulsions qui
agissent sur le circuit de puissance. Cette carte se compose principalement de :
transformateurs, comparateurs, monostable, amplificateurs et transformateurs
d’isolement. Ces impulsions sont déphasées par un angle équilibré, pour un meilleur
fonctionnement du circuit de puissance.
Mots-clés :
Semi-conducteur, Commande non linéaire, Techniques de commande, Monostable,
transformateur d’impulsion, Gradateur triphasé
INTRODUCTION GENERALE
Introduction générale
Dans cette mémoire, nous décrivons les principales étapes de ce travail concernant la
réalisation d’une carte à base des composants électronique pour une commande analogique
dédiée à différents types des gradateurs triphasés à thyristors.
L’objectif principal de ce travail est de réaliser un circuit électronique pour commander

les gradateurs triphasés, une nouvelle carte pour les laboratoires d’électronique de
puissance, et ainsi satisfaire le besoin d’un déclencheur pour convertisseur AC-AC
commandé,
Ce projet consiste donc à réaliser une carte de commande d’un gradateur triphasé basé
sur, qui permet l’amorçage des thyristors d’un convertisseur alternatif-alternatif, et
ainsi servir de générateur d’impulsions synchronisés sur le réseau pour le déclenchement
des thyristors d’un pont gradateur triphasé à six thyristors,
Notre travail consiste à l’étude et la réalisation d’une carte de commande pour gradateur
triphasé, est organisé de la manière suivante :
 Le premier chapitre sera consacré aux gradateurs
 Le chapitre deux sera consacré à la simulation du gradateur triphasé
 Le chapitre trois exposera la conception de circuit de commande
 Le chapitre quatre traitera les résultats pratique
1
CHAPITRE I
LES COMPOSANTS
ELECTRONIQUES
Chapitre I Les composants électroniques
1-1 Généralité :
Le fonctionnement des convertisseurs statiques de puissance est basé sur la commutation de
courant entre mailles adjacentes des circuits électriques, l’élément de base sera donc un
interrupteur destiné à assurer l’ouverture ou la fermeture du circuit. Les éléments utilisées
sont des dispositifs statiques à semi-conducteurs tel que : diodes, transistors, thyristors, etc
1-2 La Diode :
La diode est le composant à semi-conducteur le plus simple. Son usage est répandu aussi
bien en électronique de signal qu’en électronique de puissance. Sa représentation
symbolique est donnée sur la figure 1.1 [12]
1-2-1 Principe de fonctionnement
En simplifiant, on peut dire qu’une diode laisse passer le courant lorsqu’elle est branchée
en polarisation directe (tension positive sur l’anode) et qu’elle bloque le passage du courant
lorsque la polarisation est inverse (tension positive sur la cathode), comme le montre la figure
1.2. [12]
Figure 1.1 – Représentation symbolique d’une diode
1-2-2 Caractéristique statique d’une diode
Figure 1.2 – a : Caractéristique idéale - b : caractéristique réelle
2
1.3 Le thyristor
Le thyristor est un élément semi-conducteur qui possèdent quatre couches respec-
tivement dopé PNPN, trois jonctions PN et trois électrodes : l’Anode (A), la cathode
(K) et la gâchette (G). Comme la diode, le thyristor laisse passer le courant électrique
dans un seul sens, de l’anode vers la cathode.[1]
Mais le thyristor ne conduira que si un courant minimum positif est fourni à la gâ-
chette. En fait, s’il est polarisé en direct (VAK = 0), une impulsion positive suffira
pour le rendre conducteur. C’est donc une diode commandée et plus spécifiquement
un redresseur commandé, d’ou son nom anglais ’ Silicon Controlled Rectifier ’ (SCR),
ce qui signifie (Redresseur commandé au silicium)[2].
La figure 1.3 donne la représentation symbolique d’un t hyristor.
Figure 1.3 – Représentation symbolique d’un

thyristor
1-3-1-a Amorçage
L’amorçage d’un thyristor est obtenu par différents phénomènes physiques, dans tous
les cas l’amorçage rend le thyristor conducteur e t un courant circule de l’anode vers
la cathode (IAK 0). La tension VAK est alors faible, environ de l’ordre de
quelques dixièmes de volts. Il est à noter que pour le thyristor reste conducteur, son
courant d’anode IAK doit rester supérieur à une certaine valeur appelé courant de
maintien. [10].
1-3-1-b Blocage
Sous tension inverse, la tension anode cathode notée VAK est négative, la première
et la dernière jonction sont polarisées en inverse et donc bloquées, le courant de
fuite a une intensité très faible en raison des différences de dopage entre les couches.
C’est la jonction d’anode qui supporte la plus grande partie de la tension inverse.
Pour bloquer un thyristor il suffit de lui imposer une tension VAK négative, alors
même une impulsion positive appliquée sur la gâchette ne pourra l’amorcer.
3
1-3-2 Caractéristique statique

La caractéristique statique réelle d’un thyristor est représentée sur la f igure
1.4
Figure 1.4 – Caractéristique statique r é el l e d’un thyristor
I.4 Le thyristor GTO

Le thyristor GTO (Gate Turn Off) est une évolution du thyristor classique qui
la propriété de pouvoir être bloqué à l’aide de la gâchette, contrairement aux
thyristors classique [3]. Il est utilisé pour les commutations des fortes puissances, avec
des tensions de 2500 V, 4500 V, et 6000 V et des courants de 600 A à 6000 A environ
[3].
Figure 1.5 – Deux symboles différent un peu au niveau de la gâchette
1-4-1-a Amorçage
Un GTO s’amorce par la gâchette, avec VAK 0 comme pour un thyristor. La com-
mande de l’amorçage par la gâchette doit être énergique et donc le courant de gâchette
peut être de quelques ampères. Une fois la conduction amorcée, elle se maintient, et
la gâchette doi t être alimentée de manière permanente par un courant IG . Ce courant
permet de réduire la chute de tension directe à l’état passant aux bornes du GTO.
4
1-4-1-b Blocage
Le blocage du thyristor GTO peut se faire de deux façons :
- par interruption naturelle du courant principal IAK , ce qui se produit par exemple à
chaque alternance s’il est utilisé sous tension alternative ;
- par extraction du courant au niveau du circuit de gâchette, obtenue par appli-
cation d’une tension négative sur la gâchette, par un circuit appelé "extracteur de
charges". En effet, l’application d’une tension négative VGK fait apparaître un courant
de gâchette négatif bloquant le GTO.
Cette phase d’extinction forcée doit impérativement être terminée avant de
commander à nouveau le passage vers l’état passant, sinon il y a risque de destruction
du composant. Il y a donc un temps minimal de blocage (typiquement 100 µs), ce
qui est à l’origine de la limitation en fréquence de commutation du GTO.
I.5 Le transistor bipolaire
Ce sont les composants les plus répandus. On les nomme souvent simplement transistors,
sans autre qualificatif. Bien que le principe du transistor à effet de champ soit connu depuis
plus longtemps que celui du transistor bipolaire, c’est ce dernier qui a fait l’objet des
premières réalisations. Issu des recherches menées pendant la seconde guerre mondiale, le
transistor est apparu en 1948. Un transistor est formé d’un barreau de semi-conducteur dans
lequel on a créé deux jonctions. On obtient ainsi trois zones dopées de façons différentes.
Deux variantes apparaissent suivant la nature des dopages (P ou N) : le transistor NPN et le
transistor PNP (figure 1.6).[12]
1-5-1 Caractéristiques du transistor NPN
Pour débloquer (rendre passant) le transistor, il faut que la jonction base-émetteur
soit polarisée en direct avec une tension supérieure à la tension de seuil, VS de cette
jonction (figure 1.7.a)[3].
5
Figure 1.6 – Représentation symbolique des transistors NPN et

PNP
Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant des électrons peut traverser
cette jonction, dans ce cas le courant de collecteur IC est indépendant de la tenson
collecteur/émetteur VCE (régime linéaire : (IC = β.IB )).
Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit a la tension VC Esat (sat
pour saturation), le courant IC n’est proportionnel à IB . (Figure 1.7.b) [3].
Figure 1.7 – Caractéristiques du transistor NPN
I.6 Le transistor MOSFET

La technologie CMOS est la plus utilisée pour la conception de circuits intégrés de masse
du fait de sa forte intégration et de son faible coût de fabrication. La diminution de la taille
des transistors lui permet par ailleurs de fonctionner à des fréquences très élevées ou à des
très faibles consommations. Dans ce chapitre, nous présentons le fonctionnement du
transistor MOS, en statique et en dynamique à partir du modèle EKV . Les principes de
normalisation du transistor sont ensuite décrits. Cette normalisation a notamment pour
objectif de rendre la modélisation du transistor indépendant de sa taille et de la
technologie. Enfin les méthodes d’extraction des paramètres indispensables à la description
et la normalisation du transistor MOS sont exposées. [13]
6

Le transistor MOSFET est commandé par une tension VGE qui lorsqu’elle devient
suffisamment grande VGE >Vth provoque l’établissement d’un courant entre le drain
et la source. Le mode de fonctionnement dépend alors de la tension VDS , donc de la
polarisation. Le transistor MOSFET ne consomme pas d’énergie s̀ur son circuit de
commande, le courant de gâchette étant nul IG =0.
Figure 1.8 – Représentation symbolique et caractéristique d’un MOSFET
I.7 Le transistor IGBT
Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est un transistor bipolaire à

commande par effet de champ. Dans le même composant il réunit les avantages :
- du transistor bipolaire (chute de tension faible à l’état passant, tension directe

blocable élevée)
- du transistor MOS (commande en tension, vitesse de commutation levée).
En effet, coté commande, entre la grille G et l’émetteur E, il équivaut exactement à
un MOS ; coté commandé, entre collecteur C et émetteur E, il équivaut sensiblement
à un bipolaire à jonction [3].
Figure 1.9 – Représentation symbolique et caractéristique d’un IGBT
7
CHAPITRE II
LES GRADATEURS
Chapitre II Les Gradateurs
2.1 Introduction
Les convertisseurs statiques qui sont basés sur l’utilisation des semi-conducteurs jouant le rôle
d’interrupteurs qui s’ouvrent et se ferment suivant une cadence déterminée. Souvent, il leur est
demandé de s’ouvrir alors qu’ils sont conducteurs, autrement dit, d’effectuer des commutations de
courant. La commutation d’un courant est son transfert d’une voie à une autre. En pratique, la difficulté
d’une commutation est liée à la disparition du courant dans la voie à ouvrir surtout, évidemment, si
cette voie est inductive. Aussi, c’est par rapport aux commutations (à l’ouverture) que l’on classe les
convertisseurs. On distingue deux types de commutations :
La commutation naturelle : La commutation est naturelle, quand l’extinction du courant dans la voie à
ouvrir ne nécessite pas l’action spécifique sur le semi-conducteur fermant cette voie.
L’ouverture se passe naturellement :
-Soit parce que le courant s’éteint de lui-même ;
-Soit parce que la phase de fonctionnement suivante provoque automatiquement cette extinction.
La commutation forcée : La commutation est forcée, quand le courant dans un semi-conducteur à
fermeture commandée ne s’éteint ni de lui-même, ni du fait du blocage du semi-conducteur suivant.
L’extinction nécessite une action spécifique :
-Soit une action sur son électrode de commande, s’il s’agit d’un composant à fermeture et ouverture
commandées (BJT, MOSFET, IGBT, thyristor GTO…etc);
- Soit l’addition d’un circuit auxiliaire de commutation, si le composant ne peut être commandé qu’à
la fermeture (thyristor classique). Ce circuit auxiliaire est aussi appelé circuit d’extinction ou circuit
de soufflage. [1]
2.2 L e s Gradateurs
Le gradateur est un convertisseur qui permet de convertir une tension alternative sinusoïdale à
fréquence fixe et de valeur efficace constante en une tension alternative de valeur efficace réglable.
[4]
8
2.2.1 Gradateur monophasé

La structure monophasée est constituée par deux thyristors Th1 et Th2 connectés en
parallèle inverse, placés entre la source de tension et le récepteur (figure 2.1). Nous considérons
que le récepteur du convertisseur possède un caractère passif de type résistif- inductif, ce qui
nous permettra d’utiliser comme schéma équivalent une résistance en série avec une bobine.
Les indices « s » et « ch » des grandeurs et des paramètres du système correspondent
respectivement à l’entrée (Source) et à la sortie (Charge) du convertisseur. [1]
Figure 2.1. Structure du gradateur monophasé.
2.2.2. Techniques de Commande du Gradateur Monophasé

Pour le transfert de l’énergie, deux types de commande sont habituellement utilisés pour
la topologie de la figure 2.1. Ces deux types de commande sont :
1. La commande par train d’ondes (ON-OFF) : Dans cette technique, des cycles complets de
conduction de la source sont suivis de cycles complets d’extinction.
2. La commande par angle de phase : Dans cette technique, les thyristors connectent le
récepteur à la source AC pendant une portion de chaque cycle de la tension d’entrée.
2.2.2.1. Gradateur à Commande par Train d’Ondes (ON-OFF)

Le convertisseur connecte la source AC au récepteur pendant un nombre entier de cycles
ρ pour qu’elle soit ensuite déconnectée à l’aide d’un système inhibition des impulsions des
gâchettes des thyristors pendant ρ’cycles. La période de fonctionnement est donc égale à
2π.(ρ+ρ’)/ω. pour la première période de fonctionnement, les thyristors sont amorcés à zéro
degré (0°), c'est-à-dire : Th1 est débloqué pour θ=0, 2π, …( ρ -1).2π et Th2 pour θ= π, 3π, …(2
ρ -1).π [70].
9
Les formes d’ondes des tensions d’entrée et de sortie du convertisseur, ainsi que la forme
d’onde du courant de sortie et les impulsions de commande des thyristors Th1 et Th2 sont
représentées sur la figure 2.2.
Figure 2.2. Formes d’ondes des tensions et du courant du gradateur monophasé à commande
ON-OFF.
2.2.2.2. Gradateur à Commande par Angle de Phase

Pour régler le courant dans le récepteur, on retarde l’amorçage des thyristors. Pour que
la valeur moyenne du courant soit nulle, il faut que les signaux de commande soient envoyés
successivement sur Th1, puis sur Th2, toutes les demi-périodes.
Si l’impulsion de commande du thyristor Th1 est envoyée après un retard angulaire α
par rapport à l’annulation par valeur croissante de la tension de source, celle du thyristor Th2
est alors envoyée après un retard (π+α).
Si l’on peut par la commande, choisir l’instant d’enclenchement d’un thyristor,

l’instant de son extinction ne dépend que des caractéristiques du récepteur.
Si on considère que la source d’alimentation est parfaite et les thyristors sont aussi
supposés parfaits. Pour un récepteur de type inductif (charge R-L), d’après la figure 4.1, si on
ferme le thyristor Th1 à θ=α.
10
Selon l’angle d’amorçage des thyristors α et l’angle naturel de la charge φch ,

il existe trois cas possibles pour le fonctionnement du gradateur .
- Cas 1 : Lorsque α=φch , chaque thyristor conduit une demi-période, le gradateur
fonctionne à pleine onde.
- Cas 2 : Lorsque α>φch, le courant qui traverse le premier thyristor devient nul avant
la mise en marche du deuxième thyristor. Dans ce cas, en faisant varie α de π à φch,
on règle Vch de 0 à VS.
- Cas 3 : Lorsque α<φch, dans ce cas, deux modes de fonctionnement sont possibles
suivant le type de commande choisie, soit :
a) Une commande au moyen des impulsions uniques de
courte durée :
Pour ce type de commande, si on suppose que Th1 est le premier thyristor

qui reçoit l’impulsion de commande sur sa gâchette et devient conducteur à l’instant
α. Donc, à l’instant π+α le courant qui le traverse n’est pas encore nul. Dans ce cas
Th2 rate l’amorçage et seul le thyristor Th1 peut être amorcé et le montage fonctionne
d’une manière anormale. Ce montage ne joue pas le rôle d’un gradateur et il
fonctionne en redresseur mono-alternance. Donc, ce mode ne présente aucun intérêt.
b) Une commande au moyen des impulsions de larges durées ou de train
d’impulsions :
Dans ce mode, les signaux d’amorçage sont encore appliqués au thyristor

Th2 à l’instant de blocage du thyristor Th1 (iTh1=0). Dans ce cas, on aura un
fonctionnement à pleine onde.
Le réglage de courant dans le récepteur n’est donc possible que pour α>φch.
Pour cette condition, on représente sur la figure 2.3 les formes d’ondes des tensions
de source et de charge et du courant de charge d’un gradateur monophasé débitant sur
une charge inductive.
11
Figure 2.3. Formes d’ondes de vs(t), vch(t) et ich(t).

2.2.3 Gradateur triphasé
La conversion AC/AC à commutation naturelle peut aussi s’élargir en triphasé
surtout pour les applications qui nécessitent une forte puissance. Il existe cependant,
une variété de configurations des gradateurs triphasés suivant le branchement des
thyristors et du récepteur. On trouve le plus souvent les trois montages possibles :
Fig 2.4. Gradateur triphasé tout thyristors

en étoile. Fig 2.5. Gradateur triphasé en triangle
Figure 2.6. Gradateur triphasé mixte en étoile.
12
2.3. Résultats de Simulation par MATLAB

Dans cette section, nous allons présenter les différents résultats de simulation obtenus,
Nous avons effectués les simulations sur le gradateur triphasé et monophasé avec des
différentes charges (R, RL) et différents angles d’amorçages (30°,90° et 120°)
Figure (2.7) Allures de tension et courant d’un gradateur monophasé avec charge R et
angle d’amorçage 30°
Figure (2.8) Allures de tension et courant d’un gradateur monophasé avec charge RL et
angle d’amorçage 30°
13
Figure (2.9) Allures de tension et courant d’un gradateur triphasé avec charge R et angle
d’amorçage 30°
Figure (2.10) Allures de tension et courant d’un gradateur triphasé avec charge RL et angle
d’amorçage 30°
d’amorçage 90°
14
d’amorçage 90°
d’amorçage 120°
d’amorçage 120°
15
CHAPITRE III
COMMANDE DE GACHETTE
DU THYRISTOR
Chapitre III Commande de gâchette du thyristor
3.1 Généralités
Pour allumer les thyristors des convertisseurs il est nécessaire d’appliquer des
impulsions aux gâchettes. Ces impulsions doivent avoir un certain angle de retard
d’allumage par rapport au point d’intersection des tensions alternatives
alimentant les convertisseurs. [7][11]
Il est indispensable de pouvoir faire varier cet angle de retard d’allumage à l’aide
d’une tension de commande continue. La relation entre et définit deux
types de commande [9] :
- commande linéaire ; on utilise la comparaison entre une tension de référence en
dent de scie synchronisé avec les tensions alternatifs alimentant le convertisseur et
une tension de commande continue . L’angle de retard à l’allumage est
obtenu par la relation
- commande non-linéaire ; on utilise la comparaison entre une tension de référence
sinusoïdale et une tension de commande continue . L’angle de retard à
l’allumage est obtenu par la relation
Avec = 0 si
Et = si et tension en dent de scie
3.2 Commande non-linéaire
Le dispositif de la commande de gâchette comprend les parties essentielles

suivantes [9] ( voir Fig 3-1);
Figure 3-1 parties essentielles de la commande non linéaire
16
a. Le bloc1, PROD c’est un circuit intégré permettant le décalage de la

tension d’entrée sinusoïdale de 90 degré pour obtenir une tension
b. Le bloc2 c’est un comparateur qui compare la tension par rapport à la
tension de commande pour obtenir une tension sinusoïdale décalée
verticalement -
c. Le bloc3 c’est une bascule de Schmitt qui convertit la tension - en
une tension rectangulaire. Ainsi on obtient une tension à front montant déphasé
par rapport au passage par la valeur crête de la tension
d. Le bloc4 c’est un monostable agissant sur front montant pour donner des
impulsions sous forme de signal logique. Il détermine alors la durée des impulsions
d’allumage.
Ces dernières ont la même fréquence que la tension de référence et décalées de
l’ange par rapport au passage par la valeur crête de la tension
e. Le bloc5 c’est un amplificateur qui a pour rôle d’amplifier les impulsions
faibles obtenue à la sortie du monostable. Cette amplification garantie
l’amorçage des thyristors
f. Le bloc6 c’est un transformateur d’impulsion.
Il permet un isolement galvanique entre le circuit de commande et la
gâchette d’un thyristor
17
La Fig 3-2 montre la forme des différents signaux obtenus
Figure 3-2 la forme des différents signaux obtenues
3.3 Amplificateur d’impulsion

On utilise des amplificateurs à transistors quand on cherche à fournir à
l’organe de commande des puissances allant de 1w à quelques centaines
de watts. [11]
La figure Fig 3-3 montre un montage simple d’un amplificateur
d’impulsion.
18
Figure 3-3 Amplificateur d’impulsion
- La résistance sert à la linéarisation de la caractéristique du transistor

- La résistance sert à la limitation du courant de base en cas de saturation
du transistor.
- La charge RL est reliée en série avec le collecteur.
- Une diode en antiparallèle est souvent connecté avec la charge pour éviter des
surtensions aux bornes de L dues aux variations rapide éventuelles du courant
de charges.
3.4 Transformateur d’impulsion

Le schéma équivalent d’un transformateur rapporté au primaire est comme
suit Fig 3-4;
Figure 3.4 Schéma équivalent d’un transformateur
19
Ou :
- est la résistance rapportée au primaire
- est l’inductance de fuite rapportée au primaire
- est l’inductance principale
- est la capacité de fuite des enroulements
- est la résistance de charge
En négligeant l’effet de et et l’ord d’une variation brusque de l’entrée d’une
valeur nulle à une valeur on obtient une tension de sortie donnée par ;
Avec
L’inductance de fuite est la capacité empêchent une variation brusque de
Le transformateur d’impulsion ne permet pas la transmission d’une impulsion

d’une durée quelconque, car le circuit magnétique possède une saturation assez
prononcée. La durée maximale d’une impulsion qui peut être transmise est
donnée par ;
Ou ;
N ; nombre de spires du primaire ou secondaire (N1=N2)
S ; section su circuit magnétique en
B induction magnétique en T
On remarque que la surface tension-temps
est constante pour un transformateur donné.

Cette grandeur est l’un des caractéristiques du transformateur d’impulsion
souvent donnée en .
Si par exemple : avec , la hauteur de

l’impulsion ne doit pas dépasser 1V [8]
20
3.5 Circuit de commande de gâchette

Ce circuit est constitué d’un amplificateur et d’un transformateur d’impulsion
comme le montre la figure [9] Fig 3-5
Figure 3-5 Circuit de commande de gâchette
Le signal logique est amplifié à l’aide du transistor T. Ce dernier a deux états :

- Etat saturé pour
- Etat bloqué pour
Les différents composants sont les suivant :
 L’enroulement primaire du transformateur d’impulsion est mis en série avec le
collecteur de T.
 Une diode D1 pour éviter une surtension destructive sur T lorsqu’il est bloqué
(1)
 Une diode zéner Dz pour obtenir une décharge rapide de l’inductance(1)
 La résistance limite le courant du collecteur lord de la saturation du
transformateur.
 La résistance limite le courant de gâchette du thyristor.
 La résistance limite le courant de base du transistor
 La résistance donne une charge définit et se trouve branchée en parallèle
entre la gâchette et la cathode du thyristor
 La diode D2 bloque les imputions négatives qui peuvent se produire lords du
déclenchement du transformateur
21
CHAPITRE IV
CONCEPTION DE CIRCUIT
DE COMMANDE
Chapitre IV Conception de circuit de commande
4-1 Introduction
Dans ce chapitre, on présente la conception de circuit de commande qui permet
l’amorçage des thyristors d’un convertisseur alternatif- alternatif ou alternatif-
continu. [6]
Le chapitre présent concerne l’étude et la conception des différents circuits
nécessaire à la réalisation de la carte de commande, pour générer à sa sortie les
impulsions de commande désirée. [8]
Le circuit conçu est constitué principalement de :
 06 transformateurs 220/9 V à double sortie
 07 comparateurs
 06 mono stable
 06 amplificateurs
 06 transformateurs d’isolement (ou d’impulsions)
T1
T2
T3
T’1
T’2
T’3
Comparateur Mono stable Amplificateur Transfo d’impulsons
Figure (4-1) : Schéma synoptique du circuit de commande
4-2 Les Transformateurs :

Le rôle des transformateurs assurer une basse tension à l’entrée du circuit de
commande, ainsi que l’isolement électrique entre le réseau et le circuit de commande, et
d’obtenir une faible tension de référence, pour réaliser une concordance entre les
impulsions et la tension.
Dans notre projet, on a utilisé 03 transformateurs 220/9 V à double sortie comme présenté
sur la figure (4-2) qui explique le montage de ces transformateurs pour obtenir une
alternance de tension positive et négative pour chaque phase avec un système triphasé,
nous avons raccordé ces transfos en étoile (YY).
La valeur de tension de référence qu’on veut obtenir sa valeur max doit être inférieur à la
tension contenu, pour cette raison on a utilisé le diviseur de tension à travers 02 résistances
22
de 1,6 KΩ chaque une.

Ce montage nous a permis d’avoir 03 tensions à l’entrée (V1,V2,V3) et 06 tensions de
référence à la sortie (+KV1,+KV2,+KV3,-KV1,-KV2,-KV3), comme représenté sur la
figure (3-2).
La figure (3-4) présente le graphique des tensions d’entrées et de sorties des
transformateurs.
Fig (4-2) raccordement des transformateurs Fig (4-3) diviseur de tension
Un pont diviseur de tension est formé de deux résistances. Cet article présente de façon
simple et claire le principe et les calculs pour un pont diviseur. Le but du pont diviseur est
de fournir une tension plus petite à partir d'une tension plus grande.
Ve = tension d’entrée
Vs = tension de sortie
La tension de sortie Vs vaut : Vs = (R1/(R1+R2)) x Ve
23
Fig (4-4) Tensions d’entrée et de sortie des transformateurs
4-3 Le Limiteur :
Pour limiter l’intervalle de variation de l’angle d’impulsion α (α min, α max) par
l’intermédiaire d’une tension de commande Vcm, pour cela on a utilisé ce limiteur pour
varier la tension de commande Vcm entre Vcm min et Vcm max, ainsi α min s’adapte avec
Vcm max et sera régularisé à travers une résistance variable P1, et α max s’adapte avec Vcm
min et sera régularisé à travers une résistance variable P2, comme illustré sur la figure (4-4).
P1
P2
Fig (4-5) : montage de limiteur
24
4-4 Le Comparateur :
Le comparateur est un dispositif permettant de comparer une tension par rapport à une
tension de référence donnée. Son niveau de sortie est soit positif ou négatif selon la
comparaison.
Dans notre montage on a fait la comparaison entre la tension de référence Vr qui a été
raccordée sur le pôle négatif et la tension de commande Vcm qui a été raccordée sur le pôle
positif et varier entre la valeur Vcm max et min.
Figure (4-6) : tensions d’entrée et sortie de comparateur

La tension de sortie du comparateur est un signal carré à deux pulsations (positive et
négative), sachant que le mono stable fonctionne avec la pulsation positive, pour cette
raison on a mis une diode pour éliminer la pulsation négative.
4-4-1 Le circuit LM 324 :

On a choisi le circuit LM 324, par ce qu’il comporte quatre (04) amplificateurs opérationnels
et en plus disponible sur le marché
Figure (4-7) : Diagramme LM 324
25
4-5 Le Monostable MC14538BCL :

4-5-1 Définition :
Un monostable est un circuit possédant deux états en sortie. Un état stable (durée indéfinie)
et un état instable de durée T0 fixe. T0 est appelé durée propre du monostable. Le passage à
l'état instable se produit sous l'effet d'une impulsion de commande.
4-5-2 Principe de fonctionnement :

Un monostable est une structure qui, en sortie, possède deux états complémentaires l'un de l'autre
 Un état stable, ou état de repos ;
 Un état ne pouvant être occupé que momentanément, ou état pseudo stable.
Le passage vers l'état pseudo-stable nécessite une excitation appropriée à l'entrée du monostable.
Au bout d'un temps réglable par l'utilisateur, la sortie retourne à son état stable
Fig (4-8) Diagramme HC4538 Fig (4-9) Tableau de vérité
Fig (4-10) Tension d’entrée et de sortie
26
4-6 La porte logique « OU » :

C’est un circuit intégré contenant 04 portes logiques OR à 02 entrées,
Le circuit de puissance nécessite au moins deux thyristors fermé au même temps, ce qui
exige la largeur d’impulsion plus de 60° ou transmettre deux impulsions dans une seule
période et la différence entre elles, est de 60° pour chaque thyristor, pour cela on a utilisé
la porte « OU ».
Fig (4-11) Diagramme de porte OR 4071
4-7 : Circuit d’amplification et d’isolation galvanique

La figure 4.10 représente le circuit d’amplification du courant et d’isolation
galvanique. Il comporte essentiellement un transistor NPN et un transformateur
d’impulsion.
4-7-1 Analyse
Pour protéger la carte de commande du mauvais fonctionnement on doit procéder par

sa séparation d e la partie commande qui va stimuler les thyristors. Pour cette raison
on fait recourt à un composant électronique (transformateur d’impulsion).
27
4-7-2 Etude du montage
Figure 4.12 – Etage amplification du courant et d’isolation galvanique
4-7-2-a) Amplificateur de courant
A la sortie de la porte OR, le signal formé d’impulsions (train d ’ i m p u l s i o n )

n’est pas assez puissant pour pouvoir amorcer le thyristor, pour cette raison nous
sommes amenés à réaliser un circuit d’amplification de courant, utilisant le transistor
bipolaire Q1 , afin de piloter le thyristor à partir de sa gâchette
4-7-2-b) Transformateur d’impulsion

Son rôle est de commander des interrupteurs statiques (thyristor, triac, transistor) en
assurant une isolation galvanique entre les circuits de commande et de puissance.
Le circuit magnétique est constitué d'un tore de ferrite, dont l'encombrement est de l'ordre
du centimètre cube, sur lequel sont bobinés les enroulements. Le rapport de
transformation m est généralement égal à un.
Les transformateurs d’impulsions ont un large domaine d’applications les
utilisations les plus courantes sont :
– commande et allumage des thyristors et de triacs ;
– commande d’amorçage des transistors de puissance utilisés comme commutateur
– emploi comme transformateur de couplage pour transmission des données ;
– séparation gal v ani qu e .
28
4.8 Alimentation stabilisée
L’alimentation des amplificateurs opérationnels (LM324) ce fait à l’aide d’une

alimentation stabilisée délivrant une tension double et symétrique de valeurs +9 V/-
9 V. Nous avons choisi le montage représenté sur la figure 3.11, qui comporte deux
régulateur, l’un délivrant +9 V (L7809) et l’autre -9 V (L7909).L’alimentation de
la carte de commande sera ainsi prise sur la sortie +9 V.
Des condensateurs d e filtrage seront ajoutés à l ’entrée et à la sortie des
régulateurs.
Ce circuit comporte
– un transformateur 220 / 9 / 9 Vac;
– un pont de diode ;
– des condensateurs de filtrage de 1000 μF ;
– des régulateurs i n t é g r é s ( L7 8 0 9 e t L7 9 0 9 ) .
Figure 4.13 – Montage de l’alimentation stabilisée
29
Figure 4.14 – Schéma globale de la carte de commande
30
CHAPITRE V
TESTS ET RESULTATS
Chapitre V Tests et Résultats
5.1 Introduction
Dans ce chapitre on expose les résultats obtenus lors des différents essais sur le dispositif
expérimental décrit dans le chapitre 3, la réalisation du circuit de commande étant à chevée,
on procède à une série de relevée de forme à la sortie des éléments de montage. [6]
5.2 La carte de commande réalisée
Figure (5.1) Photo de la carte de commande réalisée

31
5.3 Tests et relèves des signaux du circuit de commande

Les signaux des différents étages du bloc de commande, étaient vérifiés par
des essais pratiques et qui sont donnés sur les différentes figures suivantes :
Figure (5-2) les alternances positive et négative à la sortie du transformateur
Figure (5-3) Tension de référence Vr et tension de commande Vcm
32
Figure (5-4) Tension de référence et tension de sortie du comparateur
Figure (5-5) Tension de sortie du comparateur après la diode
Figure (5-6) Tensions d’entrée et sortie du monostable
33
Figure (5-7) Tension de référence et sortie de porte « OU »
Figure (5-8) Les impulsions T1 et T1’ aux sorties des transformateurs d’impulsion
Figure (5-9) Tension entrée gradateur avec impulsion gâchette monophasé
34
Figure (5-10) Tension de sortie d’un gradateur monophasé
Figure (5-11) Tension de sortie d’un gradateur monophasé avec autre angle d’amorçage
Figure (5-12) Largeur d’impulsion est : (40 micro seconde)
35
5.4 Conclusion
Dans ce chapitre on a exposé les oscillogrammes des différents signaux au niveau de
circuit de commande, on peut conclure que les résultats obtenus sont très satisfaisants [5]
36
CONCLUSION GENERALE
Conclusion générale
Nous présentons la conclusion de nos travaux de recherche. Nous mettons également

en évidence les difficultés et les limites rencontrées lors de la réalisation de ce projet, ainsi
que les perspectives que nous entrevoyons à cette réalisation, autant sur le plan théorique
que sur le plan pratique.
Le but principal de notre travail concerne l’étude et la réalisation pratique

d’une carte de commande pour gradateurs triphasés à thyristors, en respectant
l’étude théorique. Ce système devrait permettre l’amorçage des thyristors d’un
convertisseur alternatif-alternatif, et ainsi servir le générateur d’impulsions synchronisés
sur le réseau pour le déclenchement des thyristors pour divers gradateurs monophasés
ou triphasés.
En conclusion, ce projet de fin d’étude nous a permis de nous enrichir d a n s
les domaines de l’électronique de puissance, et nous découvrons des logiciels tels que
"PROTEUS" (ISIS et ARES), MATLAB (Simulink).
Ce projet a été également une source de découverte la conduite de projet, il
nous a donné une idée sur la complémentarité entre la théorie et la pratique et nous a
permis de nous confronter à la réalité et aux difficulté de la pratique.
37
BIBLIOGRAPHIES
V
Bibliographie
[1] BRAHIMI ABDELKRIM « Etude et réalisation d’une carte de commande à base d’un
microcontrôleur PIC 16f877 pour ponts redresseurs triphasés à thyristors » Mémoire de
master. Université de Tlemcen 2013
[2] Guy SÉGUIER. « Electronique de puissance, 8ème édition, Dunod », 2004.
[3] Hervé LABORNE. « Convertisseurs assistés par un réseau alternatif » (Tome 1 et

2),Eyrolles, 1989-1992.
[4] BELHAOUCHET NOURI « Fonctionnement à Fréquence de Commutation Constante

des Convertisseurs de Puissance en Utilisant des Techniques de Commande Avancées ».
Mémoire doctorat, Université de Setif 2011
[5] LOUBNA YACOUBI « Contribution à l'étude, la modélisation et la commande des

redresseurs triphasés non-polluants : application au convertisseur trois-niveaux à point
neutre calé ».Mémoiredoctorat,Université du Québec 2004
[6] NEZLI .S «Etude et réalisation d’une carte de commande pour un onduleur

triphasé à base de MLI » Mémoire d’ingénieur. Université de Biskra 2005
[7] D.Bawer ; R. Bourgeois et M.Jakubowicz. mémotech : science de l’ingénieur,

Casteilla 1er édition sep 2001, 1989.
[8] L. Zellouma et B.S. Salem, « Etude et réalisation d’un onduleur monophasé utilisant la
technique PWM à base des MOSFET», Mémoire d’ingénieur, Université de Biskra 2004.
[9] Touahir Rabah et Dgouhri Boubakeur Seddik « Simulation et Réalisation du circuit de

commande d’un pont triphasé a six Thyristors ».Mémoire d’ingénieur. Université de Biskra 2001
[10] TRIKI.A «Etude et réalisation d’une carte de commande pour un redresseur

triphasé à base de monostable ». Mémoire d’ingénieur, Université de Biskra 2003
[11] Touahir Rabah et Dgouhri Boubakeur Seddik : Simulation et Réalisation du circuit de commande
d’un pont triphasé a six Thyristors, Mémoire d’ingénieur, Université de. Biskra 2001
[12] Pierre Mayé. « Aide-mémoire Composants électroniques, 3ème édition,

Dunod », 2005.
[13] François FADHUILE-CREPY « méthodologie de conception de circuits analogiques pour

des applications radiofréquence à faible consommation de puissance » mémoire doctorat,
Université de Bordeaux 2015.
LES ANNEXES
VI
ANNAXE A
LE COMPARATEUR :
VII
VIII
REGULATEUR DE TENSION LM7809

IX
REGULATEUR DE TENSION LM7909

X
LE MONOSTABLE :
XI
PORTE LOGIQUE « OU »
XII
ANNEXE B
LES TRANSFOS D’IMPULSION :
XIII
ANNEXE C
LE TRANSISTOR 2N2222
XIV
LA DIODE 1N4148
XV
LA DIODE ZENER 1N5913

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N° d'ordre : …….

République Algérienne Démocratique et Populaire

Mémoire de Fin d'Étude

L’Université Echahid Hamma Lakhdar d'El Oued

Soutenu le 02/06/2016. Devant le jury composé de :

Mr. ALLAG Abdelkrim Professeur Président

Année Universitaire 2015/2016

en quelques mots toute ma gratitude et ma reconnaissance. Ma pensée va également

l’Université d’el Oued et Ouargla

Enfin, je remercie du fond du cœur ma femme et mes enfants,

en quelques mots toute ma gratitude et ma reconnaissance. Ma pensée va également

l’Université d’el Oued

Enfin, je remercie du fond du cœur ma femme et mes enfants,

Avant tout, on commence par des

Nous tenons d’abord à exprimer notre sincère

Nos remerciements aussi au chef du département

Nous tenons à remercier aussi tous les

Table des matières

Introduction générale …………………………………………………...........1

LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES

1-2-1 Principe de fonctionnement…..................................................................2

1-2-2 Caractéristique statique d’une diode…………………………… 2

1-3-1 Principe de fonctionnement……………………………………………..3

1-3-2 Caractéristique statique…………………………………… ….4

1.4 Le thyristor GTO………………………………………………………4

1-4-1 Principe de fonctionnement………………………………………………4

1.5 Le transistor bipolaire………………………………………………… ..5

1-5-1 Caractéristiques du transistor NPN….......................................5

1.6 Le transistor MOSFET……………………………………………… …6

1-6-1 Principe de fonctionnement…………………………………………… …6

1.7 Le transistor IGBT………………………………………………… …7

2.2-Les gradateurs…………………………………………………………… ..….8

2.2.1 Gradateur monophasé...................................................................................9

2.2.2 Techniques de Commande du Gradateur Monophasé…………………….…9

2.2.2.1. Gradateur à Commande par Train d’Ondes (ON-OFF)…………..9

2.2.2.2. Gradateur à Commande par Angle de Phase……………… ……10

2.2.3 Gradateur triphasé……………………………..………………. …..12

2.3. Résultats de Simulation par MATLAB………………………………………… …..13

COMMANDE DE GACHETTE DU THYRISTOR

3.2 Commande non-linéaire……………………………………………………16

3.4 Transformateur d’impulsion………………………………………………19

CONCEPTION DE CIRCUIT DE COMMANDE

4-2 Les Transformateurs ………………………………………………………………….23

4-3 Le Limiteur ……………………………………………………………………………………………………………..25

4-4 Le Comparateur ………………………………………………………………………………………………… 26

4-5 Le Monostable MC14538BCL………………………………………… …….27

4-5-1 Définition ……………………………………………………………………27

4-5-2 Principe de fonctionnement ………………………………………………..27

4-6 La porte logique « OU »………………………………………………………………28

4-7 : Circuit d’amplification et d’isolation galvanique……………………...28

4-7-2 Etude du montage………………………………………….……...29

4-7-2-a) Amplificateur de courant……………………………29

4-7-2-b) Transformateur d’impulsion………………………………29

4.8 Alimentation stabilisée…………………………………………… …..30

5.2 La carte de commande réalisée……………………….……………………32

5.2 Tests et relèves des signaux du circuit de commande……………………33

agissent sur le circuit de puissance. Cette carte se compose principalement de :

transformateurs, comparateurs, monostable, amplificateurs et transformateurs